本發(fā)明涉及一種能夠有效地向外部排出在基板處理工序中所產生的異物的基板處理裝置。

背景技術：
基板處理裝置用于制造半導體元件，大致分為氣相沉積（VaporDeposition）裝置和熱處理（Annealing）裝置。沉積裝置是形成作為半導體元件的核心結構的透明導電層、絕緣層、金屬層的裝置，分為諸如LPCVD（LowPressureChemicalVaporDeposition：低壓化學氣相沉積）或PECVD（Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition：等離子體增強化學汽相沉積）等化學氣相沉積裝置和諸如濺射（Sputtering）等物理氣相沉積裝置。此外，熱處理裝置是在基板上沉積膜之后提高被沉積膜的特性的裝置，是使沉積膜結晶或相變的熱處理裝置。一般，基板處理裝置包括下部主體和設置于所述下部主體上面的上部主體。在所述下部主體的內部設置有：晶舟，裝載并存儲多個基板；機器臂，將存儲在所述下部主體外部的基板裝載到所述晶舟上，或將裝載在所述晶舟上的基板移送到所述下部主體的外部。此外，在所述上部主體的內部形成有作為基板處理空間的腔室，在所述腔室設置有用于加熱基板的加熱器。所述晶舟設置成可升降，為了處理基板向所述上部主體移送基板時上升，而向所述下部主體移送經處理的基板時下降?；灞煌度氲剿錾喜恐黧w內進行處理時，所述上部主體被密閉。上述現(xiàn)有的基板處理裝置，存在基板由于基板處理工序中所產生的異物而受損的風險。詳細地說，在所述下部主體的內部設置有諸如所述晶舟和所述機器臂等組件，所以在所述下部主體的內部存在驅動所述晶舟或驅動所述機器臂時所產生的異物。然而，現(xiàn)有的基板處理裝置沒有任何裝置能夠有效地向外部排出存在于所述下部主體內部的下側部位和上側部位的異物，所以存在基板由于存在于所述下部主體內部的異物而受損的風險。因此，具有基板處理工序的可靠性下降的缺點。有關基板處理裝置的在先技術，在韓國公開特許公報10-2009-0070199號等中公開。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術的問題而提出的，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠有效地向外部排出存在于基板處理裝置的下部主體內部的下側部位和上側部位的異物，從而能夠提高基板處理工序的可靠性的基板處理裝置。為了達成所述目的，本發(fā)明涉及的基板處理裝置，包括：下部主體，在其內部形成有空間；上部主體，設置在所述下部主體的上面，與所述下部主體連通或隔絕，在其內部形成有作為進行基板處理空間的腔室；晶舟，可升降地設置在所述下部主體的內部，并出入于所述腔室，用于裝載并存儲多個基板；機器臂，設置在所述下部主體的內部，用于移送存儲在所述下部主體外部的基板并裝載到所述晶舟上，或將裝載在所述晶舟上的所述基板移送到所述下部主體的外部；排出單元，設置在所述下部主體，將存在于所述下部主體內部的下側部位和上側部位的異物分別排出至所述下部主體外部。本發(fā)明涉及的基板處理裝置，將分別存在于下部主體內部的下側部位和內部上側部位的異物分別從下部主體內部的下側部位和內部的上側部位通過第一排出管和第二排出管排出，所以能夠有效地向外部排出存在于下部主體內部的異物。從而，能夠防止基板由于異物而損傷，具有提高基板處理工序的可靠性的效果。附圖說明圖1是本發(fā)明的一實施例涉及的基板處理裝置的立體圖。圖2是示出了圖1的內部結構的立體圖。附圖標記：110：下部主體120：晶舟131：過濾器133：第一排出管135：第二排出管150：上部主體具體實施方式后述的有關本發(fā)明的詳細說明，例示出能夠實施本發(fā)明的具體實施例并參照附圖。為了使本領域的技術人員能夠充分實施，詳細說明這些實施例。應理解為，本發(fā)明的各種實施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，這里所記載的一實施例的具體形狀、具體結構和特性，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，也可以由其他實施例來實現(xiàn)。另外，應理解為，各自公開的實施例中的個別構成要素的位置或配置，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下也可進行變更。因此，后述的詳細說明并無限定之意，準確地說明，本發(fā)明的保護范圍僅以權利要求書所記載的內容為準，包含與其權利要求所主張的內容等同的所有范圍。為方便起見，也有可能夸張地表現(xiàn)出附圖所示的實施例的長度、面積、厚度及形態(tài)。下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的一實施例涉及的基板處理裝置。下面，所謂基板處理，包括對基板進行加熱和冷卻的工序、用于在基板上沉積規(guī)定膜的所有工序、用于對基板上沉積的膜進行熱處理、結晶化或相變的所有熱處理工序。此外，基板的材料并不特別限定，但優(yōu)選作為半導體元件用基板的半導體晶片，例如硅晶片。圖1是本發(fā)明的一實施例涉及的基板處理裝置的立體圖，圖2是示出了圖1的內部結構的立體圖。如圖所示，本實施例涉及的基板處理裝置包括下部主體110和上部主體150。下部主體110形成為，在其內部形成有空間的大致長方體形狀，在一側面上形成有出入口113，該出入口113用于使基板50出入。形成有出入口113的下部主體110的一側面上結合有另一基板處理裝置200，而下部主體110的內部被另一基板處理裝置200密閉。在下部主體110的內部設置有晶舟120和機器臂（未圖示）。晶舟120可升降地設置于下部主體110內部的一側，用于裝載存儲多個基板50。所述機器臂設置于下部主體110內部的另一側，移送保管于另一基板處理裝置200的基板50而裝載到晶舟120上，或將裝載在晶舟120上的基板50移送到另一基板處理裝置200。上部主體150設置在下部主體110的上面，在其內部形成有作為基板50處理空間的腔室。上部主體150和下部主體110選擇性地連通或隔絕。具體為，晶舟120為了將基板50加載到所述腔室而上升，或晶舟120為了從所述腔室卸載基板50而下降時，上部主體150和下部主體110連通。此外，將基板50加載到所述腔室的狀態(tài)下進行基板50處理時，上部主體150和下部主體110處于隔絕狀態(tài)。為了使上部主體150和下部主體110連通或隔絕，在下部主體110內部表面上可以設置開閉板（未圖示）。在上部主體150的所述腔室內設置有處理基板50所需的加熱器（未圖示）、氣體供給管（未圖示）和氣體排出管（未圖示）等。所述加熱器產生處理基板50所需的熱。此外，所述氣體供給管向上部主體150的內部供給如Ar、N2、H2等氣氛氣體，所述氣體排出管向上部主體150的外部排出氣氛氣體。氣氛氣體形成處理基板50所需的氣氛的同時調節(jié)上部主體150內部的溫度。在下部主體110的內部設置有晶舟120和所述機器臂等，所以在驅動晶舟120或驅動所述機器臂時，產生異物。而且，流入到所述腔室的氣氛氣體可以流入到下部主體110的內部。這樣，裝載存儲在晶舟120上的基板50可能由于氣氛氣體中所含有的異物而損傷。本實施例涉及的基板處理裝置具有向下部主體110的外部排出存在于下部主體110內部的下側部位和上側部位的異物的排出單元。具體為，所述排出單元包括送風機（未圖示）、過濾器131、第一排出管133和第二排出管135。所述送風機設置在下部主體110的一側面上，用于向下部主體110的內部送風，過濾器131配置在設置有所述送風機的下部主體110內部的一側面上，用于過濾由所述送風機送出的空氣。第一排出管133設置于下部主體110，一端部位于下部主體110內部的下側，而另一端部位于下部主體110的外部。此外，第二排出管135設置于下部主體110，一端部位于下部主體110內部的上側部位，而另一端部位于下部主體110的外側。這樣，存在于下部主體110內部的異物中，存在于下部主體110內部下側的異物從第一排出管133的一端部流入后向下部主體110的外部排出，而存在于下部主體110內部上側的異物從第二排出管135的一端部流入后向下部主體110的外部排出。本實施例涉及的基板處理裝置，將存在于下部主體110內部的下側部位和內部上側部位的異物分別通過下部主體110內部的下側部位和內部的上側部位排出，所以有效地向外部排出存在于下部主體110內部的異物。此外，多個基板50被裝載存儲在晶舟120上的狀態(tài)下，若異物僅通過下部主體110的一側向外部排出，則受基板50干擾相對多。然而，本實施例涉及的基板處理裝置，異物通過下部主體110內部的下側部位和上側部位向外部排出，所以受基板50干擾相對少的情況下向外部排出存在于下部主體110內部的異物。第一排出管133的另一端部和第二排出管135的另一端部也可以位于下部主體110的上表面外側，且彼此連通。有關上述記載的本發(fā)明的實施例的附圖，省略了詳細的輪廓線，為了便于理解屬于本發(fā)明技術思想的部分而概略示出。此外，所述實施例不能用于限定本發(fā)明的技術思想，只能作為用于理解包含于本發(fā)明的保護范圍的技術思想。