槽式多晶硅表面織構(gòu)化的研究的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種槽式多晶硅表面織構(gòu)化的研究，屬于太陽能電池制造領(lǐng)域，研究出了一種低濃度的、穩(wěn)定性持久制絨藥液配比方法。說明書對該雙源瓶系統(tǒng)進行了詳細的說明，并給出了具體的實用方案。
【專利說明】槽式多晶硅表面織構(gòu)化的研究

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池制造【技術(shù)領(lǐng)域】，主要運用于多晶硅槽式制絨，即保證了制絨效果，又維持了減重的穩(wěn)定性。

【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅大規(guī)模生產(chǎn)過程中，以硝酸和氫氟酸腐蝕體系制作絨面對降低生產(chǎn)成本，提高電池轉(zhuǎn)換效率具有重要作用。制絨的目的主要有三個:(1)去除硅片表面的機械損傷層；(2)清楚硅片表面油污和金屬雜質(zhì)；(3)形成起伏不平的絨面，降低表面反射率，增大PN結(jié)表面積，提高短流電流，最終提高電池轉(zhuǎn)換效率。在規(guī)?；a(chǎn)中，隨著溶液的消耗，溶液濃度隨之發(fā)生變化，如何配液、補液從而保證溶液的穩(wěn)定性是實際生產(chǎn)中需要考慮的一個重要問題。而本研究能夠有效解決以上問題，保證制絨減重的穩(wěn)定性，進一步提高電池成品的合格率。
[0003]研究內(nèi)容
[0004]1、為了研究硝酸對制絨效果的影響，保證氫氟酸濃度配比不變，隨著硝酸濃度的不斷增大，觀察制絨后的硅片絨面效果。由正常的暗灰色逐漸變亮，面顆粒的均勻性有所降低，制絨黑線數(shù)量逐漸減少。
[0005]2、為了研究氫氟酸對制絨效果的影響，保證硝酸濃度配比不變，隨著氫氟酸濃度的不斷增大，觀察制絨后的硅片絨面效果。隨著HF濃度的增加，縱向符石加深，硅片表面黑線數(shù)量明顯增多。
[0006]3、采用低濃度溶液配比 Vhnci3: Vhf: Vh20 = 156: 48: 110 = 3.25: I: 2.3進行制絨，對此硅片進行多次短時間制絨，結(jié)果如圖1所示。
[0007]本研究通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0008]1.對硅片進行多次短時間制絨，進行減重跟蹤。
[0009]2.溶液配比 Vhnci3: Vhf: Vh20 = 156: 48: 110 = 3.25: I: 2.3。
[0010]3.采用控制單一變量法。
[0011]本研究具有如下顯著優(yōu)點:
[0012]1.對比出了硝酸、氫氟酸在制絨過程中的獨立影響。
[0013]2.提供了一種低濃度的制絨液配比，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本研究作進一步介紹，但不作為對本發(fā)明專利的限定。
[0015]圖1是制絨減重隨制絨時間的變化

【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的介紹，但是不作為對本研究的限定。
[0017]如附圖1所示，從數(shù)據(jù)中可以看出，在最初的15s內(nèi)，硅片腐蝕速率較大，隨著腐蝕的進行，腐蝕速率變慢，在最后的45秒內(nèi)，腐蝕速率基本恒定。主要是由于原始硅片經(jīng)過線切割后會在表面形成存在機械損傷層。機損傷層的存在會造成硅片表面存在各種缺陷，表面原子的能量較高，反應(yīng)較容易進行，腐蝕速率較大。隨著腐蝕的進行，機械損傷層的厚度越來越薄，而且由于表面的腐蝕，整個硅片的表面會出現(xiàn)凸凹不平的腐蝕坑，這在一定程度上降低了機械損傷層對腐蝕速率的影響，使整個硅片表面特征趨于一致化，所以反應(yīng)速度會有所降低。當硅片經(jīng)過8次腐蝕后，損傷層已經(jīng)完全腐蝕殆盡，整個硅片表面情況基本完全相同，故腐蝕速率不再發(fā)生變化。
[0018]本研究專利的特定實施例已對本研究專利的內(nèi)容做了詳盡說明。對本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本研究專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構(gòu)成對本研究專利的侵犯，將承擔相應(yīng)的法律責任。
【權(quán)利要求】
1.如權(quán)利要求1所述，采用了槽式制絨設(shè)備。
2.如權(quán)利要求2所述，采用了低濃度制絨液。
3.如權(quán)利要求3所述，制絨減重穩(wěn)定性好。
【文檔編號】H01L31/18GK104300034SQ201310305755
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月18日
【發(fā)明者】劉漢清 申請人:北京中科信電子裝備有限公司