用于制備薄膜晶體管溝道的蝕刻劑組合物和溝道制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于制備薄膜晶體管TFT溝道的蝕刻劑組合物和使用所述蝕刻劑組合物制造TFT溝道的方法。所述用于制備TFT溝道的蝕刻劑組合物包括15重量%至25重量%的過氧化氫、0.01重量%至5重量%的含氟化合物、0.1重量%至5重量%的唑化合物、0.5重量%至5重量%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、0.1重量%至5重量%的磷酸鹽化合物、0.1重量%至5重量%的有機酸、0.001重量%至5重量%的多元醇型表面活性劑、以及余量的水，以便通過僅一次的蝕刻過程，蝕刻源極/漏極層和n+摻雜層。
【專利說明】用于制備薄膜晶體管溝道的蝕刻劑組合物和溝道制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年12月26日遞交的第10-2012-0153024號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開內(nèi)容以全文引用的方式并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種用于制備薄膜晶體管的溝道的蝕刻劑組合物和一種用于制造薄膜晶體管的溝道的方法。本發(fā)明尤其涉及一種用于制備薄膜晶體管的溝道的蝕刻劑組合物，該蝕刻劑組合物能夠簡便、容易地形成薄膜晶體管的溝道，以及涉及一種使用該蝕刻劑組合物制造薄膜晶體管的溝道的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著各種信息和通信技術(shù)的發(fā)展，顯示設(shè)備對于現(xiàn)代人已成為必需品。顯示設(shè)備通過將內(nèi)部光發(fā)射到外部來為用戶提供圖像。內(nèi)部光可以是由任何外部照明設(shè)備或本身發(fā)光的光源所提供的光。
[0005]顯示設(shè)備的具體示例可以包括液晶顯示器、有機發(fā)光二極管顯示器等。這種顯示設(shè)備可以包括多個像素以呈現(xiàn)出圖像。在這方面，每個像素可以包括驅(qū)動元件，該驅(qū)動元件具有布置在該驅(qū)動元件中的薄膜晶體管。在這種情況下，薄膜晶體管可以是用于控制各個像素的驅(qū)動薄膜晶體管。此外，薄膜晶體管可以是用于切換驅(qū)動薄膜晶體管的開關(guān)薄膜晶體管。
[0006]圖1為示意性地示出典型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0007]如圖1所示，典型的薄膜晶體管包括具有預(yù)定形狀的基板10、形成在基板10上的柵極21、形成在柵極21上的柵極絕緣層15a、形成在柵極絕緣層15a上的具有半導(dǎo)體的活性層24、通過用高濃度的η型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體而形成在活性層24的上部的η+摻雜層25、與η+摻雜層25的預(yù)定區(qū)域電連接的源極22和漏極23、形成在源極22和漏極23的上部的保護膜15b、和與漏極23電連接的像素電極18。
[0008]在這方面，常規(guī)的源極22和漏極23圍繞溝道30面向彼此。因此，為了形成溝道30，必須執(zhí)行兩步蝕刻過程:在形成η+摻雜層25且隨后在η+摻雜層25上形成源/漏極層之后，首先蝕刻源/漏極層以形成源極22和漏極23，然后部分地蝕刻η+摻雜層，因此導(dǎo)致不便。
[0009]另外，為了蝕刻源極/漏極層，通常采用干法蝕刻，如等離子蝕刻。干法蝕刻產(chǎn)生如下問題:如，由于半導(dǎo)體的后濺射和缺氧造成的活性層(和η+摻雜層)的改變，以及在設(shè)備建造和其操作方面上經(jīng)濟效率的降低等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的是提供一種能夠容易且簡便地蝕刻薄膜晶體管的溝道(下文中也稱為“TFT溝道”)的蝕刻劑組合物。[0011]本發(fā)明的另一個目的是提供一種能夠以流水線式蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層兩者的蝕刻劑組合物。
[0012]另外，本發(fā)明的另一個目的是提供一種用于制造薄膜晶體管的溝道的方法，該方法包括，通過僅一次的蝕刻過程，使用前述蝕刻劑組合物蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層，以便容易地形成TFT溝道。
[0013]為了實現(xiàn)上面的目的，本發(fā)明提供了下列內(nèi)容。
[0014](I)一種用于制備薄膜晶體管的溝道的蝕刻劑組合物，所述組合物包括:15重量％至25重量％的過氧化氫；0.01重量％至5重量％的含氟化合物；0.1重量％至5重量％的唑化合物；0.5重量％至5重量％的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物；0.1重量％至5重量％的磷酸鹽化合物；0.1重量％至5重量％的有機酸；0.001重量％至5重量％的多元醇型表面活性劑；以及余量的水。
[0015](2)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述蝕刻劑組合物蝕刻所有的源極/漏極層和η+摻雜層。
[0016](3)根據(jù)上述(2)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述源極/漏極層由含銅金屬層制成。
[0017](4)根據(jù)上述(3)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含銅金屬層為銅或銅合金的單一層、包括鑰層和形成在鑰層上的銅層的銅-鑰層、或包括鑰合金層和形成在鑰合金層上的銅層的銅-鑰合金層。
[0018](5)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含氟化合物選自HF、NaF、NH4F、NH4BF4, NH4FHF, NaFHF, KF、KHF2, CaF2, AlF3> H2SiF6 和 HBF4 中的至少一種。
[0019](6)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述唑化合物選自苯并三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物、和吡咯啉化合物中的至少一種。
[0020](7)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、和肌氨酸中的至少一種。
[0021](8)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述磷酸鹽化合物選自磷酸鈉、磷酸鉀、和磷酸銨中的至少一種。
[0022](9)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述有機酸選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、和草酸中的至少一種。
[0023]( 10)根據(jù)上述(I)所述的蝕刻劑組合物，其中，所述多元醇型表面活性劑選自甘油、三甘醇、和聚乙二醇中的至少一種。
[0024](11) 一種用于制備薄膜晶體管的溝道的方法，所述方法包括使用根據(jù)上述(I)至
(10)中任意一項所述的蝕刻劑組合物，流水線式蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層。
[0025]本發(fā)明的蝕刻劑組合物可以蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層，因此，通過僅一次的蝕刻過程，可以形成TFT溝道。
[0026]當(dāng)使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物以形成TFT溝道時，通常通過蝕刻兩次而進行的溝道的形成可通過僅一次的濕法蝕刻來完成，因此，具有經(jīng)濟優(yōu)勢，且提高了薄膜晶體管的生產(chǎn)率。[0027]本發(fā)明的溝道制造方法采用濕法蝕刻方式，不需要昂貴的設(shè)備，從而具有經(jīng)濟優(yōu)勢。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]結(jié)合附圖，從下文的詳細(xì)說明中，將更清晰地理解本發(fā)明的上述的目的、特征和優(yōu)點，和其他的目的、特征和優(yōu)點，其中:
[0029]圖1為示出常規(guī)的薄膜晶體管的剖面圖；
[0030]圖2為示意性地示出在相關(guān)領(lǐng)域中用于制造TFT溝道的方法的剖面圖；和
[0031]圖3為示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造TFT溝道的方法的剖面圖。
【具體實施方式】
[0032]本發(fā)明公開一種用于制備TFT溝道的蝕刻劑組合物，該組合物包括15重量％(wt.%)至25wt.%的過氧化氫、0.0lwt.%至5wt.%的含氟化合物、0.1wt.%至5wt.%的唑化合物、0.5wt.%至5wt.%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、0.1wt.%至5wt.%的磷酸鹽化合物、0.1wt.%至5wt.%的有機酸、0.0Olwt.%至5wt.%的多元醇型表面活性劑、以及余量的水，以便通過僅一次的蝕刻過程，蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層，且公開了一種使用該蝕刻劑組合物制造TFT溝道的方法。
[0033]下文將詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0034]以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括的過氧化氫(H2O2)的量為15wt.%至25wt.%，優(yōu)選為18wt.%至23wt.%。如果過氧化氫的含量小于15wt.%，則不能滿足源極/漏極層和η+摻雜層的蝕刻效率，因此不能充分地蝕刻。當(dāng)過氧化氫的含量超過25wt.%時，蝕刻速率通常增加使得難以控制過程。
[0035]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，含氟化合物指的是在水中離解產(chǎn)生氟(F)離子的化合物。含氟化合物為影響源極/漏極層和η+摻雜層的蝕刻速率的助氧化劑，且去除在蝕刻期間產(chǎn)生的殘余物的同時可以控制蝕刻速率。
[0036]以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括的含氟化合物的量為0.0lwt.%至5wt.%，優(yōu)選為0.1wt.%至3wt.%。如果含氟化合物的含量小于
0.0lwt.%，則源極/漏極層和η+摻雜層的蝕刻速率會降低。當(dāng)含氟化合物的含量超過5wt.%時，盡管提高了蝕刻效能，但蝕刻速率會通常增加使得難以控制過程。
[0037]如果含氟化合物按照慣例在本領(lǐng)域中使用，則在此使用的含氟化合物沒有特別的限制，可以包括:例如，HF、NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, NaFHF, KF,、KHF2, CaF2, A1F3、H2SiF6,HBF4等，這些含氟化合物被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。在這些含氟化合物中，可優(yōu)選使用KHF2。
[0038]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，唑化合物可以控制蝕刻速率，減少圖案的CD(關(guān)鍵尺寸)損失,從而增加工藝?yán)麧?。以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括的唑化合物的量可以為0.1wt.%至5wt.%，優(yōu)選為0.5wt.%至2wt.%。如果唑化合物的含量小于0.1wt.%，則⑶損失會增加得太多。當(dāng)唑化合物的含量超過5wt.%時，源極/漏極層的蝕刻速率會降低得太多，因此使處理時間延長得太長。
[0039]如果唑化合物按照慣例在本領(lǐng)域中使用，則在此使用的唑化合物沒有特別的限制。例如，唑化合物可以是具有I至30個碳原子的任一唑化合物。更優(yōu)選地，苯并三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物、吡咯啉化合物等可被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。
[0040]咪唑化合物可以包括:例如，咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基2-乙基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑、4-丙基咪唑等，這些咪唑化合物被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。
[0041]氨基四唑化合物可以包括:例如，氨基四唑、5-氨基-1-苯基四唑、5-氨基-1(1-萘基)四唑、1-甲基-5-氨基四唑、1，5-二氨基四唑等。在這些氨基四唑化合物中，可優(yōu)選使用氨基四唑。
[0042]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物可以防止在蝕刻劑組合物的存放期間可能發(fā)生的過氧化氫溶液的自降解，和當(dāng)蝕刻大量基板時蝕刻性能的變化。通常，對于使用過氧化氫(溶液)的蝕刻劑組合物，過氧化氫溶液在存放期間自動降解，從而導(dǎo)致短的存放期限，還涉及容器爆炸的危險因素。然而，如果包括在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物，則過氧化氫溶液的降解速度可減小大約10倍,從而對于確保存放期限和穩(wěn)定性是有利的。特別地，當(dāng)將銅層用于源極/漏極層時，如果在蝕刻劑組合物中出現(xiàn)大量的銅離子，則鈍化層可被形成且被氧化變黑，從而不被進一步蝕刻。在這方面，向蝕刻劑組合物中加入前述水溶性化合物可以防止如上文所述的這樣的情況。
[0043]以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量范圍可以從0.5wt.%至5wt.%,優(yōu)選從Iwt.%至3wt.%。如果水溶性化合物的含量小于0.5wt.%，則在蝕刻多個基板(大約500片)后，會形成鈍化層，因此，難以得到足夠的加工裕量。當(dāng)水溶性化合物的含量超過5wt.%時，鑰或鑰合金的蝕刻速率會降低，因此，如果銅-鑰層或銅-鑰合金層被用于源極/漏極層，則錐角度減小。
[0044]在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物可以包括:例如，丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、肌氨酸等，這些水溶性化合物被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。在這些水溶性化合物中，可優(yōu)選使用亞氨基二乙酸。
[0045]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，磷酸鹽化合物為賦予蝕刻圖案良好的錐形輪廓的組分。以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，磷酸鹽化合物的含量范圍可以從0.1wt.%至5wt.%,優(yōu)選從0.5wt.%至3wt.%。如果磷酸鹽化合物的含量小于0.1wt.%,則會導(dǎo)致差的蝕刻輪廓。當(dāng)磷酸鹽化合物的含量超過5wt.%時，可用于源/漏極層的鑰層或鑰合金層的蝕刻速率會降低。
[0046]如果磷酸鹽化合物選自由一種或兩種堿金屬或堿土金屬取代的鹽，則可用在此的磷酸鹽化合物沒有特別的限制。例如，磷酸鈉、磷酸二氫鈉、磷酸鉀、和磷酸銨可被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。在這些磷酸鹽化合物中，優(yōu)選使用磷酸鈉。
[0047]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，有機酸可以適當(dāng)?shù)乜刂苝H值以形成蝕刻劑的環(huán)境，其中，源極/漏極層可被容易地蝕刻。以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，有機酸化合物的含量范圍可以從0.1wt.%至5wt.%，優(yōu)選從0.5wt.%至2wt.%。如果有機酸化合物的含量小于0.1wt.%，則控制pH值至適合于工藝的水平的效果會不充分，因此，難以維持pH值在0.5至4.5的范圍內(nèi)。當(dāng)有機酸化合物的含量超過5wt.%時，銅和鑰或鑰合金的蝕刻速率分別會增大，因此，CD損失增加得太多。
[0048]本文可用的有機酸化合物可以包括:例如，乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、和草酸等，這些有機酸被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。在這些有機酸中，優(yōu)選使用乙醇酸。
[0049]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，多元醇型表面活性劑可以起到降低表面張力以增加蝕刻均勻性的作用。此外，在蝕刻可用作源極/漏極層的銅層后，前述表面活性劑可包圍被洗脫進入蝕刻劑中的銅離子以抑制銅離子的移動性，從而抑制過氧化氫的降解。當(dāng)銅離子的移動性降低時，在使用蝕刻劑時，相關(guān)的工藝可平穩(wěn)進行。以蝕刻溶液組合物的總重為IOOwt.%計，多元醇型表面活性劑的含量范圍可以從0.0Olwt.%至5wt.%,優(yōu)選從0.1wt.%至3wt.%。如果表面活性劑的含量小于0.0Olwt.%，則加速過氧化氫的降解的同時降低蝕刻均勻性。當(dāng)表面活性劑的含量超過5wt.%時，會增加鼓泡的發(fā)生率。
[0050]本文可用的多元醇型表面活性劑可以包括:例如，甘油、三甘醇、聚乙二醇等，這些多元醇型表面活性劑被單獨使用或以其中的兩種或兩種以上的組合方式使用。在這些多元醇型表面活性劑中，可優(yōu)選使用三甘醇。
[0051]關(guān)于本發(fā)明的蝕刻劑組合物，以蝕刻溶液組合物的總重為lOOwt.%計，除了前述組分的含量，水作為余量加入。在此加入的水的種類沒有特別的限制，但可以為去離子蒸餾水。更優(yōu)選地，使用比電阻為18MQ/cm或大于18MQ/cm的去離子蒸餾水，其中，比電阻表明水中的離子去除程度。
[0052]可選地，用于制備TFT溝道的本發(fā)明的蝕刻劑組合物還可以包括任何常規(guī)的添加齊U，例如，螯合劑、緩蝕劑等。
[0053]由根據(jù)本發(fā)明的用于制備TFT溝道的蝕刻劑組合物蝕刻的源極/漏極層和η+摻雜層沒有特別的限制，但可以包括在本領(lǐng)域中通常使用的任何源極/漏極層和η+摻雜層。
[0054]在此使用的源極/漏極層可以是:例如，含銅金屬層。用在本發(fā)明中的含銅金屬層指的是在其構(gòu)成組分中含有銅的金屬膜，且可以構(gòu)思包括單層和多層的膜(如雙層等)。更具體地，含銅金屬層可以是單一的銅層或銅合金層、具有鑰層和形成在鑰層上的銅層的銅-鑰層、或具有鑰合金層和形成在鑰合金層上的銅層的銅-鑰合金層。銅合金或鑰合金可以分別獨立地為包括選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銦(In)等中的至少一種金屬與銅或鑰一起的合金。
[0055]通過以高濃度的η型雜質(zhì)摻雜的由半導(dǎo)體制成的活性層24的上部而形成η+摻雜層。本文使用的半導(dǎo)體沒有特別的限制，通?？梢允欠蔷Ч琛?br> [0056]下文將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的用于制造TFT溝道的方法的一個實施方式。
[0057]圖2為示意性地示出在相關(guān)領(lǐng)域中用于制造TFT溝道的方法的示例的剖面圖。按照慣例，在首先蝕刻源/漏極層22丨(圖2中的過程(b))后，部分地蝕刻η+摻雜層25 (圖2中的過程(C))。照此，由于蝕刻過程應(yīng)該被進行兩次，故該工藝較復(fù)雜。另外，必須進行干法蝕刻工藝(如等離子蝕刻)以蝕刻源/漏極層22 ’，因此使蝕刻工藝更加復(fù)雜，且需要昂貴的設(shè)備。
[0058]然而，本發(fā)明的用于制造溝道的方法包括如圖3所示的通過僅一次的蝕刻過程，以流水線式蝕刻源極/漏極層22'和η+摻雜層25，從而降低了蝕刻過程的次數(shù)。另外，由于采用了使用上述本發(fā)明的蝕刻劑組合物的濕法蝕刻工藝，蝕刻過程本身是非常簡單的。
[0059]圖3為示意性地示出根據(jù)本發(fā)明用于制造TFT溝道的方法的剖面圖。參照圖3，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的用于制造薄膜晶體管陣列(下文稱為“TFT陣列”)的方法的一個實施方式。
[0060]首先，在基板上形成柵極21。柵極21起到根據(jù)通過柵極線(未示出)發(fā)射的電信號來控制源極和漏極之間的電流的作用。柵極21按如下方法形成。通常，鑰(Mo)層均勻地形成在基板上。然后，蝕刻鑰層，形成所需形狀的圖案。可通過光刻法等形成所需形狀的圖案。不一定使用鑰來形成柵極21，相反，可以使用任何具有高熔點的金屬來形成柵極21，以防止在隨后的工藝中由非晶硅制成的活性層24在其結(jié)晶期間被產(chǎn)生的熱改性。
[0061]然后，在柵極21上形成柵極絕緣層。柵極絕緣層起到將活性層24和柵極21隔開的作用，使得流至活性層24的電流不會流進柵極21。
[0062]柵極絕緣層按如下方法形成。具體地，柵極絕緣層均勻地形成在基板上，該基板包括通過等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)法等置于基板上的柵極21。柵極絕緣層可以由包括選自二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等中的至少一種絕緣材料制成。
[0063]然后，活性層24在柵極絕緣層上形成作為半導(dǎo)體層。活性層24成為基于柵極21的電信號電流流經(jīng)的路徑。通常，通過等離子體CVD法等，利用非晶硅可以均勻地在柵極絕緣層上形成活性層。
[0064]然后，在活性層24上形成η+摻雜層25。η+摻雜層25使電流在活性層24和源極22/漏極23之間流動。通常，η+摻雜層由摻雜有η型雜質(zhì)的非晶硅層構(gòu)成。
[0065]然后，在η+摻雜層25上形成源極/漏極層22 '。由于源極/漏極層22'具有以后在其上形成的溝道30，從而將源極/漏極層22 ’分成源極22和漏極23。源極22和漏極23均起到傳輸待發(fā)送到像素中的電信號的作用。
[0066]可以使用含銅金屬層形成源/漏極層22 '。根據(jù)本發(fā)明，含銅金屬層指的是在其構(gòu)成組分中含有銅的金屬膜，含銅金屬層可構(gòu)思包括單層和多層膜(如雙層等)。更具體地，含銅金屬層可以包括:例如，單一的銅層或銅合金層、具有鑰層和形成在鑰層上的銅層的銅-鑰層、或具有鑰合金層和形成在鑰合金層上的銅層的銅-鑰合金層。銅合金或鑰合金可以分別獨立地為包括選T1、Ta、Cr、N1、Nd、和In中的至少一種金屬和銅或鑰一起的合金。
[0067]然后，根據(jù)TFT陣列圖案形成光刻膠。光刻膠以圖案的方式形成，使得在待被蝕刻的源極/漏極層22丨、η+摻雜層25和活性層24中的一些部分被暴露。
[0068]在形成光刻膠后，通過以流水線式蝕刻和使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物，部分地蝕刻源極/漏極層22丨和η+摻雜層25，以形成TFT陣列(圖3中的過程(b))。
[0069]在下文中，為了更加具體地理解本發(fā)明，將描述優(yōu)選的實施方式。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，這樣的實施方式被提供用于示例的目的而不特別限制所附的權(quán)利要求書，各種變型和變動是可行的而不脫離本發(fā)明的范圍和精神，并且這樣的變型和變動充分地被包括在如所附的權(quán)利要求書限定的本發(fā)明中。
[0070]實施例
[0071]通過使用以其相應(yīng)的含量列于表I中的組分來制備根據(jù)實施例1至實施例6和比較實施例1至比較實施例7的蝕刻劑組合物。[0072][表1]
[0073]
【權(quán)利要求】
1.一種用于制備薄膜晶體管溝道的蝕刻劑組合物，所述組合物包括:15重量％至25重量％的過氧化氫；0.01重量％至5重量％的含氟化合物；0.1重量％至5重量％的唑化合物；0.5重量％至5重量％的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物；0.1重量％至5重量％的磷酸鹽化合物；0.1重量％至5重量％的有機酸；0.001重量％至5重量％的多元醇型表面活性劑；以及余量的水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述蝕刻劑組合物蝕刻所有的源極/漏極層和η+慘雜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合物，其中，所述源極/漏極層由含銅金屬層制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其中，所述含銅金屬層為銅或銅合金的單一層、包括鑰層和形成在所述鑰層上的銅層的銅-鑰層、或包括鑰合金層和形成在所述鑰合金層上的銅層的銅-鑰合金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述含氟化合物選自HF、NaF,NH4F, NH4BF4,NH4FHF, NaFHF, KF、KHF2、CaF2, AlF3> H2SiF6 和 HBF4 中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述唑化合物選自苯并三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物、和吡咯啉化合物中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物選自丙氨酸 、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、和肌氨酸中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述磷酸鹽化合物選自磷酸鈉、磷酸鉀、和磷酸銨中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述有機酸選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、和草酸中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，所述多元醇型表面活性劑選自甘油、三甘醇、和聚乙二醇中的至少一種。
11.一種用于制造薄膜晶體管的溝道的方法，所述方法包括使用根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項所述的蝕刻劑組合物，流水線式蝕刻源極/漏極層和η+摻雜層。
【文檔編號】H01L21/306GK103903976SQ201310611312
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月26日
【發(fā)明者】金鎮(zhèn)成, 李石, 李鉉奎 申請人:東友精細(xì)化工有限公司