本發(fā)明涉及發(fā)光顯示技術領域，具體涉及一種透明電極柔性LED微顯示陣列芯片。

背景技術：
近年來，隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，微型發(fā)光器件發(fā)展迅速。平面型LED微顯示陣列相比傳統(tǒng)發(fā)光器件具有很多不可比擬的優(yōu)點，但由于其不能彎曲的特點很大程度上限制了其應用范圍。隨著科學技術的發(fā)展，對可以實現(xiàn)高分辨、明亮持久且輕薄并能應用在彎曲表面的微型柔性LED顯示陣列的需求越來越迫切。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術問題是提供透明電極柔性LED微顯示陣列芯片，該器件具有柔性的金屬電極和發(fā)光單元之間的柔性連接材料，具有易于彎曲和易于攜帶的特點。透明電極柔性LED微顯示陣列芯片，包括透光層、發(fā)光層、反射層、基片、發(fā)光單元上上電極引線、發(fā)光單元外上電極引線、下電極、下電極引線、柔性區(qū)域、微透鏡和ITO透明上電極，所述反射層的上面依次為發(fā)光層、透光層、ITO透明上電極、發(fā)光單元上上電極引線和微透鏡，反射層的下面為基片；所述透光層、發(fā)光層、反射層和基片組成LED發(fā)光單元，多個LED發(fā)光單元均勻排布組成發(fā)光單元陣列；所述多個LED發(fā)光單元之間以及LED發(fā)光單元下方為柔性區(qū)域，所述柔性區(qū)域使各個LED發(fā)光單元依次連接并使發(fā)光單元陣列實現(xiàn)彎曲；所述ITO透明上電極的上表面排布發(fā)光單元上上電極引線，柔性區(qū)域的上表面排布發(fā)光單元外上電極引線，處于同一行的LED發(fā)光單元上上電極引線與發(fā)光單元外上電極引線依次相連接，所述基片的下表面排布有下電極，在柔性區(qū)域的下表面區(qū)域排布下電極引線，處于同一列的下電極與下電極引線依次相連接；所述下電極與下電極引線組成的下引線列與發(fā)光單元上上電極引線及發(fā)光單元外上電極引線組成的上引線行在方向上異面垂直。本發(fā)明的工作原理：電流從ITO透明上電極注入，從下電極流出，在器件 中形成電場，使得正負載流子在發(fā)光層復合發(fā)光。其中部分光向上經(jīng)過透光層、ITO透明上電極，從微透鏡射出；部分光向下到達反射層，被反射層反射，穿過發(fā)光層、透光層、ITO透明上電極，從微透鏡射出。由于該發(fā)光器件的發(fā)光原理為p-n結內(nèi)的載流子復合發(fā)光，具有二極管電流電壓的非線性特性，發(fā)光亮度也隨注入電流的大小具有非線性特性。本發(fā)明通過電路控制相素元的亮暗，實現(xiàn)發(fā)光顯示。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提出的柔性器件由于具有柔性的電極結構和溝槽內(nèi)的連接柔性材料，可以實現(xiàn)彎曲顯示的功能，且這種器件的制作工藝簡單易行。本發(fā)明提出的器件采用異面垂直的上、下電極，可以在理論上得到較高的發(fā)光效率，并且可以得到較為均勻的電流分布。由于采用ITO透明上電極，電極均勻覆蓋發(fā)光單元上表面，使電流分布均勻，從而達到更好的發(fā)光效果。附圖說明圖1為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片的效果圖；其中，圖1a為器件的伸展狀態(tài)，圖1b為器件的彎曲狀態(tài)；圖2中圖2a、2b分別為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片的主剖面圖和左剖面圖；圖3為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的發(fā)光單元分布圖；圖4中的圖4a、4b、4c、4d和4e為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的五種上發(fā)光單元上上電極及發(fā)光單元外上電極引線結構示意圖；圖5中的圖5a、5b、5c和5d為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的四種下電極及下電極引線結構示意圖；圖6為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用圓形發(fā)光單元的發(fā)光單元分布圖。圖7中圖7a、7b、7c和7d為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用圓形發(fā)光單元的四種上電極及上電極引線結構示意圖；圖8中圖8a、8b和8c為本發(fā)明所述的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片中采用圓形發(fā)光單元的三種下電極及下電極引線結構示意圖；圖9為帶有背面柔性材料層的透明電極柔性LED微顯示陣列芯片的示意圖；圖9a和9b分別為主剖面圖和左剖面圖。具體實施方式具體實施方式一、結合圖1至圖9說明本實施方式，透明電極柔性LED微顯示陣列芯片，包括透光層1、發(fā)光層2、反射層3、基片4、發(fā)光單元上上電極引線5、發(fā)光單元外上電極引線9、下電極6、下電極引線10、柔性區(qū)域7、微透鏡8和ITO透明上電極11。反射層3的上面依次為發(fā)光層2、透光層1、ITO透明上電極11、發(fā)光單元上上電極引線5和微透鏡8，反射層3的下面是基片4。透光層1、發(fā)光層2、反射層3和基片4組成LED發(fā)光單元。LED發(fā)光單元均勻排布組成發(fā)光單元陣列。發(fā)光單元之間柔性區(qū)域7，柔性區(qū)域7使各個發(fā)光單元依次連接并使整個LED發(fā)光單元陣列可彎曲。ITO透明上電極11的上表面排布有發(fā)光單元上上電極引線5，柔性材料7的上表面排布有發(fā)光單元外上電極引線9，處于同一行的發(fā)光單元上上電極引線5與發(fā)光單元外上電極引線9依次相連接，在基片4的下表面排布有下電極6，在發(fā)光單元間的柔性材料接近下表面的區(qū)域排布有下電極引線10，處于同一列的下電極6與下電極引線10依次相連接，下電極6與下電極引線10組成的下引線列與上電極5及上電極引線9組成的上引線行在方向上異面垂直。結合圖9說明本實施方式，本實施方式還包括位于LED發(fā)光單元基片4下表面的柔性區(qū)域7，即背面柔性材料層，所述背面柔性材料層覆蓋下電極6和下電極引線10。本實施方式所述的LED發(fā)光單元為正方形、矩形、圓形或其它形狀；下電極6的形狀為矩形、圓形、單條形、雙條形或其它形狀；發(fā)光單元上上電極引線5形狀為回形、圓環(huán)形、單條形、雙條形或其它形狀。本實施方式所述的透光層1、發(fā)光層2、反射層3、基片4為由傳統(tǒng)工藝制作的通用AlGaInPLED外延片材料。發(fā)光單元上上電極引線5及發(fā)光單元外上電極引線9的材料為Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au、AuGeNi/Au、Al或Cu中的任意一種，或為由Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au中的任意一種與Cu組成的復合膜；或為由Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au中的任意 一種與Au組成的復合膜，由薄膜蒸鍍及光刻腐蝕成形工藝制備，為提高上電極以及上電極引線的可靠性，或通過蒸鍍薄膜、光刻制備掩膜及電鑄等工藝制成厚膜電極。下電極6、下電極引線10的材料為Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au、AuGeNi/Au、Al或Cu中的任意一種，或為由Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au中的任意一種與Cu組成的復合膜；或為由Cr/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au中的任意一種與Au組成的復合膜，由薄膜蒸鍍及光刻腐蝕成形工藝制備，為提高下電極以及下電極引線的可靠性，或通過蒸鍍薄膜、光刻制備掩膜及電鑄等工藝制成厚膜電極。柔性區(qū)域7材料為聚酰亞胺或柔性環(huán)氧樹脂或PDMS或易涂覆成型的其它柔性材料、微透鏡8材料為環(huán)氧樹脂或PMMA或聚酰亞胺或其它高透過率材料，ITO透明上電極11為通過鍍膜方法沉積的ITO薄膜。本實施方式所述的微型LED顯示器件的總厚度在1μm-1000μm，所述背面柔性材料層的材料可以覆蓋下電極6和下電極引線10。