一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法、設(shè)備和磁性存儲(chǔ)軌道的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法，包括：通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于1的整數(shù)；在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備和磁性存儲(chǔ)軌道。本發(fā)明實(shí)施例可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
【專利說明】一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法、設(shè)備和磁性存儲(chǔ)軌道

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及制造領(lǐng)域，尤其涉及一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法、設(shè)備和磁性存儲(chǔ)軌道。

【背景技術(shù)】
[0002]目前磁性存儲(chǔ)軌道在電子元件器中應(yīng)用十分廣泛，例如，在半導(dǎo)體器件中集成納米線磁性存儲(chǔ)軌道。目前制造磁性存儲(chǔ)軌道主要通過反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)制造磁性存儲(chǔ)軌道，但該技術(shù)每次只能制造一個(gè)磁性存儲(chǔ)軌道，從而制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率很低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法、設(shè)備和磁性存儲(chǔ)軌道，可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0004]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法，包括:
[0005]通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)；
[0006]在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；
[0007]將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0008]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體之后，在所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道之前，所述方法還包括:
[0009]通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)；
[0010]所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，包括:
[0011]將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0012]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體之后，在所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間之前，所述方法還包括:
[0013]在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間；
[0014]所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，包括:
[0015]沿著所述光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。
[0016]結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間，包括:
[0017]使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間。
[0018]結(jié)合第一方面的上述任一實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間之前，所述方法還包括:
[0019]在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間；
[0020]所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，包括:
[0021]沿著所述光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。
[0022]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間，包括:
[0023]使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間。
[0024]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備，包括:第一刻蝕單元、沉積單元和去除單元，其中:
[0025]所述第一刻蝕單元，用于通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)；
[0026]所述沉積單元，用于在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；
[0027]所述去除單元，用于將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0028]在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述設(shè)備還包括:
[0029]第二刻蝕單元，用于通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)；
[0030]所述去除單元還用于將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0031]結(jié)合第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述設(shè)備還包括:
[0032]第一光刻單元，用于在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間；
[0033]所述第二刻蝕單元還用于沿著所述光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。
[0034]結(jié)合第二方面的上述任一實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述設(shè)備還包括:
[0035]第二光刻單元，用于在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間；
[0036]所述第一刻蝕單元還用于沿著所述光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和覽度相問。
[0037]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁性存儲(chǔ)軌道，所述磁性存儲(chǔ)軌道為U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述U形磁性存儲(chǔ)軌道是通過在硅體的H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，以及在沉積所述磁性材料的后的第一凹形空間中填滿硅材料構(gòu)造硅與磁性材料的組合體，并將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體所得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道；其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面，所述H個(gè)第一凹形空間是通過刻蝕工藝在所述硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0038]在第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述U形磁性存儲(chǔ)軌道具體還是通過包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，所得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述N個(gè)第二凹形空間是通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)。
[0039]結(jié)合第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述N個(gè)第二凹形空間具體還是沿著光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述N個(gè)第三凹形空間是通過在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的N個(gè)第三凹形空間。
[0040]結(jié)合第三方面的上述任一實(shí)現(xiàn)方式，在第三方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述H個(gè)第一凹形空間具體還是沿著光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述H個(gè)第四凹形空間是通過在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的H個(gè)第四凹形空間。
[0041 ] 上述技術(shù)方案中，通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)；在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。上述制造方式可以實(shí)現(xiàn)通過一次性生產(chǎn)多個(gè)磁性存儲(chǔ)軌道，從而可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0043]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法的流程示意圖；
[0044]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法的流程示意圖；
[0045]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法的流程示意圖；
[0046]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的可選的過程示意圖；
[0047]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的可選的掩膜版意圖；
[0048]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的可選的過程示意圖；
[0049]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的可選的掩膜版意圖；
[0050]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0054]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0055]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法的流程示意圖，如圖1所示，包括以下步驟:
[0056]101、通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0057]可選的，上述硅體具體可以是二氧化硅Si02構(gòu)成的硅體，且該硅體具體可以是長方體或者正方體的硅體。
[0058]102、在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體。
[0059]可選的，上述在H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料具體可以是沉積一層均勻磁性材料，即沉積的磁性材料在各處的厚度是相同的。其中，上述磁性材料具體可以是磁性材料 FeCoNi。
[0060]103、將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0061]可選的，上述U形磁性存儲(chǔ)軌道具體可以是納米線U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0062]上述技術(shù)方案中，通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)；在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。上述實(shí)現(xiàn)方式可以實(shí)現(xiàn)通過一次性生產(chǎn)多個(gè)磁性存儲(chǔ)軌道，從而可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0063]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法的流程示意圖，如圖2所示，包括以下步驟:
[0064]201、通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0065]可選的，上述第一凹形空間的深度可以是根據(jù)硅體的厚度而決定，第一凹形空間的深度具體可以是硅體的厚度減去一特定的厚度。
[0066]202、在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體。
[0067]可選的，步驟202之后，在步驟203之前，還可以對(duì)上述組合體進(jìn)行機(jī)械拋光，以得到一個(gè)平滑的組合體。
[0068]203、通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)。
[0069]例如:上述第一凹形空間的方向?yàn)橐怨梵w的第一面為參考面，第一凹形空間的方向?yàn)闄M向，那么上述第二凹形空間的方向就可以是該參考面的縱向。
[0070]204、將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道；其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0071]即可以理解為將連接多個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，從而得到HXN個(gè)獨(dú)立的U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0072]作為一種可選的實(shí)施方式，如圖3所示，在步驟202之后，在步驟203之前，所述方法還可以包括:
[0073]205、在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間。
[0074]步驟203具體可以包括:
[0075]沿著所述光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。
[0076]可選的，通過步驟202就可以得到如圖4-1所示的組合體，通過步驟205就可以得到如圖4-2所示的包括上述組合體和光刻膠的物體，其中，401為光刻出N個(gè)第三凹形空間的光刻膠，402為第三凹形空間，403為沉積的磁性材料，404為硅體，當(dāng)然此刻的硅體包括步驟202填充的硅體。再通過203就可以將該組合刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，具體可以如圖4-3所示，其中，405為第二凹形空間。由于第二凹形空間是沿著第三凹形空間向下刻蝕，這樣在組合體上就不會(huì)出現(xiàn)斜坡狀邊沿，以及不會(huì)出現(xiàn)毛刺。當(dāng)然在步驟203之后，還可以將去除上述光刻膠，以得到如圖4-4所示，再通過步驟204將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料406刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0077]作為一種可選的實(shí)施方式，步驟205中的通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間具體可以包括:
[0078]使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間。
[0079]其中，第一掩膜版具體可以如圖5所不，其中，501光刻片可以對(duì)光刻膠進(jìn)行光刻，即光刻膠與501光刻片對(duì)應(yīng)的部位都會(huì)都501光刻片所光刻掉，而光刻膠與502保留片對(duì)應(yīng)的部位將保留。
[0080]作為一種可選的實(shí)施方式，在步驟201之前，所述方法還可以包括:
[0081]206、在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間；
[0082]步驟201具體可以包括:
[0083]沿著所述光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。
[0084]可選的，通過步驟206在所述硅體上涂一層光刻膠后，可以得到如圖6-1所示，其中，601表示光刻膠，602表示硅體。通過步驟207在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間后，就可以得到如圖6-2所示，其中，603表示第四凹形空間。經(jīng)過步驟201刻蝕出H個(gè)第一凹形空間就可以得到如圖6-3所示的物體，其中，604表示第一凹形空間。由于第一凹形空間是沿著第四凹形空間向下刻蝕，且由于光刻膠的屬性在刻蝕工藝中不會(huì)產(chǎn)生形變，這樣在硅體上就不會(huì)出現(xiàn)斜坡狀邊沿，以及不會(huì)出現(xiàn)毛刺。步驟202在第一凹形空間中沉積一層磁性材料之后，就可以得到如圖6-4所示的物體，其中，605表示沉積的磁性材料。之后就可以在沉積磁性材料的第一凹形空間中填滿硅材料，得到一個(gè)如圖4-1所示的組合體。
[0085]作為一種可選的實(shí)施方式，步驟206中的通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間，包括:
[0086]使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間。
[0087]其中，第一掩膜版具體可以如圖7所示，其中，701光刻片可以對(duì)光刻膠進(jìn)行光刻，即光刻膠與701光刻片對(duì)應(yīng)的部位都會(huì)都701光刻片所光刻掉，而光刻膠與702保留片對(duì)應(yīng)的部位將保留。
[0088]作為一種可選的實(shí)施方式，上述第一凹形空間具體可以是縱橫比很高的凹形空間，即第一凹形空間深度很深，且寬度很窄。且上述第二凹形空間具體可以是縱橫比很高的凹形空間，即第二凹形空間深度很深，且寬度很窄。這樣得到的U形存儲(chǔ)軌道的縱橫比很高，這樣在應(yīng)用時(shí)，U形存儲(chǔ)軌道就只需要占用元件器很少的空間，從而可以節(jié)約元件器的空間。
[0089]上述技術(shù)方案中，在上面實(shí)施例的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)的多種可選的實(shí)施方式，且都可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0090]下面為本發(fā)明裝置實(shí)施例，本發(fā)明裝置實(shí)施例用于執(zhí)行本發(fā)明方法實(shí)施例一至二實(shí)現(xiàn)的方法，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，具體技術(shù)細(xì)節(jié)未揭示的，請(qǐng)參照本發(fā)明實(shí)施例一和實(shí)施例二。
[0091]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖8所示，包括:第一刻蝕單元81、沉積單元82和去除單元83，其中:
[0092]第一刻蝕單元81，用于通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0093]可選的，上述硅體具體可以是二氧化硅Si02構(gòu)成的硅體，且該硅體具體可以是長方體或者正方體的硅體。
[0094]沉積單元82，用于在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體。
[0095]可選的，上述在H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料具體可以是沉積一層均勻磁性材料，即沉積的磁性材料在各處的厚度是相同的。其中，上述磁性材料具體可以是磁性材料 FeCoNi。
[0096]去除單元83，用于將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0097]可選的，上述U形磁性存儲(chǔ)軌道具體可以是納米線U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0098]可選的，上述第一刻蝕單元81具體可以刻蝕機(jī)，去除單元83具體可以是刻蝕機(jī)或者氧化裝置。
[0099]上述技術(shù)方案中，通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)；在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體；將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。上述實(shí)現(xiàn)方式可以實(shí)現(xiàn)通過一次性生產(chǎn)多個(gè)磁性存儲(chǔ)軌道，從而可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0100]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，包括:第一刻蝕單元91、沉積單元92、第二刻蝕單元93和去除單元94，其中:
[0101 ] 第一刻蝕單元91，用于通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0102]可選的，上述第一凹形空間的深度可以是根據(jù)硅體的厚度而決定，第一凹形空間的深度具體可以是硅體的厚度減去一特定的厚度。
[0103]沉積單元92，用于在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體。
[0104]可選的，上述在H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料具體可以是沉積一層均勻磁性材料，即沉積的磁性材料在各處的厚度是相同的。其中，上述磁性材料具體可以是磁性材料 FeCoNi。
[0105]第二刻蝕單元93，用于通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)；
[0106]例如:上述第一凹形空間的方向?yàn)橐怨梵w的第一面為參考面，第一凹形空間的方向?yàn)闄M向，那么上述第二凹形空間的方向就可以是該參考面的縱向。
[0107]去除單元94，用于將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道；其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
[0108]即可以理解為將連接多個(gè)U形準(zhǔn)磁性存儲(chǔ)軌道的磁性材料刻蝕掉，從而得到HXN個(gè)獨(dú)立的U形準(zhǔn)磁性存儲(chǔ)軌道。
[0109]作為一種可選的實(shí)施方式，如圖10所示，所述設(shè)備還可以包括:
[0110]第一光刻單元95，用于在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間；
[0111]第二刻蝕單元93還可以用于沿著所述光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。
[0112]由于第二凹形空間是沿著第三凹形空間向下刻蝕，這樣在組合體上就不會(huì)出現(xiàn)斜坡狀邊沿，以及不會(huì)出現(xiàn)毛刺。
[0113]作為一種可選的實(shí)施方式，第一光刻單元95還可以用于使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間。
[0114]作為一種可選的實(shí)施方式，所述設(shè)備還可以包括:
[0115]第二光刻單元96，用于在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間；
[0116]第一刻蝕單元91還可以用于沿著所述光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。
[0117]由于第一凹形空間是沿著第四凹形空間向下刻蝕，這樣在硅體上就不會(huì)出現(xiàn)斜坡狀邊沿，以及不會(huì)出現(xiàn)毛刺。
[0118]作為一種可選的實(shí)施方式，第二光刻單元96還可以用于使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間。
[0119]作為一種可選的實(shí)施方式，上述第一凹形空間具體可以是縱橫比很高的凹形空間，即第一凹形空間深度很深，且寬度很窄。且上述第二凹形空間具體可以是縱橫比很高的凹形空間，即第二凹形空間深度很深，且寬度很窄。這樣得到的U形存儲(chǔ)軌道的縱橫比很高，這樣在應(yīng)用時(shí)，U形存儲(chǔ)軌道就只需要占用元件器很少的空間，從而可以節(jié)約元件器的空間。
[0120]上述技術(shù)方案中，在上面實(shí)施例的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)的多種可選的實(shí)施方式，且都可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0121]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁性存儲(chǔ)軌道的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖11所示，所述磁性存儲(chǔ)軌道為U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述U形磁性存儲(chǔ)軌道是通過在硅體的H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，以及在沉積所述磁性材料的后的第一凹形空間中填滿硅材料構(gòu)造硅與磁性材料的組合體，并將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體所得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道；其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面，所述H個(gè)第一凹形空間是通過刻蝕工藝在所述硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)。
[0122]可選的，上述硅體具體可以是二氧化硅Si02構(gòu)成的硅體，且該硅體具體可以是長方體或者正方體的硅體。
[0123]可選的，上述在H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料具體可以是沉積一層均勻磁性材料，即沉積的磁性材料在各處的厚度是相同的。其中，上述磁性材料具體可以是磁性材料 FeCoNi。
[0124]可選的，上述U形磁性存儲(chǔ)軌道具體可以是納米線U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0125]可選的，上述U形磁性存儲(chǔ)軌道具體還可以是通過包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，所得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述N個(gè)第二凹形空間是通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交,所述N為大于I的整數(shù)。
[0126]即上述U形磁性存儲(chǔ)軌道是一次性得到的HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。
[0127]可選的，上述組合體還可以是通過進(jìn)行機(jī)械拋光所得到平滑的組合體。
[0128]可選的，上述N個(gè)第二凹形空間具體還可以是沿著光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述N個(gè)第三凹形空間是通過在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的N個(gè)第三凹形空間。
[0129]可行的，上述N個(gè)第三凹形空間具體還可以是使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出的N個(gè)第三凹形空間。
[0130]可選的，上述H個(gè)第一凹形空間具體還可以是沿著光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述H個(gè)第四凹形空間是通過在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的H個(gè)第四凹形空間。
[0131]可選的，上述H個(gè)第四凹形空間具體還可以是使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出的H個(gè)第四凹形空間。
[0132]可選的，本實(shí)施例提供的多種可選的磁性存儲(chǔ)軌道具體還可以是通過上面方法實(shí)施例和裝置實(shí)施例所制造出的多個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。為了便于說明，僅示出了與本實(shí)施例相關(guān)的部分，具體技術(shù)細(xì)節(jié)未揭示的，請(qǐng)參照本發(fā)明的方法實(shí)施例和裝置實(shí)施例。
[0133]上述技術(shù)方案中，所述U形磁性存儲(chǔ)軌道是通過在硅體的H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，以及在沉積所述磁性材料的后的第一凹形空間中填滿硅材料構(gòu)造硅與磁性材料的組合體，并將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體所得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。上述實(shí)現(xiàn)方式可以實(shí)現(xiàn)通過一次性生產(chǎn)多個(gè)磁性存儲(chǔ)軌道，從而可以提高制造磁性存儲(chǔ)軌道的效率。
[0134]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計(jì)算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，可包括如上述各方法的實(shí)施例的流程。其中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory, ROM)或隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random AccessMemory,簡稱 RAM)等。
[0135]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁性存儲(chǔ)軌道的制備方法，其特征在于，包括: 通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述H為大于I的整數(shù)； 在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體； 將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體之后，在所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道之前，所述方法還包括: 通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于I的整數(shù)； 所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道，包括: 將包括所述H個(gè)第一凹形空間和N個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得HXN個(gè)U形磁性存儲(chǔ)軌道。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述H個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體之后，在所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間之前，所述方法還包括: 在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間； 所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，包括: 沿著所述光刻膠的N個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出N個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間，包括: 使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出N個(gè)第三凹形空間。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間之前，所述方法還包括: 在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間； 所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，包括: 沿著所述光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間，包括: 使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠上刻出H個(gè)第四凹形空間。
7.—種磁性存儲(chǔ)軌道的制備設(shè)備，其特征在于，包括:第一刻蝕單元、沉積單元和去除單元，其中: 所述第一刻蝕單元，用于通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出0個(gè)第一凹形空間，所述II為大于1的整數(shù)； 所述沉積單元，用于在所述II個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構(gòu)造硅與磁性材料的組合體； 所述去除單元，用于將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得II個(gè)V形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備還包括: 第二刻蝕單元，用于通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出~個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述~為大于1的整數(shù)； 所述去除單元還用于將包括所述0個(gè)第一凹形空間和~個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得0X8^1形磁性存儲(chǔ)軌道。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備還包括: 第一光刻單元，用于在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出~個(gè)第三凹形空間； 所述第二刻蝕單元還用于沿著所述光刻膠的~個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出~個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相問。
10.如權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備還包括: 第二光刻單元，用于在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出!I個(gè)第四凹形空間； 所述第一刻蝕單元還用于沿著所述光刻膠的0個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出II個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。
11.一種磁性存儲(chǔ)軌道，其特征在于， 所述磁性存儲(chǔ)軌道為V形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述V形磁性存儲(chǔ)軌道是通過在硅體的只個(gè)第一凹形空間中沉積一層磁性材料，以及在沉積所述磁性材料的后的第一凹形空間中填滿硅材料構(gòu)造硅與磁性材料的組合體，并將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體所得II個(gè)V形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)V形磁性存儲(chǔ)軌道；其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面，所述II個(gè)第一凹形空間是通過刻蝕工藝在所述硅體上刻蝕出0個(gè)第一凹形空間，所述0為大于1的整數(shù)。
12.如權(quán)利要求11所述的磁性存儲(chǔ)軌道，其特征在于，所述[形磁性存儲(chǔ)軌道具體還是通過包括所述0個(gè)第一凹形空間和~個(gè)第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，所得!IX~個(gè)V形磁性存儲(chǔ)軌道中的一個(gè)V形磁性存儲(chǔ)軌道，其中，所述~個(gè)第二凹形空間是通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出~個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述~為大于1的整數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的磁性存儲(chǔ)軌道，其特征在于，所述X個(gè)第二凹形空間具體還是沿著光刻膠的~個(gè)第三凹形空間對(duì)所述組合體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的~個(gè)第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述N個(gè)第三凹形空間是通過在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的N個(gè)第三凹形空間。
14.如權(quán)利要求11-13中任一項(xiàng)所述的磁性存儲(chǔ)軌道，其特征在于，所述H個(gè)第一凹形空間具體還是沿著光刻膠的H個(gè)第四凹形空間對(duì)所述硅體進(jìn)行向下的刻蝕，刻蝕出的H個(gè)第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同；其中，所述H個(gè)第四凹形空間是通過在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出的H個(gè)第四凹形空間。
【文檔編號(hào)】H01L43/12GK104425707SQ201310382143
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】林殷茵, 韋竹林, 趙俊峰, 楊偉, 楊凱, 傅雅蓉 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司, 復(fù)旦大學(xué)