用于制造芯片布置的方法和芯片布置的制作方法
【專利摘要】用于制造芯片布置的方法和芯片布置。根據(jù)各種實(shí)施例的一種用于制造芯片布置的方法可以包括：將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上；將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)；去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸；以及在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接。
【專利說明】用于制造芯片布置的方法和芯片布置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例涉及用于制造芯片布置的方法，和芯片布置。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片布置，例如芯片封裝，可以包括與芯層(core layer) —起布置(例如嵌入在芯層中，諸如金屬芯層)的至少一個(gè)芯片(或管芯)。芯片布置可以另外地包括與芯層一起布置(例如嵌入在芯層中)的至少一個(gè)無源部件(例如電阻器和/或電容器和/或電感器)。芯層可以提供對(duì)至少一個(gè)芯片(或管芯)和/或?qū)χ辽僖粋€(gè)無源部件的電和/或熱連接?？赡苄枰圃煨酒贾玫男碌姆椒?。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)各種實(shí)施例的一種用于制造芯片布置的方法可以包括:將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上；將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)；去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸；和在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]在圖中，遍及不同的視圖，相似的參考標(biāo)記通常指的是相同的部分。各圖不必要按比例，而是通常將重點(diǎn)放在說明本發(fā)明的原理上。在下面的描述中，參照下面的圖來描述本發(fā)明的各種實(shí)施例，其中:
圖1A至圖1G圖示出用于制造芯片布置的傳統(tǒng)方法。
[0005]圖2示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片布置的方法。
[0006]圖3A至30示出圖示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片布置的方法的各種視圖。
[0007]圖4A至40示出圖示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片布置的方法的各種視圖。
[0008]圖5示出根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置。
[0009]圖6A和6B不出根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面的詳細(xì)描述參照附圖，所述附圖借助圖示示出其中本發(fā)明可以被實(shí)施的實(shí)施例和具體細(xì)節(jié)。這些實(shí)施例被足夠詳細(xì)地描述以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明?？梢岳闷渌鼘?shí)施例并且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以作出結(jié)構(gòu)，邏輯，和電氣變化。各種實(shí)施例不必要是互相排斥的，因?yàn)橐恍?shí)施例可以與一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施例相結(jié)合以形成新的實(shí)施例。用于結(jié)構(gòu)或裝置的各種實(shí)施例被描述，并且用于方法的各種實(shí)施例被描述。可以理解結(jié)合結(jié)構(gòu)或裝置描述的一個(gè)或多個(gè)(例如全部)實(shí)施例可以同樣地適用于方法，并且反之亦然。
[0011]本文使用詞“示例性的”來意指“用作實(shí)例，例子，或者示例”等。本文描述為“示例性的”的任何實(shí)施例或者設(shè)計(jì)不一定被解釋為比其它實(shí)施例或者設(shè)計(jì)優(yōu)選或者有利。[0012]本文用來描述在面或者表面“上面”形成特征，例如層的詞“上面”可以用來表示該特征，例如該層可以被“直接地”形成在暗指的面或表面“上面”，例如與暗指的面或表面直接接觸。本文用來描述在面或者表面“上面”形成特征，例如層的詞“上面”可以用來表示該特征，例如該層可以被“間接地”形成在暗指的面或表面“上面”，其中一個(gè)或多個(gè)另外的層被布置在暗指的面或表面和形成的層之間。
[0013]以類似的方式，本文用來描述被設(shè)置在另一個(gè)上面的特征，例如層“覆蓋”面或者表面的詞“覆蓋”可以用來表示該特征，例如該層可以被設(shè)置在暗指的面或表面上面并且與暗指的面或表面直接接觸。本文用來描述被設(shè)置在另一個(gè)上面的特征，例如層“覆蓋”面或者表面的詞“覆蓋”可以用來表示該特征，例如該層可以被設(shè)置在暗指的面或表面上面并且與暗指的面或表面間接接觸，其中一個(gè)或多個(gè)另外的層被布置在暗指的面或表面和覆蓋層之間。
[0014]本文用來描述特征被連接到至少一個(gè)其它暗指的特征的術(shù)語“耦合”和/或“電耦合”和/或“連接”和/或“電連接”不意味著表示該特征和該至少一個(gè)其它暗指的特征必須被直接地稱合或連接在一起；中間特征可以被提供在該特征和該至少一個(gè)其它暗指的特征之間。
[0015]可以參照被描述的圖的方向來使用方向性術(shù)語，例如諸如“上部”，“下部”，“頂部”，“底部”，“左手”，“右手”等。因?yàn)閳D中的部件可以被定位在許多不同的方向上，方向性術(shù)語被用于說明的目的并且絕不是限制性的。應(yīng)該理解到可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下作出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。
[0016]現(xiàn)代芯片(或管芯)布置，例如芯片(或管芯)封裝，可以展現(xiàn)薄的平面封裝，其可以實(shí)現(xiàn)3D堆疊。在這方面嵌入式芯片(或管芯)封裝可以是尤為有用的。制造芯片(或管芯)布置可能需要在芯層(例如金屬芯層，諸如引線框)和芯片(或管芯)之間形成導(dǎo)電連接。制造芯片(或管芯)布置可以另外地需要在芯層和至少一個(gè)無源部件(例如電容器，電阻器，和/或電感器)之間形成導(dǎo)電連接。
[0017]圖1A至圖1G圖示出用于制造芯片布置的傳統(tǒng)方法。
[0018]圖1A示出包括引線框102和芯片104 (或管芯)的芯片布置的截面圖100。芯片104 (或管芯)可以包括正面104a和背面104b。金屬化層104c可以被形成在芯片104的背面104b處并且至少一個(gè)接觸104d (例如結(jié)合焊盤)可以被形成在芯片104的正面104a處。可以利用結(jié)合工藝(由箭頭IOOa表示)來將芯片104結(jié)合到引線框102，其可以在從約200°C至約350°C的范圍中的溫度處被執(zhí)行。
[0019]如在圖1B中以視圖101所示的，引線框102 (例如銅引線框)的表面可以被變粗糙(例如利用微蝕刻工藝)以便例如，促進(jìn)可以在芯片104和/或引線框102上形成的后面的層的附著。
[0020]如在圖1C中以視圖103所示的，芯片104可以被檢查(例如光學(xué)地檢查)以測量和/或計(jì)算在結(jié)合到引線框102的相鄰芯片104 (或管芯)之間的相對(duì)空間位移。例如，可以通過設(shè)備103a檢查(例如光學(xué)檢查)在左邊的芯片104和在右邊的芯片104，并且可以計(jì)算在左側(cè)芯片104和右側(cè)芯片104之間的相位位置。
[0021]如在圖1D中以視圖105所示的，可以在芯片104和引線框102上形成疊層(Iayup)105a。疊層105a可以包括被構(gòu)造的半固化片(prepreg)層106,絕緣層108 (例如樹脂和/或未固化的半固化片)和導(dǎo)電層110。被構(gòu)造的半固化片層106可以被設(shè)置在(例如直接地設(shè)置在)引線框102上。被構(gòu)造的半固化片層106可以被配置為占用在結(jié)合到引線框102的相鄰芯片104之間的間隙。例如，如在圖1D中所示，被構(gòu)造的半固化片層106可以占用在左邊的芯片104和右邊的芯片104之間的間隙。另外，被構(gòu)造的半固化片層106可以被配置為占用在芯片104和引線框102的邊緣之間的間隙，如在圖1D中所示。絕緣層108可以被設(shè)置在被構(gòu)造的半固化片層106上，并且導(dǎo)電層110可以被設(shè)置在絕緣層108上，如在圖1D中所示。
[0022]可以將熱和/或壓力(由箭頭105b表示)施加到疊層105a和引線框102以將被構(gòu)造的半固化片106，絕緣層(例如樹脂)108和導(dǎo)電層110結(jié)合(例如通過層壓)到引線框102和芯片104?？梢酝瑫r(shí)在多個(gè)引線框102上執(zhí)行結(jié)合疊層105a (例如通過層壓)。例如，在BLADE生產(chǎn)中，可以同時(shí)層壓八個(gè)弓丨線框102，并且可以利用可被包括在疊層105a中的模版來將每個(gè)引線框連接到另一引線框。
[0023]如在圖1E中以視圖107所示的，通孔112可以被形成在導(dǎo)電層110中(例如通過蝕刻工藝)。
[0024]如在圖1F中以視圖109所示的，通孔112可以被延伸以暴露引線框102的一部分和/或芯片104的一部分。例如，如在圖1F中所示，通孔112可以被延伸以暴露芯片104的至少一個(gè)接觸104c (例如結(jié)合焊盤)?？梢岳勉@孔工藝，例如激光鉆孔工藝來延伸通孔112。
[0025]如在圖1G中以視圖111所示的，通孔可以被填充有導(dǎo)電材料114 (例如銅或銅合金或任何其它合適的金屬或金屬合金例如諸如鎢)。導(dǎo)電材料114可以隨后例如利用蝕刻來被構(gòu)造(例如圖案化)。
[0026]用于制造在圖1A至圖1G中示出的芯片布置的傳統(tǒng)方法可能遭受不良影響。例如，可以在高溫下(例如在從約200°C至約350°C的范圍中)來執(zhí)行將芯片104結(jié)合到引線框102 (例如厚的銅層)，例如如在圖1A中所示。
[0027]高結(jié)合溫度可能引起引線框102的扭曲。雖然可以注意到較厚的引線框102可以減少由高結(jié)合溫度引起的扭曲，較厚引線框102的使用可能導(dǎo)致較高的材料清單(bill-of-material, BOM)。
[0028]高結(jié)合溫度可能導(dǎo)致在芯片104和引線框102之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配。因此，使用在圖1A至圖1G中示出的方法來制造的芯片布置可能遭受高的殘余應(yīng)力，其可能影響芯片布置的性能。
[0029]高的結(jié)合溫度也可能導(dǎo)致由可在結(jié)合工藝期間產(chǎn)生的銅硅化物引起的失效的高風(fēng)險(xiǎn)。
[0030]除了高結(jié)合溫度引起在芯片布置方面的上面提到的不良影響以外，在其之上結(jié)合芯片104的引線框102可以具有小的尺寸(例如約165X68mm2)。如上面描述的，可以利用可被包括在疊層105a中的模版(例如另外的PCB模版)來互相連接多個(gè)引線框102。這可能導(dǎo)致復(fù)雜的疊層結(jié)構(gòu)，和復(fù)雜的引線框結(jié)構(gòu)。復(fù)雜的結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致在多個(gè)引線框之間的差的對(duì)準(zhǔn)精度并且可能遭受非線性尺度變化。例如，引線框102和/或芯片104的尺度的小變化可能導(dǎo)致可在多個(gè)引線框102上形成的疊層105和/或模版的尺度的不成比例的變化。[0031]此外，因?yàn)樾酒?04 (或管芯)被結(jié)合在引線框102的基本平面的表面上，用于芯片104的開口可能需要被制造到疊層105a。例如，層壓在引線框102和芯片104的頂部上的在圖1D中示出的被構(gòu)造的半固化片106可以形成用于芯片104的開口。因此，甚至在形成層疊結(jié)構(gòu)之前，可能需要材料(例如半固化片106和/或?qū)щ妼?10和/或在疊層105中的模版)的昂貴的預(yù)構(gòu)造。
[0032]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以提供用于制造芯片布置的方法。
[0033]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是芯片在簡單層壓疊層的面板和/或裝置上的精確對(duì)準(zhǔn)。
[0034]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是防止或大大減少可能破壞芯片的化合物(例如銅硅化物)的形成。
[0035]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是防止或大大減少CTE不匹配和/或高殘余應(yīng)力。
[0036]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是去除對(duì)構(gòu)造和/或圖案化在層壓中使用的半固化片的需要。
[0037]—個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是僅對(duì)在層壓中使用的一個(gè)絕緣層的需要。
[0038]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是在材料清單(BOM)中的成本節(jié)省。
[0039]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是在相對(duì)低的溫度中在芯片和金屬結(jié)構(gòu)302之間的互連(例如冶金互連)的制造。
[0040]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是防止或大大減少在金屬結(jié)構(gòu)和/或芯片中的扭曲。
[0041]一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的效果可以是制造芯片(或管芯)布置的簡單PCB (印刷電路板)制造工藝的使用。
[0042]圖2示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片布置的方法。
[0043]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該方法可以被用來制造芯片(或管芯)布置，例如，嵌入式芯片(或管芯)布置。
[0044]如在圖2中所示，用于制造芯片布置的方法200可以包括:將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上(在202中);將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)(在204中);去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸(在206中)；和在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接(在208中)。
[0045]圖3A至圖30示出圖示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片(或管芯)布置的方法的各種截面圖。
[0046]圖3A示出設(shè)置在載體304的表面304a上的金屬結(jié)構(gòu)302的截面圖300。
[0047]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以是芯片(或管芯)封裝(例如嵌入式芯片封裝)的金屬芯層。金屬結(jié)構(gòu)302可以例如提供對(duì)芯片(或管芯)布置(例如在嵌入式芯片封裝中)的芯片(或管芯)的電和/或熱接觸。
[0048]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括金屬或金屬合金，或者可以由金屬或金屬合金構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬可以包括從金屬的組中選擇的至少一個(gè)金屬，該組由如下構(gòu)成:銅、鋁、鎳或者包含前述金屬的至少一個(gè)的合金。例如，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括或者可以是芯片(或管芯)封裝的銅芯層。
[0049]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括可利用例如電鍍工藝電鍍的材料，或者可以由可利用例如電鍍工藝電鍍的材料構(gòu)成。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括銅，或者可以由銅構(gòu)成。
[0050]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括多層結(jié)構(gòu)，或者可以由多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多層結(jié)構(gòu)可以包括包含銅、鋁、或鎳的至少一個(gè)層，或者可以包括由銅、鋁、或鎳構(gòu)成的至少一個(gè)層。例如，金屬結(jié)構(gòu)302可以是包括銅層的多層結(jié)構(gòu)(例如，金屬堆疊)。
[0051]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括材料，或可以由材料構(gòu)成，該材料可以具有大于或等于約145W/m/K的熱導(dǎo)率，例如大于或等于約148W/m/K，例如大于或等于約160W/m/K，例如大于或等于約200W/m/K，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的。
[0052]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以是厚的金屬層，其可以是芯片(或管芯)封裝(例如嵌入式芯片封裝)的厚金屬芯層的至少一部分。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302的厚度Tl可以大于或等于約30 μ m,例如大于或等于約50 μ m,例如在從約50 μ m至約100 μ m的范圍中，例如在從約60 μ m至約90 μ m的范圍中，例如約80 μ m，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的。
[0053]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體304可以包括金屬或金屬合金，或者可以由金屬或金屬合金構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬可以包括從金屬的組中選擇的至少一個(gè)金屬，該組由如下構(gòu)成:鋁、鐵、或包含前述金屬中的至少一個(gè)的合金。例如，載體304可以包括通過結(jié)合鐵和至少一個(gè)其它元素(例如碳)來制作的合金，或者可以由通過結(jié)合鐵和至少一個(gè)其它元素(例如碳)來制作的合金構(gòu)成。例如，載體304可以包括鋼，或者可以由鋼構(gòu)成。
[0054]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體304可以包括金屬層(例如銅層)或者可以由金屬層(例如銅層)構(gòu)成，該金屬層(例如銅層)具有被插入在金屬層和金屬結(jié)構(gòu)302之間的涂層(例如被涂覆的層)。
[0055]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體304的厚度T2可以大于約40 μ m，例如在從約40 μ m至約200 μ m的范圍中，例如在從約60 μ m至約150 μ m的范圍中，例如在從約80 μ m至約120 μ m的范圍中，例如約100 μ m,然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的。
[0056]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體304可以例如是在其上可隨后構(gòu)造和/或成形金屬結(jié)構(gòu)302的層(例如臨時(shí)層)。因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括材料，或可以由材料構(gòu)成，該材料可以對(duì)于載體304的材料是選擇性地可蝕刻的。例如，金屬結(jié)構(gòu)302的材料可以利用蝕刻工藝(例如濕法蝕刻工藝和/或干法蝕刻工藝，諸如等離子體蝕刻工藝)被去除，其可以使載體304的材料至少基本上處于未被干擾和/或未被去除。作為另一示例，載體304的材料可以利用另一蝕刻工藝(例如另一濕法蝕刻工藝和/或另一干法蝕刻工藝，諸如另一等離子體蝕刻工藝)來被去除，其可以使金屬結(jié)構(gòu)302的材料至少基本上處于未被干擾和/或未被去除。
[0057]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，設(shè)置在載體304的表面304a上的金屬結(jié)構(gòu)302可以是可從商業(yè)上得到的面板，例如箔(諸如導(dǎo)電箔)(例如從MetfoiI AB可得到的箔)。例如，設(shè)置在載體304的表面304a上的金屬結(jié)構(gòu)302可以是測量約300 X 400mm2的面板，其可以通常被用作PCB (印刷電路板)材料。
[0058]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括使用例如載體304作為在其上執(zhí)行這種構(gòu)造的層來構(gòu)造金屬結(jié)構(gòu)302。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成開口以暴露載體304的表面304a (例如上表面)的一部分。
[0059]圖3B和圖3C示出在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成的開口 306 (在圖3C中示出)以暴露載體304的表面304a (例如上表面)的一部分304b的截面圖301和303。
[0060]在圖3C中僅示出五個(gè)開口 306，然而可以理解在一些實(shí)施例中開口 306的數(shù)目可以例如是一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、六個(gè)、七個(gè)、八個(gè)、九個(gè)、幾十個(gè)、幾百個(gè)，或者甚至更多開□。
[0061]如在圖3B中以視圖301所示的，在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成開口 306 (在圖3C中示出)可以包括在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a (例如上表面)上形成蝕刻掩模308。金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a可以是遠(yuǎn)離(例如背對(duì))載體304的金屬結(jié)構(gòu)302的表面。
[0062]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以通過在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a上沉積抗蝕劑材料，并且將抗蝕劑材料圖案化來在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a (例如上表面)上形成蝕刻掩模308。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將抗蝕劑材料圖案化可以包括平版印刷工藝(例如光刻工藝)，或者可以由平版印刷工藝(例如光刻工藝)構(gòu)成。
[0063]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以通過在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a上電鍍金屬層或金屬合金層，并且將在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a上電鍍的金屬層或金屬合金層圖案化(例如利用蝕刻)來在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a (例如上表面)上形成蝕刻掩模308。例如，可以通過在金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a上電鍍錫以形成錫層，并且將錫層圖案化(例如通過蝕刻錫層的一部分)以形成蝕刻掩模308來形成蝕刻掩模308。
[0064]如在圖3C中以視圖303所示的，在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成開口 306可以包括去除金屬結(jié)構(gòu)302的一部分以暴露載體304的表面304a (例如上表面)的一部分304b。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，去除金屬結(jié)構(gòu)302的一部分以形成開口 306可以留下可包括例如至少一個(gè)側(cè)壁302c的金屬結(jié)構(gòu)302的一部分302b。至少一個(gè)側(cè)壁302c可以例如形成開口306的側(cè)壁302c。金屬結(jié)構(gòu)302的一部分302b可以例如是芯片布置(例如芯片封裝)的芯層。
[0065]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以利用蝕刻工藝在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成開口306。如上面描述的，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括材料，或者可以由材料構(gòu)成，該材料可以對(duì)載體304的材料是選擇性地可蝕刻的。因此，用來形成開口 306的蝕刻工藝可以例如是選擇性蝕刻工藝?？梢詫⑽g刻掩模308用作掩模通過蝕刻金屬結(jié)構(gòu)302的一部分來形成開口 306。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在形成開口 306之后將蝕刻掩模308從金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a去除。
[0066]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，蝕刻工藝可以包括，或者可以是濕法蝕刻工藝和干法蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝，諸如Bosch (博世)蝕刻工藝)中的至少一個(gè)，或其它適合的蝕刻工藝。
[0067]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)302中形成的開口 306可以包括孔(例如貫穿孔)，切割街區(qū)(dicing street),通孔(例如微通孔和/或貫穿通孔),加深(deepening),腔和溝槽中的至少一個(gè)，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它類型的開口也可以是可能的。例如，開口306A和306B可以是在金屬結(jié)構(gòu)302中形成的切割街區(qū)。
[0068]根據(jù)實(shí)施例，開口 306沿著在圖3C中示出的平面A-B的截面可以例如具有圓形形狀、矩形形狀、三角形形狀、橢圓形形狀、方形形狀(quadratic shape)、多邊形形狀，或者不規(guī)則形狀，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它形狀也可以是可能的。
[0069]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的一方面可以是可以在載體上制造(例如圖案化)金屬芯層(例如銅芯層)。
[0070]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是用于在芯片(或管芯)布置中使用的相對(duì)大量的金屬(例如銅)的供應(yīng)(例如在金屬結(jié)構(gòu)302中)，其可以實(shí)現(xiàn)良好的電和熱性能。
[0071]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的一方面可以是可需要包括載體304和金屬結(jié)構(gòu)302的僅一個(gè)面板來制造芯片布置(例如嵌入式芯片封裝)，而不是如在圖1D中的多個(gè)引線框102和將多個(gè)引線框102連接在一起的包括在疊層105a中的模版。因此，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是在材料清單(BOM)中的成本節(jié)省。在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是利用比用于制造在圖1A至IG中示出的芯片布置的傳統(tǒng)方法更少的工藝步驟來形成芯層(例如金屬結(jié)構(gòu)302的一部分302b)。
[0072]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是從金屬結(jié)構(gòu)302的一部分去除材料(例如銅)，其可以例如后來成為切割街區(qū)(諸如開口 306A和306B)。
[0073]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的一方面可以是可使用大的面板尺寸(例如測量約300 X 400mm2或更大的面板，諸如約500 X 600mm2或更大，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的)，而不是可以例如是更小的(例如約165X68mm2)在圖1A至圖1H中示出的引線框102。因此，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是芯片在面板上的精確對(duì)準(zhǔn)(在圖3E和圖3F中示出)。此外，因?yàn)榭梢圆恍枰缭趫D1A至圖1H中的多個(gè)引線框102，在圖3A至圖3C中圖示出的方法的效果可以是簡單疊層的供應(yīng)(在圖3G和圖3H中示出)。
[0074]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括使金屬結(jié)構(gòu)302b和暴露的載體304的表面304a的部分304b變粗糙。使金屬結(jié)構(gòu)302b變粗糙可以例如在金屬結(jié)構(gòu)302b的表面302a (例如上表面)和/或側(cè)壁302c處形成不平坦表面。以類似的方式，使暴露的載體304的表面304a的部分304b變粗糙可以例如在載體304的表面304a的部分304b處形成不平坦表面。變粗糙可以例如增強(qiáng)可形成(例如沉積和/或擠壓)在金屬結(jié)構(gòu)302b的表面302a (例如上表面)和/或側(cè)壁302c和/或載體304的表面304a的一部分304b上的后面的材料的附著。
[0075]圖3D示出其中不平坦表面被形成在金屬結(jié)構(gòu)302b的表面302a (例如上表面)和側(cè)壁302c處以及被暴露的載體304的表面304a的部分304b處的視圖305。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使金屬結(jié)構(gòu)302b和被暴露的載體304的表面304a的部分304b變粗糙可以包括蝕刻工藝(例如微蝕刻工藝)。
[0076]在圖3A至圖3D中圖示出的方法可以被用來在金屬結(jié)構(gòu)302的一部分中形成開口306。但是，在另一實(shí)施例中，可以利用除了蝕刻工藝之外的工藝來形成金屬結(jié)構(gòu)302中的開口 306，例如利用被構(gòu)造的沉積工藝和/或選擇性電鍍工藝。例如，可以在載體304 (例如鋁或鋼載體)上選擇性地沉積和/或選擇性地電鍍金屬結(jié)構(gòu)302 (例如銅)的一部分302b使得載體304的表面304a (例如上表面)的一部分304b處于暴露。這種工藝可以導(dǎo)致形成與在圖3D中示出的布置相似或者相同的布置。例如，被圖案化的抗蝕劑材料(例如光致抗蝕劑材料)可以形成在載體304的表面304a的一部分304b上,并且金屬結(jié)構(gòu)302可以被形成(例如利用選擇性沉積和/或選擇性電鍍)在可沒有被圖案化的抗蝕劑材料的載體304的一部分表面304a上。換句話說，金屬結(jié)構(gòu)302可以被形成(例如利用選擇性沉積和/或選擇性電鍍)在載體304的未被圖案化抗蝕劑材料覆蓋的一部分表面304a上。
[0077]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括在金屬結(jié)構(gòu)302b的開口306內(nèi)，并且在暴露的載體304的表面304a的一部分304b上設(shè)置芯片(或管芯)。
[0078]圖3E和圖3F示出其中芯片310 (或管芯)被設(shè)置在金屬結(jié)構(gòu)302b的開口 306內(nèi)，并且在暴露的載體304的表面304a的一部分304b上的截面圖307和309。
[0079]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310可以例如是用于MEMS和/或邏輯電路和/或存儲(chǔ)器和/或電源應(yīng)用的芯片。
[0080]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310可以包括至少一個(gè)接觸(例如導(dǎo)電接觸)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310的至少一個(gè)接觸可以被設(shè)置在芯片310的正面310a上。例如，芯片的至少一個(gè)接觸可以是被設(shè)置在芯片310的正面310a上的導(dǎo)電接觸(例如結(jié)合焊盤310c)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310的至少一個(gè)接觸可以被設(shè)置在芯片310的背面310b上。例如，芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括，或者可以是可以例如被設(shè)置在芯片310的背面310b上的金屬化層。在圖3E中示出的芯片310可以例如是被配置用于在電源應(yīng)用中使用的芯片，并且因此可以包括在芯片310的正面310a和背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸。
[0081]如在圖3E中以視圖307所示的，在開口 306內(nèi)設(shè)置芯片310 (或管芯)可以包括在暴露的載體304的表面304a的部分304b上設(shè)置(例如沉積和/或分配)粘合劑312。粘合劑312可以例如被用來將芯片310 (或管芯)固定(例如臨時(shí)固定)到載體304 (例如鋁載體)，以便芯片310可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)。
[0082]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑312可以包括非導(dǎo)電材料(例如非導(dǎo)電糊劑)，或者可以由非導(dǎo)電材料(例如非導(dǎo)電糊劑)構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑312可以包括切割膠粘帶，或者可以由切割膠粘帶構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑312可以包括熱塑性材料(即可以在特定溫度之上是易彎的和/或可塑的，并且在冷卻時(shí)可以返回到固態(tài)的材料)和熱固性材料(即在固化過程期間形成不可逆化學(xué)鍵，在熔化時(shí)可以斷裂，并且在冷卻時(shí)不可以重組的材料)中的至少一個(gè)，或者可以由該熱塑性材料和該熱固性材料中的至少一個(gè)構(gòu)成。
[0083]如在圖3F中以視圖309所示的，將芯片310 (或管芯)設(shè)置在開口 306內(nèi)可以進(jìn)一步包括將芯片310設(shè)置在粘合劑312上。如在圖3F中所示，芯片310 (或管芯)可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)使得芯片310的背面310b面向載體304的表面304a。換句話說，芯片310的正面310a可以背對(duì)(即可以遠(yuǎn)離)載體304的表面304a。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310的背面310b可以與金屬結(jié)構(gòu)302b面向載體304的表面(例如與金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a相對(duì)的表面)基本上齊平(例如基本上為平面的)。
[0084]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑312可以將芯片310附著到載體304。例如，粘合劑312可以將芯片310的背面310b附著到被暴露的載體304的表面304a的部分304b。
[0085]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑312可能需要被加熱以便芯片310被附著(例如固定)到載體304并且在開口 306內(nèi)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片310 (或管芯)設(shè)置在開口 306內(nèi)可以進(jìn)一步包括在將芯片310設(shè)置在粘合劑312上之后加熱粘合劑312。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，加熱粘合劑312可以包括固化工藝。固化工藝可以例如在從約100°C至約200°C的范圍中的溫度下被實(shí)施，例如，在從約120°C至約150°C的范圍中，例如，在從約130°C至約140°C的范圍中。
[0086]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以使用芯片310 (或管芯)來加熱粘合劑312。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在將芯片310 (或管芯)設(shè)置在開口 306內(nèi)之前加熱芯片310(或管芯)。例如，在圖3E中示出的芯片310 (或管芯)可以被加熱(例如至在從約100°C至約200°C的范圍中的溫度)，并且被加熱的芯片310 (或管芯)可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)，從而固化粘合劑312。
[0087]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3E和圖3F中圖示出的方法的一方面可以是芯片310在相對(duì)低的溫度下被結(jié)合到載體304。
[0088]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3E和圖3F中圖示出的方法的效果可以是防止或大大地減少可能損害芯片310的化合物(例如銅硅化物)的形成。
[0089]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3F中圖示出的方法的效果可以是避免CTE不匹配和/或高殘余應(yīng)力。
[0090]圖3A至圖3F中圖示出的方法可以被用來將芯片310放置在設(shè)置在載體304上的金屬結(jié)構(gòu)302的開口 306內(nèi)的載體304上。換句話說，將芯片310放置在設(shè)置在載體304上的金屬結(jié)構(gòu)302的開口 306內(nèi)的載體304上可以包括提供設(shè)置在載體304的表面304a上的金屬結(jié)構(gòu)302 (例如在圖3A中);在金屬結(jié)構(gòu)302的部分中形成開口 306以暴露載體304的表面304a的一部分304b (例如在圖3B至圖3D中);和在金屬結(jié)構(gòu)302的開口 306內(nèi)，并且在被暴露的載體304的表面304a的一部分304b上設(shè)置芯片310 (例如在圖3E和圖3F中)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3A至圖3F中圖示出的方法可以對(duì)應(yīng)于在圖2中示出的方法200的“將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上”(在202中)。
[0091]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b。如上面關(guān)于圖3E和圖3F描述的，粘合劑312可以將芯片310附著(例如固定)(諸如臨時(shí)固定)到載體304。但是芯片310 (或管芯)可能需要被附著(例如固定)到金屬結(jié)構(gòu)302b。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以包括在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302b上形成層(例如絕緣層)，其中該層(例如絕緣層)填充金屬結(jié)構(gòu)302b的開Π 306。
[0092]圖3G和圖3H示出其中芯片310 (或管芯)被固定到金屬結(jié)構(gòu)302b的截面圖311和 313。
[0093]如在圖3G中以視圖311所示的，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以包括在芯片310,金屬結(jié)構(gòu)302b,和載體304上形成疊層。疊層可以包括絕緣層314和導(dǎo)電層316。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，形成疊層可以包括將絕緣層314放置在開口 306內(nèi)設(shè)置的芯片310和導(dǎo)電層316之間。因?yàn)樾酒?10的表面(例如在圖3G中芯片310的背面310b)可以與面向載體304的金屬結(jié)構(gòu)302b的表面基本上齊平，放置在導(dǎo)電層316和芯片310之間的絕緣層314也被定位在導(dǎo)電層316和金屬結(jié)構(gòu)302b之間。
[0094]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，絕緣層314可以包括從材料的組中選擇的至少一個(gè)材料，或者可以由從材料的組中選擇的至少一個(gè)材料構(gòu)成，該組由如下構(gòu)成:半固化片材料和樹脂材料。例如，絕緣層314可以包括樹脂膜和/或成型樹脂。
[0095]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層316可以包括第二載體318和設(shè)置在第二載體318上的金屬層320。如在圖3G中所示，金屬層320的表面320a可以面向絕緣層314。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層316可以是可從商業(yè)上得到(例如從Metfoils AB得到)的箔(例如導(dǎo)電箔)。
[0096]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬層320可以包括銅或銅合金，或者可以由銅或銅合金構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬層320的厚度T3可以在從約5 μ m至約20 μ m的范圍中，例如在從約5 μ m至約15 μ m的范圍中，例如約9 μ m，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的。
[0097]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可能需要金屬層320用于形成后面的與芯片310的電和/或熱連接。例如，金屬層320可以被使用或者可以是對(duì)芯片310的正面310a (例如對(duì)芯片310的至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)的電和/或熱連接的一部分。
[0098]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二載體318可以包括金屬或金屬合金，或者可以由金屬或金屬合金構(gòu)成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬可以包括從金屬的組中選擇的至少一個(gè)金屬，該組由如下構(gòu)成:鋁、鐵、或包含前述金屬中的至少一個(gè)的合金。第二載體318的厚度可以大于或等于約15 μ m，例如大于或等于約18 μ m，例如大于或等于約40 μ m，例如在從約40 μ m至約200 μ m的范圍中，例如在從約60 μ m至約150 μ m的范圍中，例如在從約80 μ m至約120 μ m的范圍中，例如約100 μ m，然而根據(jù)其它實(shí)施例其它值也可以是可能的。
[0099]如在圖3H中以視圖313所示的，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以包括施加熱和壓力(由箭頭313a表示)以將導(dǎo)電層316，絕緣層314，芯片310，和金屬結(jié)構(gòu)302b熔合在一起。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，施加的熱和/或壓力可以將絕緣層314軟化(例如熔化)使得絕緣層314流入并且填充金屬結(jié)構(gòu)302b的開口 306。使用的絕緣層314的體積可能引起在施加熱和/或壓力之后絕緣層314被另外地設(shè)置在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302b上，如在圖3H中所示。
[0100]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以進(jìn)一步包括在熔化設(shè)置在載體304上的金屬結(jié)構(gòu)302b、金屬層320、絕緣層314和芯片310之后去除導(dǎo)電層316的一部分。如上面描述的，可能需要金屬層320用于形成后面的與芯片310的電和/或熱連接。因此，去除導(dǎo)電層316的一部分可以包括從金屬層320去除第二載體318。在去除第二載體318之后，金屬層320可以保留并且可以被設(shè)置在絕緣層314上。
[0101]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3G和圖3H中圖示出的方法的一方面可以是更簡單的疊層結(jié)構(gòu)，因?yàn)樾酒?10被設(shè)置在開口 306內(nèi)。
[0102]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3G和圖3H中圖示出的方法的效果可以是在施加熱和/或壓力之前去除將絕緣層314構(gòu)造和/或圖案化的需要，因?yàn)樾酒?10被設(shè)置在開口306內(nèi)。相比之下，在圖1D中圖示出的傳統(tǒng)方法需要在層壓之前形成被構(gòu)造的半固化片106，以便為芯片104創(chuàng)建開口。這可以是芯片104被設(shè)置在引線框102的基本平面的表面上的結(jié)果。
[0103]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3G和圖3H中圖示出的方法的效果可以是需要僅一個(gè)絕緣層314 (例如半固化片和/或樹脂)來填充開口 306。因此，在圖3G和圖3H中圖示出的方法的效果可以是在材料清單(BOM)中的成本節(jié)省。
[0104]在圖3G和圖3H中圖示出的方法可以被用來將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b。換句話說，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以包括在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302b上形成絕緣層314，其中絕緣層314填充金屬結(jié)構(gòu)302b的開口 306。例如，將芯片310固定到金屬結(jié)構(gòu)302b可以包括將絕緣層314放置在設(shè)置在載體304上的金屬結(jié)構(gòu)302b和芯片310與導(dǎo)電層316之間(例如在圖3G中)，并且施加熱和/或壓力以熔化設(shè)置在載體304上的金屬結(jié)構(gòu)302b，芯片310和絕緣層314和導(dǎo)電層316 (例如在圖3H中)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖3G和圖3H中圖示出的方法可以對(duì)應(yīng)于在圖2中示出的方法200的將芯片固定在金屬結(jié)構(gòu)上(在204中)。
[0105]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括暴露被設(shè)置在開口 306內(nèi)并且被絕緣層314覆蓋的芯片310的至少一個(gè)接觸。
[0106]圖31和圖3J示出其中芯片310的至少一個(gè)接觸被暴露的截面圖315和317。
[0107]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括去除載體304以從而暴露芯片310的至少一個(gè)接觸。
[0108]如在圖31中以視圖315所示的，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括去除載體304。如上面描述的，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括材料，或者可以由材料構(gòu)成，該材料可以對(duì)載體304的材料是選擇性地可蝕刻的。因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以利用例如蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝)去除載體304，其可以使金屬結(jié)構(gòu)302的材料至少基本上處于未被干擾和/或未被去除。
[0109]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，去除載體304可以包括剝掉載體304。例如，如上面描述的，載體304可以包括金屬層(例如銅層)，或者可以由金屬層(例如銅層)構(gòu)成，該金屬層(例如銅層)具有被插入在金屬層和金屬結(jié)構(gòu)302之間的涂層(例如被涂覆的層)。在這樣的實(shí)施例中，可以例如利用從金屬結(jié)構(gòu)302剝離金屬層和涂層來去除載體304。
[0110]如在圖3J中以視圖317所示的，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以進(jìn)一步包括形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露芯片310的至少一個(gè)接觸?？梢孕枰辽僖粋€(gè)第二開口 322a，322b來形成在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間的導(dǎo)電連接。
[0111]如上面描述的，芯片310可以例如是用于MEMS和/或邏輯電路和/或存儲(chǔ)器和/或電源應(yīng)用的芯片。因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括形成至少一個(gè)第二開口 322a以暴露設(shè)置在芯片310的正面310a上的至少一個(gè)接觸(例如結(jié)合焊盤310c)(例如在用于邏輯電路和/或存儲(chǔ)器的芯片中)。以類似的方式，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以另外地包括形成至少一個(gè)第二開口 322b以暴露設(shè)置在芯片310的背面310b上的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)(例如在用于電源應(yīng)用的芯片中)。
[0112]例如，在圖3J中示出的芯片310可以用于電源應(yīng)用。因此，芯片310可能需要在其正面310a和其背面310b之間的電流流動(dòng)。因此，可以形成至少一個(gè)第二開口 322b以暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)并且可以形成至少一個(gè)第二開口 322a以暴露在芯片310的正面310a上的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)。因此，在圖3J中所示的布置中，可以在絕緣層314中(例如關(guān)于至少一個(gè)開口 322a)并且在粘合劑312中(例如關(guān)于至少一個(gè)開口 322b)形成至少一個(gè)開口 322a，322b。[0113]如在圖3J中所示，為暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)而形成的至少一個(gè)第二開口 322b (例如在用于電源應(yīng)用的芯片中)可以被形成使得粘合劑312的一部分保留在芯片310的背面310b的邊緣處。例如，保留在芯片310的邊緣處的粘合劑312的部分可以在芯片310的背面310b的周邊處形成密封環(huán)(如在圖3J中所示)。
[0114]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，為暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)而形成的至少一個(gè)第二開口 322b (例如在用于電源應(yīng)用的芯片中)可以被形成使得從芯片310的整個(gè)背面310b去除粘合劑312。換句話說，可以形成至少一個(gè)第二開口 322b使得芯片310的背面310b沒有粘合劑312。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以利用鉆孔工藝(例如激光鉆孔工藝)和/或溶解工藝(例如使用溶劑溶解粘合劑312的工藝)和/或蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝)來從芯片310的整個(gè)背面310b去除粘合劑312。
[0115]盡管圖3J示出在絕緣層314中(例如關(guān)于至少一個(gè)開口 322a)并且在粘合劑312中(例如關(guān)于至少一個(gè)開口 322a)形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b，這可以在其它實(shí)施例的情況下變化。例如，芯片310可以被用于除了電源應(yīng)用以外的目的。因此，對(duì)芯片310的背面310b的導(dǎo)電連接可以不是必需的。因此，在這樣的實(shí)施例中，可以形成至少一個(gè)開口 322a以暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)。換句話說，可以不形成暴露芯片310的背面310b的至少一個(gè)開口 322b。
[0116]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)第二開口 322a，322b可以包括，或者可以是通孔(例如微通孔或者貫穿通孔)和接觸孔中的至少一個(gè)。例如，在絕緣層314中形成的暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的芯片310的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)的至少一個(gè)第二開口 322a可以是通孔(例如微通孔或貫穿通孔)。作為另一示例，在粘合劑312中形成的暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的芯片310的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)的至少一個(gè)第二開口 322b可以是接觸孔。
[0117]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，形成暴露芯片310的至少一個(gè)接觸的至少一個(gè)第二開口322a，322b可以包括鉆孔工藝(例如激光鉆孔工藝)。鉆孔工藝(例如激光鉆孔工藝)可以去除材料以便暴露芯片310的至少一個(gè)接觸。例如，在粘合劑312中的至少一個(gè)開口 322b可以通過利用鉆孔工藝去除粘合劑312的至少一部分來形成。作為另一示例，在絕緣層314中的至少一個(gè)開口 322a可以通過利用鉆孔工藝(例如激光鉆孔工藝)去除一部分金屬層320和在金屬層320下面設(shè)置的一部分絕緣層312來形成。
[0118]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，形成暴露芯片310的至少一個(gè)接觸的至少一個(gè)第二開口322a，322b可以包括等離子體處理工藝和/或化學(xué)處理工藝。例如，可以利用等離子體處理工藝去除至少一部分粘合劑312 (其可以包括熱固性材料)。作為另一示例，可以利用化學(xué)處理工藝去除至少一部分粘合劑312 (其可以包括熱塑性材料)。
[0119]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括形成(例如利用蝕刻工藝和/或鉆孔工藝，諸如激光鉆孔工藝)暴露金屬結(jié)構(gòu)302b的一部分表面302a的至少一個(gè)第三開口 324 (在圖3J中示出)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以需要至少一個(gè)第三開口 324來形成在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間的導(dǎo)電連接。
[0120]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖31和圖3J中圖示出的方法的效果可以是形成第二開口 322a，322b和/或第三開口 324，相比于在圖1F中圖示出的傳統(tǒng)方法中形成的開口，其可以在深度上更短，因?yàn)楹捅辉O(shè)置在圖1F中的引線框102的平面表面上相比，芯片310可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)。
[0121]在圖31和圖3J中圖示出的方法可以被用來去除載體304以從而暴露芯片310的至少一個(gè)接觸。換句話說，去除載體304以從而暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括從芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302b去除載體304(例如在圖31中);和形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露芯片310的至少一個(gè)接觸(例如在圖3J中)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在圖31和圖3J中圖示出的方法可以對(duì)應(yīng)于在圖2中示出的方法200的去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸(在206中)。
[0122]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，制造芯片(或管芯)布置可以包括在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接。
[0123]圖3K至圖3N示出其中在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接的截面圖319，321，323和325。
[0124]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括電鍍工藝。例如，電鍍工藝可以包括無電極電鍍工藝或電化學(xué)電鍍工藝或
直接金屬化工藝。
[0125]如在圖3K中以視圖319所示的，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括在芯片310的至少一部分上并且在金屬結(jié)構(gòu)302b的表面的第一部分上形成電鍍掩模326。如在圖3K中所不,金屬結(jié)構(gòu)302b的表面可以是金屬結(jié)構(gòu)302b的正面302a和/或背面302d。
[0126]可以形成電鍍掩模326使得芯片310的至少一個(gè)接觸(例如設(shè)置在芯片310的正面310a和/或背面310b上的接觸)沒有電鍍掩模326。以類似的方式，可以形成電鍍掩模326使得金屬結(jié)構(gòu)302b的表面的第二部分沒有電鍍掩模326，如在圖3K中所示。
[0127]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以通過在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302b的表面上沉積抗蝕劑材料，并且將抗蝕劑材料圖案化來形成電鍍掩模326。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將抗蝕劑材料圖案化可以包括平版印刷工藝(例如光刻工藝)，或者可以由平版印刷工藝(例如光刻工藝)構(gòu)成。
[0128]如在圖3L中以視圖321所示的，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括將電鍍掩模326用作掩模來在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b的表面的第二部分上電鍍(例如利用無電極電鍍工藝或電化學(xué)電鍍工藝)導(dǎo)電層328。
[0129]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在小于或等于約150°C的溫度下實(shí)施電鍍工藝，所述溫度例如小于或等于約100°c，例如小于或等于約50°C，例如小于或等于約35°C，例如為約室溫。
[0130]使用電鍍工藝來在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接的效果可以是以相對(duì)低的溫度在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302 (例如相對(duì)厚的銅層)之間制造互連(例如冶金互連)。例如，可以在從約200°C至約350°C的范圍中的溫度下執(zhí)行圖1A中的用來將芯片104 (或管芯)附著到引線框102的結(jié)合工藝。
[0131 ] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使用電鍍工藝來形成導(dǎo)電連接的效果可以是防止或大大減少銅硅化物的形成，其可能損壞芯片310和/或引起芯片310失效。
[0132] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使用電鍍工藝來形成導(dǎo)電連接的效果可以是由于較低處理溫度引起的金屬結(jié)構(gòu)302b和/或芯片310的較小扭曲。
[0133]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使用電鍍工藝來形成導(dǎo)電連接的效果可以是在芯片310和金屬結(jié)構(gòu)302 (例如銅芯層)之間形成可靠的互連(例如冶金連接)。
[0134]如在圖3M中以視圖323所示的，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括在電鍍導(dǎo)電層328之后去除電鍍掩模326(例如利用剝離工藝，諸如化學(xué)剝離工藝)。
[0135]如在圖3N中以視圖325所示的，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括將導(dǎo)電層328圖案化以形成圖案化的導(dǎo)電層328’。圖案化的導(dǎo)電層328’可以例如是芯片布置(例如嵌入式芯片封裝)的電路圖案。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將導(dǎo)電層328圖案化可以包括蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝)。
[0136]在圖3K至圖3N中圖示出的方法可以被用來在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接。但是，在另一實(shí)施例中，在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成導(dǎo)電連接可以包括在圖3J中示出的金屬層320和芯片310的至少一個(gè)接觸上沉積(例如利用電鍍)導(dǎo)電材料(例如銅)，并且將導(dǎo)電材料圖案化(例如利用蝕亥Ij)以形成在圖3N中示出的導(dǎo)電層328’。
[0137]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)另外的導(dǎo)電層可以被形成在導(dǎo)電層328’上。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在導(dǎo)電層328’上形成的至少一個(gè)另外的導(dǎo)電層可以形成多層導(dǎo)電層(例如在圖6B中不出的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608b)。在導(dǎo)電層328’上形成至少一個(gè)另外的導(dǎo)電層的效果可以是芯片布置的改進(jìn)的布線能力。
[0138]圖30示出其中執(zhí)行單體化(由箭頭327表示)以將一個(gè)芯片布置(例如芯片封裝)與另一個(gè)分離的視圖327。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在可以沒有金屬結(jié)構(gòu)302b的材料(例如沒有銅)的切割街區(qū)上執(zhí)行單體化。
[0139]圖4A至圖40示出圖示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于制造芯片(或管芯)布置的方法的多種截面圖。
[0140]與在圖3A至圖30中相同的圖4A至圖40中的參考符號(hào)表示與在圖3A至圖30中相同或者相似的元件。因此，這里將不再次詳細(xì)地描述那些元件；參照上面的描述。下面描述在圖4A至圖40和圖3A至圖30之間的區(qū)別。
[0141]如在圖4F中以視圖409所示的，將芯片310 (或管芯)設(shè)置在開口 306內(nèi)可以包括將芯片310設(shè)置在粘合劑312上。如在圖4F中所示，芯片310 (或管芯)可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)使得芯片310的正面310a面向載體304的表面304a。換句話說，芯片310的背面310b可以背對(duì)(即可以遠(yuǎn)離)載體304的表面304a。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片310的正面310a可以與面向載體304的金屬結(jié)構(gòu)302b的表面(例如與金屬結(jié)構(gòu)302的表面302a相對(duì)的表面)基本上齊平(例如基本上為平面的)。
[0142]如在圖41-1中以視圖415-1所示的，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括去除載體304。如上面描述的，金屬結(jié)構(gòu)302可以包括材料，或者可以由材料構(gòu)成，該材料可以對(duì)載體304的材料是選擇性可蝕刻的。因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體304可以利用例如蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝)被去除，其可以使金屬結(jié)構(gòu)302的材料至少基本上處于未被干擾和/或未被去除。
[0143]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，去除載體304可以包括剝掉載體304。例如，如上面描述的，載體304可以包括金屬層(例如銅層)，或者可以由金屬層(例如銅層)構(gòu)成，該金屬層(例如銅層)具有被插入在金屬層和金屬結(jié)構(gòu)302之間的涂層(例如被涂覆的層)。在這樣的實(shí)施例中，可以例如利用從金屬結(jié)構(gòu)302剝離金屬層和涂層來去除載體304。
[0144]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在去除載體304之后形成(例如利用層壓)可選絕緣層402 (例如絕緣樹脂層)，如在圖41-2中以視圖415-2所示的。例如，絕緣層402可以被形成在粘合劑312上使得芯片310 (或管芯)的正面310a面向絕緣層402，如在圖41-2中所示。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，由于被形成(例如利用層壓)在粘合劑312上，絕緣層402可以被形成在金屬結(jié)構(gòu)302b的表面(例如底表面)和/或絕緣層314的一部分表面(例如底表面)上,如在圖41-2中所示。
[0145]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，絕緣層402 (例如絕緣樹脂層)可以包括可被用在于芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間形成(例如利用電鍍)導(dǎo)電連接中的種晶金屬或種晶金屬合金(例如種晶銅)。此后，用于制造芯片(或管芯)布置的方法的描述從其中在去除載體304之后不形成可選絕緣層402的實(shí)施例繼續(xù)。換句話說，接下來的描述從圖41-1繼續(xù)。
[0146]如在圖4J中以視圖417所示的，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以進(jìn)一步包括形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露芯片310的至少一個(gè)接觸?？梢孕枰辽僖粋€(gè)第二開口 322a，322b來形成在芯片310的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)302b之間的導(dǎo)電連接。
[0147]如上面描述的，芯片310可以例如是用于MEMS和/或邏輯電路和/或存儲(chǔ)器和/或電源應(yīng)用的芯片。因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以包括形成至少一個(gè)第二開口 322a以暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如結(jié)合焊盤310c)(例如在用于邏輯電路和/或存儲(chǔ)器的芯片中)。以類似的方式，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，暴露芯片310的至少一個(gè)接觸可以另外地包括形成至少一個(gè)第二開口 322b以暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)(例如在用于電源應(yīng)用的芯片中)。
[0148]例如，在圖4J中示出的芯片310可以被用于電源應(yīng)用。因此，芯片310可以需要在其正面310a和其背面310b之間的電流流動(dòng)。因此，可以形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露在芯片310的背面310b上(例如關(guān)于至少一個(gè)第二開口 322b)并且在芯片310的正面310a上(例如關(guān)于至少一個(gè)第二開口 322a)設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)。因此，在圖4J中示出的布置中，可以在絕緣層314中并且在粘合劑312中形成至少一個(gè)開口 322a，322b。
[0149]盡管圖4J示出在絕緣層314中并且在粘合劑312中形成的至少一個(gè)第二開口322a，322b，這可以在其它實(shí)施例的情況下變化。例如，芯片310可以被用于除了電源應(yīng)用之外的目的。因此，對(duì)芯片310的背面310b的導(dǎo)電連接可以不是必需的。因此，在這樣的實(shí)施例中，可以形成至少一個(gè)開口 322a以暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)。換句話說，可以在粘合劑312中并且不在絕緣層314中形成至少一個(gè)開口 322a。再換種方式說，可以不形成至少一個(gè)開口 322b來從而暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的至少一個(gè)接觸。
[0150]在其中去除載體304之后形成絕緣層402的實(shí)施例中(例如如在圖41_2中所示)，可以通過去除一部分絕緣層402和一部分粘合劑312來形成至少一個(gè)第二開口 322a以暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310c)。換句話說，可以在形成(例如層壓)絕緣層402之后形成至少一個(gè)開口 322a。
[0151]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)第二開口 322a，322b可以包括，或者可以是通孔(例如微通孔或貫穿通孔)和接觸孔中的至少一個(gè)。例如，在粘合劑312中形成以暴露在芯片310的正面310a上設(shè)置的芯片310的至少一個(gè)接觸(例如至少一個(gè)結(jié)合焊盤310)的至少一個(gè)第二開口 322a可以是通孔(例如微通孔或貫穿通孔)。作為另一示例，在絕緣層314中形成以暴露在芯片310的背面310b上設(shè)置的芯片310的至少一個(gè)接觸(例如金屬化層)的至少一個(gè)第二開口 322b可以是接觸孔和/或通孔。
[0152]圖5示出根據(jù)各種實(shí)施例制造的芯片(或管芯)布置的截面圖500。
[0153]與在圖3A至圖30中相同的圖5中的參考符號(hào)表示與在圖3A至圖30中相同的或相似的元件。因此，這里將不再次詳細(xì)地描述那些元件；參照上面的描述。下面描述在圖5A至圖50和圖3A至圖30之間的區(qū)別。
[0154]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片布置可以包括多個(gè)芯片510-A和510-B。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)芯片510-A和510-B中的至少一個(gè)芯片可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)使得至少一個(gè)芯片的正面310a面向載體304的表面304a。例如，在圖5中，芯片510-A被設(shè)置在開口 306內(nèi)使得至少一個(gè)芯片的正面310a面向載體304的表面304a。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)芯片510-A和510-B中的至少一個(gè)芯片可以被設(shè)置在開口 306內(nèi)使得至少一個(gè)芯片的背面310b面向載體304的表面304a。例如，在圖5中，芯片510-B被設(shè)置在開口306內(nèi)使得至少一個(gè)芯片的背面310b面向載體304的表面304a。
[0155]上面在圖3A至30和圖4A至圖40中描述的關(guān)于形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露芯片310的至少一個(gè)接觸的更多特征可以同樣地適用于形成至少一個(gè)第二開口 322a，322b以暴露多個(gè)芯片510-A和510-B中的每個(gè)芯片的至少一個(gè)接觸。
[0156]圖6A和圖6B不出根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的截面圖。
[0157]上面在圖3A至30中描述的關(guān)于在芯片布置中形成各種結(jié)構(gòu)的特征可以同樣地適用于形成在圖6A和圖6B中示出的芯片布置的各種結(jié)構(gòu)。
[0158]如在圖6A中以視圖600所示的，芯片布置可以包括在金屬結(jié)構(gòu)604的開口 606內(nèi)設(shè)置的芯片602。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片602的至少一個(gè)接觸602a，602b可以被電連接到金屬結(jié)構(gòu)604。例如，芯片602的至少一個(gè)接觸602a可以利用第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a被電連接到金屬結(jié)構(gòu)604。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a可以由電鍍工藝，或者上面關(guān)于在芯片610和金屬結(jié)構(gòu)604 (例如金屬芯層)之間形成導(dǎo)電連接描述的任何其它工藝來形成。作為另一示例，芯片602的至少一個(gè)接觸602b可以利用第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608b被電連接到金屬結(jié)構(gòu)604。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608b可以由電鍍工藝，或者上面關(guān)于在芯片610和金屬結(jié)構(gòu)604 (例如金屬芯層)之間形成導(dǎo)電連接描述的任何其它工藝來形成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，一部分第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a和/或一部分第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608b可以通過電鍍工藝或者通過上面關(guān)于在芯片610和金屬結(jié)構(gòu)604 (例如金屬芯層)之間形成導(dǎo)電連接描述的任何其它工藝來被形成在一部分芯片602上。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片602的表面(例如背面)的一部分可以被粘合劑610 (例如非導(dǎo)電糊劑)覆蓋。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑610可以在芯片602的邊緣處形成密封環(huán)。如上面描述的，在其它實(shí)施例中，可以在圖6A中示出的芯片布置的制造期間完全地去除粘合劑610。因此，在其它實(shí)施例中，芯片602的表面(例如背面)的一部分可以沒有粘合劑610。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)604的開口 606可以利用蝕刻工藝(例如等離子體蝕刻工藝)，或上面關(guān)于在金屬結(jié)構(gòu)604 (例如金屬芯層)中形成開口 606描述的任何其它工藝來形成。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，由于蝕刻工藝，開口 606的側(cè)壁可以具有不規(guī)則四邊形形狀。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，蝕刻工藝可能導(dǎo)致用于芯片布置的屏蔽邊緣。換句話說，芯片布置的邊緣600a可以沒有金屬結(jié)構(gòu)604的材料(例如銅)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以沒有金屬結(jié)構(gòu)604的材料的芯片布置的邊緣可以是切割街區(qū)。
[0159]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片布置可以包括多個(gè)通孔612a，612b。多個(gè)通孔612a，612b可以被填充有導(dǎo)電材料并且多個(gè)通孔612a，612b中的通孔的深度可以基本上等于多個(gè)通孔612a，612b中另一通孔的深度。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)通孔612a，612b可以包括在芯片602的表面處形成的至少一個(gè)通孔。例如，在圖6A中，可以在芯片602的表面處形成通孔612a。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)通孔612a，612b可以包括在金屬結(jié)構(gòu)604的表面處形成的至少一個(gè)通孔。例如，在圖6A中，可以在金屬結(jié)構(gòu)604的表面處形成通孔612b。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片602的表面可以至少與金屬結(jié)構(gòu)604的表面基本上齊平。例如，在圖6A中示出的芯片602的背面可以與金屬結(jié)構(gòu)604的表面基本上齊平。
[0160]圖6B示出圖示出芯片布置的視圖601，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a，608b被布置為在芯片602和金屬結(jié)構(gòu)604上的多個(gè)層。例如，如上面關(guān)于圖3N描述的，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以在導(dǎo)電層328’上形成至少一個(gè)另外的導(dǎo)電層。換句話說，在芯片602和金屬結(jié)構(gòu)604之間形成導(dǎo)電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以是多層導(dǎo)電層(如在圖6B中關(guān)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)608a，608b示出的)。形成多層導(dǎo)電層608a，608b的效果可以是芯片布置的改進(jìn)的布線能力。上面關(guān)于在圖6A中示出的芯片布置描述的特征可以同樣地適用于在圖6B中示出的芯片布置。
[0161]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，可以提供用于制造芯片布置的方法。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該方法可以包括:將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上；將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)；去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸；和在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接。
[0162]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接可以包括電鍍工藝。
[0163]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，電鍍工藝可以包括無電極電鍍工藝和電化學(xué)電鍍工藝中的一個(gè)。
[0164]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，芯片的至少一個(gè)接觸可以被設(shè)置在芯片的正面和背面中的至少一個(gè)上。
[0165]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接可以包括:在芯片的至少一部分上并且在金屬結(jié)構(gòu)的表面的第一部分上形成電鍍掩模，其中芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)的表面的第二部分沒有電鍍掩模；并且使用電鍍掩模作為掩模來在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)的表面的第二部分上電鍍導(dǎo)電層。
[0166]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接可以包括:在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬層上沉積導(dǎo)電材料；并且將導(dǎo)電材料圖案化。
[0167]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)的表面可以包括金屬結(jié)構(gòu)的正面和背面中的至少一個(gè)。[0168]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接可以進(jìn)一步包括:在電鍍導(dǎo)電層之后從芯片的一部分和金屬結(jié)構(gòu)的表面的第一部分去除電鍍掩模。
[0169]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，去除電鍍掩?？梢园▌冸x工藝。
[0170]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在芯片的至少一個(gè)接觸和金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接可以進(jìn)一步包括:將導(dǎo)電層圖案化。
[0171]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將導(dǎo)電層圖案化可以包括蝕刻工藝。
[0172]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上可以包括:提供設(shè)置在載體的表面上的金屬結(jié)構(gòu)；在金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成開口以暴露載體的表面的一部分；和在金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)并且在被暴露的載體的表面的一部分上設(shè)置芯片。
[0173]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成開口以暴露載體的表面的一部分可以包括蝕刻工藝。
[0174]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，蝕刻工藝可以包括選擇性蝕刻工藝。
[0175]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成開口以暴露載體的表面的一部分可以包括:在金屬結(jié)構(gòu)的表面上形成蝕刻掩模；并且使用蝕刻掩模作為掩模來蝕刻金屬結(jié)構(gòu)的一部分以暴露載體的表面的一部分。
[0176]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成開口以暴露載體的表面的一部分可以進(jìn)一步包括:從金屬結(jié)構(gòu)的表面去除蝕刻掩模。
[0177]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的表面上形成蝕刻掩?？梢园?將抗蝕劑材料沉積在金屬結(jié)構(gòu)的表面上；并且將抗蝕劑材料圖案化。
[0178]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將抗蝕劑材料圖案化可以包括平版印刷工藝。
[0179]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)并且在被暴露的載體的表面的一部分上設(shè)置芯片可以包括:在被暴露的載體的表面的該部分上設(shè)置粘合劑；并且在粘合劑上設(shè)置芯片。
[0180]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑可以包括非導(dǎo)電材料。
[0181 ] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，粘合劑可以包括非導(dǎo)電糊劑。
[0182]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)并且在被暴露的載體的表面的一部分上設(shè)置芯片可以進(jìn)一步包括:在粘合劑上設(shè)置芯片之后加熱粘合劑。
[0183]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，加熱粘合劑可以包括固化工藝。
[0184]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的載體上可以進(jìn)一步包括:使金屬結(jié)構(gòu)和被暴露的載體的表面的一部分變粗糙。
[0185]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使金屬結(jié)構(gòu)和被暴露的載體的表面的一部分變粗糙可以包括蝕刻工藝。
[0186]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，使金屬結(jié)構(gòu)和被暴露的載體的表面的一部分變粗糙可以包括微蝕刻工藝。
[0187]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)可以包括:在芯片和金屬結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，其中絕緣層填充金屬結(jié)構(gòu)的開口。
[0188]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)可以包括:將絕緣層放置在導(dǎo)電層與設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)和芯片之間；并且施加熱和壓力以熔合導(dǎo)電層，絕緣層和設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)和芯片。
[0189]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，絕緣層可以填充金屬結(jié)構(gòu)的開口并且可以被設(shè)置在芯片和金屬結(jié)構(gòu)上。
[0190]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將芯片固定到金屬結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括:在熔合金屬層，絕緣層和設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)和芯片之后去除導(dǎo)電層的一部分。
[0191]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層可以包括第二載體和設(shè)置在第二載體上的金屬層，其中金屬層的表面可以面向絕緣層，并且其中去除導(dǎo)電層的一部分可以包括從金屬層去除第二載體。
[0192]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，去除載體以從而暴露芯片的至少一個(gè)接觸可以包括:從芯片和金屬結(jié)構(gòu)去除載體；并且形成至少一個(gè)第二開口以暴露芯片的至少一個(gè)接觸。
[0193]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，從芯片和金屬結(jié)構(gòu)去除載體可以包括蝕刻工藝。
[0194]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)第二開口可以被形成在絕緣層中。
[0195]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)第二開口可以被形成在粘合劑中。
[0196]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，形成至少一個(gè)第二開口以暴露芯片的至少一個(gè)接觸可以包括鉆孔工藝，等離子體處理工藝，和化學(xué)處理工藝中的至少一個(gè)。
[0197]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)可以包括對(duì)載體的材料是選擇性可去除的材料。
[0198]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體可以包括金屬或者金屬合金。
[0199]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體可以包括鋁或者鋁合金。
[0200]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)可以包括銅或者銅合金。
[0201]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，載體的厚度可以是在從約40 μ m至約200 μ m的范圍中。
[0202]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)的厚度可以是在從約50 μ m至約100 μ m的范圍中。
[0203]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，絕緣層可以包括半固化片和樹脂材料中的至少一個(gè)。
[0204]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，可以提供一種用于制造芯片布置的方法。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該方法可以包括:提供設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)；在金屬結(jié)構(gòu)中形成至少一個(gè)第一開口以暴露載體的一部分；在至少一個(gè)第一開口內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)芯片，其中粘合劑層將至少一個(gè)芯片附著到被暴露的載體的一部分；在至少一個(gè)芯片和金屬結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，其中絕緣層填充至少一個(gè)第一開口 ；在絕緣層和粘合劑層的至少一個(gè)中形成至少一個(gè)第二開口以暴露至少一個(gè)芯片的一部分和金屬結(jié)構(gòu)的一部分中的至少一個(gè)；并且在至少一個(gè)芯片的一部分和被暴露的金屬結(jié)構(gòu)的一部分上電鍍導(dǎo)電層。
[0205]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，可以提供一種芯片布置。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該芯片布置可以包括:在金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)設(shè)置的芯片；其中芯片的至少一個(gè)接觸被電連接到金屬結(jié)構(gòu)，并且其中芯片的表面至少與金屬結(jié)構(gòu)的表面基本上齊平。
[0206]雖然參照本公開的各個(gè)方面已經(jīng)具體地示出和描述了本公開的這些方面，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解到可以在不脫離如由所附的權(quán)利要求限定的本公開的精神和范圍的情況下在其中作出形式和細(xì)節(jié)方面的各種變化。本公開的范圍因而被所附的權(quán)利要求表明，并且因此旨在包括落入權(quán)利要求的等同物的含義和范圍內(nèi)的所有改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造芯片布置的方法，所述方法包括: 將芯片放置在設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)的所述載體上； 將所述芯片固定到所述金屬結(jié)構(gòu)； 去除所述載體以從而暴露所述芯片的至少一個(gè)接觸；和 在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接。
2.權(quán)利要求1的方法， 其中在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接包括電鍍工藝。
3.權(quán)利要求1的方法， 其中在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接包括: 在所述芯片的至少一部分上并且在所述金屬結(jié)構(gòu)的表面的第一部分上形成電鍍掩模，其中所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)的所述表面的第二部分沒有所述電鍍掩模；并且 使用所述電鍍掩模作為掩模來在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)的所述表面的所述第二部分上電鍍導(dǎo)電層。
4.權(quán)利要求1的方法， 其中在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電連接包括: 在所述芯片的所述至少一個(gè)接觸和所述金屬層上沉積導(dǎo)電材料；并且 將所述導(dǎo)電材料圖案化。
5.權(quán)利要求3的方法，進(jìn)一步包括: 將所述導(dǎo)電層圖案化。
6.權(quán)利要求1的方法， 其中將所述芯片放置在設(shè)置在所述載體上的所述金屬結(jié)構(gòu)的所述開口內(nèi)的所述載體上包括: 提供設(shè)置在所述載體的表面上的所述金屬結(jié)構(gòu)； 在所述金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成所述開口以暴露所述載體的所述表面的一部分；和在所述金屬結(jié)構(gòu)的所述開口內(nèi)并且在被暴露的所述載體的所述表面的所述部分上設(shè)置所述芯片。
7.權(quán)利要求6的方法， 其中在所述金屬結(jié)構(gòu)的一部分中形成所述開口以暴露所述載體的所述表面的所述部分包括蝕刻工藝。
8.權(quán)利要求6的方法， 其中在所述金屬結(jié)構(gòu)的所述開口內(nèi)并且在被暴露的所述載體的所述表面的所述部分上設(shè)置所述芯片包括: 在被暴露的所述載體的所述表面的所述部分上設(shè)置粘合劑；并且 在所述粘合劑上設(shè)置所述芯片。
9.權(quán)利要求8的方法， 其中 所述粘合劑包括非導(dǎo)電材料。
10.權(quán)利要求8的方法，其中所述粘合劑包括非導(dǎo)電糊劑。
11.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括: 在所述粘合劑上設(shè)置所述芯片之后加熱所述粘合劑。
12.權(quán)利要求6的方法，進(jìn)一步包括: 使所述金屬結(jié)構(gòu)和被暴露的所述載體的所述表面的所述部分變粗糙。
13.權(quán)利要求12的方法， 其中使所述金屬結(jié)構(gòu)和被暴露的所述載體的所述表面的所述部分變粗糙包括蝕刻工藝。
14.權(quán)利要求13的方法， 其中所述蝕刻工藝包括微蝕刻工藝。
15.權(quán)利要求1的方法， 其中將所述芯片固定到所述金屬結(jié)構(gòu)包括: 在所述芯片和所述金屬結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，其中所述絕緣層填充所述金屬結(jié)構(gòu)的所述開口。
16.權(quán)利要求1的方法，` 其中將所述芯片固定到所述金屬結(jié)構(gòu)包括: 將絕緣層放置在導(dǎo)電層與設(shè)置在所述載體上的所述金屬結(jié)構(gòu)和所述芯片之間；并且施加熱和壓力以熔合所述導(dǎo)電層，所述絕緣層和設(shè)置在所述載體上的所述金屬結(jié)構(gòu)和所述芯片。
17.權(quán)利要求16的方法， 其中所述絕緣層填充所述金屬結(jié)構(gòu)的所述開口并且被設(shè)置在所述芯片和所述金屬結(jié)構(gòu)上。
18.權(quán)利要求1的方法， 其中去除所述載體以從而暴露所述芯片的至少一個(gè)接觸包括: 從所述芯片和所述金屬結(jié)構(gòu)去除所述載體；并且 形成至少一個(gè)第二開口以暴露所述芯片的所述至少一個(gè)接觸。
19.權(quán)利要求1的方法， 其中所述載體包括金屬或者金屬合金。
20.權(quán)利要求15的方法， 其中所述絕緣層包括半固化片和樹脂材料中的至少一個(gè)。
21.一種用于制造芯片布置的方法，所述方法包括: 提供設(shè)置在載體上的金屬結(jié)構(gòu)； 在所述金屬結(jié)構(gòu)中形成至少一個(gè)第一開口以暴露所述載體的一部分； 在所述至少一個(gè)第一開口內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)芯片，其中粘合劑層將所述至少一個(gè)芯片附著到被暴露的所述載體的所述部分； 在所述至少一個(gè)芯片和所述金屬結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，其中所述絕緣層填充所述至少一個(gè)第一開口； 在所述絕緣層和所述粘合劑層的至少一個(gè)中形成至少一個(gè)第二開口以暴露所述至少一個(gè)芯片的一部分和所述金屬結(jié)構(gòu)的一部分中的至少一個(gè)；并且在所述至少一個(gè)芯片的所述部分和被暴露的所述金屬結(jié)構(gòu)的所述部分上電鍍導(dǎo)電層。
22.—種芯片布置,包括:在金屬結(jié)構(gòu)的開口內(nèi)設(shè)置的芯片；其中所述芯片的至少一個(gè)接觸被電連接到所述金屬結(jié)構(gòu)，并且其中所述芯 片的表面至少與所述金屬結(jié)構(gòu)的表面基本上齊平。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103887189SQ201310707408
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】P.帕爾姆 申請人:英飛凌科技股份有限公司