金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，屬于薄膜晶體管制造工藝領(lǐng)域。該金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法包括：形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，能夠簡(jiǎn)化金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，提高金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的產(chǎn)能。
【專利說(shuō)明】金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管制造工藝領(lǐng)域，特別是指一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]近年來(lái)TFT-LCD獲得了飛速的發(fā)展，尤其是液晶電視發(fā)展的更為迅速，其尺寸和分辨率不斷地提高，大尺寸、高分辨率的液晶電視成為T(mén)FT-LCD發(fā)展的一個(gè)主流。隨著TFT-LCD尺寸的不斷增大、分辨率的不斷提高，為了提高顯示質(zhì)量，勢(shì)必要采用更高頻率的驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)圖像信號(hào)的延遲變的更為嚴(yán)重，信號(hào)延遲成為制約大尺寸、高分辨率TFT-1XD顯示效果的關(guān)鍵因素之一。
[0004]隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路頻率的不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求，非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0.5左右，而在液晶顯示器尺寸超過(guò)80英寸，驅(qū)動(dòng)頻率為120Hz時(shí)需要lcm2/Vs以上的遷移率，顯然現(xiàn)有非晶硅薄膜晶體管的遷移率很難滿足要求。而多晶硅薄膜晶體管盡管遷移率比較高，但是均一性較差，制作工藝復(fù)雜；金屬氧化物薄膜晶體管(非晶IGZ0)遷移率高，均一性好，制作工藝簡(jiǎn)單，可以很好地滿足大尺寸、高刷新頻率液晶顯示器和有源有機(jī)電致發(fā)光器件高遷移率的需求。
[0005]現(xiàn)在一般采用六次構(gòu)圖工藝制作金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，主要是因?yàn)樵诳涛g源漏金屬層時(shí)容易腐蝕源漏金屬層下的金屬氧化物半導(dǎo)體層，因此需要在金屬氧化物半導(dǎo)體層上增加一刻蝕阻擋層，保護(hù)金屬氧化物半導(dǎo)體層不被源漏金屬層的刻蝕液腐蝕。但是這樣就增加了陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制作工藝的復(fù)雜性，從而降低了金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的產(chǎn)能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠簡(jiǎn)化金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，提高金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的產(chǎn)能。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括:形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。
[0008]優(yōu)選地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層包括:
[0009]在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0010]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形；
[0011]對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物，形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。[0012]優(yōu)選地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層包括:
[0013]在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0014]對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物；
[0015]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形。
[0016]優(yōu)選地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層之后還包括:
[0017]在基板上沉積源漏金屬層；
[0018]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線的圖形；
[0019]以所述源電極和漏電極為掩膜，刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層。
[0020]優(yōu)選地，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層包括:
[0021]刻蝕掉所述溝道區(qū)域的全部結(jié)晶誘導(dǎo)層和部分有源層，刻蝕掉的有源層的厚度為
50 ~ 500 A。
[0022]優(yōu)選地，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層之后還包括:
[0023]對(duì)所述溝道區(qū)域的有源層進(jìn)行氧等離子處理、N20等離子體處理或者N2等離子處理。
[0024]優(yōu)選地，所述制作方法具體包括:
[0025]提供一襯底基板；
[0026]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線；
[0027]在所述柵電極和柵線上形成柵絕緣層；
[0028]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層，在所述有源層上形成結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0029]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0030]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上形成包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；
[0031 ] 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述保護(hù)層上形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連接。
[0032]本發(fā)明還提供一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，所述陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物形成。
[0033]優(yōu)選地，所述陣列基板的溝道區(qū)域由經(jīng)過(guò)等離子處理的所述結(jié)晶金屬氧化物形成。
[0034]優(yōu)選地，所述有源層由非晶IGZO、HIZO、IZO、a-1nZnO、a-1nZnO、ZnO:F、In203:Sn、In203:Mo、Cd2Sn04、ZnO:Al、Ti02:Nb、Cd-Sn-O 中的至少一種經(jīng)結(jié)晶后形成。
[0035]優(yōu)選地，所述陣列基板具體包括:
[0036]襯底基板；
[0037]所述襯底基板上的柵電極和柵線；
[0038]所述柵電極和柵線上的柵絕緣層；
[0039]所述柵絕緣層上的由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層；
[0040]所述有源層上的結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0041]所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；[0042]所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上的包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；
[0043]所述保護(hù)層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連接。
[0044]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其特征在于，包括上述金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板。
[0045]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0046]上述方案中，陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物組成，金屬氧化物由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成晶體結(jié)構(gòu)之后被酸刻蝕的速率將大大降低，提高了有源層與源漏金屬的刻蝕選擇t匕，有源層不會(huì)輕易被源漏金屬的刻蝕液腐蝕，這樣就不需要再設(shè)置刻蝕阻擋層，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，從而能夠提高陣列基板的產(chǎn)能。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1為現(xiàn)有金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖2為本發(fā)明實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的截面示意圖；
[0049]圖3為本發(fā)明實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層后的截面示意圖；
[0050]圖4為本發(fā)明實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝退火形成結(jié)晶金屬氧化物半導(dǎo)體層后的截面示意圖；
[0051]圖5為本發(fā)明實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝形成源漏金屬電極后的截面示意圖；
[0052]圖6為本發(fā)明實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝形成TFT溝道后的截面示意圖；
[0053]圖7為本發(fā)明實(shí)施例第四次構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層后的截面示意圖；
[0054]圖8為本發(fā)明實(shí)施例第五次構(gòu)圖工藝形成透明像素電極后的截面示意圖；
[0055]圖9為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板完成后的平面示意圖。
[0056]附圖標(biāo)記
[0057]10、襯底基板；1、柵電極；2、柵絕緣層；3、金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0058]4、結(jié)晶誘導(dǎo)層；5、源電極；6、漏電極；7、保護(hù)層；
[0059]8、源電極接觸過(guò)孔；9、像素電極；11、柵線；
[0060]12、數(shù)據(jù)線；13、刻蝕阻擋層；14、公共電極；31、有源層。
【具體實(shí)施方式】
[0061]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0062]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠簡(jiǎn)化金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，提高金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的產(chǎn)能。
[0063]本發(fā)明提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括:形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。
[0064]本發(fā)明制作的陣列基板，有源層由結(jié)晶金屬氧化物組成，金屬氧化物由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成晶體結(jié)構(gòu)之后被酸刻蝕的速率將大大降低，提高了有源層與源漏金屬的刻蝕選擇t匕，有源層不會(huì)輕易被源漏金屬的刻蝕液腐蝕，這樣就不需要再設(shè)置刻蝕阻擋層，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，從而能夠提高陣列基板的產(chǎn)能。
[0065]具體地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層包括:
[0066]在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0067]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形；
[0068]對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物，形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。
[0069]具體地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層還可以包括:
[0070]在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0071]對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物；
[0072]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形。
[0073]進(jìn)一步地，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層之后還包括:
[0074]在基板上沉積源漏金屬層；
[0075]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線的圖形；
[0076]以所述源電極和漏電極為掩膜，刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層。
[0077]進(jìn)一步地，為了保證完全去除掉結(jié)晶誘導(dǎo)層，在刻蝕結(jié)晶誘導(dǎo)層時(shí)，需要過(guò)刻蝕一定的厚度，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層包括:
[0078]刻蝕掉所述溝道區(qū)域的全部結(jié)晶誘導(dǎo)層和部分有源層，刻蝕掉的有源層的厚度為50 ~ 500 A。
[0079]進(jìn)一步地，為了改善金屬氧化物TFT的性能，還可以對(duì)上述形成的TFT溝道進(jìn)行處理，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層之后還包括:
[0080]對(duì)所述溝道區(qū)域的有源層進(jìn)行氧等離子處理、N20等離子體處理或者N2等離子處理。
[0081]本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，所述制作方法可以包括:
[0082]提供一襯底基板；
[0083]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線；
[0084]在所述柵電極和柵線上形成柵絕緣層；
[0085]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層，在所述有源層上形成結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0086]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0087]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上形成包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；
[0088]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述保護(hù)層上形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連接。
[0089]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，所述陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物形成。
[0090]本發(fā)明的陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物組成，金屬氧化物由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成晶體結(jié)構(gòu)之后被酸刻蝕的速率將大大降低，提高了有源層與源漏金屬的刻蝕選擇比，有源層不會(huì)輕易被源漏金屬的刻蝕液腐蝕，這樣就不需要再設(shè)置刻蝕阻擋層，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，從而能夠提高陣列基板的產(chǎn)能。
[0091]進(jìn)一步地，為了提升金屬氧化物TFT的性能，所述陣列基板的溝道區(qū)域由經(jīng)過(guò)等離子處理的所述結(jié)晶金屬氧化物形成。
[0092]具體地，所述有源層可以由非晶IGZO、HIZO、IZO、a-1nZnO、a-1nZnO、ZnO:F、In203:Sn、In203:Mo、Cd2Sn04、ZnO:Al、Ti02:Nb、Cd-Sn-0 中的至少一種經(jīng)結(jié)晶后形成。
[0093]本發(fā)明一具體實(shí)施例中，所述陣列基板可以包括:
[0094]襯底基板；
[0095]所述襯底基板上的柵電極和柵線；
[0096]所述柵電極和柵線上的柵絕緣層；
[0097]所述柵絕緣層上的由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層；
[0098]所述有源層上的結(jié)晶誘導(dǎo)層；
[0099]所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0100]所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上的包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；
[0101]所述保護(hù)層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連接。
[0102]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板。其中，金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)同上述實(shí)施例，在此不再贅述。另外，顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)此本文不再詳細(xì)描述。該顯示裝置可以為:顯示面板、電子紙、電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0103]下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹:
[0104]如圖1所示，現(xiàn)有的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，有源層由金屬氧化物半導(dǎo)體組成，而非晶結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體的抗腐蝕能力比較差，因此在刻蝕源漏金屬層時(shí)容易腐蝕源漏金屬層下的金屬氧化物半導(dǎo)體層3，需要在金屬氧化物半導(dǎo)體層3上增加一刻蝕阻擋層13，保護(hù)金屬氧化物半導(dǎo)體層3不被源漏金屬層的刻蝕液腐蝕，但是這樣就增加了陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制作工藝的復(fù)雜性，從而降低了金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的產(chǎn)能。
[0105]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明改變金屬氧化物半導(dǎo)體層的物質(zhì)結(jié)構(gòu)，利用一次退火結(jié)晶的方式，使原來(lái)的非晶金屬氧化物轉(zhuǎn)化成按照一定方向生長(zhǎng)的晶體結(jié)構(gòu)，金屬氧化物半導(dǎo)體層由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成晶體結(jié)構(gòu)之后被酸刻蝕的速率會(huì)大大降低，不會(huì)輕易被源漏金屬的刻蝕液腐蝕，這樣就不需要再設(shè)置刻蝕阻擋層，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，從而能夠提聞陣列基板的廣能。
[0106]具體地，本實(shí)施例的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0107]步驟1、提供一襯底基板10，在襯底基板10上形成柵電極1和柵線11的圖形；
[0108]其中，襯底基板10可為玻璃基板或石英基板。具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的
方法在襯底基板10上沉積厚度約為500~4000A的柵金屬層，柵金屬層可以是Cu，A1，
Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Μη, Ti, Ta, ff等金屬以及這些金屬的合金,柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\M0，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成柵線11和柵電極1的圖形，其截面示意圖如圖2所示。 [0109]步驟2、在完成步驟1的襯底基板10上形成柵絕緣層2 ；
[0110]具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在完成步驟1的襯底
基板10上沉積厚度為500~5000 A的柵絕緣層2，柵絕緣層2可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。
[0111]步驟3、在完成步驟2的襯底基板10上形成有源層31和結(jié)晶誘導(dǎo)層4的圖形；
[0112]具體地，可以在完成步驟2的襯底基板10上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度
約為100 ~ 2000 A的金屬氧化物半導(dǎo)體層3，金屬氧化物半導(dǎo)體層3可以采用非晶IGZ0、HIZO、IZ0、a-1nZn0、a_InZn0、Zn0:F、In203:Sn、In203:Mo、Cd2Sn04、Zn0:Al、Ti02:Nb、Cd-Sn_0或其他金屬氧化物制成，然后在其上沉積一層厚度為20 500 A的結(jié)晶誘導(dǎo)層4，在高溫
退火時(shí)結(jié)晶誘導(dǎo)層下的金屬氧化物半導(dǎo)體層可以在結(jié)晶誘導(dǎo)層的作用下按照一定的方向生長(zhǎng)。
[0113]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物半導(dǎo)體層3和結(jié)晶誘導(dǎo)層4的圖形，其截面示意圖如圖3所示，然后再進(jìn)行高溫退火，金屬氧化物半導(dǎo)體層3在結(jié)晶誘導(dǎo)層4的作用下形成結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層31，其截面示意圖如圖4所示。
[0114]進(jìn)一步地，也可以先進(jìn)行高溫退火使非晶的金屬氧化物半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)化成結(jié)晶的金屬氧化物，然后再通過(guò)構(gòu)圖工藝形成結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層31和結(jié)晶誘導(dǎo)層4的圖形。
[0115]步驟4、在完成步驟3的襯底基板10上形成數(shù)據(jù)線12、源電極5和漏電極6的圖形；
[0116]具體地，可以在完成步驟3的襯底基板10上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方
法沉積一層厚度約為2000 ~ 4000 A的源漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,
Nd, Ν?,Μη, Ti, Ta, ff等金屬以及這些金屬的合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\M0，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成漏電極6、源電極5以及數(shù)據(jù)線12，其截面示意圖如圖5所示。
[0117]利用漏電極6和源電極5作為掩膜，刻蝕掉溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層4，為了保證完全去除掉結(jié)晶誘導(dǎo)層4，需要過(guò)刻蝕一定的厚度，過(guò)刻蝕掉的有源層31的厚度約為
50 ~ 500人，最后形成的截面示意圖如圖6所示。
[0118]步驟5、對(duì)溝道區(qū)域進(jìn)行等離子處理；[0119]為了改善金屬氧化物TFT的性能，對(duì)形成的陣列基板的TFT溝道進(jìn)行處理，具體地，可以源電極5和漏電極6之間的溝道區(qū)域進(jìn)行氧等離子、N20等離子體或者N2等離子處理，改善溝道區(qū)域的導(dǎo)電性能。
[0120]步驟6，在完成步驟5的襯底基板上形成包括有源電極接觸過(guò)孔8的保護(hù)層7 ；
[0121]具體地，可以在完成步驟5的襯底基板10上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)、PECVD或其它成膜方法沉積厚度為2000 ~ 10000 A的保護(hù)層7，保護(hù)層7可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具體地，保護(hù)層材料可以是SiNx,Si0x或Si(0N)x,保護(hù)層7還可以使用A1203。保護(hù)層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是采用氮化硅和氧化硅構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。其中，硅的氧化物對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4，N20 ;氮化物或者氧氮化合物對(duì)應(yīng)氣體可以是SiH4，NH3, N2或SiH2Cl2，NH3，N2。通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括有源電極接觸過(guò)孔8的保護(hù)層7的圖形，具體
地，可以在保護(hù)層7上涂覆一層厚度約為4000 ~ 30000A的有機(jī)樹(shù)脂，有機(jī)樹(shù)脂可以是苯
并環(huán)丁烯(BCB)，也可以是其他的有機(jī)感光材料，曝光顯影后，通過(guò)一次刻蝕工藝形成有源電極接觸過(guò)孔8的保護(hù)層7的圖形，其截面示意圖如圖7所示。
[0122]步驟7、在完成步驟6的襯底基板上形成像素電極9的圖形。
[0123]具體地，在完成步驟6的襯底基板上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為
300 ~ 1500 A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以是ιτο、ιζο或者其他的透明金屬氧化物，在
透明導(dǎo)電層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成像素電極9的圖形，其截面示意圖如圖8所示，像素電極9通過(guò)源電極接觸過(guò)孔8與源電極5連接。
[0124]通過(guò)上述步驟1-7即可制作出本實(shí)施例的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其平面示意圖如圖9所示，本實(shí)施例陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物組成，金屬氧化物由非晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成晶體結(jié)構(gòu)之后被酸刻蝕的速率將大大降低，提高了有源層與源漏金屬的刻蝕選擇比，有源層不會(huì)輕易被源漏金屬的刻蝕液腐蝕，這樣就不需要再設(shè)置刻蝕阻擋層，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作工藝，從而能夠提高陣列基板的產(chǎn)能。
[0125]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括:形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層包括:在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形；對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物，形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層包括:在基板上依次沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層；對(duì)形成有所述金屬氧化物半導(dǎo)體層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的基板進(jìn)行高溫退火，使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為結(jié)晶金屬氧化物；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層和結(jié)晶誘導(dǎo)層的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層之后還包括:在基板上沉積源漏金屬層； 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線的圖形；以所述源電極和漏電極為掩膜，刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層包括:刻蝕掉所述溝道區(qū)域的全部結(jié)晶誘導(dǎo)層和部分有源層，刻蝕掉的有源層的厚度為50 ~ 500 A。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蝕掉陣列基板的溝道區(qū)域的結(jié)晶誘導(dǎo)層之后還包括:對(duì)所述溝道區(qū)域的有源層進(jìn)行氧等離子處理、n20等離子體處理或者n2等離子處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括:提供一襯底基板；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線；在所述柵電極和柵線上形成柵絕緣層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層，在所述有源層上形成結(jié)晶誘導(dǎo)層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上形成包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述保護(hù)層上形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連接。
8.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的有源層由結(jié)晶金屬氧化物形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的溝道區(qū)域由經(jīng)過(guò)等離子處理的所述結(jié)晶金屬氧化物形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層由非晶 IGZO、HIZO、IZO、a-1nZnO、a-1nZnO、ZnO:F、In203:Sn、In203:Mo、Cd2Sn04、ZnO:Al、Ti02:Nb、Cd-Sn-0中的至少一種經(jīng)結(jié)晶后形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具體包括:襯底基板；所述襯底基板上的柵電極和柵線；所述柵電極和柵線上的柵絕緣層；所述柵絕緣層上的由結(jié)晶金屬氧化物組成的有源層；所述有源層上的結(jié)晶誘導(dǎo)層；所述結(jié)晶誘導(dǎo)層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；所述源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上的包括有源電極接觸過(guò)孔的保護(hù)層；所述保護(hù)層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述源電極接觸過(guò)孔與所述源電極連`接。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103700665SQ201310684709
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
【發(fā)明者】劉翔 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司