技術(shù)編號(hào):7015269
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種擴(kuò)散后方塊電阻(簡(jiǎn)稱方阻)和少子壽命異常硅片的處理辦法,該方法用于處理因擴(kuò)散不當(dāng)而不合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的硅片。其特點(diǎn)是,包括如下步驟(1)首先對(duì)單晶硅片單面擴(kuò)散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進(jìn)行分類,第一類為方阻和少子壽命分別為90-130Ω/sq和0-2μs,第二類為方阻和少子壽命分別為75-90Ω/sq和4-20μs,第三類為方阻和少子壽命分別為40-50Ω/sq和4-20μs,第四類為方阻和少子壽命分別為60-75Ω/sq和2-4μs;(2)對(duì)第...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。