一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，所述固定裝置包括第一片架和第二片架以及用于連接所述第一片架和所述第二片架的連接裝置，所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，以減少所述硅片與所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置的接觸面積。
【專利說(shuō)明】—種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有的多半導(dǎo)體產(chǎn)品由于芯片的散熱、封裝體積的要求都會(huì)進(jìn)行背面減薄工藝，減薄后厚度按客戶要求有100?400微米不等?，F(xiàn)有背面減薄工藝一般采用研磨輪減薄機(jī)來(lái)對(duì)硅片進(jìn)行減薄，如此，導(dǎo)致硅片表面會(huì)殘留大量的硅屑，而且存在嚴(yán)重的損失層，使得所述硅片會(huì)因損傷層而有較嚴(yán)重翹曲及內(nèi)部應(yīng)力，這時(shí)就需要使用硅腐蝕工藝，通過(guò)硅腐蝕來(lái)修復(fù)晶圓表面同時(shí)起到消除內(nèi)部應(yīng)力和減小翹曲的目的。
[0003]在采用硅腐蝕工藝腐蝕硅片時(shí)，一般是通過(guò)普通的特氟龍片架來(lái)裝置硅片，以使所述硅片進(jìn)行表面清洗和腐蝕。
[0004]但本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中發(fā)明技術(shù)方案的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問(wèn)題:
[0005]由于現(xiàn)有技術(shù)中時(shí)通過(guò)普通的特氟龍片架這種容置裝置來(lái)容置硅片，在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，特氟龍片架的內(nèi)層夾片與硅片腐蝕面接觸面積較大，使得所述硅片與所述內(nèi)層夾片的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，使得所述硅片整體厚度不均勻，同時(shí)在所述硅片的腐蝕面會(huì)殘留所述片架內(nèi)夾層的片架印，導(dǎo)致所述硅片的質(zhì)量較差，合格率低的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)提供一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，及由此而帶來(lái)的硅片的質(zhì)量較差，合格率低的問(wèn)題。
[0007]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，所述固定裝置包括第一片架和第二片架以及用于連接所述第一片架和所述第二片架的連接裝置，所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在娃片卡合在所述第—合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，以減少所述硅片與所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置的接觸面積。
[0008]可選的，所述第一內(nèi)凹部分是通過(guò)獲取所述硅片與所述第一卡合裝置接觸的第一參數(shù)，基于所述第一參數(shù)來(lái)確定的。
[0009]可選的，所述第二內(nèi)凹部分是通過(guò)獲取所述硅片與所述第二卡合裝置接觸的第二參數(shù)，基于所述第二參數(shù)來(lái)確定的。
[0010]可選的，所述第一卡合裝置至少包括第一夾片和第二夾片，所述第一夾片包括第一連接片，所述第一連接片固接在所述第一片架的上部，所述第一連接片與所述第一片架的第一底柱形成第一缺口，所述第二夾片包括第二連接片，所述第二連接片固接在所述第一片架的上部，所述第二連接片與所述第一片架的第一底柱形成第二缺口，通過(guò)所述第一缺口和所述第二缺口組成所述第一內(nèi)凹部分。
[0011]可選的，所述第二卡合裝置至少包括第三夾片和第四夾片，所述第三夾片包括第三連接片，所述第三連接片固接在所述第二片架的上部，所述第三連接片與所述第二片架的第二底柱形成第三缺口，所述第四夾片包括所述第四連接片，所述第四連接片固接在所述第二片架的上部，所述第四連接片與所述第二片架的第二底柱形成第四缺口，通過(guò)所述第三缺口和所述第四缺口組成所述第二內(nèi)凹部分。
[0012]可選的，所述第一夾片還包括第五連接片，所述第五連接片固接在所述第一片架下端且與所述第一連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第一連接片與所述第五連接片具有第五缺口，所述第二夾片還包括第六連接片，所述第六連接片固接在所述第一片架的下端且與所述第二連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第二連接片與所述第六連接片具有第六缺口，所述第五缺口與所述第六缺口相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)所述第五缺口和所述第六缺口組成所述第一內(nèi)凹部分。
[0013]可選的，所述第三夾片還包括第七連接片，所述第七連接片固接在所述第二片架的下端且與所述第三連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第三連接片與所述第七連接片具有第七缺口，所述第四夾片還包括第八連接片，所述第八連接片固接在所述第二片架的下端且與所述第四連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第八連接片與所述第四連接片具有第八缺口，所述第七缺口與所述第八缺口相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)所述第七缺口和所述第八缺口組成所述第二內(nèi)凹部分。
[0014]可選的，所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，以使所述固定裝置在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)保持穩(wěn)定。
[0015]可選的，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片和所述第六夾片分別與所述至少第一夾片和第二夾片中的一夾片固接，且所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距。
[0016]可選的，所述第一支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，所述第七夾片和所述第八夾片分別與所述至少第三夾片和第四夾片中的一夾片固接，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距。
[0017]可選的，所述第一底柱與水平面具有第一傾角，所述第二底柱與水平面具有第二傾角，所述第一傾角與所述第二傾角相互對(duì)應(yīng)，以使所述固定裝置向一側(cè)傾斜。
[0018]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0019]其一、由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0020]其二、由于本申請(qǐng)實(shí)施例的第一卡合裝置中的第一夾片和第二夾片固接在所述第一片架的上部，使得所述第一夾片和所述第二夾片與所述第一片架的第一底柱組成了第一內(nèi)凹部分，第二卡合裝置中的第三夾片和第四夾片固接在所述第二片架的上部，使得所述第三夾片和所述第四夾片與所述第二片架的第二底柱組成了第二內(nèi)凹部分，在所述硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，能夠進(jìn)一步減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0021]其三、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，以及在所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距，所述第二支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距，如此，使得在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，有效提高所述硅片間酸液流動(dòng)性，導(dǎo)致所述硅片腐蝕均勻，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0022]其四、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一底柱與水平面具有第一傾角，所述第二底柱與水平面具有第二傾角，所述第一傾角與所述第二傾角相互對(duì)應(yīng)，以使所述固定裝置向一側(cè)傾斜，如此，在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，將所述硅片腐蝕面朝傾斜側(cè)相反的一側(cè)擺放時(shí)，比如所述固定裝置向右側(cè)傾斜時(shí)，所述硅片腐蝕面朝向左側(cè)，使得所述硅片在重力作用向與所述固定裝置傾斜方向一致，使得所述硅片腐蝕面與所述固定裝置不完全接觸，進(jìn)一步減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例中應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0024]圖2為圖1中第一片架的放大結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖3為圖1中第二片架的放大結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖4為圖2中第一^^合裝置的放大結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖5為圖3中第二卡合裝置的放大結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖6為硅片放入第一卡合裝置和第二卡合裝置中結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖7為第一^^合裝置未設(shè)有第一內(nèi)凹部分的結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖8為第二卡合裝置未設(shè)有第二內(nèi)凹部分的結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖9為實(shí)施二中第一^^合裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖10為實(shí)施例二中第二卡合裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0033]圖11為實(shí)施例三中第一支撐裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖12為實(shí)施例三中第二支撐裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖13為實(shí)施例四中第一片架的結(jié)構(gòu)圖；
[0036]圖14為實(shí)施例四中第二片架的結(jié)構(gòu)圖；
[0037]圖15為圖13中第一支撐裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0038]圖16為圖14中第二支撐裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0039]圖17為實(shí)施例五中第一片架的結(jié)構(gòu)圖；
[0040]圖18為實(shí)施例五中第二片架的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)提供一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，及由此而帶來(lái)的硅片的質(zhì)量較差，合格率低的問(wèn)題。
[0042]本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，總體思路如下:
[0043]在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0044]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0045]實(shí)施例一
[0046]參見(jiàn)圖1，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，固定裝置10包括第一片架20和第二片架30以及用于連接第一片架20和第二片架30的連接裝置，所述連接裝置包括第一連接件40和第二連接件41。
[0047]其中，第一片架20內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置50，第二片架30內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置60，第一卡合裝置50的下端具有第一內(nèi)凹部分51，第二卡合裝置60的下端具有第二內(nèi)凹部分61。
[0048]參見(jiàn)圖2，第一片架20包括第一框架21以及固定在第一框架21下端的第一底柱22和固定在第一框架21上部的第一上柱23，第一框架21的中間部位固接有第一橫梁24，第一片架20內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置50，第一卡合裝置50包括第一夾片52和第二夾片53等夾片。其中，第一底柱22的長(zhǎng)度與第一上柱23的長(zhǎng)度可以設(shè)置成相同的長(zhǎng)度,還可以設(shè)置成不同的長(zhǎng)度。
[0049]參見(jiàn)圖3，第二片架30包括第二框架31以及固定在第二框架31下端的第二底柱32和固定在第二框架31上部的第二上柱33，第二框架31的中間部位固接有第二橫梁34，第二片架30內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置60，第二卡合裝置60包括第三夾片62和第四夾片63等夾片。其中，第二底柱32的長(zhǎng)度與第二上柱33的長(zhǎng)度可以設(shè)置成相同的長(zhǎng)度,還可以設(shè)置成不同的長(zhǎng)度。
[0050]其中，第一底柱22的長(zhǎng)度與第二底柱32的長(zhǎng)度相同，第一上柱23的長(zhǎng)度與第二上柱33的長(zhǎng)度相同，并通過(guò)第一連接件40和第二連接件41分別連接第一框架21和第二框架31，以使固定裝置10形成一個(gè)梯形體結(jié)構(gòu)。通過(guò)第一上柱23和第二上柱33組成的第一開(kāi)口，通過(guò)第一底柱22和第二底柱32組成的第二開(kāi)口，其中，所述第一開(kāi)口的面積大于所述第二開(kāi)口的面積，且通過(guò)所述第一開(kāi)口將硅片放入固定裝置10中，從而方便所述硅片放入固定裝置10中，且通過(guò)第一底柱22和第二底柱32來(lái)阻擋所述硅片，以使所述硅片固定在固定裝置10中。其中，第一底柱22和第二底柱32之間的距離是根據(jù)硅片的大小來(lái)確定，以使得第一底柱22和第二底柱32能夠阻擋住所述硅片。
[0051 ] 第一卡合裝置50包括N個(gè)夾片，其中，所述N為不小于2的整數(shù)，S卩，第一卡合裝置至少包括第一夾片和第二夾片。以圖2中的第一卡合裝置50只包括第一夾片52和第二夾片53為例，參見(jiàn)圖4，第一夾片52包括第一連接片54，第一連接片54固接在第一片架20的上部，第一連接片54與第一底柱22形成第一缺口 55 ;第二夾片53包括第二連接片56,第二連接片56固接在第一片架20的上部，第二連接片56與第一底柱22形成第二缺口 57，通過(guò)第一缺口 55和第二缺口 57組成第一內(nèi)凹部分51,通過(guò)第一夾片52和第二夾片53組成一個(gè)夾層，以使所述娃片卡合在第—合裝置50中,其中,第一夾片52和第二夾片53之間的距離根據(jù)所述硅片的厚度來(lái)確定，比如若硅片的厚度為100微米時(shí)，第一夾片52和第二夾片53之間的距離可以為200微米到I厘米之間，以使所述硅片固定在所述夾層中更穩(wěn)定。同理，在第一卡合裝置50固接有2個(gè)以上的夾片時(shí)，所述2個(gè)以上的夾片中每個(gè)夾片的結(jié)構(gòu)與第一夾片52和第二夾片53結(jié)構(gòu)相同，且相鄰兩個(gè)夾片之間的距離也相同。
[0052]其中，第一框架21的中間部位固接有第一橫梁24，第一連接片54分別與第一上柱23和第一橫梁24固接，以促使第一連接片54能夠更牢固；第二連接片56分別與第一上柱23和第一橫梁24固接，以促使第二連接片56更牢固，促使所述硅片更穩(wěn)定的卡合在第一卡盒裝置50中。
[0053]第二卡合裝置60包括M個(gè)夾片，其中，所述M為不小于2的整數(shù)，S卩，第二卡合裝置至少包括第三夾片和第四夾片。以圖3中的第二卡合裝置60只包括第三夾片62和第四夾片63為例，參見(jiàn)圖5，第二卡合裝置60包括第三夾片62和第四夾片63，第三夾片62包括第三連接片64，第三連接片64固接在第二片架30的上部，第三連接片64與第二底柱32形成第三缺口 65，第四夾片63包括所述第四連接片66，第四連接片66固接在第二片架30的上部，第四連接片66與第二底柱32形成第四缺口 67，通過(guò)第三缺口 65和第四缺口 67組成第二內(nèi)凹部分61，通過(guò)第二夾片62和第三夾片63組成一個(gè)夾層，以使所述硅片卡合在第二卡合裝置60中，其中，第三夾片62和第四夾片63之間的距離根據(jù)所述硅片的厚度來(lái)確定，比如若硅片的厚度為300微米時(shí)，第三夾片62和第四夾片63之間的距離可以為500微米到I厘米之間，以使所述硅片固定在所述夾層中更穩(wěn)定。同理，在第二卡合裝置60固接有2個(gè)以上的夾片時(shí)，所述2個(gè)以上的夾片中每個(gè)夾片的結(jié)構(gòu)與第三夾片62和第四夾片63結(jié)構(gòu)相同，且相鄰兩個(gè)夾片之間的距離也相同。
[0054]其中，第二框架31的中間部位固接有第二橫梁34，第三連接片64分別與第二上柱33和第二橫梁34固接，以促使第三連接片64能夠更牢固；第四連接片66分別與第二上柱33和第二橫梁34固接，以促使第四連接片66更牢固，促使所述硅片更穩(wěn)定的卡合在第一卡盒裝置50中。
[0055]參見(jiàn)圖6，為硅片放入第一卡合裝置和第二卡合裝置中結(jié)構(gòu)圖。在所述硅片放入固定裝置10中時(shí)，由于第一底柱22和第二底柱32之間的距離是根據(jù)硅片70的大小來(lái)確定，使得第一底柱22和第二底柱32能夠阻擋住硅片70，并通過(guò)第一內(nèi)凹部分51和第二內(nèi)凹部分61組成的容置空間容置硅片70，如此，使得硅片70放置在固定裝置10中時(shí)，硅片70靠近固定裝置10下端兩側(cè)的部分是容置在由第一內(nèi)凹部分51和第二內(nèi)凹部分61組成的容置空間中，從而減少硅片70與第一卡合裝置50和第二卡合裝置60的接觸面積。
[0056]其中，第一內(nèi)凹部分51是通過(guò)獲取硅片70與第一卡合裝置50接觸的第一參數(shù)，基于所述第一參數(shù)來(lái)確定的；第二內(nèi)凹部分61是通過(guò)獲取硅片70與第二卡合裝置60接觸的第二參數(shù)，基于所述第二參數(shù)來(lái)確定的。
[0057]具體來(lái)講，參見(jiàn)圖7，為第一卡合裝置未設(shè)有第一內(nèi)凹部分的結(jié)構(gòu)圖，以及參見(jiàn)圖8，為第二卡合裝置未設(shè)有第二內(nèi)凹部分的結(jié)構(gòu)圖。第一夾片52和第二夾片53將硅片70夾在中間，第三夾片62和第四夾片63將硅片70夾在中間，獲取硅片70與第一夾片52和第二夾片53的接觸面積和接觸位置作為所述第一參數(shù)，基于所述第一參數(shù)，確定第一夾片52和第二夾片53能夠?qū)⒐杵?0固定的最小接觸面積，如此，可以確定由第一缺口 55和第二缺口 57組成的第一內(nèi)凹部分51來(lái)容置硅片70，第一內(nèi)凹部分51為圖7中虛線標(biāo)注部分，即，所述第一內(nèi)凹部分是基于所述第一參數(shù)來(lái)確定的；獲取硅片70與第三夾片62和第四夾片63的接觸面積和接觸位置作為所述第二參數(shù)，基于所述第二參數(shù)，確定第三夾片62和第四夾片63能夠?qū)⒐杵?0固定的最小接觸面積，如此，可以確定由第三缺口 65和第四缺口67組成的第二內(nèi)凹部分61來(lái)容置硅片70，第一內(nèi)凹部分51為圖7中虛線標(biāo)注部分為圖8中虛線標(biāo)注部分，即，所述第二內(nèi)凹部分是基于所述第二參數(shù)來(lái)確定的。
[0058]在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，在將所述硅片放入固定裝置10中時(shí)，是通過(guò)面積較大的第一開(kāi)口 70將所述硅片放入固定裝置10中，以方便所述硅片放入固定裝置10中，通過(guò)第一夾片52和第二夾片53形成的夾層來(lái)固定所述硅片，以及通過(guò)第三夾片62和第四夾片63形成的夾層來(lái)固定所述娃片，由于第一夾片52的第一連接片54和第二夾片53的第二連接片56都是固定在第一片架20的上部，使得第一連接片54和第二連接片56只有上面的一部分與所述硅片進(jìn)行接觸，用于固定所述硅片，以及第三夾片62的第三連接片64和第四夾片63的第四連接片66都是固定在第二片架30的上部，如此，使得第三連接片64和第四連接片66只有上面的一部分與所述硅片進(jìn)行接觸，用于固定所述硅片，以及通過(guò)第一內(nèi)凹部分51和第二內(nèi)凹部分組成的容置空間來(lái)容置所述硅片，然后再通過(guò)第一底柱22和第二底柱32來(lái)阻擋所述硅片，從而促使所述硅片能夠固定在固定裝置10中，且所述硅片與固定裝置10的接觸面積也最小，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，有效提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0059]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0060]其一、由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0061]其二、由于本申請(qǐng)實(shí)施例的第一卡合裝置中的第一夾片和第二夾片固接在所述第一片架的上部，使得所述第一夾片和所述第二夾片與所述第一片架的第一底柱組成了第一內(nèi)凹部分，第二卡合裝置中的第三夾片和第四夾片固接在所述第二片架的上部，使得所述第三夾片和所述第四夾片與所述第二片架的第二底柱組成了第二內(nèi)凹部分，在所述硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，能夠進(jìn)一步減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0062]實(shí)施例二
[0063]本申請(qǐng)實(shí)施例二與實(shí)施例一的不同之處在于第一^^合裝置和第二卡合裝置的結(jié)構(gòu)不同。為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，本申請(qǐng)實(shí)施例二與實(shí)施一的相同之處可以參考實(shí)例一，在此就不在贅述了。以下詳細(xì)敘述本申請(qǐng)實(shí)施例二與實(shí)施一的不同之處，具體包括:
[0064]第一卡合裝置50包括N個(gè)夾片，其中，所述N為不小于2的整數(shù)，S卩，第一卡合裝置至少包括第一夾片和第二夾片。參見(jiàn)圖9，以第一卡合裝置50只包括第一夾片52和第二夾片53為例。第一夾片52包括第一連接片54和第五連接片58，第五連接片58固接在第一片架20下端且與第一連接片54相互對(duì)應(yīng)，第一連接片54與第五連接片58具有第五缺口 59，第二夾片53包括第二連接片56和第六連接片500，第六連接片500固接在第一片架20的下端且與第二連接片56相互對(duì)應(yīng)，第二連接片56與第六連接片500具有第六缺口501，第五缺口 59與第六缺口 501相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)第五缺口 59和第六缺口 501組成第一內(nèi)凹部分51。同理，在第一卡合裝置50固接有2個(gè)以上的夾片時(shí)，所述2個(gè)以上的夾片中每個(gè)夾片的結(jié)構(gòu)與第一夾片52和第二夾片53結(jié)構(gòu)相同，且相鄰兩個(gè)夾片之間的距離也相同。
[0065]其中，第五連接片58固接在第一底柱22的上端，以使第五連接片58能夠更牢固的固定在第一片架20下端；第六連接片500固接在第一底柱22的上端，以使第六連接片500能夠更牢固的固定在第一片架20下端。
[0066]其次，第一連接片54與第五連接片58相互對(duì)應(yīng)，以及第二連接片56和第六連接片500相互對(duì)應(yīng)，在使所述硅片放入固定裝置10時(shí)，通過(guò)第一連接片54與第五連接片58和第二連接片56和第六連接片500形成一個(gè)夾層，第一連接片54的下端和第二連接片56的下端分別與所述硅片接觸，第五連接片58和第六連接片500也分別與所述硅片接觸，以使所述硅片能夠更牢固的固定在所述夾層中。
[0067]第二卡合裝置60包括M個(gè)夾片，其中，所述M為不小于2的整數(shù)，S卩，第二卡合裝置至少包括第三夾片和第四夾片。參見(jiàn)圖10，以第二卡合裝置60只包括第三夾片62和第四夾片63為例。第三夾片62包括第三連接片64和第七連接片68，第七連接片68固接在第二片架30下端且與第三連接片64相互對(duì)應(yīng)，第三連接片64與第七連接片68具有第七缺口 69，第四夾片63包括第四連接片66和第八連接片600，第八連接片600固接在第二片架30的下端且與第四連接片66相互對(duì)應(yīng)，第四連接片66與第八連接片600具有第八缺口601，第七缺口 69與第八缺口 601相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)第七缺口 69和第八缺口 601組成第二內(nèi)凹部分61。同理，在第二卡合裝置60固接有2個(gè)以上的夾片時(shí)，所述2個(gè)以上的夾片中每個(gè)夾片的結(jié)構(gòu)與第三夾片62和第四夾片63結(jié)構(gòu)相同，且相鄰兩個(gè)夾片之間的距離也相同。
[0068]其中，第七連接片68固接在第二底柱32的上端，以使第七連接片68能夠更牢固的固定在第二片架30下端；第八連接片600固接在第二底柱32的上端，以使第八連接片600能夠更牢固的固定在第二片架30下端。
[0069]其次，第三連接片64與第七連接片68相互對(duì)應(yīng)，以及第四連接片66和第八連接片600相互對(duì)應(yīng)，在使所述硅片放入固定裝置10時(shí)，通過(guò)第三連接片64與第七連接片68和第四連接片66和第八連接片600形成一個(gè)夾層，第三連接片64的下端和第四連接片66的下端分別與所述硅片接觸，第七連接片68和第八連接片600也分別與所述硅片接觸，以使所述硅片能夠更牢固的固定在所述夾層中。
[0070]在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，在將所述硅片放入固定裝置10中時(shí)，是通過(guò)面積較大的第一開(kāi)口 70將所述硅片放入固定裝置10中，以方便所述硅片放入固定裝置10中，通過(guò)第三連接片64與第七連接片68和第四連接片66和第八連接片600形成一個(gè)夾層，第一夾片52和第二夾片53形成的夾層來(lái)固定所述硅片，以及通過(guò)第三夾片62和第四夾片63形成的夾層來(lái)固定所述硅片，以及通過(guò)五連接片58和第六連接片500也分別與所述硅片接觸，用于固定所述硅片，以及通過(guò)第三連接片64與第七連接片68和第四連接片66和第八連接片600形成一個(gè)夾層，第三連接片64的下端和第四連接片66的下端分別與所述硅片接觸，第七連接片68和第八連接片600也分別與所述硅片接觸，用于固定所述硅片；以及通過(guò)第五缺口59和第六缺口 501組成第一內(nèi)凹部分51和通過(guò)第七缺口 69和第八缺口 601組成第二內(nèi)凹部分61組成的容置空間來(lái)容置所述硅片，然后再通過(guò)第一底柱22和第二底柱32來(lái)阻擋所述硅片，從而促使所述硅片能夠固定在固定裝置10中，且所述硅片與固定裝置10的接觸面積也最小，使得所述娃片能夠被酸液完全腐蝕，有效提聞所述娃片的質(zhì)量和合格率。
[0071]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0072]由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0073]實(shí)施例三
[0074]本申請(qǐng)實(shí)施例三與實(shí)施例一的不同之處在于所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，以使所述固定裝置在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)保持穩(wěn)定。為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，本申請(qǐng)實(shí)施例三與實(shí)施一的相同之處可以參考實(shí)例一，在此就不在贅述了。以下詳細(xì)敘述本申請(qǐng)實(shí)施例三與實(shí)施一的不同之處，具體包括:
[0075]所述第一支撐裝置包括N個(gè)夾片，其中，所述N為不小于2的整數(shù)，即，第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片。參見(jiàn)圖11，以第一支撐裝置包括第五夾片和第六夾片為例。第一片架20的外側(cè)固接有第一支撐裝置80，第一支持裝置80包括第五夾片81和第六夾片82。
[0076]其中，第五夾片81包括第一上夾片83和第一下夾片84，第一上夾片83和第一下夾片84的位置相互對(duì)應(yīng)，第一上夾片83的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第一橫梁24上；第一下夾片84的一端固接在第一底柱22上，另一端固接在第一橫梁24上；第六夾片82包括第二上夾片85和第二下夾片86，第二上夾片85和第二下夾片86的位置相互對(duì)應(yīng)，第二上夾片85的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第一橫梁24上；第二下夾片86的一端固接在第一底柱22上，另一端固接在第一橫梁24上。
[0077]其次，第五夾片81固接在第一夾片52和第二夾片53之間的位置，第六夾片82固接在第二夾片53之后的位置,且第五夾片81和第六夾片82之間的距離大于第一夾片52和第二夾片53的距離，以促使所述硅片在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液的流動(dòng)性更好，從而能夠有效的提高所述硅片的腐蝕速度，還能夠確保所述硅片腐蝕均勻。其中，所述第六夾片82可以與第一卡合裝置50中在第二夾片53之后的某一夾片固接成一體，也可以同第五夾片81一樣，固接在第一卡合裝置50中的兩個(gè)夾片之間。
[0078]所述第二撐裝置包括M個(gè)夾片，其中，所述M為不小于2的整數(shù)，即，第二支撐裝置至少包括第七夾片和第八夾片。參見(jiàn)圖12，以第二支撐裝置只包括第七夾片和第八夾片為例。第二片架30的外側(cè)固接有第二支撐裝置90，第二支持裝置90包括第七夾片91和第八夾片92。
[0079]其中，第七夾片91包括第三上夾片93和第三下夾片94,第三上夾片93和第三下夾片94的位置相互對(duì)應(yīng)，第三上夾片93的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第二橫梁34上；第三下夾片94的一端固接在第二底柱32上，另一端固接在第二橫梁34上；第八夾片92包括第四上夾片95和第四下夾片96，第四上夾片95和第四下夾片96的位置相互對(duì)應(yīng)，第四上夾片95的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第二橫梁34上；第四下夾片96的一端固接在第二底柱32上，另一端固接在第二橫梁34上。
[0080]其次，第七夾片91固接在第三夾片62和第四夾片63之間的位置，第八夾片92固接在第四夾片63之后的位置，且第七夾片91和第八夾片92之間的距離大于第三夾片62和第四夾片63的距離，以促使所述硅片在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液的流動(dòng)性更好，從而能夠有效的提高所述硅片的腐蝕速度，還能夠確保所述硅片腐蝕均勻。其中，所述第八夾片92可以與第二卡合裝置60中在第四夾片63之后的某一夾片固接成一體，也可以同第七夾片91一樣，固接在第二卡合裝置60中的兩個(gè)夾片之間。
[0081]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0082]其一、由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0083]其二、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，以及在所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距，所述第二支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距，如此，使得在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，有效提高所述硅片間酸液流動(dòng)性，導(dǎo)致所述硅片腐蝕均勻，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0084]實(shí)施例四
[0085]本申請(qǐng)實(shí)施例四與實(shí)施例一的不同之處在于所述第一片架和第二片架的結(jié)構(gòu)不同，以及在所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，在所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置。為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，本申請(qǐng)實(shí)施例四與實(shí)施一的相同之處可以參考實(shí)施例一，在此就不在贅述了。以下詳細(xì)敘述本申請(qǐng)實(shí)施例四與實(shí)施一的不同之處，具體包括:
[0086]如圖13所示，第一片架20設(shè)置有第三橫梁25，第三橫梁25設(shè)置在第一橫梁24的上方，第三橫梁25的一端固接在第一片架20的第一邊框26上，另一端固接在第一片架20的第二邊框27上。
[0087]其中，第一片架20的外側(cè)固接有第一支撐裝置80，其中，第一支撐裝置80包括多個(gè)夾片，所述多個(gè)夾片中每個(gè)夾片都與第一卡合裝置50中的一夾片設(shè)置成一體，圖12中虛線為第—合裝置50中的夾片。
[0088]其中，以第一支撐裝置80包含的第五夾片81和第六夾片82為例，來(lái)說(shuō)明第一支撐裝置80中的夾片與第一卡合裝置50中的夾片的關(guān)系，具體如下:
[0089]第五夾片81包括第五上夾片83和第一中夾片84和第五下夾片85，第五上夾片83的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第三橫梁25上；第一中夾片84 —端固接在第三橫梁25上，另一端固接在第一橫梁24上；第五下夾片85的一端固接在第一橫梁24上，另一端固接在第一底柱22上。其中，第五上夾片83和第一中夾片84和第五下夾片85相互對(duì)應(yīng)，以形成一個(gè)整體。
[0090]第六夾片82包括第六上夾片86和第二中夾片87和第六下夾片88，第六上夾片86的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第三橫梁25上；第二中夾片87 —端固接在第三橫梁25上，另一端固接在第一橫梁24上；第六下夾片88的一端固接在第一橫梁24上，另一端固接在第一底柱22上。其中，第六上夾片86和第二中夾片87和第六下夾片88相互對(duì)應(yīng)，以形成一個(gè)整體。
[0091]其中，第五夾片81與第一^^合裝置50中左側(cè)的第二個(gè)夾片設(shè)置成一體,第六夾片82與第一卡合裝置50中右側(cè)的第四個(gè)夾片設(shè)置成一體，如此，使得第五夾片81和第六夾片82之間的距離為第一卡合裝置50中兩個(gè)相鄰?qiáng)A片距離的2倍，以促使所述硅片在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液的流動(dòng)性更好，從而能夠有效的提高所述硅片的腐蝕速度，還能夠確保所述硅片腐蝕均勻。
[0092]其中，第一支撐裝置80中其他的夾片與第五夾片81和第六夾片82的結(jié)構(gòu)相同，為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，在此就不再贅述了。
[0093]參見(jiàn)圖14，第二片架30設(shè)置有第四橫梁35，第四橫梁35設(shè)置在第二橫梁34的上方，第四橫梁35的一端固接在第二片架30的第一邊框36上，另一端固接在第二片架30的第二邊框37上。
[0094]其中，第二片架30的外側(cè)固接有第二支撐裝置90，其中，第二支撐裝置90包括多個(gè)夾片，所述多個(gè)夾片中每個(gè)夾片都與第二卡合裝置60中的一夾片設(shè)置成一體，圖13中虛線為第二卡合裝置60中的夾片。
[0095]其中，以第二支撐裝置90包含的第七夾片91和第八夾片92為例，來(lái)說(shuō)明第二支撐裝置90中的夾片與第二卡合裝置60中的夾片的關(guān)系，具體如下:
[0096]第七夾片91包括第七上夾片93和第三中夾片94和第七下夾片95,第第七上夾片93的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第四橫梁35上；第三中夾片94 一端固接在第四橫梁35上，另一端固接在第二橫梁34上；第七下夾片95的一端固接在第二橫梁34上，另一端固接在第二底柱32上。其中，第七上夾片93和第三中夾片94和第七下夾片95相互對(duì)應(yīng)，以形成一個(gè)整體。
[0097]第八夾片92包括第八上夾片96和第四中夾片97和第八下夾片98，第八上夾片96的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第四橫梁35上；第四中夾片97 —端固接在第四橫梁35上，另一端固接在第二橫梁34上；第八下夾片98的一端固接在第二橫梁34上，另一端固接在第二底柱32上。其中，第八上夾片96和第四中夾片97和第八下夾片98相互對(duì)應(yīng)，以形成一個(gè)整體。
[0098]其中，第七夾片91與第二卡合裝置60中左側(cè)的第二個(gè)夾片設(shè)置成一體，第八夾片92與第二卡合裝置60中右側(cè)的第四個(gè)夾片設(shè)置成一體，如此，使得第七夾片91和第八夾片92之間的距離為第二卡合裝置60中兩個(gè)相鄰?qiáng)A片距離的2倍，以促使所述硅片在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液的流動(dòng)性更好，從而能夠有效的提高所述硅片的腐蝕速度，還能夠確保所述硅片腐蝕均勻。
[0099]其中，第二支撐裝置90中其他的夾片與第七夾片91和第八夾片92的結(jié)構(gòu)相同，為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，在此就不再贅述了。
[0100]第一支撐裝置80還包括第三支撐裝置，所述第三支撐裝置包括至少一個(gè)夾片，所述至少一個(gè)夾片中每個(gè)夾片設(shè)置在第一上柱23和第三橫梁25之間。參見(jiàn)圖15，第三支撐裝置100包括多個(gè)夾片，以設(shè)置在靠近第二邊框27的第九上夾片101和第十上夾片102為例來(lái)說(shuō)明第三支撐裝置100的結(jié)構(gòu)。
[0101]其中，第九上夾片101的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第三橫梁25上，且第九夾片101與第一卡合裝置50中左側(cè)的第一個(gè)夾片設(shè)置成一體；第十上夾片102的一端固接在第一上柱23上，另一端固接在第三橫梁25上，且第十上夾片102與第一卡合裝置50中左側(cè)的第三個(gè)夾片設(shè)置成一體。由于第一支撐裝置80還包括第三支撐裝置100，在所述硅片在腐蝕過(guò)程中，能夠進(jìn)一步保證固定裝置10的平衡性，從而導(dǎo)致所述硅片固定在固定裝置10中更穩(wěn)定。
[0102]當(dāng)然，所述第三支撐裝置也可以只包括一個(gè)夾片，所述夾片也可以與所述第一卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，不設(shè)置成一體。在所述第三支撐裝置包括多個(gè)夾片時(shí)，所述多個(gè)夾片中的每個(gè)夾片都可以與所述第一卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，也可以將所述多個(gè)夾片中的一些夾片與所述第一卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，剩下的夾片與所述第一卡合裝置中的夾片設(shè)置成一體。比如第三支撐裝置設(shè)置有6個(gè)夾片，其中有2個(gè)或3個(gè)夾片與所述第一卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，相對(duì)應(yīng)的，還剩下的4個(gè)或3個(gè)夾片與所述第一卡合裝置中的夾片設(shè)置成一體。
[0103]第二支撐裝置90還包括第四支撐裝置，所述第四支撐裝置包括至少一個(gè)夾片，所述至少一個(gè)夾片中每個(gè)夾片設(shè)置在第二上柱33和第四橫梁35之間。參見(jiàn)圖16，第三支撐裝置200包括多個(gè)夾片，以設(shè)置在靠近第四邊框37的第十一上夾片201和第十二上夾片202為例來(lái)說(shuō)明第四支撐裝置200的結(jié)構(gòu)。
[0104]其中，第十一上夾片201的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第四橫梁35上，且第十一夾片201與第二卡合裝置60中左側(cè)的第一個(gè)夾片設(shè)置成一體；第十二上夾片202的一端固接在第二上柱33上，另一端固接在第四橫梁35上，且第十二上夾片202與第二卡合裝置60中左側(cè)的第三個(gè)夾片設(shè)置成一體。由于第二支撐裝置90還包括第四支撐裝置200，在所述硅片在腐蝕過(guò)程中，能夠進(jìn)一步保證固定裝置10的平衡性，從而導(dǎo)致所述硅片固定在固定裝置10中更穩(wěn)定。
[0105]當(dāng)然，所述第四支撐裝置也可以只包括一個(gè)夾片，所述夾片也可以與所述第二卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，不設(shè)置成一體。在所述第四支撐裝置包括多個(gè)夾片時(shí)，所述多個(gè)夾片中的每個(gè)夾片都可以與所述第二卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，也可以將所述多個(gè)夾片中的一些夾片與所述第二卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，剩下的夾片與所述第二卡合裝置中的夾片設(shè)置成一體。比如第四支撐裝置設(shè)置有8個(gè)夾片，其中有2個(gè)或4個(gè)夾片與所述第二卡合裝置中的夾片錯(cuò)開(kāi)，相對(duì)應(yīng)的，還剩下的6個(gè)或4個(gè)夾片與所述第二卡合裝置中的夾片設(shè)置成一體。
[0106]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0107]其一、由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0108]其二、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，以及在所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距，所述第二支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距，如此，使得在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，有效提高所述硅片間酸液流動(dòng)性，導(dǎo)致所述硅片腐蝕均勻，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0109]實(shí)施例五
[0110]本申請(qǐng)實(shí)施例五與實(shí)例一的不同之處在于所述第一片架和所述第二片架的結(jié)構(gòu)不同。為了說(shuō)明書(shū)的簡(jiǎn)潔，本申請(qǐng)實(shí)施例五與實(shí)施一的相同之處可以參考實(shí)施例一，在此就不在贅述了。以下詳細(xì)敘述本申請(qǐng)實(shí)施例五與實(shí)施一的不同之處，具體包括:
[0111]如圖17所示，為所述第一片架的結(jié)構(gòu)圖。第一片架20的下端設(shè)置有第三底柱28，第三底柱28的第一斜面29和水平面形成了第一傾角203，第一傾角203為15°。當(dāng)然，第一傾角203可以設(shè)置在5°?60°角度之間，例如第一傾角203可以為10°、20°、30°、45°等角度。
[0112]如圖18所示，為所述第二片架的結(jié)構(gòu)圖。第二片架30的下端設(shè)置有第四底柱38，第四底柱38的第二斜面39和水平面形成了第二傾角300，第二傾角300為15°。當(dāng)然，第二傾角300可以設(shè)置在5°?60°角度之間，例如第二傾角300可以為10°、20°、30°、
45°等角度。
[0113]其中，由于第一傾角203和第二傾角300的角度相同，使得固定裝置10會(huì)向右側(cè)傾斜15°，固定裝置10的重心也會(huì)向右側(cè)傾斜，在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，使所述硅片需要腐蝕的一面放置在左側(cè)，促使所述硅片由于重力作用會(huì)向右邊傾斜，，就可以使硅片腐蝕面與第一卡合裝置和第二卡合裝置左側(cè)的夾片不完全接觸，進(jìn)一步減少所述硅片的腐蝕面和固定裝置10的接觸面積又可以保證硅片能很穩(wěn)定的擺放在片架內(nèi)，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，以及能夠有效提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0114]其中，在所述第一傾角和所述第二傾角的角度相同的同時(shí)，還需促使所述第一傾角和所述第二傾角相互對(duì)應(yīng)，比如所述第一傾角為向右傾斜20°，那么，第二傾角也應(yīng)向右傾斜20°，如此，通過(guò)所述第一傾角和所述第二傾角促使固定裝置10向一側(cè)傾斜。
[0115]另外，實(shí)施一和實(shí)施二為第一部分，實(shí)施三和實(shí)施四為第二部分，實(shí)施五為第三部分，所述第一部分和所述第二部分和第三部分可以隨機(jī)組合。例如可以將實(shí)施例一和實(shí)施例三相結(jié)合，還可以將實(shí)施例二和實(shí)施例三相結(jié)合，還可以將實(shí)施例二和實(shí)施例三和實(shí)施例四相結(jié)合，都可以解決現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題。
[0116]上述本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0117]其一、由于本申請(qǐng)實(shí)施例在所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，在所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，如此，使得所述硅片放置在所述固定裝置中時(shí)，所述硅片靠近所述固定裝置下端兩側(cè)的部分是容置在由所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行硅腐蝕工藝時(shí)，硅片與容置裝置接觸面積較大，所述硅片與所述容置裝置的接觸部分不能被酸液完全浸透而無(wú)法腐蝕的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，能夠提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0118]其二、由于本申請(qǐng)實(shí)施例的第一卡合裝置中的第一夾片和第二夾片固接在所述第一片架的上部，使得所述第一夾片和所述第二夾片與所述第一片架的第一底柱組成了第一內(nèi)凹部分，第二卡合裝置中的第三夾片和第四夾片固接在所述第二片架的上部，使得所述第三夾片和所述第四夾片與所述第二片架的第二底柱組成了第二內(nèi)凹部分，在所述硅片卡合在所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，能夠進(jìn)一步減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0119]其三、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，以及在所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距，所述第二支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距，如此，使得在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，有效提高所述硅片間酸液流動(dòng)性，導(dǎo)致所述硅片腐蝕均勻，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0120]其四、由于本申請(qǐng)實(shí)施例中所述第一底柱與水平面具有第一傾角，所述第二底柱與水平面具有第二傾角，所述第一傾角與所述第二傾角相互對(duì)應(yīng)，以使所述固定裝置向一側(cè)傾斜，如此，在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)，將所述硅片腐蝕面朝傾斜側(cè)相反的一側(cè)擺放時(shí)，比如所述固定裝置向右側(cè)傾斜時(shí)，所述硅片腐蝕面朝向左側(cè)，使得所述硅片在重力作用向與所述固定裝置傾斜方向一致，使得所述硅片腐蝕面與所述固定裝置不完全接觸，進(jìn)一步減少所述硅片與所述固定裝置的接觸面積，進(jìn)一步使得所述硅片能夠被酸液完全腐蝕，提高所述硅片的質(zhì)量和合格率。
[0121]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0122]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于硅腐蝕的固定裝置，所述固定裝置包括第一片架和第二片架以及用于連接所述第一片架和所述第二片架的連接裝置，其特征在于，所述第一片架內(nèi)側(cè)固接有第一卡合裝置，所述第二片架內(nèi)側(cè)固接有第二卡合裝置，所述第一卡合裝置的下端具有第一內(nèi)凹部分，所述第二卡合裝置的下端具有第二內(nèi)凹部分，在娃片卡合在所述第—^合裝置和所述第二卡合裝置中時(shí)，通過(guò)所述第一內(nèi)凹部分和所述第二內(nèi)凹部分組成的容置空間容置所述硅片，以減少所述硅片與所述第一卡合裝置和所述第二卡合裝置的接觸面積。
2.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征在于，所述第一內(nèi)凹部分是通過(guò)獲取所述硅片與所述第一卡合裝置接觸的第一參數(shù)，基于所述第一參數(shù)來(lái)確定的。
3.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征在于，所述第二內(nèi)凹部分是通過(guò)獲取所述硅片與所述第二卡合裝置接觸的第二參數(shù)，基于所述第二參數(shù)來(lái)確定的。
4.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征在于，所述第一卡合裝置至少包括第一夾片和第二夾片，所述第一夾片包括第一連接片，所述第一連接片固接在所述第一片架的上部，所述第一連接片與所述第一片架的第一底柱形成第一缺口，所述第二夾片包括第二連接片，所述第二連接片固接在所述第一片架的上部，所述第二連接片與所述第一片架的第一底柱形成第二缺口，通過(guò)所述第一缺口和所述第二缺口組成所述第一內(nèi)凹部分。
5.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征在于，所述第二卡合裝置至少包括第三夾片和第四夾片，所述第三夾片包括第三連接片，所述第三連接片固接在所述第二片架的上部，所述第三連接片與所述第二片架的第二底柱形成第三缺口，所述第四夾片包括所述第四連接片，所述第四連接片固接在所述第二片架的上部，所述第四連接片與所述第二片架的第二底柱形成第四缺口，通過(guò)所述第三缺口和所述第四缺口組成所述第二內(nèi)凹部分。
6.如權(quán)利要求4所述的固定裝置，其特征在于，所述第一夾片還包括第五連接片，所述第五連接片固接在所述第一片架下端且與所述第一連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第一連接片與所述第五連接片具有第五缺口，所述第二夾片還包括第六連接片，所述第六連接片固接在所述第一片架的下端且與所述第二連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第二連接片與所述第六連接片具有第六缺口，所述第五缺口與所述第六缺口相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)所述第五缺口和所述第六缺口組成所述第一內(nèi)凹部分。
7.如權(quán)利要求5所述的固定裝置，其特征在于，所述第三夾片還包括第七連接片，所述第七連接片固接在所述第二片架的下端且與所述第三連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第三連接片與所述第七連接片具有第七缺口，所述第四夾片還包括第八連接片，所述第八連接片固接在所述第二片架的下端且與所述第四連接片相互對(duì)應(yīng)，所述第八連接片與所述第四連接片具有第八缺口，所述第七缺口與所述第八缺口相互對(duì)應(yīng)，通過(guò)所述第七缺口和所述第八缺口組成所述第二內(nèi)凹部分。
8.如權(quán)利要求1所述的固定裝置，其特征在于，所述第一片架外側(cè)固接有第一支撐裝置，所述第二片架外側(cè)固接有第二支撐裝置，以使所述固定裝置在進(jìn)行硅片腐蝕時(shí)保持穩(wěn)定。
9.如權(quán)利要求8所述的固定裝置，其特征在于，所述第一支撐裝置至少包括第五夾片和第六夾片，所述第五夾片和所述第六夾片分別與所述至少第一夾片和第二夾片中的一夾片固接，且所述第五夾片與所述第六夾片之間的第一間距大于所述第一夾片和所述第二夾片之間的第二間距。
10.如權(quán)利要求8所述的固定裝置，其特征在于，所述第一支持裝置至少包括第七夾片和第八夾片，所述第七夾片和所述第八夾片分別與所述至少第三夾片和第四夾片中的一夾片固接，且所述第七夾片與所述第八夾片之間的第三間距大于所述第三夾片和所述第四夾片之間的第四間距。
11.如權(quán)利要求7所述的固定裝置，其特征在于，所述第一底柱與水平面具有第一傾角，所述第二底柱與水平面具有第二傾角，所述第一傾角與所述第二傾角相互對(duì)應(yīng)，以使所述固定裝置向一側(cè)傾斜。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104299937SQ201310295832
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月15日
【發(fā)明者】張忠華 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司