有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板，其中限定至少三個(gè)像素區(qū)域；形成在基板上的第一電極和空穴傳輸層；形成在空穴傳輸層上并且處于各像素區(qū)域中的發(fā)光材料層；以及形成在發(fā)光材料層上的電子傳輸層和第二電極。在發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素區(qū)域的位置處形成光學(xué)輔助傳輸層，并且該光學(xué)輔助傳輸層由電子傳輸材料形成。因此，能夠提供一種解決了電荷的不平衡性并且具有優(yōu)異的光輸出效率和增強(qiáng)的壽命的高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為一種新類(lèi)型的平板顯示裝置，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光顯示裝置，并且具有比液晶顯示(LCD)裝置更好的視角和對(duì)比度。而且，由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的背光，因此能夠使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置更輕和更薄，并且，與LCD裝置和其它平板顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有優(yōu)異的功耗。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被以低直流(DC)電壓驅(qū)動(dòng)，因此具有快速的響應(yīng)速度和低制造成本。
[0003]在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，電子和空穴被分別從陰極和陽(yáng)極注入到發(fā)光材料層，并且，當(dāng)其中注入的電子和空穴復(fù)合的激子從激發(fā)態(tài)遷移到基態(tài)時(shí)，發(fā)光。在該情況下，根據(jù)光的發(fā)射方向，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被分類(lèi)為頂發(fā)射型、底發(fā)射型和雙發(fā)射型，并且根據(jù)驅(qū)動(dòng)類(lèi)型，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被分類(lèi)為無(wú)源矩陣類(lèi)型和有源矩陣類(lèi)型。
[0004]具體地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在紅色像素區(qū)域(P1)、綠色像素區(qū)域(P2)和藍(lán)色像素區(qū)域(P3 )中的每一個(gè)中的第一電極(陽(yáng)極)、空穴傳輸層、包括紅光有機(jī)發(fā)光圖案、綠光有機(jī)發(fā)光圖案或藍(lán)光有機(jī)發(fā)光圖案的發(fā)光材料層、電子傳輸層和第二電極(陰極)。
[0005]在具有上述構(gòu)造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)電壓被施加到第一電極和第二電極時(shí)，空穴通過(guò)空穴傳輸層移動(dòng)到發(fā)光材料層，電子通過(guò)電子傳輸層移動(dòng)到發(fā)光材料層，并且電子和空穴在發(fā)光材料層中復(fù)合，從而發(fā)光。在該情況下，像素區(qū)域具有不同的光波長(zhǎng)，并且因此，應(yīng)該調(diào)整光學(xué)距離，以調(diào)整想要的顏色純度和強(qiáng)度。一般來(lái)說(shuō)，各像素區(qū)域中的空穴傳輸層形成為具有不同的厚度，并且對(duì)空穴傳輸層的厚度的調(diào)整影響空穴的遷移率特性。
[0006]然而，當(dāng)空穴的遷移率特性劣化時(shí)，出現(xiàn)發(fā)光材料層的電荷不平衡，并且因此影響了裝置的光輸出效率和壽命特性。
[0007]為此，要求考慮空穴的遷移率特性的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各種方法以增強(qiáng)光輸出效率和壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明涉及提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0009]本發(fā)明的一方面涉及一種高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其解決了電荷的不平衡并且具有優(yōu)異的光輸出效率和增強(qiáng)的壽命。
[0010]在隨后的描述中將會(huì)部分地闡述本發(fā)明的額外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，并且部分優(yōu)點(diǎn)、目的和特征對(duì)于已經(jīng)研究過(guò)下面所述的本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，或者部分優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)知曉。通過(guò)在給出的描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別地指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)并且獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點(diǎn)。[0011]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體化并且廣泛描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括基板，其中限定至少三個(gè)像素區(qū)域；形成在整個(gè)基板上的第一電極和空穴傳輸層；發(fā)光材料層，其形成在空穴傳輸層上并且處于各像素區(qū)域中；以及形成發(fā)光材料層上的電子傳輸層和第二電極，在發(fā)光材料層上的對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域中的一個(gè)像素區(qū)域的位置處形成有光學(xué)輔助傳輸層，并且該光學(xué)輔助傳輸層由電子傳輸材料形成。
[0012]在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其包括:在其中限定至少三個(gè)像素的整個(gè)基板上形成第一電極；在第一電極上形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一光學(xué)輔助傳輸層；在第一光學(xué)輔助傳輸層上形成第一發(fā)光材料層，在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二發(fā)光材料層，并且在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處形成第三發(fā)光材料層；在第二發(fā)光材料層上形成第二光學(xué)輔助傳輸層；在第一發(fā)光材料層、第二光學(xué)輔助傳輸層以及第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及在電子傳輸層上形成第二電極。
[0013]在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其包括:在其中限定至少三個(gè)像素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極；在第一電極上形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二光學(xué)輔助傳輸層；在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一發(fā)光材料層，在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處形成第三發(fā)光材料層，并且在第二光學(xué)輔助傳輸層上形成第二發(fā)光材料層；在第一發(fā)光材料層上形成第一光學(xué)輔助傳輸層；在第一光學(xué)輔助傳輸層、第二發(fā)光材料層以及第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及在電子傳輸層上形成第二電極。
[0014]在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括:在其中限定至少三個(gè)像素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極；在第一電極上形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一至第三像素區(qū)域的各位置處形成第一至第三發(fā)光材料層；在第一發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一光學(xué)輔助傳輸層；在第二發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二光學(xué)輔助傳輸層；在第一光學(xué)輔助傳輸層、第二光學(xué)輔助傳輸層和第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及在電子傳輸層上形成第二電極。
[0015]將理解的是，本發(fā)明的前述一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的并且意在提供如權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0016]本申請(qǐng)要求2012年12月27日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.10_2012_0154819的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其并入這里，如這里完全闡述一樣。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本申請(qǐng)且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0018]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0019]圖2是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0020]圖3是比較比較示例和示例I至3的壽命特性的視圖；以及
[0021]圖4至圖7是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0022]下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在下面的描述中，當(dāng)確定現(xiàn)有技術(shù)的功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述將會(huì)不必要地妨礙本發(fā)明的重要方面的理解時(shí)，將不提供這樣的詳細(xì)描述。
[0023]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。
[0024]如圖1中所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括順序地堆疊在其中限定多個(gè)像素區(qū)域(例如Pl至P3)的基板(未示出)上的第一電極(陽(yáng)極)110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、多個(gè)光學(xué)輔助傳輸層132和134、發(fā)光材料層140、電子傳輸層150、第二電極(陰極)160和覆蓋層170。這里，發(fā)光材料層140包括第一發(fā)光材料層142、第二發(fā)光材料層144和第三發(fā)光材料層146。
[0025]本發(fā)明的特征在于，與布置在空穴傳輸層與發(fā)光材料層之間的光學(xué)輔助傳輸層(例如，光學(xué)輔助傳輸層132)相同種類(lèi)的另一光學(xué)輔助傳輸層(例如，光學(xué)輔助傳輸層134)被布置在發(fā)光材料層與電子傳輸層之間，并且由電子傳輸材料形成。
[0026]雖然未示出，但是在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在其交叉處限定多個(gè)像素區(qū)域Pl至P3的多條選通線和多條數(shù)據(jù)線以及與選通線和數(shù)據(jù)線中的各對(duì)應(yīng)的線平行延伸的多條電源線被布置在基板(未示出)上。連接到對(duì)應(yīng)的選通線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)和連接到開(kāi)關(guān)TFT的驅(qū)動(dòng)TFT被布置在各像素區(qū)域Pl至P3中。這里，驅(qū)動(dòng)TFT連接到第一電極 110。
[0027]在實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯不裝置包括位于第一電極110與面對(duì)第一電極110的第二電極160之間的有機(jī)層,并且有機(jī)層包括空穴注入層120、空穴傳輸層130、第一光學(xué)輔助層132、第二光學(xué)輔助層134、發(fā)光材料層140 (包括第一發(fā)光材料層142、第二發(fā)光材料層144和第三發(fā)光材料層146)和電子傳輸層150。這里,第一發(fā)光材料層142可以由能夠發(fā)射紅光的有機(jī)材料形成，第二發(fā)光材料層144可以由能夠發(fā)射綠光的有機(jī)材料形成，并且第三發(fā)光材料層146可以由能夠發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)材料形成。
[0028]第一電極110以板形狀形成在各紅光、綠光、藍(lán)光和白光像素區(qū)域中并且位于基板(未示出)上。第一電極110是反射電極，并且例如，可以具有多層結(jié)構(gòu)，其包括透明導(dǎo)電材料層(具有高功函數(shù))(例如，銦錫氧化物(ITO))和諸如Ag或銀(Ag)合金的反射材料層。
[0029]空穴注入層120和空穴傳輸層130形成在第一電極110上并且處于對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域Pl至P3的各位置處。空穴傳輸層130可以被稱(chēng)為公共層，并且可以不提供空穴注入層120。空穴注入層120和空穴傳輸層130的厚度可以是大約100至1200 A ,但是可以考慮空穴注入特性和空穴傳輸特性來(lái)進(jìn)行調(diào)整。
[0030]空穴傳輸層130容易地將空穴傳輸給發(fā)光材料層，并且此外，允許(從陰電極生成的)電子僅被傳送到發(fā)光材料層的發(fā)光區(qū)域，因此增強(qiáng)發(fā)光效率。即，空穴傳輸層130使得空穴能夠被平滑地傳輸，并且可以由N，N- 二萘基-N，N’ - 二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、N，N’ - 二 -3-甲基苯基)-N, N’ - 二 -(苯基)-聯(lián)苯胺)(TPD)、4- (9H-咔唑-9-基)-N, N- 二 [4- (9H-咔唑-9-基)苯基]-苯胺(TCTA)、4，4’ -N, N’ - 二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、s-TAD 或 4，4’，4〃-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)形成，但是本發(fā)明的精神和范圍不限于此。[0031]光學(xué)輔助傳輸層包括第一光學(xué)輔助傳輸層132和第二光學(xué)輔助傳輸層134,并且可以進(jìn)一步包括第三光學(xué)輔助傳輸層136。
[0032]在該情況下，光學(xué)輔助傳輸層可以形成在第二發(fā)光材料層144上對(duì)應(yīng)于綠光像素區(qū)域P2的位置處。即，根據(jù)本發(fā)明，第一至第三光學(xué)輔助傳輸層132、134和136中的至少一個(gè)可以形成在發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)像素區(qū)域的位置處。這里，當(dāng)根據(jù)各像素區(qū)域?qū)⒐鈱W(xué)輔助傳輸層布置在發(fā)光材料層與電子傳輸層之間時(shí)，在空穴傳輸層與發(fā)光材料層之間沒(méi)有提供光學(xué)輔助傳輸層。即，這表不光學(xué)輔助傳輸層執(zhí)行電子傳輸功能而不是空穴傳輸功能，并且調(diào)整發(fā)光材料層與電子傳輸層之間的光學(xué)距離而不是發(fā)光材料層與空穴傳輸層之間的光學(xué)距離。
[0033]第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132、134中的每一個(gè)可以具有大約100至丨100 A的厚度。這里，第二光學(xué)輔助傳輸層134的厚度可以形成為小于第一光學(xué)輔助傳輸層132的厚度，但是本發(fā)明的精神和范圍不限于此。
[0034]第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132和134可以由與電子傳輸層150相同的材料形成。具體地，第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132和134可以包括選自三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、PBD、TAZ、螺_PBD、BAlq和SAlq中的一種或多種。而且，第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132和134可以?xún)H由與發(fā)光材料層140的主體相同的材料、蒽衍生物或惡二唑衍生物形成，或者與LiQ組合地形成。
[0035]發(fā)光材料層140包括形成在對(duì)應(yīng)于第一至第三像素區(qū)域Pl至P3的各位置處的第一發(fā)光材料層142、第二發(fā)光材料層144和第三發(fā)光材料層146。即，第一發(fā)光材料層142形成在對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域Pl的位置處，第二發(fā)光材料層144形成在對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域P2的位置處，并且第三發(fā)光材料層146形成在對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域P3的位置處。第一至第三發(fā)光材料層142、144和146中的每一個(gè)的厚度可以為大約100至400 A,但是可以考慮發(fā)光特性來(lái)進(jìn)行調(diào)整。
[0036]發(fā)光材料層140包括主體和摻雜物。另外,發(fā)光材料層140可以包括發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或白光的材料，并且可以由磷光或突光材料形成。
[0037]這里，當(dāng)發(fā)光材料層140發(fā)射紅光時(shí)，發(fā)光材料層包括具有二苯乙烯基苯(CBP)或1，3- 二(咔唑-9-基)(mCP)的主體材料，并且主體材料可以是包括摻雜物的磷光材料，所述摻雜物包括選自PIQIr(acac) (二(1_苯基異喹啉)乙酰丙酮化銥、PQIr(acac) (二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮化銥)、PQIr (三(1-苯基喹啉)銥)或PtOEP (八乙基卟啉鉬)中的一種或多種，并且主體材料可以是包括PBD = Eu(DBM)3(Phen)或二萘嵌苯的熒光材料，并且不限于此。
[0038]當(dāng)發(fā)光材料層140發(fā)射綠光時(shí)，發(fā)光材料層包括具有CBP或mCP的主體材料，可以是包括摻雜物材料(包括Ir (ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥))的磷光材料或者也可以是包括Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)的熒光材料，但是不限于此。
[0039]當(dāng)發(fā)光材料層140發(fā)射藍(lán)光時(shí)，發(fā)光材料層140包括具有CBP或mCP的主體材料，并且主體材料可以是包括(4，6-F2ppy)2Irpic或L2BD111的磷光材料。
[0040]另一方面，主體材料可以是包括選自螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、基于PFO的聚合物和基于PPV的聚合物中的一種的熒光材料，但是不限于此。
[0041]電子傳輸層150形成在發(fā)光材料層或光學(xué)輔助傳輸層上對(duì)應(yīng)于所有像素像素區(qū)域Pl至P3的位置處，并且因此可以被稱(chēng)為公共層。電子傳輸層150的厚度可以為大約200至400 A，但是可以考慮電子傳輸特性來(lái)進(jìn)行調(diào)整。電子傳輸層150可以用作電子傳輸和注入層，但是電子注入層可以單獨(dú)地形成在電子傳輸層150上。
[0042]電子傳輸層150可以包括選自三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq中的一種或多種，但是本發(fā)明的精神和范圍不限于此。而且，電子傳輸層150可以通過(guò)蒸鍍方法或旋涂方法來(lái)形成。
[0043]第二電極160形成在電子傳輸層150上。例如，第二電極160由Mg和Ag的合金(Mg:Ag)形成，并且具有半透射特性。即，從發(fā)光材料層140發(fā)射的光通過(guò)第二電極160傳輸?shù)酵獠浚诘诙姌O160中，由于第二電極160具有半透射特性，因此光的一部分被再次傳輸?shù)降谝浑姌O110。
[0044]因此，在第一電極110 (用作反射電極)與第二電極160之間進(jìn)行重復(fù)反射。這稱(chēng)為微腔效應(yīng)。即，光在陽(yáng)極(即，第一電極110)與作為第二電極160的陰極之間的腔內(nèi)重復(fù)反射，從而增加了光效率。
[0045]在該情況下，分別從第一至第三發(fā)光材料層142、144和146發(fā)射的光具有不同的波長(zhǎng)，并且因此，被定義為第一電極Iio與第二電極160之間的距離的腔的厚度“d”被設(shè)置為不同。即，綠光像素區(qū)域P2的厚度“d”小于發(fā)射具有最長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅光的紅光像素區(qū)域Pl的厚度，并且大于發(fā)射具有最短波長(zhǎng)的光的藍(lán)光像素區(qū)域P3的厚度。
[0046]因此，本發(fā)明調(diào)整光學(xué)輔助傳輸層的厚度，并且因此，在像素區(qū)域Pl至P3處，第一電極110與第二電極160之間的距離形成為不同。即，形成在對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域P2的位置處的第二光學(xué)輔助傳輸層134的厚度形成為小于形成在對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域Pl的位置處的第一光學(xué)輔助傳輸層132的厚度。
[0047]覆蓋層170增加光提取效率并且針對(duì)外部異物和氧化保護(hù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置。覆蓋層170可以由形成空穴傳輸層130的材料、形成電子傳輸層150的材料以及紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光材料層142、144和146的主體材料中的一種形成，并且可以不提供覆蓋層170。
[0048]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠保持光輸出效率和顏色特性，并且實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量圖像。
[0049]下面，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式和比較示例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的特性評(píng)估。然而，下面的示例I至3僅示例出本發(fā)明，并且本發(fā)明不限于下面的示例I至3。
[0050]圖2是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖，并且圖3是比較比較示例和示例I至3的壽命特性的視圖。
[0051]如圖2中所示，比較示例涉及現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一光學(xué)輔助傳輸層132形成在空穴傳輸層130與第一發(fā)光材料層142之間，并且第二光學(xué)輔助傳輸層134形成在空穴傳輸層130與第二發(fā)光材料層144之間。
[0052]具體地，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有頂發(fā)光類(lèi)型，并且具有下述結(jié)構(gòu)，其中布置有陽(yáng)極、空穴注入層(HATCN, 50 A )、空穴傳輸層(NPD, UOO A)、第一光學(xué)輔助傳輸層(NPD, 400 A)、第二光學(xué)輔助傳輸層(NPD，850 A )、發(fā)光材料層(紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光材料)、電子傳輸層(Alq3，360 A)、陰極(Mg:Ag=10:l，140 A)以及覆蓋層(NPD，toOO A)。
[0053]另一方面，示例I涉及一種具有圖1的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且具有下述結(jié)構(gòu)，其中，第二光學(xué)輔助傳輸層134布置在比較示例的現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的第二發(fā)光材料層144與電子傳輸層150之間。在該情況下，第二光學(xué)輔助傳輸層134使用與電子傳輸材料相同的材料。而且，示例2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置形成為具有與示例I相同的結(jié)構(gòu)，但是第二光學(xué)輔助傳輸層134由與發(fā)光材料層的主體相同的材料形成。另外，不例3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置形成為具有與示例I相同的結(jié)構(gòu)，但是第二光學(xué)輔助傳輸層134由惡二唑衍生物形成。
[0054]因此，如圖3中所示，能夠看到的是，與比較示例相比，示例I至3增強(qiáng)了壽命特性。
[0055]可選地，具有圖1的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括第三光學(xué)輔助傳輸層(未不出)，其形成在第三發(fā)光材料層146與電子傳輸層150之間并且位于對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處。
[0056]圖4至圖7是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖。
[0057]圖4示出了具有圖1的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中改變了第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132和134的形成位置的結(jié)構(gòu)。即，圖4的結(jié)構(gòu)是下述結(jié)構(gòu)，其中，第一光學(xué)輔助傳輸層132形成在第一發(fā)光材料層142上對(duì)應(yīng)于紅光像素區(qū)域Pl的位置處，并且第二光學(xué)輔助傳輸層134形成在空穴傳輸層130上對(duì)應(yīng)于綠光像素區(qū)域P2的位置處?？蛇x地，具有圖4的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯不裝置進(jìn)一步包括第三光學(xué)輔助傳輸層(未不出)，其形成在第三發(fā)光材料層146與電子傳輸層150之間并且位于與第三像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置處。
[0058]圖5示出了具有圖1的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中改變了第一光學(xué)輔助傳輸層132的形成位置的結(jié)構(gòu)。即，圖5的結(jié)構(gòu)是下述結(jié)構(gòu)，其中，第一光學(xué)輔助傳輸層132形成在第一發(fā)光材料層142上對(duì)應(yīng)于紅光像素區(qū)域Pl的位置處?？蛇x地，具有圖5的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯不裝置進(jìn)一步包括第三光學(xué)輔助傳輸層(未不出)，其形成在第三發(fā)光材料層146與電子傳輸層150之間并且位于與第三像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置處。
[0059]圖6示出了具有圖1的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中改變了第一和第二光學(xué)輔助傳輸層132和134的形成位置并且額外地形成了第三光學(xué)輔助傳輸層136的結(jié)構(gòu)。S卩，圖6的結(jié)構(gòu)是下述結(jié)構(gòu)，其中，第一光學(xué)輔助傳輸層132形成在空穴傳輸層130上對(duì)應(yīng)于紅光像素區(qū)域Pl的位置處，并且第二光學(xué)輔助傳輸層134形成在空穴傳輸層130上對(duì)應(yīng)于綠光像素區(qū)域P2的位置處，并且第三光學(xué)輔助傳輸層136形成在第三發(fā)光材料層146上對(duì)應(yīng)于藍(lán)光像素區(qū)域P3的位置處。
[0060]圖7示出了具有圖5的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中額外地形成了第三光學(xué)輔助傳輸層136的結(jié)構(gòu)。S卩，圖7的結(jié)構(gòu)是下述結(jié)構(gòu)，其中，第一光學(xué)輔助傳輸層132形成在第一發(fā)光材料層142上對(duì)應(yīng)于紅光像素區(qū)域Pl的位置處，并且第二光學(xué)輔助傳輸層134形成在第二發(fā)光材料層144上對(duì)應(yīng)于綠光像素區(qū)域P2的位置處，并且第三光學(xué)輔助傳輸層136形成在第三發(fā)光材料層146上對(duì)應(yīng)于藍(lán)光像素區(qū)域P3的位置處。
[0061]接下來(lái)，將詳細(xì)描述制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(參見(jiàn)圖1)的方法。
[0062]首先，在其中限定第一至第三像素區(qū)域Pl至P3的基板上形成第一電極110，并且然后，在沒(méi)有使用精細(xì)金屬掩模(FMM)的情況下在第一室中形成空穴注入層120和空穴傳輸層130?？昭ㄗ⑷雽?20可以通過(guò)將P型摻雜物(例如，F(xiàn)4-TCNQ和TCAQ)摻雜在第一空
穴傳輸層130的材料上來(lái)形成，但是本發(fā)明的精神和范圍不限于此。
[0063]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極形成在整個(gè)所述基板上； 空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成在所述第一電極上； 發(fā)光材料層，所述發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上并且處于各像素區(qū)域中； 光學(xué)輔助傳輸層，所述光學(xué)輔助傳輸層形成在所述發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述像素區(qū)域中的至少一個(gè)像素區(qū)域的位置處； 電子傳輸層，所述電子傳輸層形成在所述光學(xué)輔助傳輸層上；以及 第二電極，所述第二電極形成在所述電子傳輸層上。
2.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極形成在整個(gè)所述基板上； 空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成在所述第一電極上； 第一光學(xué)輔助傳輸層，所述第一光學(xué)輔助傳輸層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處； 第一發(fā)光材料層，所述第一發(fā)光材料層形成在所述第一光學(xué)輔助傳輸層上； 第二發(fā)光材料層，所述第二發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處； 第三發(fā)光材料層，所述第三發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處； 第二光學(xué)輔助傳輸層，所述第二光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第二發(fā)光材料層上； 電子傳輸層，所述電子傳輸層形成在所述第一發(fā)光材料層、所述第二光學(xué)輔助傳輸層和所述第三發(fā)光材料層上；以及 第二電極，所述第二電極形成在所述電子傳輸層上。
3.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極形成在整個(gè)所述基板上； 空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成在所述第一電極上； 第一發(fā)光材料層，所述第一發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處； 第一光學(xué)輔助傳輸層，所述第一光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第一發(fā)光材料層上；第二光學(xué)輔助傳輸層，所述第二光學(xué)輔助傳輸層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處； 第二發(fā)光材料層，所述第二發(fā)光材料層形成在所述第二光學(xué)輔助傳輸層上； 第三發(fā)光材料層，所述第三發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處； 電子傳輸層，所述電子傳輸層形成在所述第一光學(xué)輔助傳輸層、所述第二發(fā)光材料層和所述第三發(fā)光材料層上；以及 第二電極，所述第二電極形成在所述電子傳輸層上。
4.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極形成在整個(gè)所述基板上； 空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成在所述第一電極上； 第一至第三發(fā)光材料層，所述第一至第三發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上分別對(duì)應(yīng)于第一至第三像素區(qū)域的位置處； 第一光學(xué)輔助傳輸層，所述第一光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第一發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述第一像素區(qū)域的位置處； 第二光學(xué)輔助傳輸層，所述第二光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第二發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述第二像素區(qū)域的位置處； 電子傳輸層，所述電子傳輸層形成在所述第一光學(xué)輔助傳輸層、所述第二光學(xué)輔助傳輸層和所述第三發(fā)光材料層上；以及 第二電極，所述第二電極形成在所述電子傳輸層上。
5.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極形成在整個(gè)所述基板上； 空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成在所述第一電極上； 第一光學(xué)輔助傳輸層，所述第一光學(xué)輔助傳輸層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處； 第二光學(xué)輔助傳輸層，所述第二光學(xué)輔助傳輸層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處； 第一發(fā)光材料層，所述第一發(fā)光材料層形成在所述第一光學(xué)輔助傳輸層上； 第二發(fā)光材料層，所述第二發(fā)光材料層形成在所述第二光學(xué)輔助傳輸層上； 第三發(fā)光材料層，所述第三發(fā)光材料層形成在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處； 第三光學(xué)輔助傳輸層，所述第三光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第三發(fā)光材料層上； 電子傳輸層，所述電子傳輸層形成在所述第一發(fā)光材料層、所述第二發(fā)光材料層和所述第三光學(xué)輔助傳輸層上；以及 第二電極，所述第二電極形成在所述電子傳輸層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括第三光學(xué)輔助傳輸層，所述第三光學(xué)輔助傳輸層形成在所述第三發(fā)光材料層與所述電子傳輸層之間并且處于對(duì)應(yīng)于所述第三像素區(qū)域的位置處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任 一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括空穴注入層，所述空穴注入層形成在所述第一電極與所述空穴傳輸層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述空穴傳輸層與所述發(fā)光材料層之間在對(duì)應(yīng)于形成有所述光學(xué)輔助傳輸層的像素區(qū)域的位置處進(jìn)一步形成另一光學(xué)輔助傳輸層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由與所述電子傳輸層相同的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由與所述發(fā)光材料層的主體相同的材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由蒽衍生物或惡二唑衍生物單獨(dú)形成，或者與LiQ組合地形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極是包括銀Ag合金的反射電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極是反射電極，并且 所述第二電極具有半透射特性。
14.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在整個(gè)基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光材料層； 在所述發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)像素區(qū)域的位置處形成光學(xué)輔助傳輸層，并且所述光學(xué)輔助傳輸層由電子 傳輸材料形成； 在所述光學(xué)輔助傳輸層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
15.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在其中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第一光學(xué)輔助傳輸層上形成第一發(fā)光材料層，在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二發(fā)光材料層，并且在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處形成第三發(fā)光材料層； 在所述第二發(fā)光材料層上形成第二光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第一發(fā)光材料層、所述第二光學(xué)輔助傳輸層和所述第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
16.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在其中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二光學(xué)輔助傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一發(fā)光材料層，在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處形成第三發(fā)光材料層，并且在所述第二光學(xué)輔助傳輸層上形成第二發(fā)光材料層； 在所述第一發(fā)光材料層上形成第一光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第一光學(xué)輔助傳輸層、所述第二發(fā)光材料層和所述第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
17.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在其中限定有至少三個(gè)像 素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一至第三像素區(qū)域的位置處分別形成第一至第三發(fā)光材料層； 在所述第一發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述第一像素區(qū)域的位置處形成第一光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第二發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述第二像素區(qū)域的位置處形成第二光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第一光學(xué)輔助傳輸層、所述第二光學(xué)輔助傳輸層和所述第三發(fā)光材料層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
18.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在其中限定有至少三個(gè)像素區(qū)域的整個(gè)基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第一像素區(qū)域的位置處形成第一光學(xué)輔助傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第二像素區(qū)域的位置處形成第二光學(xué)輔助傳輸層； 在所述空穴傳輸層上對(duì)應(yīng)于第三像素區(qū)域的位置處形成第三發(fā)光材料層； 在所述第三發(fā)光材料層上形成第三光學(xué)輔助傳輸層； 在所述第一光學(xué)輔助傳輸層上形成第一發(fā)光材料層； 在所述第二光學(xué)輔助傳輸層上形成第二發(fā)光材料層； 在所述第一發(fā)光材料層、所述第二發(fā)光材料層和所述第三光學(xué)輔助傳輸層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求15至17中的任一項(xiàng)所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括，在形成所述電子傳輸層之前，在所述第三發(fā)光材料層上對(duì)應(yīng)于所述第三像素區(qū)域的位置處形成第三光學(xué)輔助傳輸層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括，在形成空穴傳輸層之前，在所述第一電極上形成空穴注入層。
21.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由與形成所述電子傳輸層的材料相同的材料形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由與所述發(fā)光材料層的主體相同的材料形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述光學(xué)輔助傳輸層由蒽衍生物或惡二唑衍生物單獨(dú)形成，或者與LiQ組合地形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一電極是包括銀Ag合金的反射電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求14至18中的任一項(xiàng)所述的方法，其中， 所述第一電極是反射電極，并且所述第二電極具有半透射特性。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103904103SQ201310684581
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
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