有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。該有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽極層、有機功能層和作為出光面的陰極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，且陽極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、第一干涉層、第一半透金屬層、第二干涉層和第二半透金屬層，其中，所述金屬反射層與透光基板層疊結(jié)合，所述第二半透金屬層與有機功能層層疊結(jié)合，且所述第一干涉層和第二干涉層的材料為金屬鑭的化合物。本發(fā)明有機電致發(fā)光裝置的陽極有效降低了該有機電致發(fā)光裝置的陽極對光的反射率，提高了其的對比度。含有該有機電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端具有高對比度，其顯示畫面清晰。
【專利說明】有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。

【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡稱0LED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點，同時擁有高清晰、廣視角、響應速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但現(xiàn)有的OLED器件的陰極一般是使用高反射率的金屬陰極材料，具體地，該高反射率的金屬陰極材料制備成的高反射率的金屬陰極在可見光段具有超過90%的反射率，因此該如此高反射率陰極卻給OLED在顯示器件上的應用帶來阻礙。這是因為，作為顯示器件，高對比度是人們長期的追求，對屏幕對比度的要求更高，如果將現(xiàn)有高反射率陰極的OLED器件在顯示器件上的應用時，在太陽光照射下，由于其高反射率陰極的高反射率作用，使得顯示器件的對比度低，顯示的內(nèi)容無法看清。因此，將OLED器件在顯示器中應用時，如何降低OLED器件的陰極反射率是待解決的技術(shù)難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種陽極具有低反射率的有機電致發(fā)光裝置。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種對比度高的顯示屏。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種含有上述顯示屏的終端。
[0009]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0010]一種有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽極層、有機功能層和作為出光面的陰極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，所述陽極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、第一干涉層、第一半透金屬層、第二干涉層和第二半透金屬層，其中，所述金屬反射層與透光基板層疊結(jié)合，所述第二半透金屬層與有機功能層層疊結(jié)合，且所述第一干涉層和第二干涉層的材料為金屬鑭的化合物。
[0011]以及，一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其中所述顯示模塊含有如上述的有機電致發(fā)光裝置。
[0012]以及，一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為上述含有有機電致發(fā)光裝置的顯不器。
[0013]上述有機電致發(fā)光裝置通過將陽極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層、第一干涉層、第一半透金屬層、第二干涉層和第二半透金屬層結(jié)構(gòu)，有效降低了該有機電致發(fā)光裝置的陽極對光的反射率，提高了其的對比度。其中，兩半透明金屬層能對由從陰極層端入射光起了半透半反射的作用；兩干涉層能不僅能使空穴注入，更重要的是還能使兩半透金屬層反射光與金屬反射層反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。
[0014]上述顯示屏由于含有上述有機電致發(fā)光裝置，因此其具有高對比度，其顯示畫面清晰。由于設(shè)有顯示屏的終端含有該高對比度的顯示屏，因此該終端的顯示屏畫面清晰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光裝置另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光裝置制備方法的流程示意圖。

【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實施例與附圖，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]有機電致發(fā)光像素對比度=(器件發(fā)光亮度(開)+器件反射的環(huán)境光亮度)/ (器件發(fā)光亮度(關(guān))+器件反射的環(huán)境光亮度)，根據(jù)這個計算方法，在透明陽極的OLED器件中，提高對比度的方法之一就是降低器件對環(huán)境的光反射，也就是降低反射電極的反射率。
[0020]基于上述理論，本發(fā)明實施例采用降低陽極反射率的途徑來提高有機電致發(fā)光像素對比度。因此，本發(fā)明實施例提供了一種陽極具有低反射率的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該有機電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的基板1、陽極層2、有機功能層3和陰極層4。
[0021]具體地，上述基板I的材料為玻璃、聚合物薄膜材料等，如普通玻璃、聚合物薄膜材料基底等。當然，基板I的材料還可采用本領(lǐng)域其他材料進行替代?；錓的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度或者根據(jù)應用的要求進行靈活選用。
[0022]上述陽極層2包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、第一干涉層22、第一半透金屬層23、第二干涉層24和第二半透金屬層25。該結(jié)構(gòu)的陽極層2中的第一半透金屬層23、第二半透金屬層25能對由從陰極層4端入射光起了半透半反射的作用，第一干涉層22和第二干涉層24不僅能具有良好的導電性，能使空穴注入，更重要的是還能使第一半透金屬層23、第二半透金屬層25反射光與金屬反射層21反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。具體地，從陰極端入射向該結(jié)構(gòu)的陽極層2的光線反射和折射如圖1、2中所示，環(huán)境光線a從外部入射時，在第二半透金屬層25表面發(fā)生第一次反射和折射，形成反射光線b，折射光線c透過第二干涉層24到達第一半透金屬層23表面，發(fā)生第二次反射和折射，形成反射光線d，折射光線e透過第一干涉層22到達金屬反射層21表面發(fā)生反射，形成反射光線f，由于第一干涉層22和第二干涉層24的作用，使得發(fā)射光線b、反射光線d和反射光線f形成光線的干涉相消，消弱陽極層2產(chǎn)生的反射光，從而有效降低陽極層2的反射率。
[0023]其中，該第一半透金屬層23、第二半透金屬層25能使有機功能層3發(fā)射來的光在其界面發(fā)生部分透過部分反射。為了更好的調(diào)節(jié)光線的反射和透過率，作為優(yōu)選實施例，該第一半透金屬層23和/或第二半透金屬層25的厚度為5nm?1nm,另外,兩半透金屬層的厚度可以相同也可以不同，其厚度還可以根據(jù)材料的不同而靈活調(diào)整。作為另一優(yōu)選實施例，上述第一半透金屬層23和/或第二半透金屬層25的材料為Cr、Ag、Al、Au中的至少一種。應該理解，只要能實現(xiàn)該第一半透金屬層23和第二半透金屬層25部分透過部分反射的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍。
[0024]該第一干涉層22、第二干涉層24的設(shè)置能使第一半透金屬層23、第二半透金屬層25和金屬反射層21反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射。且第一干涉層22、第二干涉層24作為陽極2的一部分，因此，該第一干涉層22、第二干涉層24材料不僅僅必須具有光線透過性，還必須具有空穴注入、傳輸能力和電導率。因此，該第一干涉層22、第二干涉層24材料選用金屬鑭的化合物，選用金屬鑭的化合物制作第一干涉層22、第二干涉層24不僅能有效賦予第一干涉層22、第二干涉層24優(yōu)異的光透過性，使得從第一半透金屬層23、第二半透金屬層25透過的光最大化的傳遞至金屬反射層21并發(fā)生反射，以提高第一半透金屬層23、第二半透金屬層25與金屬反射層21反射光相抵消的效果。與此同時，還能賦予有效賦予第一干涉層22、第二干涉層24優(yōu)異的電子注入性能和導電性能，從而賦予本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光裝置優(yōu)異的發(fā)光強度和高對比度。
[0025]作為優(yōu)選實施例，該金屬鑭的化合物為金屬鑭的氧化物、氟化物、硼化物中的至少一種。在進一步優(yōu)選實施例中，該金屬鑭的氧化物為La2O3，金屬鑭的氟化物為LaF3，該金屬鑭的硼化物為LaB6。其中，第一干涉層22、第二干涉層24材料可以相同也可以不同，根據(jù)具體生產(chǎn)需要和實際應用靈活設(shè)定。
[0026]通過調(diào)節(jié)第一干涉層22、第二干涉層24的厚度，能有效提高第一半透金屬層23、第二半透金屬層25與金屬反射層21反射光相抵消的效果。因此，作為優(yōu)選實施例，第一干涉層22、第二干涉層24的厚度為60nm?lOOnm。在該優(yōu)選實施例中，兩干涉層的厚度可以相同也可以不同。
[0027]在進一步優(yōu)選實施例中，第一干涉層22的厚度為60nm?80nm,第二干涉層24的厚度為SOnm?lOOnm，且第一干涉層22與第二干涉層24的厚度呈梯度。將兩干涉層的厚度設(shè)置成梯度，能夠?qū)Χ喾N波長的光線產(chǎn)生干涉。相比單層干涉層(單層干涉層只能對其中一個波長產(chǎn)生最大干涉，其他波長產(chǎn)生的干涉不明顯)，該優(yōu)選實施例中的陽極層2能夠產(chǎn)生多個波長的最大干涉，因而可以進一步降低陽極層2的反射率。
[0028]該金屬反射層21設(shè)置的目的是將從第一干涉層22傳輸來的光在其界面發(fā)生反射，并將該反射光通過第一干涉層22、第二干涉層24的傳輸后與第一半透金屬層23、第二半透金屬層25界面發(fā)生反射的光互相抵消，以降低陽極層2的反射率。作為優(yōu)選實施例，該金屬反射層21的厚度為70nm?200nm。作為另一優(yōu)選實施例,上述金屬反射層21金屬材料為Ag、Al、Au、Pt中的任一種或兩種以上的合金。應該理解，只要能實現(xiàn)該金屬反射層21反光作用的其他厚度和其他能做陽極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍，如不計成本，該金屬反射層21的厚度還可以是200nm以上。
[0029]作為上述有機電致發(fā)光裝置的另一優(yōu)選實施例，上述金屬反射層21的厚度為70nm?200nm,第一半透金屬層23和第二半透金屬層25厚度為5nm?1nm,第一干涉層22的厚度為60nm?80nm,第二干涉層24的厚度為80nm?10nm,且第一干涉層22與第二干涉層24的厚度呈梯度。該優(yōu)選實施例中各層厚度的組合，能使得第一半透金屬層23、第二半透金屬層25與金屬反射層21反射光相抵消的效果更好，使得陽極層2有更低的反射率。
[0030]作為上述有機電致發(fā)光裝置的再一優(yōu)選實施例，上述金屬反射層21材料為金屬Ag、Al、AiuPt中的任一種或兩種以上的合金；第一干涉層22和第二干涉層24材料為金屬鑭的化合物，其更優(yōu)為鑭的氧化物、氟化物、硼化物中的至少一種；第一半透金屬層23和/或第二半透金屬層25材料為Cr、Ag、Al、Au中的任一種或兩種以上的合金。該優(yōu)選實施例中各層所選用材料的組合，賦予陽極層2更低的反射率和空穴注入和傳輸性能。
[0031]作為上述有機電致發(fā)光裝置的又一優(yōu)選實施例，上述金屬反射層21的厚度為70nm?200nm,其材料為金屬Ag、Al、Au、Pt中的任一種或兩種以上的合金；第一半透金屬層23和第二半透金屬層25厚度為5nm?1nm,第一干涉層22的厚度為60nm?80nm,其材料為Cr、Ag、Al、Au中的任一種或兩種以上的合金；第二干涉層24的厚度為80nm?10nm,且第一干涉層22與第二干涉層24的厚度呈梯度，其金屬鑭的化合物，其更優(yōu)為鑭的氧化物、氟化物、硼化物中的至少一種。該優(yōu)選實施例中各層厚度和材料的組合，使得陽極層2更低的反射率以及優(yōu)異的空穴注入和傳輸性能。
[0032]上述有機電致發(fā)光裝置實施例中的有機功能層3包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，且空穴注入層31與陽極層2的與襯底層I相結(jié)合面相對的表面層疊結(jié)合，電子注入層35與陰極層4層疊結(jié)合，如圖1所示。
[0033]在具體實施例中，上述空穴注入層31材料可以是ZnPc (酞菁鋅)、CuPc (酞菁銅)、VOPc (酞菁氧I凡)、T1Pc (酞菁氧鈦)中的至少一種。當然，該空穴注入層31材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如W03、V0x、W0x或MoO3等氧化物，或者無機空穴注入層材料與有機空穴注入層材料的摻雜混合物?？昭ㄗ⑷雽?1的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進行設(shè)置。該空穴注入層31的設(shè)置，能有效增強其與陽極層2間的歐姆接觸，加強了導電性能，提高陽極層2端的空穴注入能力。正因如此，該空穴注入層31也可以根據(jù)實際的需要不設(shè)置，也就是說，空穴傳輸層32可以直接與陽極層2直接層疊結(jié)合。
[0034]上述空穴傳輸層32材料可以是NPB(N，N' - 二苯基-N，N ' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺)、TPD(N，N' -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-1，I'-聯(lián)苯-4，4' -二胺)、MeO-TPD (N, N, N'，N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯)、MeO-Spr1_TPD(2，7-雙(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9_螺二芴)中的至少一種。當然，該空穴傳輸層32材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如4，4' ,4!,-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等?？昭▊鬏攲?2的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進行設(shè)置。
[0035]上述發(fā)光層33材料可以是客體材料與主體材料摻雜混合物。其中，客體材料為發(fā)光材料，其包括4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種；主體材料包括4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)U, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、N, N' - 二苯基-N, N' -二(1-萘基)-1，Ρ -聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)中的至少一種。主、客體材料可以根據(jù)實際生產(chǎn)和應用的需要進行靈活復合，且客體材料與主體材料的質(zhì)量比可以為I?10:100。
[0036]另夕卜，該發(fā)光層33材料還可以選用熒光材料4，4' -二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，1'-聯(lián)苯(DPVBi)、4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、
5,6,11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一種。該發(fā)光層33的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進行設(shè)置。
[0037]上述電子傳輸層34材料可以是2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ Il惡二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中至少一種。當然，電子傳輸層34材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他電子傳輸材料，其厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0038]上述電子注入層35材料可以LiF, CsF, NaF, MgF2等至少一種等堿金屬的齒化物，當然，該電子注入層35材料還可以選用碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層35的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進行設(shè)置。該電子注入層35的設(shè)置能有效增強其與陰極層4之間的歐姆接觸，加強了導電性能，進一步提高陰極層4端的電子注入能力，以進一步平衡載流子，控制復合區(qū)域，在發(fā)光層中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。正因如此，該電子注入層35也可以根據(jù)實際的需要不設(shè)置，也就是說，電子傳輸層34可以直接與陰極層4直接層疊結(jié)合。
[0039]在進一步優(yōu)選實施例中，在如圖1所不的有機功能層3的基礎(chǔ)上,上述有機功能層3還可以設(shè)置電子阻擋層36和空穴阻擋層37，如圖2所示。其中，該電子阻擋層36層疊結(jié)合在空穴傳輸層32與發(fā)光層33之間，空穴阻擋層37層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層34之間。該電子阻擋層36的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的電子盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層37的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的空穴盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，以提高發(fā)光層33中的電子與空穴相遇機率，以提高兩者復合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達到增強發(fā)光層33的發(fā)光強度的目的。當然，該電子阻擋層36和空穴阻擋層37可以根據(jù)實際生產(chǎn)的情況和應用的需要擇一設(shè)置，其選用的材料和厚度可以按照本領(lǐng)域常用的材料和常規(guī)的厚度進行設(shè)置。
[0040]上述陰極層4材料為Ag、Al、Sm、Yb中的任一種或兩種以上的合金，其厚度為ISnm?35nm。該優(yōu)選的陰極材料以及厚度具有優(yōu)異的光透過率，能有效提高該有機電致發(fā)光裝置的出光率，另外，該優(yōu)選的陰極材料導電性能優(yōu)異。當然，該銀極層4的材料和厚度還可以是本領(lǐng)域常規(guī)的其他材料和厚度。
[0041]由上述可知，上述有機電致發(fā)光裝置通過將陽極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、第一干涉層22、第一半透金屬層23、第二干涉層24和第二半透金屬層25結(jié)構(gòu)，通過陽極層2的光反射抵消，從而有效降低了該有機電致發(fā)光裝置的陽極對光的反射率，提高了其的對比度。另外，通過選用金屬反射層21、第一干涉層22、第一半透金屬層23、第二干涉層24和第二半透金屬層25的材料和厚度，特別是將兩干涉層的厚度設(shè)置成梯度，這樣能夠?qū)Χ喾N波長的光線產(chǎn)生干涉，能進一步降低上述有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。
[0042]相應地，上述實施例有機電致發(fā)光裝置制備方法可以按照如圖3所以示。的工藝流程制備，同時參見圖1?2，其制備方法包括如下步驟:
[0043]S01.提供基板I ;
[0044]S02.制備陽極層2:在真空體系中，將金屬反射層材料、第一干涉層材料、第一半透金屬層材料、第二干涉層材料和第二半透金屬層材料依次蒸鍍在步驟SOl的基板I 一表面制備依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、第一干涉層22、第一半透金屬層23、第二干涉層24和第二半透金屬層25 ；
[0045]S03.制備有機功能層3:在步驟S02制備陽極層2的與透光襯底層I相結(jié)合面相對的表面依次蒸鍍空穴注入層材料、空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料和電子注入層材料，分別制備空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，形成有機功能層3 ;
[0046]S04.制備陰極層4:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機功能層3外表面陰極材料，形成陰極層4。
[0047]具體地，上述SOl步驟中，基板I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對基板I的前期處理步驟，如清洗去污的步驟，具體清洗去污的步驟如下文實施例1的步驟I。
[0048]上述步驟S02中，蒸鍍金屬反射層21、第一干涉層22、第一半透金屬層23、第二干涉層24和第二半透金屬層25所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10?,有機材料的蒸發(fā)速度為
0.01 ?lnm/s0
[0049]上述步驟S03中，蒸鍍空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10?,有機材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。
[0050]當有機功能層3如上文所述，其包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、電子阻擋層36、發(fā)光層33、空穴阻擋層37、電子傳輸層34、電子注入層35時，或者其包括依次層疊結(jié)合的空穴傳輸層32、電子阻擋層36、發(fā)光層33、空穴阻擋層37、電子傳輸層34時，或者其包括依次層疊結(jié)合的空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34時,制備有機功能層3的方法是在陽極層2外表面依次蒸鍍該各層結(jié)構(gòu)。
[0051]上述步驟S04中，蒸鍍陰極層4所用的陰極材料和制備得到的陰極層4的厚度均如上文所述，在此不再贅述。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可，如金屬的蒸鍍速度優(yōu)選為0.2?2nm/s，真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10_3Pa。
[0052]當然，還應當理解，關(guān)于本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光裝置的制備方法還應該包括該有機電致發(fā)光裝置后續(xù)的封裝方法。
[0053]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示屏，其包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，當然還包括應用與顯示屏的其他必要模塊。其中，該顯示模塊中包括如上述的有機電致發(fā)光裝置，具體地，在顯示模塊中，上文所述的有機電致發(fā)光裝置按照矩陣排布。由于該顯示屏含有上述有機電致發(fā)光裝置，因此其具有高對比度，其顯示畫面清晰。
[0054]相應地，本發(fā)明實施例進一步提供了一種設(shè)有顯示屏的終端，該終端的顯示屏為上述含有有機電致發(fā)光裝置的顯示器。當然，應該理解，根據(jù)該終端的類型不同，該終端除了含有上文所述的顯示屏之外，還含有其他必要模塊或/和器件。因此，該終端可以是非便攜式終端和便攜式終端。非便攜式終端可以是大型家電(如電視機、臺式電腦顯示器、設(shè)有顯示屏的空調(diào)、洗衣機等)、工廠設(shè)有顯示屏的機床等；便攜式終端可以是手機、平板電腦、筆記本計算機、個人數(shù)字助理、游戲機和電子書等。這樣，由于該終端的顯示屏為上述含有有機電致發(fā)光裝置的顯示屏，因此電子器件的顯示屏對比度高，畫面清晰。
[0055]當然，上文所述的有機電致發(fā)光裝置還可以在特性照明領(lǐng)域中應用，如在要求反射率低的照明領(lǐng)域中應用。
[0056]以下通過多個實施例來舉例說明上述有機電致發(fā)光裝置方面。
[0057]實施例1
[0058]一種陽極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Au (70nm)/LaF3 (60nm)/Cr (7nm)/LaF3 (10nm)/Cr (1nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/ 空穴傳輸層(NPB，30nm)/ 發(fā)光層(DPVBi，1nm)/ 電子傳輸層(TPBi，30nm)/電子注入層(LiF, 0.5nm)/Ag(20nm)。其中，Au(70nm)/LaF3(60nm)/Cr (7nm)/LaF3(10nm)/Cr(1nm)構(gòu)成陽極。
[0059]其制備方法如下:
[0060](I)在真空度為KT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中制備，將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗，然后在鍍膜系統(tǒng)中；
[0061](2)在基板上依次蒸鍍金屬Au層、LaF3層、Cr層、LaF3層、Cr層，形成陽極,Au層、LaF3 層、Cr 層、LaF3 層、Cr 層厚度依次為 70nm、60nm, 7nm、lOOnm, 1nm ；
[0062](3)在陽極表面制備發(fā)光單元依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機功能層，材質(zhì)依次為CuPc、NPB、DPVB1、TPB1、LiF，厚度依次為10nm、30nm、10nm、30nm、0.5nm ；
[0063](4)在有機功能層外表面制備Ag層形成陰極；厚度為20nm ；
[0064](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進行封裝。
[0065]實施例2
[0066]一種陽極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag (10nm)/LaB6 (70nm)/Au (5nm)/LaB6 (90nm)/Au (7nm) / 空穴注入層(ZnPc, 15nm) /空穴傳輸層(TPD, 30nm) / 發(fā)光層(Ir (ppy) 3: TPBi (10%)，1nm)/ 電子傳輸層(Bphen, 40nm) /電子注入層(CsF, lnm)/Al (18nm)。其中，Ag (10nm) /LaB6 (70nm) /Au (5nm) /LaB6 (90nm) /Au(7nm)構(gòu)成陽極。
[0067]該有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的有機電致發(fā)光裝置制備方法。
[0068]實施例3
[0069]一種陽極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Al (200nm) /La2O3 (80nm) /Al (1nm) /La2O3 (10nm) /Al (7nm) / 空穴注入層(T1Pc, 20nm) / 空穴傳輸層(MeO-Spr1-TPD，40nm) / 發(fā)光層(DCJTB = Alq3 (1%)，15nm) / 電子傳輸層(PBD，50nm)/ 電子注入層(NaF, 0.8nm)/Sm(35nm)。其中，Al (200nm)/La2O3(80nm)/Al (1nm) /La2O3 (10nm) /Al (7nm)構(gòu)成陽極。
[0070]該有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的有機電致發(fā)光裝置制備方法。
[0071]實施例4
[0072]—種陽極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Al (200nm) /La2O3 (70nm) /Ag (1nm) /LaF3 (10nm) /Al (7nm) / 空穴注入層(VOPc, 15nm)/ 空穴傳輸層(MeO-TPD, 35nm)/ 發(fā)光層(Ir (piq) 3:NPB (10%), 12nm) / 電子傳輸層(PBD, 40nm) / 電子注入層(MgF2, 0.5nm) /Yb (30nm)。其中，Al (200nm) /La2O3 (70nm) /Ag (1nm) /LaF3 (10nm) /Al (7nm)構(gòu)成陽極。
[0073]該有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的有機電致發(fā)光裝置制備方法。
[0074]對比實例I
[0075]—種陰極作為出光面的有機電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(10nm)/空穴注入層(CuPc，1nm)/空穴傳輸層(NPB，30nm)/發(fā)光層(DPVBi，1nm)/電子傳輸層(TPBi, 30nm)/ 電子注入層(LiF, 0.5nm)/Ag(20nm)。其中’六!^?。]!!]!)/]^^^。]!!]!)/^!^?]!!]!)/LaF3(10nm)/Cr(1nm)構(gòu)成陽極。
[0076]有機電致發(fā)光裝置進行相關(guān)性能測試
[0077]將上述實施例1至實施例4制備的有機電致發(fā)光裝置和對比實例I中現(xiàn)有陽極結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光裝置不點亮時進行反射率測試，測試結(jié)果如下述表I。
[0078]表I
[0079]
實施例實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 對比實例I 反射率 12.1%11.3%10.4%12.2% 80.5%
[0080]由上述表I可知，上述實施例1-4中制備的有機電致發(fā)光裝置由于采用金屬反射層、第一干涉層、第一半透金屬層、第二干涉層和第二半透金屬層結(jié)構(gòu)構(gòu)成黑陽極，通過各層的協(xié)同作用，使得第一半透金屬層、第二半透金屬層和金屬反射層反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。特別是將兩干涉層的厚度設(shè)置成梯度，這樣能夠?qū)Χ喾N波長的光線產(chǎn)生干涉，能進一步降低上述有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。將實施例1-4制備的有機電致發(fā)光裝置的反射率與對比實例I中有機電致發(fā)光裝置相比，實施例1-4制備的有機電致發(fā)光裝置的反射率降低至10.4%，遠遠低于對比實例I中有機電致發(fā)光裝置的反射率80.5%。由此可知，實施例1-4制備的有機電致發(fā)光裝置作為顯示屏時，其對比度遠遠高于對比實例I中有機電致發(fā)光裝置作為顯示屏時的對比度。
[0081]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽極層、有機功能層和作為出光面的陰極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:所述陽極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、第一干涉層、第一半透金屬層、第二干涉層和第二半透金屬層，其中，所述金屬反射層與透光基板層疊結(jié)合，所述第二半透金屬層與有機功能層層疊結(jié)合，且所述第一干涉層和第二干涉層的材料為金屬鑭的化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬鑭的化合物為鑭的氧化物、氟化物、硼化物中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一干涉層的厚度為60nm?80nm,第二干涉層的厚度為80nm?10nm,且第一干涉層與第二干涉層的厚度呈梯度。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層厚度為70nm ?200nm。
5.如權(quán)利要求1或4所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層材料為金屬Ag、Al、Au、Pt中的任一種或兩種以上的合金。
6.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一半透金屬層和/或第二半透金屬層厚度為5nm?10nm。
7.如權(quán)利要求1或6所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一半透金屬層和/或第二半透金屬層材料為Cr、Ag、Al、Au中的任一種或兩種以上的合金。
8.如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述第一干涉層的厚度為60nm?80nm,第二干涉層的厚度為80nm?10nm,且第一干涉層與第二干涉層的厚度呈梯度； 所述透明金屬反射層厚度為70nm?200nm ； 所述第一半透金屬層和/或第二半透金屬層厚度為5nm?10nm。
9.一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其特征在于:所述顯不模塊含有如權(quán)利要求1?8任一項所述的有機電致發(fā)光裝置。
10.一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為如權(quán)利要求9所述的顯示屏。
【文檔編號】H01L51/56GK104183748SQ201310192393
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 黃輝, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司