第iii族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。具體地，本發(fā)明提供一種其中發(fā)光層中的應(yīng)變得以松弛以實現(xiàn)高發(fā)光效率的第III族氮化物半導(dǎo)體器件以及用于制造該器件的方法。本發(fā)明的發(fā)光器件具有襯底、低溫緩沖層、n型接觸層、第一ESD層、第二ESD層、n側(cè)超晶格層、發(fā)光層、p側(cè)超晶格層、p型接觸層、n型電極N1、p型電極P1和鈍化膜F1。第二ESD層具有平均凹坑直徑D的凹坑。平均凹坑直徑D為至包括在n側(cè)超晶格層中的InGaN層的厚度滿足以下條件：-0.029×D+82.8≤Y≤-0.029×D+102.8。
【專利說明】第M I族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及其中施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件通過第III族氮化物半導(dǎo)體從生長襯底外延生長來制造。在該工藝中，形成具有不同晶格常數(shù)的多個第III族氮化物半導(dǎo)體層。由于晶格常數(shù)的差異，在相關(guān)的半導(dǎo)體層中產(chǎn)生應(yīng)變(即，應(yīng)力)。該應(yīng)力產(chǎn)生壓電場，其使得發(fā)光層的量子阱的電勢變形，從而在空間上將電子與空穴分開。結(jié)果，在發(fā)光層中電子與空穴之間的復(fù)合的概率減小。在這種情況下，半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率下降。
[0003]為了最大可能程度地減小在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的應(yīng)變對發(fā)光層的影響，已經(jīng)開發(fā)了一些技術(shù)。一種技術(shù)是用于松弛應(yīng)變的超晶格層。超晶格層具有晶格常數(shù)不同的兩個或更多個層單元，由此施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛。用于使應(yīng)變松弛的另一層是用于防止半導(dǎo)體層的靜電擊穿的層(在下文中，這樣的層可以稱為“靜電擊穿電壓改進層”)。專利文獻I公開了在靜電擊穿電壓改進層中形成凹坑(pit)的技術(shù)(例如，參見專利文獻I的[0007]至[0010]段)。靜電擊穿電壓改進層可以防止半導(dǎo)體層的靜電擊穿并且可以通過凹坑使雙軸應(yīng)力松弛。
[0004]專利文獻1:日本公開特許公報(特開)第2007-180495號。
[0005]然而，即使在超晶格層僅與靜電擊穿電壓改進層相結(jié)合(這兩個層形成為使應(yīng)變最大程度地松弛)時，也不能使應(yīng)變松弛的效果達到最大程度。相反，半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光強度在一些情況下可能降低。據(jù)推測，這是因為超晶格層的應(yīng)變松弛機制不同于靜電擊穿電壓改進層的應(yīng)變松弛機制。因此，應(yīng)變松弛優(yōu)選地不僅通過設(shè)置組合的超晶格層和靜電擊穿電壓改進層，還通過其它手段來實現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決與常規(guī)技術(shù)有關(guān)的上述問題，實現(xiàn)了本發(fā)明。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種其中施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛以由此實現(xiàn)高發(fā)光效率的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。另一目的是提供一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法。
[0007]因此，在本發(fā)明的第一方面中，提供了一種第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，該第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括由第III族氮化物半導(dǎo)體形成的底層、形成在底層上的超晶格層和形成在超晶格層上的發(fā)光層。底層具有凹坑。超晶格層具有由包含銦的第III族氮化物半導(dǎo)體形成的至少含銦層。在底層與超晶格層之間的界面處測得的平均凹坑直徑D (A)滿足以下條件:500 A<D<3()00 A。含銦層的厚度Y (A)滿足以下條件:
[0008]-0.029 X D+82.8 ≤ Y ≤-0.029 X D+102.8。
[0009]在第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛。設(shè)置有凹坑的底層和形成在底層上的超晶格層適當(dāng)?shù)匚諔?yīng)變。因此，施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛。從而，在發(fā)光層中產(chǎn)生的壓電場的強度小于常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的壓電場的強度。即，第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率高于常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0010]本發(fā)明的第二方面涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個特定實施方案，其中超晶格層由重復(fù)沉積的層單元形成。每個層單元具有兩個或更多個含銦層。含銦層的厚度Y (蓋)是針對超晶格層中具有最小帶隙的層測得的厚度。在這種情況下，具有上述厚度Y (A)的條件的含銦層的In組成比最大。 [0011]本發(fā)明的第三方面涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個特定實施方案，其中所述凹坑的底端位于底層的厚度范圍內(nèi)。凹坑由穿透位錯W引起并且在底層生長期間形成。本文所使用的術(shù)語“底層”是指在超晶格層之下的半導(dǎo)體層。底層可以是由兩個或更多個層組成的半導(dǎo)體層。
[0012]本發(fā)明的第四方面涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個特定實施方案，其中底層為用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。
[0013]本發(fā)明的第五方面涉及第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個特定實施方案，其中平均凹坑直徑D (A)滿足以下條件:500A<D<1500人。當(dāng)凹坑直徑落在該范圍內(nèi)時，第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件對反向電壓具有足夠的耐受性。
[0014]在本發(fā)明的第六方面中，提供了一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，該方法包括:
[0015]形成底層；
[0016]在底層上形成超晶格層；以及
[0017]在超晶格層上形成發(fā)光層。在形成底層時，在底層中設(shè)置凹坑，使得在底層與超晶格層之間的界面處測得的平均凹坑直徑D ( 滿足以下條件:
[0018]500 A<DSJ000 在形成超晶格層時，由含銦第in族氮化物半導(dǎo)體形成含
銦層，使得含銦層的厚度Y (U滿足以下條件:
[0019]-0.029 X D+82.8 ≤ Y ≤-0.029 X D+102.8。
[0020]通過采用用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，從氮化物半導(dǎo)體模板(即，在底層下方的層)中傳遞的應(yīng)變可以得以有效地松弛，由此可以降低施加到發(fā)光層的應(yīng)變。此外，保持了所形成的半導(dǎo)體層的結(jié)晶度，并且半導(dǎo)體層的除設(shè)置有凹坑的區(qū)域之外的部分高度平坦。因此，所形成的發(fā)光層具有高結(jié)晶度。換句話說，可以制造具有高發(fā)光效率的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。在這樣制造的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛，這是因為設(shè)置有凹坑的底層和設(shè)置在底層上的超晶格層適當(dāng)?shù)匚諔?yīng)變。因此，可以降低施加到發(fā)光層的應(yīng)變，并且降低壓電場對發(fā)光層的影響。
[0021]本發(fā)明的第七方面涉及用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的一個實施方案，其中在形成超晶格層時，重復(fù)沉積各自具有兩個或更多個含銦層的層單元，以及形成超晶格層中具有最小帶隙的含銦層，使得該含銦層具有上述厚度Y (A)0
[0022]本發(fā)明的第八方面涉及用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的一個特定實施方案，其中平均凹坑直徑D (▲)調(diào)整為滿足以下條件:500 A<D<15001。這樣制造的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件對反向電壓具有足夠的耐受性。
[0023]本發(fā)明使得能夠提供其中施加到發(fā)光層的應(yīng)變得以松弛以由此實現(xiàn)高發(fā)光效率的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]本發(fā)明的各種其它目的、特征以及許多附帶的優(yōu)點將容易理解，這是因為在結(jié)合附圖進行考慮的情況下，參考下面的優(yōu)選實施方案的詳細描述，本發(fā)明的各種其它目的、特征以及許多附帶的優(yōu)點變得更好理解，在附圖中:
[0025]圖1是根據(jù)實施方案的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2是形成根據(jù)該實施方案的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的層的層結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0027]圖3是根據(jù)實施方案的設(shè)置在靜電擊穿電壓改進層中的凹坑的示意圖；
[0028]圖4是根據(jù)實施方案的設(shè)置在靜電擊穿電壓改進層中的凹坑以及超晶格層的厚度的不意圖；
[0029]圖5是示出根據(jù)實施方案的用于制造發(fā)光器件的方法的示意圖(部分I)；
[0030]圖6是示出根據(jù)實施方案的用于制造發(fā)光器件的方法的示意圖(部分2)；
[0031]圖7是示出在靜電擊穿電壓改進層的平均凹坑直徑為2500蓋的情況下，超晶格層的InGaN層的厚度與總輻射通量之間的關(guān)系的曲線圖；
[0032]圖8是示出在靜電擊穿電壓改進層的平均凹坑直徑為15001的情況下，超晶格層的InGaN層的厚度與總輻射通量之間的關(guān)系的曲線圖；以及
[0033]圖9是示出靜電擊穿電壓改進層的平均凹坑直徑與超晶格層的InGaN層的厚度之間的關(guān)系的曲線圖。
【具體實施方式】
[0034]下面將參照附圖，通過以制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的情形為例描述本發(fā)明的特定實施方案。然而，本發(fā)明不限于這些實施方案。當(dāng)然，形成下述的發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)和電極僅為實例，并且可以不同于在下述實施方案中例示的實例。在附圖中示意性示出的每個層的厚度與其實際值不對應(yīng)。此外，在附圖中示出的凹坑的尺寸大于實際值。
[0035]1.半導(dǎo)體發(fā)光器件
[0036]圖1是根據(jù)本實施方案的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件100的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，發(fā)光器件100是正裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光器件。發(fā)光器件100具有由第III族氮化物半導(dǎo)體形成的多個半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層的層結(jié)構(gòu)在圖2中示出。
[0037]如圖1所示，發(fā)光器件100具有襯底110、低溫緩沖層120、η型接觸層130、第一ESD層140、第二 ESD層150、η側(cè)超晶格層160、發(fā)光層170、ρ側(cè)超晶格層180、ρ型接觸層190、η型電極N1、ρ型電極Pl和鈍化膜Fl。
[0038]在襯底110的主表面上依次形成半導(dǎo)體層，即，低溫緩沖層120、η型接觸層130、第一 ESD層140、第二 ESD層150、η側(cè)超晶格層160、發(fā)光層170、ρ側(cè)超晶格層180以及ρ型接觸層190。η型電極NI形成在η型接觸層130上，并且ρ型電極Pl形成在ρ型接觸層190 上。
[0039]襯底110用作具有主表面的生長襯底，通過MOCVD在主表面上形成半導(dǎo)體層。襯底110的表面可以是凹凸的。襯底110由藍寶石制成。除藍寶石之外，還可以使用如SiC、ΖηΟ、Si和GaN等材料。
[0040]低溫緩沖層120形成在襯底110的主表面上。使用低溫緩沖層120，以在藍寶石襯底Iio中以高密度形成結(jié)晶核。借助低溫緩沖層120，促進了具有平坦表面的GaN層的生長。低溫緩沖層120由如AlN或GaN等材料制成。
[0041]η型接觸層130位于η型電極NI下方。η型接觸層130與η型電極NI歐姆接觸。η型接觸層130形成在低溫緩沖層120上。η型接觸層130是Si濃度為I X IO1Vcm3或更高的η型GaN層。為了增強與η型電極NI的歐姆接觸，η型接觸層130可以由具有不同載流子濃度的多個層形成。η型接觸層130的厚度為例如4 μ m。當(dāng)然，也可以采用其它厚度值。
[0042]第一 ESD層140用作用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。第一 ESD層140形成在η型接觸層130上。第一 ESD層140是非摻雜i_GaN層。第一 EDS層140的厚度為300nm。
[0043]第二 ESD層150用作用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。第二 ESD層150是摻雜Si的η型GaN層。第二 ESD層150的厚度為約30nm。第二 ESD層150的Si濃度為約5 X IO1Vcm3。
[0044]η側(cè)超晶格層160用作用于使施加到發(fā)光層170的應(yīng)變松弛的應(yīng)變松弛層。更具體地，η側(cè)超晶格層160是具有超晶格結(jié)構(gòu)的η側(cè)超晶格層。如圖2所7]^，η側(cè)超晶格層160通過重復(fù)沉積 各自均由InGaN層161和η型GaN層162形成的層單元形成。重復(fù)的次數(shù)為10至20。然而，次數(shù)可以在該范圍之外。InGaN層161的In組成比為2%至20%。InGaN層161的In組成比小于包括在下述發(fā)光層170中的InGaN層171的In組成比。當(dāng)InGaN層161的In組成比不小于包括在發(fā)光層170中的InGaN層171的In組成比時，InGaN層161不利地吸收通過發(fā)光層170發(fā)射的光。InGaN層161的厚度為2蓋至90 L.n~GaN層162的厚度為10 I至50 A。在η側(cè)超晶格層160中重復(fù)沉積的n_GaN層162具有相同的厚度。
[0045]InGaN層161是含銦層。InGaN層的帶隙小于η型GaN層162的帶隙。在形成η側(cè)超晶格層160的層中，InGaN層161具有最小的帶隙。
[0046]發(fā)光層170通過電子與空穴的復(fù)合發(fā)射光。發(fā)光層170形成在η側(cè)超晶格層160上。發(fā)光層170通過重復(fù)沉積InGaN層171、GaN層172和AlGaN層173形成。重復(fù)的次數(shù)為3至20。InGaN層171的In組成比為5%至40%。InGaN層171的厚度為10 A至70 AeGaN層172的厚度為5 A至70 A。AlGaN層173的Al組成比為5%至40 %。AlGaN層173的厚度為5蓋至70 I。這些值僅為實例，也可以采用其它值。
[0047]ρ側(cè)超晶格層180形成在發(fā)光層170上。ρ側(cè)超晶格層180通過重復(fù)沉積非摻雜AlGaN層181、ρ型InGaN層182和ρ型AlGaN層183形成。重復(fù)的次數(shù)例如為5。非摻雜
AlGaN層181的Al組成比為5%至40 %。非摻雜AlGaN層181的厚度為$ ▲至70 L.P型InGaN層182的In組成比為2%至20%。ρ型InGaN層182的In組成比小于包括在發(fā)光層170中的InGaN層171的In組成比。ρ型InGaN層182的厚度為10 A至70蓋。P型AlGaN層183的Al組成比為10%至20%。ρ型AlGaN層183的厚度為5 I至70 I。這些值僅為實例，也可以采用其它值。此外，可以采用另外的層結(jié)構(gòu)。[0048]ρ型接觸層190形成在ρ側(cè)超晶格層180上。ρ型接觸層190設(shè)置為與P型電極Pl建立歐姆接觸。P型接觸層190的厚度為80nm。ρ型接觸層190以Mg濃度為I X IO19/cm3 至 I X IO22/cm3 慘雜有 Mg。
[0049]ρ型電極Pl形成在ρ型接觸層190上。P型電極Pl歐姆接觸P型接觸層190。ρ型電極Pl由ITO制成。
[0050]η型電極NI形成在η型接觸層130上。η型電極NI歐姆接觸η型接觸層130。η型電極NI通過在η型接觸層130上依次形成V膜和Al膜形成?？商娲?，η型電極NI可以通過依次形成Ti膜和Al膜來形成。
[0051]鈍化膜Fl覆蓋η型接觸層130的側(cè)表面、第一 ESD層140的側(cè)表面、第二 ESD層150的側(cè)表面、η側(cè)超晶格層160的側(cè)表面、發(fā)光層170的側(cè)表面、ρ側(cè)超晶格層180的側(cè)表面和P型接觸層190的側(cè)表面、以及ρ型電極Pl的一部分和η型電極NI的一部分。換句話說，P型電極Pl的剩余部分和η型電極NI的剩余部分未覆蓋鈍化膜Fl并且暴露在空氣中。鈍化膜Fl由例如SiO2制成。
[0052]2.設(shè)置在靜電擊穿電壓改進層中的凹坑
[0053]參照圖3，將描述設(shè)置在靜電擊穿電壓改進層(B卩，第一 ESD層140和第二 ESD層150)中的凹坑X。凹坑X由穿透位錯W引起。即，在穿透位錯W處產(chǎn)生凹坑X。穿透位錯W沿著半導(dǎo)體層的生長方向傳播。然后，當(dāng)穿透位錯W到達第一 ESD層140時，形成凹坑X。隨著靜電擊穿電壓改進層的生長的進行，凹坑沿著與層生長方向正交的方向生長。因此，凹坑X密度幾乎等于穿透位錯W密度，這是因為凹坑在穿透位錯處引起。因此，當(dāng)穿透位錯密度為約 I X IO7 (I/cm2)至約 3 X IO10 (Ι/cm2)，凹坑密度也為約 I X IO7 (I/cm2)至約 3 X 101° (I/cm2) ο
[0054]因此，隨著第一 ESD層140的厚度和第二 ESD層150的厚度的增加，在第二 ESD層150的頂面處的凹坑直徑Dl增加。此外，凹坑X的底端Xl位于靜電擊穿電壓改進層的厚度范圍內(nèi)。凹坑X從第一 ESD層140延伸到η側(cè)超晶格層160。凹坑X被η側(cè)超晶格層160的底面封閉(如在圖1中從頂部所觀察的)。
[0055]凹坑X假定為圓錐孔或六面錐體孔。在圓錐孔的情況下，凹坑直徑Dl對應(yīng)于在第二 ESD層150的頂面，即在第二 ESD層150與η側(cè)超晶格層160之間的界面SI處測得的凹坑X的直徑。
[0056]在凹坑X假定為六面錐體孔的情況下，凹坑X沿著與凹坑X的生長方向正交的面截取的橫截面通常為正六邊形。在這種情況下，凹坑X的凹坑直徑Dl定義為在橫截面上從六邊形的一個頂點到相對的頂點的線段的長度。凹坑直徑Dl對應(yīng)于凹坑X的在第二 ESD層150的頂面處(即，在第二 ESD層150與η側(cè)超晶格層160之間的界面SI處)測得的線段直徑的長度。
[0057]根據(jù)凹坑X的橫截面形狀，可以采用上述定義中的任意一種。理論上，凹坑X的橫截面形狀為六邊形。然而，如下文中在實驗部分所描述的，凹坑X的實際橫截面形狀通常是圓形。因此，在下文中，將假定凹坑X的橫截面形狀為圓形來定義凹坑直徑D1。
[0058]平均凹坑直徑D是在界面SI處測得的平均凹坑直徑Dl。即，平均凹坑直徑D是通過對所有凹坑X的在第二 ESD層150與η側(cè)超晶格層160之間的界面SI處測量的凹坑直徑Dl的值取平均值而計算出的。[0059]平均凹坑直徑D根據(jù)第二 ESD層150的厚度并且根據(jù)第二 ESD層150生長的溫度而變化。隨著第二 ESD層150的厚度的增加，平均凹坑直徑D增加。相反，隨著第二 ESD層150的厚度的減小，平均凹坑直徑D減小。此外，隨著第二 ESD層150生長溫度升高，平均凹坑直徑D減小。相反，隨著第二 ESD層150生長降低，平均凹坑直徑D增加。因此，平均凹坑直徑D可以通過改變第二 ESD層150的厚度和生長溫度來調(diào)整。
[0060]平均凹坑直徑D滿足以下條件⑴:
[0061]
【權(quán)利要求】
1.一種第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括:由第III族氮化物半導(dǎo)體形成的底層、形成在所述底層上的超晶格層和形成在所述超晶格層上的發(fā)光層，其中 所述底層具有凹坑； 所述超晶格層至少具有由包含銦的第III族氮化物半導(dǎo)體形成的含銦層； 所述凹坑具有在所述底層與所述超晶格層之間的界面處測得的平均凹坑直徑D (A )，該凹坑直徑滿足以下條件:500 A<D<3000 A;以及 所述含銦層的厚度Y (U滿足以下條件:
-0.029XD+82.8 ≤ Y ≤-0.029XD+102.8。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中 所述超晶格層由重復(fù)沉積的層單元形成； 每個層單元具有兩個或更多個含銦層；以及 所述含銦層的厚度Y (U是對所述超晶格層中具有最小帶隙的層所測量的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹坑的底端位于所述底層的厚度范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述凹坑的底端位于所述底層的厚度范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述底層是用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述底層是用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述底層是用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述底層是用于防止每個半導(dǎo)體層的靜電擊穿的靜電擊穿電壓改進層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述平均凹坑直徑D (I)滿足以下條件:SOO A<D<1500 Ae
10.一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，包括: 形成底層； 在所述底層上形成超晶格層；以及 在所述超晶格層上形成發(fā)光層； 其中，在形成所述底層時，在所述底層中設(shè)置凹坑，使得在所述底層與所述超晶格層之間的界面處測得的平均凹坑直徑D(A)滿足以下條件: . 500 A<D<3000 A;以及 在形成所述超晶格層時，由包含銦的第III族氮化物半導(dǎo)體形成含銦層，使得所述含銦層的厚度Y (A)滿足以下條件: . -0.029XD+82.8 ≤ Y ≤-0.029XD+102.8。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述超晶格層時， 重復(fù)沉積層單元，每個所述層單元具有兩個或更多個含銦層，以及 所述超晶格層中具有最小帶隙的含銦層形成為具有所述含銦層的所述厚度Y (A)0
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中所述平均凹坑直徑D (I)調(diào)整為滿足以下條件:500入SDS1500 An
【文檔編號】H01L33/32GK103682002SQ201310381669
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月26日
【發(fā)明者】奧野浩司, 宮崎敦嗣 申請人:豐田合成株式會社