技術(shù)特征：
1.一種具有腔面非注入?yún)^(qū)窗口結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括：襯底(1)，下限制層(2)，下波導(dǎo)層(3)，具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層(4)，上波導(dǎo)層(5)，上限制層(6)，歐姆接觸層(7)，電絕緣介質(zhì)層(8)，正面電極(9)，背面電極(10)；襯底(1)、下限制層(2)、下波導(dǎo)層(3)、具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層(4)、上波導(dǎo)層(5)、上限制層(6)、歐姆接觸層(7)從下至上依次相鄰，腐蝕除去歐姆接觸層(7)和上限制層(6)的四邊，在歐姆接觸層(7)的中心位置形成第一脊型臺(tái)，歐姆接觸層(7)上下貫通，上限制層(6)上下不貫通；腐蝕去除上限制層(6)未貫通部分的四角，上限制層(6)的左側(cè)形成第二脊型臺(tái)，上限制層(6)的右側(cè)形成第三脊型臺(tái)，第一、二、三脊型臺(tái)的水平中心線共面，腐蝕后上限制層(6)的四角不貫通；電絕緣介質(zhì)層(8)覆蓋于上限制層(6)的上表面以及第一脊型臺(tái)的側(cè)面，正面電極(9)覆蓋在電絕緣介質(zhì)層(8)和第一脊型臺(tái)的上表面，背面電極(10)生長在襯底(1)上；電流注入?yún)^(qū)位于第一脊型臺(tái)上，用來提供激光器工作所需的電流。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有腔面非注入?yún)^(qū)窗口結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述電絕緣介質(zhì)層(8)是氮化硅、氧化硅、氧化鋁或氧化鈦。