薄膜晶體管基板及包含此的有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及薄膜晶體管基板。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板包括：基板；位于基板上的柵極；位于柵極上的柵極絕緣膜；位于柵極絕緣膜上的氧化物半導(dǎo)體；位于氧化物半導(dǎo)體上的第一層間絕緣膜；位于第一層間絕緣膜上的數(shù)據(jù)線；位于數(shù)據(jù)線上的第二層間絕緣膜；位于第二層間絕緣膜上的源極，通過第二層間絕緣膜的第一接觸孔與氧化物半導(dǎo)體以及數(shù)據(jù)線相連；位于第二層間絕緣膜上的漏極，通過第二層間絕緣膜的第二接觸孔與半導(dǎo)體相連。
【專利說明】薄膜晶體管基板及包含此的有機(jī)發(fā)光顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管及包含此的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)應(yīng)用于平板顯示裝置等多種電子裝置中。例如，薄膜晶體管在液晶顯示裝置(liquid crystal display, LCD)、有機(jī)發(fā)光顯不裝置(organic light emitting diode display, OLED Display)、電泳顯不裝置(electrophoretic display)等平板顯示裝置中作為開關(guān)元件或驅(qū)動元件而使用。
[0003]薄膜晶體管包括:連接于傳遞掃描信號的柵極線的柵極；連接于數(shù)據(jù)線的源極，該數(shù)據(jù)線傳遞將施加到像素電極的信號；與源極面對的漏極；以及電連接于源極和漏極的半導(dǎo)體。
[0004]其中，半導(dǎo)體是確定薄膜晶體管的特性的重要因素。這種半導(dǎo)體使用最為廣泛的是硅(Si)。硅根據(jù)結(jié)晶形態(tài)分為非晶硅和多晶硅，非晶硅雖然制造工藝簡單，但是電荷遷移率低，因而在制造高性能薄膜晶體管時(shí)受到局限，而多晶硅雖然電荷遷移率高，但是要求結(jié)晶化硅的步驟，因而制造費(fèi)用和工藝比較復(fù)雜。
[0005]為了彌補(bǔ)非晶硅和多晶硅的缺陷，正在進(jìn)行對于利用氧化物半導(dǎo)體(οX i desemiconductor)的薄膜晶體管的研究,所述氧化物半導(dǎo)體相比非晶娃，電荷遷移率高，通斷比高，而且所述氧化物半導(dǎo)體相比多晶硅，成本低廉，均一度高。
[0006]而且,對于利用具有較低的比電阻(resistivity)的金屬形成配線,據(jù)此提高電流移動速度的方法的必要性變高。
[0007]但是，為了形成低電阻配線，金屬配線的厚度變厚，因此，在進(jìn)行濕式蝕刻時(shí)由于偏斜(skew)而導(dǎo)致發(fā)生側(cè)蝕(undercut)。這種側(cè)蝕導(dǎo)致驅(qū)動電流減小，而且需要增加配線的大小，以對側(cè)蝕進(jìn)行補(bǔ)償，因此存在晶體管的大小增大的問題。
[0008]如此，若晶體管的大小增加，則寄生電容增加，而且需要與此成比例地增加電路內(nèi)的電容器的容量，因此存在所必需的電容器的面積增大的問題。
[0009]如此，如果晶體管的大小增加，且電容器的面積增加，則存在像素的開口率(aperture ratio)減少的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種在不減少包含氧化物半導(dǎo)體的晶體管的特性的情況下，縮小晶體管的大小而增大像素的開口率的薄膜晶體管基板及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0011]而且，本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種能夠在不增加電容器的面積的情況下，增加電容器的容量的薄膜晶體管基板及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板包括:基板；位于基板上的柵極；位于柵極上的柵極絕緣膜；位于柵極絕緣膜上的氧化物半導(dǎo)體；位于氧化物半導(dǎo)體上的第一層間絕緣膜；位于第一層間絕緣膜上的數(shù)據(jù)線；位于數(shù)據(jù)線上的第二層間絕緣膜；位于第二層間絕緣膜上的源極，該源極通過第二層間絕緣膜的第一接觸孔與氧化物半導(dǎo)體以及數(shù)據(jù)線相連；位于第二層間絕緣膜上的漏極，該漏極通過第二層間絕緣膜的第二接觸孔與半導(dǎo)體相連。
[0013]還可包括位于所述第二層間絕緣膜上的像素電極，像素電極與所述漏極形成為一體。
[0014]所述源極、漏極、像素電極可以由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成。
[0015]所述源極、漏極以及像素電極可以由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一個(gè)形成。
[0016]相比所述數(shù)據(jù)線，所述源極、漏極以及像素電極可以以更薄的厚度形成。
[0017]為了實(shí)現(xiàn)上述的另一目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基板；位于基板上的第一信號線；與第一信號線交叉的第二信號線和第三信號線；與第一信號線和第二信號線連接的第一晶體管；與第一晶體管和第三信號線連接的第二晶體管；與第二晶體管連接的有機(jī)發(fā)光元件，第一晶體管和第二晶體管的源極和漏極以及與第二晶體管連接的有機(jī)發(fā)光元件的第一電極在相同的層上由相同的物質(zhì)形成。
[0018]所述第一晶體管和第二晶體管中至少一個(gè)晶體管的源極和漏極以及與第二晶體管連接的有機(jī)發(fā)光元件的第一電極可以由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成。
[0019]相比第二信號線以及第三信號線，所述第一晶體管和第二晶體管的源極和漏極可以以更薄的厚度形成。
[0020]所述透明的導(dǎo)電物質(zhì)可以包含銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一個(gè)。
[0021]還包括位于所述第二信號線和第三信號線上的層間絕緣膜，第一晶體管和第二晶體管中至少一個(gè)晶體管的源極和漏極以及與第二晶體管連接的有機(jī)發(fā)光元件的第一電極可位于層間絕緣膜上。
[0022]所述第一晶體管的源極可通過層間絕緣膜的第一接觸孔與第二信號線相連，第二晶體管的源極可通過層間絕緣膜的第二接觸孔與第三信號線相連。
[0023]所述第二信號線可以是施加數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線，第三信號線可以是施加恒定電壓的共同電源線。
[0024]可以包括電容器，該電容器包括:位于所述基板上的電容器用第一導(dǎo)電體；位于電容器用第一導(dǎo)電體上的柵極絕緣膜；位于柵極絕緣膜上的第一層間絕緣膜；位于第一層間絕緣膜上的電容器用第二導(dǎo)電體；位于電容器用第二導(dǎo)電體上的第二層間絕緣膜；位于第二層間絕緣膜上的電容器用第三導(dǎo)電體。
[0025]所述第一導(dǎo)電體可以由與第一信號線相同的物質(zhì)形成，第二導(dǎo)電體可以由與第二信號線以及第三信號線相同的物質(zhì)形成，第三導(dǎo)電體可以由與第一電極相同的物質(zhì)形成。
[0026]所述第一導(dǎo)電體可通過形成于柵極絕緣膜、第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的第三接觸孔與第三導(dǎo)電體電連接。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以提供在不降低薄膜晶體管的電氣特性的情況下，還能夠縮小晶體管的大小的薄膜晶體管以及薄膜晶體管基板?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板的布置圖。
[0029]圖2為沿圖1的I1-1I線截取而示出的剖視圖。
[0030]圖3為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的等價(jià)電路圖。
[0031]圖4為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的布置圖。
[0032]圖5為沿圖4的V - V線截取而示出的剖視圖。
[0033]圖6為沿圖4的V1-VI線截取而示出的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明，以便能夠使本發(fā)明所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常的知識的技術(shù)人員容易地實(shí)施。但是本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)為各種不同的形態(tài)，并不局限于在此進(jìn)行說明的實(shí)施例。
[0035]在附圖中，為了清楚地表達(dá)多個(gè)層和區(qū)域，對厚度作了放大表示。在整個(gè)說明書中，對于相似的部分賦予了相同的附圖標(biāo)號。當(dāng)描述為層、膜、區(qū)域、板等部分位于其他部分“上”時(shí)，這不僅包含相應(yīng)部分位于其他部分“緊上方”的情形，而且還包含兩者中間存在另一部分的情形。相反，當(dāng)描述為某一部分位于其他部分“緊上方”時(shí)，表示中間沒有其他部分。
[0036]首先，參考圖1對于本發(fā)明一實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板進(jìn)行說明。
[0037]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板的布置圖，圖2為沿圖1的
I1-1I線截取而示出的剖視圖。
[0038]如圖1所示，在由諸如透明的玻璃或塑料之類制成的絕緣基板100上形成有多個(gè)柵極線(gate line) 121。
[0039]柵極線121傳遞柵極信號，且主要沿橫向延伸。為了實(shí)現(xiàn)從柵極線121突出的多個(gè)柵極124和其他層或者外部驅(qū)動電路的連接，各個(gè)柵極線121包含面積較寬的末端部分(未圖示)。
[0040]柵極線121可以由諸如鋁(Al)或鋁合金等鋁系列金屬、銀(Ag)或銀合金等銀系列金屬、銅(Cu)或銅合金等銅系列金屬、鑰(Mo)或鑰合金等鑰系列金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)以及鈦(Ti)之類制成。但是，柵極線121也可以具有包含物理性質(zhì)不同的至少兩個(gè)導(dǎo)電膜的多
重膜結(jié)構(gòu)。
[0041]柵極線121上形成有柵極絕緣膜140。
[0042]柵極絕緣膜140可包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等絕緣物質(zhì)。柵極絕緣膜140可通過派射(Sputtering)方法等形成。
[0043]柵極絕緣膜140上形成有由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體154。
[0044]氧化物半導(dǎo)體為金屬氧化物半導(dǎo)體，可由鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等金屬的氧化物或鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等金屬和這些金屬的氧化物的組合構(gòu)成。例如，氧化物半導(dǎo)體可包含氧化鋅(ZnO)、鋅-錫氧化物(ΖΤ0)、鋅-銦氧化物(ΖΙ0)、銦氧化物(InO)、鈦氧化物(TiO)、銦-鎵-鋅(IGZ0)、銦-鋅-錫氧化物(IZTO)中的至少一個(gè)。[0045]半導(dǎo)體154上形成有第一層間絕緣膜160。第一層間絕緣膜160可由氮化硅或氧化硅以單層或多個(gè)層形成。
[0046]第一層間絕緣膜160上形成有多個(gè)數(shù)據(jù)線(data line) 171。
[0047]數(shù)據(jù)線171傳遞數(shù)據(jù)信號，主要沿豎向延伸而與柵極線121交叉。為了與多個(gè)層或外部驅(qū)動電路連接，各個(gè)數(shù)據(jù)線171包含面積較寬的末端部分(未圖示)。
[0048]數(shù)據(jù)線171可以由低電阻金屬(即，諸如銅、鈦、鑰、鋁之類)以單層或多個(gè)層構(gòu)成。
此時(shí)，數(shù)據(jù)線171可以為5000 A以上的厚度。
[0049]數(shù)據(jù)線171上形成有第二層間絕緣膜180。
[0050]第二層間絕緣膜180由諸如氮化硅或氧化硅之類的無機(jī)絕緣物、有機(jī)絕緣物、低介電率絕緣物之類的物質(zhì)制成。有機(jī)絕緣物以及低介電率絕緣物形成地較厚，從而能夠使基板平坦。
[0051]第一層間絕緣膜160以及第二層間絕緣膜180形成有暴露半導(dǎo)體154的多個(gè)接觸孔183、185，第二層間絕緣膜180形成有暴露數(shù)據(jù)線171的接觸孔181。
[0052]第二層間絕緣膜180上形成有源極173和像素電極191。
[0053]源極173通過接觸孔181、183連接數(shù)據(jù)線171和半導(dǎo)體154的源極部。
[0054]并且，像素電極191通過接觸孔185與半導(dǎo)體154的漏極部相連，且包含與源極173面對的部分。與源極173面對的部分成為晶體管的漏極175。
[0055]像素電極191和源極173可由包含銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中至少一個(gè)的透明導(dǎo)電物質(zhì)制成，且可以以500 A以下的厚度形成。
[0056]一個(gè)柵極124、一個(gè)源極173以及一個(gè)漏極與半導(dǎo)體154 —起構(gòu)成一個(gè)薄膜晶體管，且薄膜晶體管的溝道形成在源極173和漏極175之間的半導(dǎo)體154。
[0057]為了形成歐姆接觸，摻雜有雜質(zhì)的氧化物半導(dǎo)體可位于源極173以及漏極175與半導(dǎo)體154接觸的區(qū)域。
[0058]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可通過使源極173和漏極175與像素電極191在相同的層上由相同的物質(zhì)形成，因此可以省略為了連接漏極和像素電極而形成接觸孔的工藝。
[0059]并且，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171由低電阻金屬形成為較厚，但是源極173和漏極175與像素電極191相同地由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成且形成為相比數(shù)據(jù)線171更薄，因此可以最小化在進(jìn)行濕式蝕刻時(shí)發(fā)生的因偏斜(skew)而導(dǎo)致的側(cè)蝕(undercut)的形成。即，在進(jìn)行濕式蝕刻時(shí)，厚度越增加，則因偏斜而導(dǎo)致的側(cè)蝕的大小越增加，然而如果如本發(fā)明的實(shí)施例那樣，使源極和漏極形成為薄于數(shù)據(jù)線的厚度，則可以最小化因偏斜而導(dǎo)致的側(cè)蝕的大小。
[0060]據(jù)此，源極和漏極無需設(shè)計(jì)成增加與因側(cè)蝕而減小的寬度相當(dāng)?shù)拇笮。虼四軌驕p小源極和漏極的大小，從而晶體管的大小變小，能夠最小化由此引起的開口率的減小。
[0061]而且，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線由低電阻配線形成，晶體管的源極和漏極由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成，因此不會發(fā)生由數(shù)據(jù)線的電阻引起的信號延遲。
[0062]以上的薄膜晶體管基板可使用為液晶顯示裝置的下部基板以及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的基板。
[0063]以下，參照圖3至圖6具體地說明包含圖1和圖2的薄膜晶體管基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0064]圖3為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的等價(jià)電路圖。
[0065]如圖3所示，本發(fā)明提供的一個(gè)像素具有具備有機(jī)發(fā)光元件(organic lightemitting diode) 70、兩個(gè)薄膜晶體管(thin film transistor, TFT) Q1、Q2、以及一個(gè)電容器(capacitor)80的雙晶體管單電容器(2Tr_lCap)結(jié)構(gòu)。但是,本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例并不局限于此。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置中一個(gè)像素可以具備三個(gè)以上的薄膜晶體管和兩個(gè)以上的電容，且還進(jìn)一步形成有另外的配線而形成為具有多種的結(jié)構(gòu)。如此，追加形成的薄膜晶體管和電容器可成為補(bǔ)償電路的構(gòu)成要素。
[0066]補(bǔ)償電路提高每個(gè)像素均形成的有機(jī)發(fā)光元件70的均一性，抑制畫質(zhì)發(fā)生偏差。通常，補(bǔ)償電路包括兩個(gè)至八個(gè)薄膜晶體管。
[0067]有機(jī)發(fā)光元件70包括作為空穴注入電極的陽極(anode)和作為電子注入電極的陰極(cathode)以及布置于陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。
[0068]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)像素包括第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2。
[0069]第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2分別包括柵極、半導(dǎo)體、源極以及漏極。而且，第一薄膜晶體管Ql和第二薄膜晶體管Q2中的一個(gè)以上薄膜晶體管的半導(dǎo)體由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。而且，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中一個(gè)以上薄膜晶體管的源極和漏極可包含作為透明的導(dǎo)電性物質(zhì)的ITO和IZO中至少一個(gè)，且可以是與有機(jī)發(fā)光元件的陽極相同的物質(zhì)。
[0070]數(shù)據(jù)線171上連接有第一薄膜晶體管Ql的源極，柵極線121上連接有第一薄膜晶體管Ql的柵極。并且，第一薄膜晶體管Ql的漏極與電容器80連接。第一薄膜晶體管Ql的漏極與電容器80之間形成有節(jié)點(diǎn)以與第二薄膜晶體管Q2的柵極連接。并且，第二薄膜晶體管Q2的源極上連接有共同電源線172，漏極上連接有有機(jī)發(fā)光元件70的陽極。
[0071]第一薄膜晶體管Ql使用為選擇欲要發(fā)光的像素的開關(guān)元件。第一薄膜晶體管Ql被瞬間接通，則充電器80被充電，此時(shí)被充電的電荷量與從數(shù)據(jù)線171施加的電壓的電位成比例。并且，在第一薄膜晶體管Ql處于斷開狀態(tài)下，電容器線(未圖示)以一個(gè)幀周期接收到電壓增加的信號時(shí)，對于第二薄膜晶體管Q2的柵極電位而言，以充電于電容器80的電位為基準(zhǔn)所施加的電壓的電平隨著通過電容器線施加的電壓而上升。而且，第二薄膜晶體管Q2中柵極電位超過閾值時(shí)將被接通。如此，施加到共同電源線172的電壓通過第二薄膜晶體管Q2被施加到有機(jī)發(fā)光元件70，有機(jī)發(fā)光元件70實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
[0072]以下，參照圖4至圖6，具體地說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0073]圖4為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)像素的布置圖，圖5為沿圖4的V-V線截取而示出的剖視圖，圖6為沿圖4的V1- VI線截取而示出的剖視圖。
[0074]參照圖4至圖6，基板100上形成有柵極線121、第二柵極128以及電容器用第一導(dǎo)電體123。
[0075]基板100可以是由玻璃、石英、陶瓷或塑料等制成的絕緣性基板，且基板100可以是由不銹鋼等構(gòu)成的金屬性基板。
[0076]柵極線121包括從柵極線突出的第一柵極126。柵極線121、第二柵極128以及電容器用第一導(dǎo)電體123由諸如鋁(Al)或鋁合金等鋁系列金屬、銀(Ag)或銀合金等銀系列金屬、銅(Cu)或銅合金等銅系列金屬、鑰(Mo)或鑰合金等鑰系列金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)以及鈦(Ti)之類制成。但是，柵極線121、第二柵極128以及電容器用第一導(dǎo)電體123也可以具有包含物理性質(zhì)不同的至少兩個(gè)導(dǎo)電膜的多重膜結(jié)構(gòu)。
[0077]柵極線121、第二柵極128以及電容器用第一導(dǎo)電體123上形成有柵極絕緣膜140。
[0078]柵極絕緣膜140可包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等絕緣物質(zhì)。柵極絕緣膜140可通過派射(Sputtering)方法等形成。
[0079]柵極絕緣膜140上形成有由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)第一半導(dǎo)體157和第二半導(dǎo)體 159。
[0080]氧化物半導(dǎo)體為金屬氧化物半導(dǎo)體，可由鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等金屬的氧化物或鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等金屬和這些金屬的氧化物的組合構(gòu)成。例如，氧化物半導(dǎo)體可包含氧化鋅(ZnO)、鋅-錫氧化物(ΖΤ0)、鋅-銦氧化物(ΖΙ0)、銦氧化物(InO)、鈦氧化物(TiO)、銦-鎵-鋅(IGZ0)、銦-鋅-錫氧化物(IZTO)中的至少一個(gè)。
[0081]半導(dǎo)體157、159上形成有第一層間絕緣膜160。第一層間絕緣膜160可由氮化硅或氧化硅以單層或多個(gè)層形成。
[0082]第一層間絕緣膜160上形成有多個(gè)數(shù)據(jù)線(data line) 171和共同電源線172。
[0083]數(shù)據(jù)線171傳遞數(shù)據(jù)信號，以與柵極線121交叉的方向延伸。
[0084]共同電源線172傳遞恒定電壓，并在與數(shù)據(jù)線171分離的狀態(tài)下沿著與數(shù)據(jù)線171相同的方向延伸。
[0085]數(shù)據(jù)線171以及共同電源線172可以由低電阻金屬卿，諸如銅、鈦、鑰、鋁之類)以單層或多個(gè)層構(gòu)成。此時(shí)，數(shù)據(jù)線171以及共同電源線172可以為5000人以上的厚度。
[0086]數(shù)據(jù)線171以及共同電源線172上形成有第二層間絕緣膜180。
[0087]第二層間絕緣膜180由諸如氮化硅或氧化硅之類的無機(jī)絕緣物、有機(jī)絕緣物、低介電率絕緣物之類的物質(zhì)制成。有機(jī)絕緣物以及低介電率絕緣物形成地較厚，從而能夠使基板平坦。
[0088]第一層間絕緣膜160以及第二層間絕緣膜180形成有暴露半導(dǎo)體157、159的接觸孔183、185、163、165，第二層間絕緣膜180形成有暴露數(shù)據(jù)線171、共同電源線172以及電容器用第二導(dǎo)電體75的接觸孔181、167、187，第一層間絕緣膜160和柵極絕緣膜140上形成暴露第二柵極128的接觸孔161。
[0089]第二層間絕緣膜180上形成有第一源極93、第一漏極95、電容器用第三導(dǎo)電體97、第二源極99、第二漏極91以及第一電極710。
[0090]第一源極93通過接觸孔181、183與數(shù)據(jù)線171和第一半導(dǎo)體157的源極部相連，以將從數(shù)據(jù)線171傳遞的數(shù)據(jù)信號傳遞給第一漏極95。
[0091]第一漏極95通過接觸孔185、187與第一半導(dǎo)體157的漏極部和電容器用第二導(dǎo)電體75相連，電容器用第二導(dǎo)電體75通過接觸孔187、161與第一漏極95和第二柵極128相連。
[0092]據(jù)此，傳遞至第一漏極95的信號通過電容器用第二導(dǎo)電體75傳遞至第二柵極128。
[0093]并且，電容器用第一導(dǎo)電體123和第三導(dǎo)電體97通過接觸孔189電連接。據(jù)此，電容器用第二導(dǎo)電體75將柵極絕緣膜140和第一層間絕緣膜160作為電介質(zhì)與第一導(dǎo)電體123構(gòu)成下部電容器，將第二層間絕緣膜180作為電介質(zhì)與第三導(dǎo)電體97構(gòu)成上部電容器。下部電容器和上部電容器并聯(lián)連接，以增加電容器的電容量。
[0094]第二源極99通過接觸孔167、163與共同電源線172和第二半導(dǎo)體159的源極部相連，將從共同電源線傳遞的信號傳遞至第二漏極91。
[0095]第二漏極91通過接觸孔165與第二半導(dǎo)體159的漏極部相連。第二漏極91可與第一電極710形成為一體，將從第二漏極91傳遞的信號傳遞給第一電極710。第一電極710成為有機(jī)發(fā)光元件70的陽極。
[0096]第一源極93、第一漏極95、電容器用第三導(dǎo)電體97、第二源極99、第二漏極91以及第一電極710可由包含銦錫氧化物(ΙΤ0)和銦鋅氧化物(ΙΖ0)中至少一個(gè)的透明導(dǎo)電物
質(zhì)制成，且可以以500 A以下的厚度形成。
[0097]有機(jī)發(fā)光元件70的第一電極710上形成有像素定義膜810。
[0098]像素定義膜810具有暴露第一電極710的開口部195。像素定義膜810可包含聚丙烯酸酯系(polyacrylates) 或聚酰亞胺系(polyimides)等樹脂和二氧化娃(silica)系列無機(jī)物等而構(gòu)成。
[0099]像素定義膜810的開口部195形成有有機(jī)發(fā)光層720。
[0100]有機(jī)發(fā)光層720由包括發(fā)光層、空穴注入層(hole-1njection layer，HIL)、空穴傳輸層(hole-transporting layer, HTL)、電子傳輸層(electron-transporting layer,ETL)以及電子注入層(electron-1njection layer, EIL)中的一個(gè)以上的多個(gè)層形成。
[0101]有機(jī)發(fā)光層720將這些全都包括時(shí)，空穴注入層位于作為陽極的第一電極710上，并在其上依次層疊空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0102]像素定義膜810以及有機(jī)發(fā)光層720上形成有第二電極730。
[0103]第二電極730成為有機(jī)發(fā)光兀件的陰極。據(jù)此,第一電極710、有機(jī)發(fā)光層720以及第二電極730構(gòu)成有機(jī)發(fā)光元件70。
[0104]第二電極730由反射膜、透明膜或者半透過膜形成。
[0105]反射膜和半透過膜使用鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)以及鋁(Al)中的一個(gè)以上的金屬或其合金而制成。反射膜和半透過膜通過厚度來確定，半透過膜可由200nm以下的厚度形成。厚度越薄，光的透過率越高，但是若非常薄，則使電阻增加。
[0106]透明膜由銦錫氧化物(indium tin oxide, ΙΤ0)、銦鋅氧化物(indium zincoxide, ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)等物質(zhì)形成。
[0107]以上對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明的權(quán)利范圍并不局限于此，利用了權(quán)利要求書中 所定義的本發(fā)明的基本概念的本領(lǐng)域的各種變形以及改進(jìn)也屬于本發(fā)明的權(quán)利范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，包括: 基板； 位于所述基板上的柵極； 位于所述柵極上的柵極絕緣膜； 位于所述柵極絕緣膜上的氧化物半導(dǎo)體； 位于所述氧化物半導(dǎo)體上的第一層間絕緣膜； 位于所述第一層間絕緣膜上的數(shù)據(jù)線； 位于所述數(shù)據(jù) 線上的第二層間絕緣膜； 位于所述第二層間絕緣膜上的源極，該源極通過所述第二層間絕緣膜的第一接觸孔與所述氧化物半導(dǎo)體以及所述數(shù)據(jù)線相連； 位于所述第二層間絕緣膜上的漏極，該漏極通過所述第二層間絕緣膜的第二接觸孔與所述半導(dǎo)體相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括位于所述第二層間絕緣膜上的像素電極，其中 所述像素電極與所述漏極形成為一體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，所述源極、漏極、像素電極由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中，所述源極、漏極以及像素電極由銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的至少一個(gè)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，相比所述數(shù)據(jù)線，所述源極、漏極以及像素電極以更薄的厚度形成。
6.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 位于所述基板上的第一信號線； 與所述第一信號線交叉的第二信號線和第三信號線； 與所述第一信號線和第二信號線連接的第一晶體管； 與所述第一晶體管和所述第三信號線連接的第二晶體管； 與所述第二晶體管連接的有機(jī)發(fā)光元件， 所述第一晶體管和第二晶體管的源極和漏極以及與所述第二晶體管連接的所述有機(jī)發(fā)光兀件的第一電極在相同的層上由相同的物質(zhì)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一晶體管和第二晶體管中至少一個(gè)晶體管的源極和漏極以及與所述第二晶體管連接的所述有機(jī)發(fā)光元件的第一電極由透明的導(dǎo)電物質(zhì)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，相比所述第二信號線以及第三信號線，所述第一晶體管和第二晶體管的源極和漏極以更薄的厚度形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述透明的導(dǎo)電物質(zhì)包含銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括位于所述第二信號線和第三信號線上的層間絕緣膜，其中所述第一晶體管和第二晶體管中至少一個(gè)晶體管的源極和漏極以及與所述第二晶體管連接的所述有機(jī)發(fā)光元件的第一電極位于所述層間絕緣膜上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一晶體管的源極通過所述層間絕緣膜的第一接觸孔與所述第二信號線相連， 所述第二晶體管的源極通過所述層間絕緣膜的第二接觸孔與所述第三信號線相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二信號線為施加數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線， 所述第三信號線為施加恒定電壓的共同電源線。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括電容器，該電容器包括: 位于所述基板上的電容器用第一導(dǎo)電體； 位于所述電容器用第一導(dǎo)電體上的柵極絕緣膜； 位于所述柵極絕緣膜上的第一層間絕緣膜； 位于所述第一層間絕緣膜上的電容器用第二導(dǎo)電體； 位于所述電容器用第二導(dǎo)電體上的第二層間絕緣膜； 位于所述第二層間絕緣膜上的電容器用第三導(dǎo)電體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一導(dǎo)電體由與所述第一信號線相同的物質(zhì)形成，` 所述第二導(dǎo)電體由與所述第二信號線以及第三信號線相同的物質(zhì)形成， 所述第三導(dǎo)電體由與所述第一電極相同的物質(zhì)形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一導(dǎo)電體通過形成于所述柵極絕緣膜、所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜的第三接觸孔與所述第三導(dǎo)電體電連接。
【文檔編號】H01L27/32GK103779355SQ201310365525
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】崔千基 申請人:三星顯示有限公司