一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機半導體材料領域，具體涉及一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法。本發(fā)明提出的晶體管材料在結構上含有含并三噻吩及萘基硼烷；其優(yōu)點如下：（1）并三噻吩、萘環(huán)是平面型大Π結構，B元素是n型半導體摻雜材料，這種結構組合對促進電子傳輸有積極意義。（2）通過調節(jié)硼烷上取代烷基的鏈長來控制材料的穩(wěn)定性及在溶液中的溶解度，使材料適合于噴墨打印或絲網(wǎng)印刷制備晶體管工藝，從而降低晶體管制作成本。
【專利說明】一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于有機半導體材料領域，具體涉及一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法。
【背景技術】
[0002]1977年人們發(fā)現(xiàn)通過摻雜可以使聚乙炔膜的電導率提高12個量級，由絕緣體變成導體，從此掀起了有機半導體的研究熱潮。其研究工作包括有機高分子材料、有機小分子材料和有機分子晶體材料的電學、光學等性質。有機半導體中的載流子除了電子和空穴外，還有孤子、極化子等。人們已經(jīng)獲得低溫遷移率高的高質量有機半導體晶體，在其中觀察到量子霍爾效應，并用其制成有機半導體激光器，如今有機半導體彩色顯示屏已進入實用階段。
[0003]有機場效應晶體管(OFET)是用有機共軛分子作為活性半導體層，以無機或高分子介電物質作絕緣柵，通過柵電壓調節(jié)開、關狀態(tài)的一種三端器件。自從1986年第一個有機場效應晶體管問世以來，有機場效晶體管以其低成本、柔韌性好、可大面積制備等優(yōu)點而受到廣泛關注，貝爾實驗室、IBM公司等多個研究機構相繼投入了研究。近幾年來，有機場效應晶體管得到了越來越深入的研究，新型有機半導體材料不斷出現(xiàn)，器件性能不斷改善。
[0004]本發(fā)明制備的材料含有并三噻吩、硼烷、萘環(huán)等基團，是一種新型晶體管材料，其優(yōu)點如下:(I)并三噻吩、 萘環(huán)是平面型大n結構，B元素是n型半導體摻雜材料，這種結構組合對促進電子傳輸有積極意義。(2)通過調節(jié)硼烷上取代烷基的鏈長來控制材料的穩(wěn)定性及在溶液中的溶解度，使材料適合于噴墨打印或絲網(wǎng)印刷制備晶體管工藝，從而降低晶體管制作成本。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提出一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法。
[0006]本發(fā)明提出的并三噻吩硼烷晶體管材料，在結構上含并三噻吩及萘基硼烷，其結
構式如下所示:
[0007]
【權利要求】
1.一種并三噻吩硼烷晶體管材料及其制備方法，其特征在于該材料在結構上含并三噻吩及萘基硼烷，其結構式如下所示: 其中R為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基之一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶體管材料，其特征在于R為甲基，材料的分子式為C3tlH22B2S3，化學結構式如下:

3.根據(jù)權利要求1所述的晶體管材料，其特征在于R為乙基，材料的分子式為C32H26B2S3，化學結構式如下:、to

4.根據(jù)權利要求1所述的晶體管材料，其特征在于R為正丙基，材料的分子式為C34H3tlB2S3，化學結構式如下:

5.根據(jù)權利要求1所述的晶體管材料，其特征在于R為正丁基，材料的分子式為C36H34B2S3，化學結構式如下:

6.根據(jù)權利要求1所述的晶體管材料，其特征在于R為正己基，材料的分子式為C4tlH42B2S3，化學結構式如下:

7.—種如權利要求1~6所述的晶體管材料的制備方法,其特征在于該材料由2，6-二溴二噻吩并[3，2-b:2’，3’-d]噻吩、萘基溴硼烷、正丁基鋰以及醋酸鈀為起始原料，通過一步法制備獲得，反應方程式如下:

【文檔編號】H01L51/56GK103483365SQ201310394508
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月3日 優(yōu)先權日:2013年9月3日
【發(fā)明者】藍碧健 申請人:太倉碧奇新材料研發(fā)有限公司