本發(fā)明涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶體硅太陽電池及其制備方法。

背景技術(shù)：
隨著人類對能源需求量的增加，常規(guī)能源儲量有限并且不可再生，因此開發(fā)可再生能源特別是太陽能越來越受到關(guān)注，太陽電池的研究開發(fā)也越來越廣泛。目前，太陽電池可以分為晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池和新型太陽電池。其中，晶體硅太陽電池相比其他類型的電池，有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能，因此，晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。常規(guī)晶體硅太陽電池采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)制備硅片正面的金屬前電極，在高溫?zé)Y(jié)過程中，漿料會穿透硅片表面的SiNx:H鈍化減反射層，與發(fā)射區(qū)形成歐姆接觸。由于在高溫?zé)Y(jié)過程中，漿料中的金屬離子會不可避免地?cái)U(kuò)散進(jìn)入發(fā)射區(qū)，這就造成正面金屬前電極下面的發(fā)射區(qū)較高的載流子復(fù)合速率，從而導(dǎo)致較高的發(fā)射區(qū)飽和暗電流密度；并且，常規(guī)晶體硅太陽電池背面采用鋁背場鈍化硅片背面收集多數(shù)載流子，由于鋁背場具有高缺陷密度的特征，這就限制了硅片背面的鈍化效果，造成較高的背場區(qū)飽和暗電流密度。目前被產(chǎn)業(yè)界廣泛研究的背面鈍化電池技術(shù)采用背面介質(zhì)鈍化和局部鋁背場接觸電極，雖然可以在一定程度上改善全鋁背場造成的背面載流子高復(fù)合速率，但由于局部仍然存在金屬電極與硅片基區(qū)的直接接觸，所以在背面接觸區(qū)不可避免會存在較高的載流子復(fù)合速率。現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷在于，采用高溫?zé)Y(jié)形成金屬前電極與發(fā)射區(qū)歐姆接觸或金屬背電極與硅片直接接觸，晶體硅太陽電池中都存在較高的載流子復(fù)合速率，導(dǎo)致較高的飽和暗電流密度，最終導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種晶體硅太陽電池及其制備方法，用以降低載流子復(fù)合速率，進(jìn)而降低飽和暗電流密度，提高產(chǎn)品性能。本發(fā)明晶體硅太陽電池，包括：第一導(dǎo)電類型晶體硅層；覆蓋所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層正面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層；覆蓋所述第二導(dǎo)電類型晶體硅層的遂穿介質(zhì)膜層；位于遂穿介質(zhì)膜層上的至少一個(gè)金屬前電極和減反射膜層；其中，所述遂穿介質(zhì)膜層的厚度范圍為0.1nm～10nm。優(yōu)選的，所述遂穿介質(zhì)膜層的厚度范圍為1.5nm～3nm。優(yōu)選的，所述遂穿介質(zhì)膜層的材質(zhì)為非摻雜的或摻雜的a-Si:H、a-SiCx:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H、a-AlOx:H、SiO2、Al2O3、In2O3、SnO2、TiO2或ZnO中的任意一種或幾種的組合。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層的材質(zhì)為p型單晶硅、p型多晶硅、n型單晶硅或n型多晶硅，電阻率范圍為0.5～50Ω/cm，厚度范圍為25um～250um。優(yōu)選的，所述第二導(dǎo)電類型晶體硅層的方塊電阻的范圍為30～150Ω/sq，厚度范圍為0.15um～1.5um。對于上述任一種晶體硅太陽電池，還包括：覆蓋所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層背面的第一導(dǎo)電類型非晶硅層、透明導(dǎo)電膜層和金屬背電極。通過在所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層背面覆蓋第一導(dǎo)電類型非晶硅層、透明導(dǎo)電膜層和金屬背電極形成的異質(zhì)結(jié)背電場也可以在第一導(dǎo)電類型晶體硅層背面形成良好的表面鈍化，降低了背電場的飽和暗電流密度。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層和第二導(dǎo)電類型晶體硅層的導(dǎo)電類型相反，所述第一導(dǎo)電類型非晶硅層和第二導(dǎo)電類型晶體硅層的導(dǎo)電類型相反。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電類型的非晶硅層為摻雜非晶硅層的單層結(jié)構(gòu)，或緩沖過渡層與摻雜非晶硅層形成的雙層結(jié)構(gòu)。較佳的，所述緩沖過渡層材質(zhì)為a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H、a-AlOx:H、SiO2或Al2O3，所述摻雜非晶硅層的材質(zhì)為摻雜第一導(dǎo)電類型離子的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H中的任意一種或幾種組合。優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為摻雜錫的氧化銦、摻雜鋁的氧化鋅、摻雜氟的氧化錫中的任意一種或幾種的組合，厚度范圍為50nm～500nm。優(yōu)選的，所述金屬前電極的材質(zhì)為Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范圍為100nm～100um；所述金屬背電極的材質(zhì)為Al、Ag、Au、Ni、Cu/Ni、Al/Ni或Ti/Pd/Ag，厚度范圍為100nm～100um。本發(fā)明晶體硅太陽電池的制備方法，包括：對硅片表面進(jìn)行制絨清洗，所述硅片為第一導(dǎo)電類型晶體硅；在所述硅片正面依次形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層、遂穿介質(zhì)膜層、金屬前電極以及覆蓋金屬前電極和遂穿介質(zhì)膜層的減反射膜層；刻蝕掉金屬前電極表面的減反射膜層。優(yōu)選的，所述的晶體硅太陽電池的制備方法，在所述刻蝕掉金屬前電極表面的減反射膜層之前，還包括：在所述硅片背面依次形成第一導(dǎo)電類型非晶硅層、透明導(dǎo)電膜層和金屬背電極。在優(yōu)選的晶體硅太陽電池的制備方法中，能夠?qū)⑼|(zhì)發(fā)射結(jié)和異質(zhì)結(jié)背電場結(jié)合在同一個(gè)太陽能電池中，減少了載流子復(fù)合速率，降低了暗電流密度，得到了高效的晶體硅太陽電池。優(yōu)選的，所述在所述硅片正面形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層，具體為：在所述硅片正面和背面摻雜分別形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層；去除所述硅片背面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層。在本發(fā)明晶體硅太陽電池中，由于隧穿介質(zhì)膜層既可以傳遞載流子，又可以對第二導(dǎo)電類型晶體硅層起到鈍化作用，因此，減少了發(fā)射區(qū)載流子復(fù)合速率，降低了飽和暗電流密度，因此，大大提高了太陽電池的性能。附圖說明圖1為本發(fā)明晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明晶體硅太陽電池制備方法流程示意圖；圖3a～圖3j為本發(fā)明晶體硅太陽電池制備流程結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記：1-第一導(dǎo)電類型晶體硅層2-第二導(dǎo)電類型晶體硅層3-隧穿介質(zhì)層4-金屬前電極5-減反射膜層6-第一導(dǎo)電類型非晶硅層7-透明導(dǎo)電膜層8-金屬背電極具體實(shí)施方式為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的太陽電池較高的載流子復(fù)合速率，造成飽和暗電流增大，最終導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種晶體硅太陽電池及其制備方法。在該技術(shù)方案中，采用0.1～10nm的遂穿介質(zhì)膜層連接金屬前電極和第二導(dǎo)電類型晶體硅層，該遂穿介質(zhì)膜層不僅對金屬前電極下的發(fā)射區(qū)起到良好的表面鈍化作用，而且能夠有效地傳輸發(fā)射區(qū)的載流子到金屬前電極，因此，采用本發(fā)明技術(shù)方案，降低了載流子復(fù)合速率，進(jìn)而降低了發(fā)射區(qū)飽和暗電流密度，提高了太陽能電池的性能。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下舉實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明實(shí)施例的晶體硅太陽電池，如圖1所示，包括：第一導(dǎo)電類型晶體硅層1；覆蓋所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層1正面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層2；覆蓋所述第二導(dǎo)電類型晶體硅層2的遂穿介質(zhì)膜層3；位于遂穿介質(zhì)膜層3上的至少一個(gè)金屬前電極4和減反射膜層5；其中，所述遂穿介質(zhì)膜層3的厚度范圍為0.1nm～10nm。在本發(fā)明技術(shù)方案中，第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型的導(dǎo)電類型不同，如第一導(dǎo)電類型為p型，則第二導(dǎo)電類型為n型，如第一導(dǎo)電類型為n型，則第二導(dǎo)電類型為p型，本發(fā)明并不限制第一導(dǎo)電類型為p型或n型，僅是對導(dǎo)電類型做一個(gè)區(qū)分；位于遂穿介質(zhì)膜層3上至少有一個(gè)金屬前電極4，圖1中所示為位于遂穿介質(zhì)膜層3上有兩個(gè)金屬前電極4；金屬前電極4、減反射膜層5及遂穿介質(zhì)膜層3的關(guān)系可以為：至少一個(gè)金屬前電極4位于遂穿介質(zhì)膜層3上，減反射膜層5覆蓋在遂穿介質(zhì)膜層3其它表面；或，至少一個(gè)金屬前電極4位于遂穿介質(zhì)膜層3上，覆蓋在遂穿介質(zhì)膜層3其它表面的不僅有減反射膜層5還有太陽電池的其他部件。在本發(fā)明技術(shù)方案中，采用0.1～10納米（nm）厚度的遂穿介質(zhì)膜層，例如遂穿介質(zhì)膜層的厚度為0.1nm、0.5nm、1.2nm、3.5nm、5.5nm、8.0nm或10nm，該遂穿介質(zhì)膜層的厚度較薄，不僅對金屬前電極下的發(fā)射區(qū)起到良好的表面鈍化作用，而且能夠有效地傳輸發(fā)射區(qū)的載流子到金屬前電極，因此采用遂穿介質(zhì)膜層避免了現(xiàn)有技術(shù)高溫?zé)Y(jié)工藝形成歐姆接觸時(shí)帶來的高的載流子復(fù)合速率，降低了發(fā)射區(qū)飽和暗電流密度，進(jìn)而提高了晶體硅太陽電池的性能。請繼續(xù)參照圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的晶體硅太陽電池，還包括：覆蓋所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層1背面的第一導(dǎo)電類型非晶硅層6、透明導(dǎo)電膜層7和金屬背電極8。采用第一導(dǎo)電類型類型的非晶硅層形成異質(zhì)結(jié)背電場，可以在第一導(dǎo)電類型晶體硅層的背面形成良好的表面鈍化，又能形成有效的背電場收集多數(shù)載流子，并且可以與金屬背電極形成良好的歐姆接觸，避免了現(xiàn)有晶體硅電池采用的鋁背場或局部鋁背場帶來的較高的載流子復(fù)合速率，降低了背電場的飽和暗電流密度；因此，提高了太陽電池的效率，確保了太陽電池的性能。優(yōu)選的，所述遂穿介質(zhì)膜層3的厚度范圍為1.5nm～3nm。遂穿介質(zhì)膜層的厚度不易太厚，選為0.1nm～10nm，若該層太厚就會使該層只起到鈍化作用，難以傳輸發(fā)射區(qū)的載流子到金屬前電極，若該層太薄，就會使該層不能起到鈍化作用，使得發(fā)射區(qū)和金屬前電極類似于直接歐姆接觸，造成較高的載流子復(fù)合速率，因此，遂穿介質(zhì)膜層優(yōu)選厚度為1.5nm～3nm，例如遂穿介質(zhì)膜層的厚度為1.5nm、2.0nm、2.5nm或3nm。優(yōu)選的，所述遂穿介質(zhì)膜層3的材質(zhì)為非摻雜的或摻雜的氫化非晶硅（a-Si:H）、氫化非晶碳化硅（a-SiCx:H）、氫化非晶氧化硅（a-SiOx:H）、氫化非晶氮化硅（a-SiNx:H）、氫化微晶硅（uc-Si:H）、氫化微晶碳化硅（uc-SiC:H）、氫化微晶氧化硅（uc-SiO:H）、氫化非晶氧化鋁（a-AlOx:H）、二氧化硅（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、氧化銦（In2O3）、氧化錫（SnO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化鋅（ZnO）中的任意一種或幾種的組合。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電類型晶體硅層1的材質(zhì)為p型單晶硅、p型多晶硅、n型單晶硅或n型多晶硅，電阻率范圍為0.5～50Ω/cm，厚度范圍為25～250微米（um），例如第一導(dǎo)電類型晶體硅層1的厚度為25um、50um、70um、100um、130um、180um或250um。第一導(dǎo)電類型晶體硅層主要用于吸收光子，產(chǎn)生載流子。優(yōu)選的，所述第二導(dǎo)電類型晶體硅層2的方塊電阻的范圍為30～150Ω/sq，厚度范圍為0.15um～1.5um，例如第二導(dǎo)電類型晶體硅層2的厚度為0.15um、0.2um、0.5um、0.75um、1.2um或1.5um。第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反，第二導(dǎo)電類型晶體硅層與第一導(dǎo)電類型晶體硅層形成同質(zhì)結(jié)，主要用于分離載流子。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電類型的非晶硅層6為摻雜非晶硅層的單層結(jié)構(gòu)，或緩沖過渡層與摻雜非晶硅層形成的雙層結(jié)構(gòu)。較佳的，所述緩沖過渡層材質(zhì)為氫化非晶硅（a-Si:H）、氫化非晶碳化硅（a-SiC:H）、氫化非晶氧化硅（a-SiO:H）、氫化微晶硅（uc-Si:H）、氫化微晶碳化硅（uc-SiC:H）、氫化微晶氧化硅（uc-SiO:H）、氫化非晶氧化鋁（a-AlOx:H）、二氧化硅（SiO2）或氧化鋁（Al2O3），所述摻雜非晶硅層的材質(zhì)為與摻雜第一導(dǎo)電類型離子的a-Si:H、a-SiC:H、a-SiO:H、uc-Si:H、uc-SiC:H、uc-SiO:H中的任意一種或幾種組合。第一導(dǎo)電類型的非晶硅層與第一導(dǎo)電類型晶體硅層形成異質(zhì)結(jié)，第一導(dǎo)電類型的非晶硅層既能在硅片背面形成良好的表面鈍化，又能形成有效的背電場收集多數(shù)載流子，同時(shí)與金屬背電極形成良好的歐姆接觸，避免了現(xiàn)有技術(shù)中金屬背電極與硅片背面直接形成歐姆接觸造成接觸區(qū)高的載流子復(fù)合速率。優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電膜層7的材質(zhì)為摻雜錫的氧化銦、摻雜氟的二氧化錫或摻雜鋁的氧化鋅的任意一種或幾種的組合，也可以為其它元素?fù)诫s的氧化銦（In2O3）、氧化錫（SnO2）、氧化鋅（ZnO）中的任意一種或幾種的組合，例如其它元素可以為鎵等，形成的摻雜氧化物可以為銦鎵鋅氧化物（IGZO），厚度范圍為50nm～500nm，例如透明導(dǎo)電膜層7的厚度為50nm、80nm、100nm、150nm、300um或500nm。透明導(dǎo)電膜層用于收集載流子。優(yōu)選的，金屬前電極4的材質(zhì)為鋁（Al）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）、銅鎳合金（Cu/Ni）、鋁鎳合金（Al/Ni）或鈦鈀銀合金（Ti/Pd/Ag），厚度范圍為100nm～100um，例如金屬前電極4的厚度可以為100nm、160nm、300nm、800nm、1um、10um、50um或100um；金屬背電極8的材質(zhì)為鋁（Al）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）、銅鎳合金（Cu/Ni）、鋁鎳合金（Al/Ni）或鈦鈀銀合金（Ti/Pd/Ag），厚度范圍為100nm～100um，例如金屬背電極8的厚度可以為100nm、160nm、300nm、800nm、1um、10um、50um或100um。金屬前電極主要起收集光生電流的作用；金屬背電極與透明導(dǎo)電膜層主要用來收集太陽電池背面的載流子，同時(shí)形成背面反射層，增加太陽電池的長波光響應(yīng)。本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶體硅太陽電池的制備方法，如圖2所示，包括：步驟101、對硅片表面進(jìn)行制絨清洗，所述硅片為第一導(dǎo)電類型晶體硅；步驟102、在所述硅片正面依次形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層、遂穿介質(zhì)膜層、金屬前電極以及覆蓋金屬前電極和遂穿介質(zhì)膜層的減反射膜層；步驟103、刻蝕掉金屬前電極表面的減反射膜層。在本發(fā)明技術(shù)方案中，采用遂穿介質(zhì)膜層連接金屬前電極和第一導(dǎo)電類型晶體硅有效避免了常規(guī)的高溫?zé)Y(jié)電極造成的電極區(qū)高復(fù)合現(xiàn)象，降低了發(fā)射結(jié)飽和暗電流密度，進(jìn)而提高了晶體硅太陽電池的性能。所述晶體硅太陽電池的制備方法，在步驟102和步驟103之間還包括：在所述硅片背面依次形成第一導(dǎo)電類型非晶硅層、透明導(dǎo)電膜層和金屬背電極。在本發(fā)明技術(shù)方案中，在步驟102和步驟103基礎(chǔ)上增加上述步驟，采用異質(zhì)結(jié)背電場在硅片背面形成良好的表面鈍化和多數(shù)載流子收集，避免了現(xiàn)有晶體硅電池采用鋁背場和局部鋁背場帶來的較高復(fù)合，降低了背場飽和暗電流密度；同時(shí)，太陽電池的正面和背面均采用低溫電極，能有效的將同質(zhì)發(fā)射結(jié)與異質(zhì)結(jié)背電場結(jié)合在同一電池結(jié)構(gòu)中，從而獲得具有較高應(yīng)用價(jià)值的高效晶體硅太陽電池。優(yōu)選的，步驟102中所述在所述硅片正面形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層，具體為：在所述硅片正面和背面摻雜分別形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層；去除所述硅片背面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層。如圖3a～圖3j所示為本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例，該實(shí)施例描述了晶體硅太陽電池的制備方法及制備的晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)，該實(shí)施例僅以優(yōu)選的材質(zhì)和工藝來解釋本發(fā)明，但本發(fā)明不受該實(shí)施例的限制，其主要制備工藝流程如下：如圖3a所示，對硅片表面進(jìn)行制絨清洗，具體為采用厚度為200um，電阻率為1Ω/cm的p型單晶硅片1為襯底，該p型單晶硅作為第一導(dǎo)電類型晶體硅層1，即第一導(dǎo)電類型離子為硼、鋁等第三主族的元素，采用堿性腐蝕液對硅片表面制絨，形成均勻分布的金字塔結(jié)構(gòu)，然后用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗流程對硅片表面進(jìn)行清洗；如圖3b所示，對清洗完的硅片摻雜第二導(dǎo)電類型晶體硅層2，第一導(dǎo)電類型晶體硅層1與硅片正面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層2形成發(fā)射結(jié)，具體為采用高溫磷擴(kuò)散法對硅片進(jìn)行磷摻雜，磷、砷等第五主族的元素作為本發(fā)明的第二導(dǎo)電類型離子，擴(kuò)散溫度為850℃，方塊電阻控制在80-100Ω/sq，優(yōu)選的方塊電阻為100Ω/sq，厚度為0.15um，在硅片正面和背面同時(shí)形成第二導(dǎo)電類型晶體硅層，在第二導(dǎo)電類型晶體硅層的外側(cè)形成了磷硅玻璃；如圖3c所示，去除硅片背面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層2，具體為采用常規(guī)的濕法腐蝕方法去除擴(kuò)散后形成的磷硅玻璃和硅片背面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層2；如圖3d所示，在硅片正面的第二導(dǎo)電類型晶體硅層2上形成遂穿介質(zhì)膜層3，具體為采用原子層沉積法（ALD）在第二導(dǎo)電類型晶體硅層2上沉積AlOx遂穿介質(zhì)膜層，沉積溫度為200℃，厚度控制在1.5nm，或者厚度為2nm；如圖3e所示，在遂穿介質(zhì)膜層3上形成金屬前電極4，具體為采用電子束蒸發(fā)方法，通過掩膜板在AlOx遂穿介質(zhì)膜層上沉積金屬前電極Al，沉積溫度為200℃，厚度控制在5um；如圖3f所示，在形成金屬前電極4的遂穿介質(zhì)膜層3上形成減反射膜層5，具體為采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）方法，在遂穿介質(zhì)膜層3和金屬前電極4上沉積SiNx減反射膜層5，沉積溫度為300℃，折射率控制在2.05，厚度控制在80nm；如圖3g所示，在硅片背面形成第一導(dǎo)電類型非晶硅層6，第一導(dǎo)電類型非晶硅層6與第一導(dǎo)電類型晶體硅層1形成異質(zhì)結(jié)，其中，第一導(dǎo)電類型非晶硅層6由緩沖過渡層和摻雜非晶硅層組成，具體為采用PECVD方法，在硅片背面依次沉積厚度為5nm的緩沖過渡層和厚度為10nm的摻雜非晶硅層，緩沖過渡層可以為未摻雜的非晶硅層，摻雜非晶硅層可以為硼摻雜p型微晶硅層，沉積溫度為200℃；如圖3h所示，在第一導(dǎo)電類型非晶硅層6上形成透明導(dǎo)電膜層7，具體為采用直流磁控濺射方法，沉積厚度為80nm的AZO薄膜作為透明導(dǎo)電膜層7；如圖3i所示，在透明導(dǎo)電膜層7上形成金屬背電極8，具體為采用直流磁控濺射方法，沉積厚度為2um的金屬Al膜形成金屬背電極；如圖3j所示，刻蝕掉金屬前電極主柵線表面的減反射膜層，具體為采用激光燒蝕方法，去除主柵線上的SiNx減反射膜層。在本發(fā)明技術(shù)方案中，不采用高溫?zé)Y(jié)形成金屬前電極和發(fā)射結(jié)的歐姆接觸，而是采用遂穿介質(zhì)膜層連接金屬前電極和第二導(dǎo)電類型晶體硅層，遂穿介質(zhì)膜層的厚度限制在0.1nm～10nm，既能對第二導(dǎo)電類型晶體硅層的表面形成很好的鈍化，又能傳遞載流子，降低了發(fā)射區(qū)飽和暗電流密度；采用異質(zhì)結(jié)背電場，既能形成良好的表面鈍化，又利于收集多數(shù)載流子，降低了背電場的飽和暗電流密度；本發(fā)明晶體硅太陽電池及其制備方法中，除了高溫磷擴(kuò)散形成第二導(dǎo)電類型晶體硅這一步外，均采用低溫工藝，即不高于300攝氏度的溫度操作，將具有遂穿介質(zhì)膜層的金屬前電極和異質(zhì)結(jié)背電場統(tǒng)一在一個(gè)太陽電池制作工藝中，并將具有遂穿介質(zhì)膜層的金屬前電極和異質(zhì)結(jié)背電場統(tǒng)一在一個(gè)太陽電池結(jié)構(gòu)中，降低了飽和暗電流密度，提高了太陽電池的性能，得到了高效的晶體硅太陽電池。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。