一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿形成的混合材料，所述硅氧化物為一氧化硅或二氧化硅，本發(fā)明空穴注入層材質(zhì)中二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿的功函數(shù)較高，適合空穴的注入，空穴注入層與陽極接觸后，與陽極的勢壘比較匹配，可使空穴更容易的從陽極注入到空穴層，硅氧化物比較穩(wěn)定，摻雜在空穴注入層后可提高器件的穩(wěn)定性，同時，硅氧化物可進(jìn)一步提高光的散射，可降低器件的全反射效應(yīng)。本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(OLED)。IOV下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W，壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部發(fā)光材料發(fā)出的光大約只有18%是可以發(fā)射到外部去的，大部分發(fā)出的光會以其他形式消耗在器件外部。研究發(fā)現(xiàn)，OLED光損耗大，有很大一部分原因在于空穴注入層的不完善。由于現(xiàn)有空穴注入層的材質(zhì)通常為三氧化鑰等金屬氧化物，它在可見光范圍內(nèi)的吸光率較高，造成了光損失；另外，三氧化鑰等金屬氧化物與空穴傳輸層的有機材料性質(zhì)差別較大，兩者界面之間存在折射率差，容易引起全反射，導(dǎo)致OLED整體出光性能較低。因此非常有必要對空穴注入層的材質(zhì)進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，本發(fā)明空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿形成的混合材料，空穴注入層材質(zhì)中二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿的功函數(shù)都比較高(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV)，適合空穴的注入，由于陽極層材質(zhì)采用金屬材料，空穴注入層與陽極接觸后，與陽極的勢壘比較匹配，可使空穴更容易的從陽極注入到空穴層，硅氧化物比較穩(wěn)定，慘雜在空穴注入層后可提聞器件的穩(wěn)定性，同時，娃氧化物可進(jìn)一步提聞光的散射，可降低器件的全反射效應(yīng)；本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠(PrO2 )、三氧化二鐠(Pr2O3)、氧化釤(Sm2O3)或三氧化鐿(Yb2O3)按質(zhì)量比為0.1?0.5:1的比例形成的混合材料，所述硅氧化物為一氧化硅(SiO)或二氧化硅(Si02)。
[0007]優(yōu)選地，所述空穴注入層厚度為5?50nm。
[0008]優(yōu)選地，所述陽極層材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)。
[0009]優(yōu)選地，所述陽極層厚度為5?30nm。
[0010]更優(yōu)選地，所述陽極為Ag,厚度為10nm。
[0011]本發(fā)明空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿形成的混合材料，空穴注入層材質(zhì)中二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿的功函數(shù)都比較高(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV),比一般的金屬氧化物(如三氧化鑰)都要高，比較適合空穴的注入，本發(fā)明陽極采用金屬材料，與空穴注入層的勢壘比較匹配，空穴注入層與陽極接觸后，可使空穴更容易的從陽極注入到空穴注入層，然后再傳輸?shù)桨l(fā)光層進(jìn)行復(fù)合，而同時，空穴注入層中摻雜了一定量的硅氧化物，硅氧化物比較穩(wěn)定，摻雜后可提高器件的穩(wěn)定性，同時，硅氧化物的晶體結(jié)構(gòu)比二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤和三氧化鐿的要規(guī)整，可進(jìn)一步提高光的散射，硅氧化物折射率一般為1.6，與一般的玻璃的折射率以及成分都比較接近，可降低器件的全反射效應(yīng)，使光從發(fā)光層到達(dá)空穴注入層-玻璃的全反射幾率降低(陽極采用的是金屬材料，其折射率可忽略不計)，這種空穴注入層可有效提高器件的發(fā)光效率。
[0012]優(yōu)選地,所述空穴傳輸層材質(zhì)為1，1-二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’- (1-萘基)_N，N’- 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm。
[0013]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0014]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?250nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為TPBI，厚度為200nm。
[0015]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為LiF，厚度為0.7nm。
[0016]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，厚度為80?250nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Ag,厚度為150nm。
[0017]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0018]將玻璃基板進(jìn)行清洗干燥，在清洗干凈后的玻璃基底上蒸鍍陽極；
[0019]在陽極上采用電子束蒸鍍制備空穴注入層，所述空穴注入層材質(zhì)為摻雜硅氧化物與PrO2、Pr2O3、Sm2O3或Yb2O3按質(zhì)量比為0.1?0.5:1的比例形成的混合材料，，所述硅氧化物為SiO或SiO2 ;所述電子束蒸鍍制備空穴注入層時，電子束蒸鍍的能量密度為1(T100W/cm2 ；
[0020]在空穴注入層依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0021]優(yōu)選地，所述空穴注入層厚度為5?50nm。
[0022]優(yōu)選地，所述陽極層材質(zhì)為Ag、Al、Pt或Au。
[0023]優(yōu)選地，所述陽極層厚度為5?30nm。
[0024]更優(yōu)選地，所述陽極為Ag，厚度為10nm。
[0025]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5父10-5~2父10-^1，蒸鍍速率為0.1~lnm/s。
[0026]優(yōu)選地，所述陽極和陰極的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5X10_5~2X10_3Pa，蒸鍍速率為I~10nm/s。
[0027]優(yōu)選地，所述清洗干燥是將玻璃基板依次用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，清洗干凈后風(fēng)干。
[0028]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC、TCTA或NPB，所述空穴傳輸層材質(zhì)厚度為20~60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm。
[0029]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,厚度為5~40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度優(yōu)選為20nm。
[0030]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為BpheruTAZ或TPBI，厚度為40~250nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為TPBI，厚度為200nm。
[0031]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為Cs2C03、CsF、CsN3*LiF，厚度為0.5~10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為LiF，厚度為0.7nm。
[0032]優(yōu)選地,所述陰極為Ag、Al、Pt或Au,厚度為80~250nm,更優(yōu)選地,所述陰極為Ag,厚度為150nm。
[0033]本發(fā)明空穴注入層材質(zhì)為摻雜硅氧化物的二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿，空穴注入層材質(zhì)中二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿的功函數(shù)都比較高(功函數(shù)為-7.2eV~-6.5eV),比 一般的金屬氧化物(如三氧化鑰)都要高，比較適合空穴的注入，本發(fā)明陽極采用金屬材料，與空穴注入層的勢壘比較匹配，空穴注入層與陽極接觸后，可使空穴更容易的從陽極注入到空穴注入層，然后再傳輸?shù)桨l(fā)光層進(jìn)行復(fù)合，而同時，空穴注入層中摻雜了一定量的硅氧化物，硅氧化物比較穩(wěn)定，摻雜后可提高器件的穩(wěn)定性，同時，硅氧化物的晶體結(jié)構(gòu)比二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤和三氧化鐿的要規(guī)整，可進(jìn)一步提高光的散射，硅氧化物折射率一般為1.6，與一般的玻璃的折射率以及成分都比較接近，可降低器件的全反射效應(yīng)，使光從發(fā)光層到達(dá)空穴注入層-玻璃的全反射幾率降低(陽極采用的是金屬材料，其折射率可忽略不計)，這種空穴注入層可有效提高器件的發(fā)光效率。
[0034]實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果:
[0035]本發(fā)明空穴注入層材質(zhì)為摻雜硅氧化物的二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿，提高了出光效率，空穴注入層中摻雜了一定量的硅氧化物，摻雜后可提高器件的穩(wěn)定性，降低器件的全反射效應(yīng)，使光從發(fā)光層到達(dá)空穴注入層-玻璃的全反射幾率降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率關(guān)系圖。
【具體實施方式】[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0040]實施例1
[0041]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0042]( I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底I上蒸鍍制備陽極2，陽極2材質(zhì)為Ag，厚度為10nm，蒸鍍壓強為8X 10_4Pa，蒸鍍速率為2nm/
So
[0043](2)在陽極2上采用電子束蒸鍍的方法制備空穴注入層3，空穴注入層材質(zhì)為SiO2與PrO2按質(zhì)量比為0.15:1形成的混合材料(表示為PrO2:SiO2),空穴注入層厚度為10nm，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2。
[0044](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0045]空穴傳輸層4材質(zhì)為TCTA，蒸鍍時采用的壓強為8X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為30nm ；
[0046]發(fā)光層5材質(zhì)為Alq3,蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為20nm ；
[0047]電子傳輸層6的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s,蒸鍍厚度為200nm ；
[0048]電子注入層7的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，蒸鍍厚度為0.7nm；
[0049]陰極8的材質(zhì)為Ag，蒸鍍時采用的壓強為8\10->&，蒸鍍速率為211111/8，蒸鍍厚度為 150nm。
[0050]圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底1、陽極層2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0051 ]玻璃基底 /Ag/Pr02: Si02/TCTA/Alq3/TPBi/LiF/Ag。
[0052]實施例2
[0053]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0054](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底上蒸鍍制備陽極，陽極材質(zhì)為Al，厚度為5nm，蒸鍍壓強為2X 10_3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s。
[0055](2)在陽極上采用電子束蒸鍍的方法制備空穴注入層，空穴注入層材質(zhì)為SiO2與Pr2O3按質(zhì)量比為0.5:1形成的混合材料(表示為Pr2O3:SiO2),空穴注入層厚度為5nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2。
[0056](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0057]空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為45nm ；
[0058]發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為8nm ；[0059]電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,蒸鍍時采用的壓強為2X 10_3Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為65nm ；
[0060]電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0061]陰極的材質(zhì)為Pt，蒸鍍時采用的壓強為2X10_3Pa，蒸鍍速率為10nm/S，蒸鍍厚度為 80nm。
[0062]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0063]玻璃基底/AVPr2O3: Si02/TAPC/DCJTB/Bphen/Cs2C03/Pt。
[0064]實施例3
[0065]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0066](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底上蒸鍍制備陽極，陽極材質(zhì)為Au,厚度為30nm,蒸鍍壓強為5 X 10_5Pa,蒸鍍速率為lnm/s。
[0067](2)在陽極上采用電子束蒸鍍的方法制備空穴注入層，空穴注入層材質(zhì)為SiO與Yb2O3按質(zhì)量比為0.1: I形成的混合材料(表示為Yb203:Si0)，空穴注入層厚度為5nm，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2。
[0068](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0069]空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為60nm ；
[0070]發(fā)光層材質(zhì)為ADN，蒸鍍時采用的壓強為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為IOnm ；
[0071]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s,蒸鍍厚度為200nm ；
[0072]電子注入層的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強為5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s,蒸鍍厚度為0.5nm ；
[0073]陰極的材質(zhì)為Al，蒸鍍時采用的壓強為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為IOOnm0
[0074]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0075]玻璃基底/Au/Yb203: SiO/NPB/ADN/TAZ/CsF/AI。
[0076]實施例4
[0077]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0078](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底上蒸鍍制備陽極，陽極材質(zhì)為Pt，厚度為8nm，蒸鍍壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s。
[0079](2)在陽極上采用電子束蒸鍍的方法制備空穴注入層，空穴注入層材質(zhì)為SiO與Sm2O3按質(zhì)量比為0.2:1形成的混合材料(表示為Sm2O3:SiO)，空穴注入層厚度為25nm，電子束蒸鍍的能量密度為80W/cm2。
[0080](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0081]空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強為2X10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s，蒸鍍厚度為60nm ；
[0082]發(fā)光層材質(zhì)為BCzVBi，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s，蒸鍍厚度為40nm ；
[0083]電子傳輸層的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為35nm ；
[0084]電子注入層的材質(zhì)為CsN3,蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa,蒸鍍速率為6nm/s,蒸鍍厚度為3nm ；
[0085]陰極的材質(zhì)為Au，蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為250nmo
[0086]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0087]玻璃基底/Pt/Sm203:Si0/NPB/BCzVBi/TPBI/CsN3/Au。
[0088]對比實施例
[0089]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例與實施例1的區(qū)別在于對比實施例中的陽極為銦錫氧化物(ΙΤ0)，厚度為120nm，空穴注入層為三氧化鑰(MoO3),厚度為40nm，對比實施例有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:玻璃基底/ΙΤ0/Μο03/TCTA/Alq3/TPBI/LiF/Ag,分別對應(yīng)玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0090]效果實施例
[0091]采用光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)Ocean Optics公司，型號:USB4000)，電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色度計(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號:CS_100A)測試有機電致發(fā)光器件的電流效率隨電流密度的變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件。測試結(jié)果如圖2所示。圖2是本發(fā)明實施例I與對比實施例有機電致發(fā)光器件的電流效率與電流密度的關(guān)系圖。
[0092]從附圖2上可以看到，在不同電流密度下，實施例1的電流效率都比對比例的要大，實施例1的最大的電流效率為6.4cd/A，而對比例的僅為4.9cd/A,這說明，空穴注入層材質(zhì)中二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿，功函數(shù)都比較高(功函數(shù)為-7.2eV?-6.5eV)，適合空穴的注入，摻雜了一定量的硅氧化物，進(jìn)一步提高光的散射，使光從發(fā)光層到達(dá)空穴注入層-玻璃的全反射幾率降低，有效提高器件的發(fā)光效率。
[0093]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿按質(zhì)量比為0.1?0.5:1的比例形成的混合材料，所述硅氧化物為一氧化硅或二氧化硅。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層厚度為5?50nmo
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極層材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極層厚度為5?30nm。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 在清洗干凈后的玻璃基底上蒸鍍陽極； 在陽極層上采用電子束蒸鍍制備空穴注入層，所述空穴注入層材質(zhì)為硅氧化物與二氧化鐠、三氧化二鐠、氧化釤或三氧化鐿按質(zhì)量比為0.1?0.5:1的比例形成的混合材料，所述硅氧化物為一氧化硅或二氧化硅；所述電子束蒸鍍的能量密度為l(Tl00W/cm2 ； 在空穴注入層依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
6.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層厚度為5?50nm。
7.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極層材質(zhì)為銀、招、鉬或金。
8.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極層厚度為5?30nm。
9.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5X10_5?2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.1?lnm/s。
10.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極和陰極的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5 X 10_5?2 X 10_3Pa，蒸鍍速率為l?10nm/S。
【文檔編號】H01L51/50GK104009162SQ201310059129
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司