專利名稱：通孔連接結(jié)構(gòu)、具有該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思的各實施例涉及通孔連接結(jié)構(gòu)、具有該通孔連接結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件、制造該通孔連接結(jié)構(gòu)和該半導(dǎo)體器件的方法、半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)、模塊、電子系統(tǒng)和/或無線移動電話。
背景技術(shù)：
由于對諸如手機或平板個人電腦(PC)之類的尺寸小、重量輕且薄的通信設(shè)備的使用的增加，已經(jīng)對高集成、高速半導(dǎo)體器件進行了研究。因此，已經(jīng)提出了一種具有硅通孔(TSV)的層疊型半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種具有突出的通孔結(jié)構(gòu)的通孔連接結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種具有突出的硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例還提供了一種具有突出的TSV結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件
的層疊結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括具有突出的TSV結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種電子系統(tǒng)，該電子系統(tǒng)包括具有突出的TSV結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種通孔連接結(jié)構(gòu)，該通孔連接結(jié)構(gòu)具有使用大馬士革工藝(damascene process)形成的互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具有使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體器件具有使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體器件具有使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種包括半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)，該半導(dǎo)體器件具有使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種形成通孔連接結(jié)構(gòu)的方法，該通孔連接結(jié)構(gòu)具有突出的通孔結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件具有突出的TSV結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種形成通孔連接結(jié)構(gòu)的方法，該通孔連接結(jié)構(gòu)具有使用大馬士革工藝形成的互連結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明構(gòu)思的至少一個實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件具有使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)。本發(fā)明構(gòu)思的各方面不應(yīng)當(dāng)限于以上描述，根據(jù)本申請中所描述的各示例實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將清楚地理解未提及的其它方面。


如附圖中所示，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各示例實施例的更加詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的前述及其它特征和優(yōu)點將變得明顯，其中，在不同的示圖中相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的部件。附圖不一定按比例示出，而是強調(diào)了對于本發(fā)明構(gòu)思的原理的說明。在附圖中:圖1A和圖1B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的再分布結(jié)構(gòu)的表面的概念布局；圖2A至圖2S是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)的概念縱截面圖；圖3A至圖3H是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)的概念縱截面的透視圖；圖4A和圖4B是示出了形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖5A至圖5G以及圖6A至圖6C是示出了形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)的方法的縱截面圖；圖7A至圖7Q是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的具有各種形狀的暴露在槽內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)的概念縱截面圖；圖8A至圖8S是根據(jù) 本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的概念縱截面圖；圖9A至圖9J是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；圖1OA至圖1OX是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖1lA至圖1lD是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖12A至圖12G是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖13A至圖13D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖14A至圖14Q是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的具有各種形狀的暴露在再分布槽內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)的概念縱截面圖；圖15A至圖15M是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖16A至圖16K是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖；圖17A至圖17D是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)的概念縱截面圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的概念縱截面圖；圖19是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件的模塊的概念圖；圖20和圖21是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)或各半導(dǎo)體器件中的至少一個的電子系統(tǒng)的概念框圖；以及圖22是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)或各半導(dǎo)體器件中的至少一個的無線移動電話的示意圖。
具體實施例方式在下文中，將參考示出了本發(fā)明構(gòu)思的各示例實施例的附圖，來更加全面地描述本發(fā)明構(gòu)思。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式來實施，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于在此提出的各實施例。相反，提供這些實施例是為了本公開是徹底和全面的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在此所使用的術(shù)語僅僅是為了描述各特定實施例的目的，而不是要限制本發(fā)明構(gòu)思。在此所使用的單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地作了其它說明。還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)本申請中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，指定了所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除存在或附加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q作在其它元件或?qū)印爸稀薄ⅰ斑B接至”或“耦接至”其它元件或?qū)訒r，所述一個元件或?qū)涌梢灾苯釉谄渌驅(qū)印爸稀?、可以直接“連接至”或“耦接至”其它元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)一個元件被稱作直接在其它元件或?qū)印爸稀?、直接“連接至”或直接“耦接至”其它元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。在此所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出項目的任何及全部組合。為了描述方便，在此可以使用空間相對術(shù)語，諸如“在……下面”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等，來描述如附圖所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖中所示的方位以外，這些空間相對術(shù)語還包括在使用或操作中的器件的不同方位。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將位于其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下面”可以包括位于上方和位于下面兩個方位。器件還可以有其它方位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位處)，在此所使用的空間相對描述符應(yīng)該被相應(yīng)地解釋。在此，參考示意性地示出了本發(fā)明構(gòu)思的各理想化實施例的截面示圖和/或平面示圖來描述本發(fā)明構(gòu)思的各實施例。如此，由于例如制造技術(shù)和/或公差而引起與圖示的形狀的偏差是在預(yù)料之中的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的各實施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而將包括例如由制造產(chǎn)生的形狀的偏差。例如，被示出為矩形的蝕刻區(qū)域通常將具有圓形的或彎曲的特征。因此，附圖中所示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，其形狀并不旨在示出器件的區(qū)域的精確形狀，也不是要限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在本申請中，相同的附圖標(biāo)記始終用于表示相同的組件。因此，即使在相應(yīng)的附圖中沒有提及或描述， 也可以通過參考其它附圖來對相同的附圖標(biāo)記或相似的附圖標(biāo)記進行說明。而且，即使沒有使用附圖標(biāo)記來描述組件，也可以通過參考其他附圖來描述該組件。
為了描述方便，在此可以使用空間相對術(shù)語“正面”和“背面”來描述如附圖所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖中所示的方位以外，空間相對術(shù)語“正面”和“背面”還包括在使用或操作中的器件的不同方位。例如，術(shù)語“正面”可以被解釋為術(shù)語“背面”，并且術(shù)語“背面”可以被解釋為術(shù)語“正面”。因此，術(shù)語“正面”可以表示為“第一”，術(shù)語“背面”可以表示為“第二”?？商鎿Q地，術(shù)語“背面”可以表示為“第一”，術(shù)語“正面”可以表示為“第二”。然而，在一個實施例中，術(shù)語“正面”和“背面”應(yīng)當(dāng)被解釋為具有不同的含義。在本申請中，術(shù)語“接近”指的是具有對稱概念的至少兩個元件中的一個比其余元件布置得更靠近另一個特定元件。例如，當(dāng)?shù)谝欢私咏诘谝粋?cè)時，應(yīng)當(dāng)理解的是，第一端比第二端更靠近第一側(cè)，或者第一端離第一側(cè)比離第二側(cè)更近。圖1A和圖1B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件IA和半導(dǎo)體器件IB的再分布結(jié)構(gòu)的表面的概念布局。參考圖1A和圖1B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件IA和半導(dǎo)體器件IB中的每一個可以包括暴露的通孔結(jié)構(gòu)4、互連結(jié)構(gòu)5和布置在表面2上的焊盤6。表面2可以由絕緣材料覆蓋，諸如氮化硅、氧化硅、聚酰亞胺、光敏聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)或其它有機或無機聚合物。在其它附圖中對通孔結(jié)構(gòu)4、互連結(jié)構(gòu)5和焊盤6進行更詳細(xì)的描述。再參考圖1A，通孔結(jié)構(gòu)4可以以行或列的方式布置在表面2的中央。焊盤6可以布置在表面2上的各個位置處?；ミB結(jié)構(gòu)5可以變化布置以電連接各通孔結(jié)構(gòu)4或電連接通孔結(jié)構(gòu)4和焊盤6。再參考圖1B，通孔結(jié)構(gòu)4可以以列布置在表面2的外部區(qū)域中。焊盤6可以布置在表面2上的各個位置處?；ミB結(jié)構(gòu)5可以變化布置以電連接各通孔結(jié)構(gòu)4或電連接通孔結(jié)構(gòu)4和焊盤6。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件IA和半導(dǎo)體器件IB中的每一個可以通過通孔結(jié)構(gòu)4接收電源電壓、參考電壓、接地電壓和各種電信號，并且使用再分布結(jié)構(gòu)來將接收到的電源電壓、參考電壓、接地電壓和各種電信號分布至布置在各個位置處的焊盤6。可替換地，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件IA和半導(dǎo)體器件IB中的每一個可以通過焊盤6接收電源電壓、參考電壓、接地電壓和各種電信號，并且使用再分布結(jié)構(gòu)來將接收到的電`源電壓、參考電壓、接地電壓和各種電信號分布至布置在各個位置處的通孔結(jié)構(gòu)4。圖2A至圖2S是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至通孔連接結(jié)構(gòu)IOS的概念縱截面圖。參考圖2A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA可以包括具有槽55的絕緣層30、形成在槽55內(nèi)并且具有突出的上部的通孔結(jié)構(gòu)40a以及形成在槽55內(nèi)的互連結(jié)構(gòu)50。絕緣層30可以形成在下層20上。下層20可以包括襯底或?qū)娱g絕緣層。例如，下層20可以包括硅襯底?？商鎿Q地，例如，下層20可以包括包含氧化硅或氮化硅在內(nèi)的層間
絕緣層。通孔結(jié)構(gòu)40a可以包括通孔芯41a、通孔阻擋層42a和通孔襯墊43a。通孔結(jié)構(gòu)40a可以在下層20的表面上從下層20的內(nèi)部突出。通孔結(jié)構(gòu)40a的側(cè)表面的一部分可以暴露在下層20的表面上。例如，通孔芯41a、通孔阻擋層42a和通孔襯墊43a可以部分暴露在下層20上。
通孔芯41a可以具有柱形。通孔芯41a可以包括金屬，諸如銅(Cu)。通孔阻擋層42a可以共形地覆蓋通孔芯41a的側(cè)表面和頂表面。通孔阻擋層42a可以包括阻擋金屬(barrier metal),諸如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)。通孔阻擋層42a可以形成為單層類型或多層類型。例如，通孔阻擋層42a可以包括多層阻擋金屬層。通孔襯墊43a可以共形地覆蓋通孔芯41a的側(cè)表面。例如,通孔襯墊43a可以覆蓋通孔阻擋層42a的側(cè)表面。通孔襯墊43a可以包括氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)或其介電常數(shù)比氧化硅低的各種其它材料。槽55可以形成在絕緣層30中。通孔結(jié)構(gòu)40a的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在槽55內(nèi)。例如，通孔結(jié)構(gòu)40a的頂端和側(cè)表面的一部分可以突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42a可以暴露在通孔結(jié)構(gòu)40a的頂端和部分側(cè)表面上，通孔結(jié)構(gòu)40a的頂端和部分側(cè)表面可以突出至槽55內(nèi)。例如，在突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40a的頂端部分和側(cè)表面部分上可以不形成通孔襯墊43a。在槽55的底部表面上，絕緣層30的表面可以布置在與通孔襯墊43a的頂端實質(zhì)上相同的水平或相似的水平處。絕緣層30可以覆蓋通孔結(jié)構(gòu)40a在槽55之下的側(cè)表面。例如,埋入絕緣層30中的通孔結(jié)構(gòu)40a的側(cè)表面可以被絕緣層30包圍。絕緣層30可以與通孔襯墊43a接觸?；ミB51和互連阻擋層52可以形成在槽55內(nèi)?；ミB阻擋層52可以形成在槽55的內(nèi)壁和底部表面以及暴露的通孔結(jié)構(gòu)40a的表面上?；ミB阻擋層52可以沿著暴露在槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40a的輪廓共形地形成?；ミB51可以形成在槽55內(nèi)的互連阻擋層52上以填充槽55?；ミB阻擋層52可以包括阻擋金屬，諸如T1、TiN、Ta、TaN或WN。同樣，互連阻擋層52可以是單阻擋金屬層 或者是諸如兩層或三層阻擋金屬之類的阻擋金屬復(fù)合層?；ミB51可以包括金屬，諸如銅(Cu)。通孔阻擋層42a和互連阻擋層52中的每一個可以形成為單層類型或多層類型?？梢栽诼袢虢^緣層30中的通孔芯41a的側(cè)表面上形成單阻擋層，例如僅通孔阻擋層42a，而可以在可突出至槽55內(nèi)的通孔芯41a的側(cè)表面上形成雙阻擋層，例如通孔阻擋層42a和互連阻擋層52。因此，與在可以埋入下層20或絕緣層30中的通孔芯41a的側(cè)表面上相比，在可以突出至槽55內(nèi)的通孔芯41a的側(cè)表面上可以形成較厚的阻擋層。絕緣層30和互連結(jié)構(gòu)50的頂部表面可以是平面。例如，絕緣層30和互連結(jié)構(gòu)50的頂部表面可以處于同一水平。鈍化層60可以直接形成在絕緣層30和互連結(jié)構(gòu)50上。鈍化層60可以包括氮化硅或聚酰亞胺。參考圖2B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOB可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40b。通孔結(jié)構(gòu)40b可以包括通孔芯41b和通孔襯墊43b,通孔芯41b和通孔襯墊43b可以在絕緣層30的表面上突出。例如，通孔阻擋層42b可以覆蓋通孔芯41b的全部頂部表面和側(cè)表面，并且通孔襯墊43b可以覆蓋通孔阻擋層42b的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43b的頂端和一部分側(cè)表面可以暴露在槽55內(nèi)并且與互連阻擋層52接觸。參考圖2C，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOC可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40c。通孔結(jié)構(gòu)40c可以包括通孔芯41c、通孔阻擋層42c和通孔襯墊43c，通孔芯41c、通孔阻擋層42c和通孔襯墊43c可以在絕緣層30的表面上突出。例如，通孔阻擋層42c可以覆蓋通孔芯41c的側(cè)表面的一部分，并且通孔襯墊43c可以覆蓋通孔阻擋層42c的側(cè)表面。通孔阻擋層42c的頂端可以與通孔襯墊43c頂端表面相似。通孔阻擋層42c的頂端以及通孔襯墊43c的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在槽55內(nèi)并且與互連阻擋層52接觸。通孔芯41c可以與互連阻擋層52直接接觸。參考圖2D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOD可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40d。通孔結(jié)構(gòu)40d可以包括通孔芯41d、通孔阻擋層42d和通孔襯墊43d，通孔芯41d、通孔阻擋層42d和通孔襯墊43d可以在絕緣層30的表面上突出。例如，通孔阻擋層42d可以覆蓋通孔芯41d的側(cè)表面的一部分，并且通孔襯墊43d可以覆蓋通孔阻擋層42d的側(cè)表面的一部分。通孔阻擋層42d的頂端可以布置在比通孔襯墊43d的頂端高的水平處。通孔阻擋層42d的頂端和部分側(cè)表面以及通孔襯墊43d的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在槽55內(nèi)并且與互連阻擋層52接觸。參考圖2E，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOE可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40e。通孔結(jié)構(gòu)40e可以包括通孔芯41e和通孔阻擋層42e，通孔芯41e和通孔阻擋層42e可以在絕緣層30的表面上突出。例如，通孔芯41e的上部和/或部分側(cè)表面可以不被通孔阻擋層42e覆蓋而可以是暴露的。通孔芯41e的上部和/或部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52直接接觸。通孔襯墊43e的頂端可以與絕緣層30的表面處于相同的水平或相似的水平處。參考圖2F，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOF可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40f。通孔結(jié)構(gòu)40f可以包括通孔芯41f，通孔芯41f可以在絕緣層30的表面上突出。例如，通孔芯41f的上部和一部分側(cè)表面可以不被通孔阻擋層42f覆蓋而是暴露的。例如，僅通孔芯41f可以突出至槽55內(nèi)。突出的通孔芯41f的上部和側(cè)表面可以與互連阻擋層52直接接觸。通孔阻擋層42f的頂端以及通孔襯墊43f的頂端可以與絕緣層30的表面處于相同的水平或相似的水平處。參考圖2G，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG可以包括下絕緣層31g和上絕緣層32g。同樣，通孔連接結(jié)構(gòu)IOG可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔芯41g和通孔阻擋層42g。下絕緣層31g可以形成在下層20上并且覆蓋通孔結(jié)構(gòu)40g的側(cè)表面。上絕緣層32g可以形成在下絕緣層31g上并且具有槽55。上絕緣層32g可以與通孔結(jié)構(gòu)40g的側(cè)表面間隔開，并且不與通孔結(jié)構(gòu)40g的側(cè)表面接觸。例如，下絕緣層31g可以插在上絕緣層32g和通孔結(jié)構(gòu)40g之間。通孔阻擋層42g可以覆蓋突出的通孔芯41g的頂部表面和側(cè)表面。通孔阻擋層42g的頂部表面和側(cè)表面可以與互連阻擋層52直接接觸。在槽55內(nèi)，通孔襯墊43g的頂部表面、下絕緣層3Ig和上絕緣層32g可以處于相同的水平或相似的水平。參考圖2H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOH可以包括下絕緣層31h和上絕緣層32h，并且還包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40h。通孔阻擋層42h可以覆蓋通孔芯41h的頂部表面和側(cè)表面。通孔襯墊43h可以覆蓋突出的通孔阻擋層42h的側(cè)表面的一部分。例如，通孔襯墊43h的頂端可以在槽55內(nèi)從下絕緣層31h和上絕緣層32h的表面突出。通孔阻擋層42h的上部和一部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52直接接觸。參考圖21，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)101可以包括下絕緣層31i和上絕緣層32i。通孔連接結(jié)構(gòu)101可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40i和下絕緣層31i。下絕緣層31i的突出 部可以覆蓋通孔襯墊43i的側(cè)表面。下絕緣層31i的突出部的頂端可以布置在與通孔襯墊43i的頂端相同的水平或相似的水平處。下絕緣層31i的側(cè)表面的一部分可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2J，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOJ可以包括下絕緣層31j和上絕緣層32j。通孔連接結(jié)構(gòu)IOJ可以包括突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40j和下絕緣層31j。下絕緣層31 j的突出部可以覆蓋通孔襯墊43j的側(cè)表面的一部分。下絕緣層31 j的側(cè)表面的一部分可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2K，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOK可以包括下絕緣層31k和上絕緣層32k，并且還包括突出至槽55內(nèi)的通孔芯41k。例如，通孔阻擋層42k、通孔襯墊43k、下絕緣層31k和上絕緣層32k的表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的通孔芯41k的頂部表面和側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2L，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOL可以包括下絕緣層311和上絕緣層321，并且還包括突出至槽55內(nèi)的通孔芯411和通孔阻擋層421。例如，通孔阻擋層421可以覆蓋通孔芯411的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊431、下絕緣層311和上絕緣層321的表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的通孔芯411的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2M，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOM可以包括下絕緣層31m和上絕緣層32m，并且還包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40m。例如，通孔阻擋層42m可以覆蓋通孔芯41m的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43m可以覆蓋通孔阻擋層42m的側(cè)表面。通孔阻擋層42m的頂端可以布置在與通孔襯墊43m的頂端相同的水平或相似的水平處。突出的通孔芯41m的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2N，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)ION可以包括下絕緣層31η和上絕緣層32η。通孔連接結(jié)構(gòu)ION可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40η和下絕緣層31η。例如，通孔阻擋 層42η可以覆蓋通孔芯41η的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43η可以覆蓋通孔阻擋層42η的側(cè)表面。突出的下絕緣層31η可以覆蓋通孔襯墊43η的側(cè)表面。通孔阻擋層42η的頂端、通孔襯墊43η的頂端以及下絕緣層31η的頂端可以在相同的水平或相似的水平處。突出的通孔芯41η的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖20，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)100可以包括下絕緣層31ο和上絕緣層320，并且還包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40ο。例如，通孔阻擋層42ο可以覆蓋通孔芯41ο的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43ο可以覆蓋通孔阻擋層42ο的側(cè)表面的一部分。突出的通孔芯41ο的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2Ρ，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOP可以包括下絕緣層3Ip和上絕緣層32ρ。通孔連接結(jié)構(gòu)IOP可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40ρ和下絕緣層31ρ。例如，通孔阻擋層42ρ可以覆蓋通孔芯41ρ的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43ρ可以覆蓋通孔阻擋層42ρ的側(cè)表面的一部分。突出的下絕緣層31ρ可以覆蓋通孔襯墊43ρ的側(cè)表面的一部分。突出的通孔芯41ρ的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2Q，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOQ可以包括下絕緣層31q和上絕緣層32q。通孔連接結(jié)構(gòu)IOQ可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40q和下絕緣層31q。例如，通孔阻擋層42q可以覆蓋通孔芯41q的側(cè)表面的一部分。通孔襯墊43q可以覆蓋通孔阻擋層42q的側(cè)表面。通孔襯墊43q的頂端和通孔阻擋層42q的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的下絕緣層31q可以覆蓋通孔襯墊43q的側(cè)表面的一部分。突出的通孔芯41q的頂部表面和部分側(cè)表面可以與互連阻擋層52接觸。參考圖2R，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOR可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40r。通孔結(jié)構(gòu)40r可以包括可在絕緣層30的表面上突出的通孔芯41r和通孔阻擋層42r。例如，通孔芯41r的頂端和通孔阻擋層42r的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處(例如，具有共面的上表面)。通孔襯墊43r可以布置在與槽55的底部表面相同的水平或相似的水平處。絕緣層30可以被解釋為上絕緣層32，而下層20可以被解釋為下絕緣層31。參考圖2S，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOS可以包括可突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40s。通孔結(jié)構(gòu)40s可以包括可在絕緣層30的表面上突出的通孔芯41s。例如，通孔芯41s的頂端和通孔阻擋層42s的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。通孔襯墊43s可以部分或全部覆蓋通孔阻擋層42s的側(cè)表面。絕緣層30可以被解釋為上絕緣層32，而下層20可以被解釋為下絕緣層31。圖2A至圖2S·中所示的全部通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至通孔連接結(jié)構(gòu)IOS的組件的頂端都可以具有圓角。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS中的每一個可以包括使用大馬士革工藝形成的互連結(jié)構(gòu)50。因此，互連阻擋層52可以完全包圍互連51的底部表面和側(cè)表面。例如，當(dāng)使用濕法蝕刻工藝或選擇性蝕刻工藝來除去互連阻擋層52時，互連阻擋層52可能不完全包圍互連51的底部或側(cè)表面，因而引起物理的和/或電的不穩(wěn)定。代替光刻和蝕刻工藝，可以使用CMP工藝來平面地形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至10S,并且通孔結(jié)構(gòu)40a至40s的節(jié)距(pitch)和互連結(jié)構(gòu)50的節(jié)距可以變得更微小和更復(fù)雜。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS中的每一個中，通孔結(jié)構(gòu)40可以突出至互連結(jié)構(gòu)50內(nèi)。例如，通孔結(jié)構(gòu)40可以插入互連結(jié)構(gòu)50中。因此，通孔結(jié)構(gòu)40a至40s與互連結(jié)構(gòu)50之間的接觸面積可以增加，使得通孔結(jié)構(gòu)40a至40s與互連結(jié)構(gòu)50之間的薄層電阻(sheet resistance)可以減小。而且，由于互連結(jié)構(gòu)50可以由通孔結(jié)構(gòu)40a至40s進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。圖3A至圖3H是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IlA至IlH的概念縱截面的透視圖。參考圖3A至圖3D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IlA至IlD中的每一個可以具有:被配置為穿入下層20的通孔結(jié)構(gòu)45a至45d中的相應(yīng)的一個；在下層20上形成的絕緣層30 ;在絕緣層30中的、暴露通孔結(jié)構(gòu)45a至45d中的相應(yīng)的一個的頂端的槽55 ;以及被配置為填充槽55的互連結(jié)構(gòu)50。槽55和互連結(jié)構(gòu)50可以包括通孔區(qū)域V、焊盤區(qū)域P以及被配置為連接通孔區(qū)域V和焊盤區(qū)域P的互連區(qū)域L。通孔結(jié)構(gòu)45a至45d中的每一個可以布置在通孔區(qū)域V內(nèi)。通孔結(jié)構(gòu)45a至45d中的每一個可以穿入下層20和絕緣層30，并且可以在槽55的底部表面上突出?；ミB阻擋層52可以共形地形成在槽55的側(cè)表面和底部表面上和突出的通孔結(jié)構(gòu)45a至45d中的每一個上?；ミB51可以形成在互連阻擋層52上以完全填充槽55?？梢栽诤副P區(qū)域P上形成I/O焊盤。稍后將描述I/O焊盤。因而，I/O焊盤和通孔結(jié)構(gòu)45a至45d可以通過互連結(jié)構(gòu)50電連接。通孔區(qū)域V和焊盤區(qū)域P可以比互連區(qū)域L具有更大的水平寬度。通孔區(qū)域V可以具有至少一個比焊盤區(qū)域P更大的水平寬度。參考圖3E至圖3H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IlE至IlH中的每一個可以具有在下層20上形成的下絕緣層31。通孔結(jié)構(gòu)45e至45h中的相應(yīng)的一個可以配置為穿入下層20、下絕緣層31、使通孔結(jié)構(gòu)45e至45h中的相應(yīng)的一個的頂端暴露的槽55、以及被配置為填充槽55的互連結(jié)構(gòu)50?？梢栽谙陆^緣層31上形成上絕緣層32。上絕緣層32可以不與通孔結(jié)構(gòu)45e至45h中的每一個接觸。下絕緣層31可以插入在上絕緣層32和通孔結(jié)構(gòu)45e至45h中的每一個之間。下絕緣層31的頂端可以與互連阻擋層52接觸。圖3A至圖3H中所示的全部通孔結(jié)構(gòu)45a至45h的組件的頂端都可以具有圓角。圖3A至圖3H中所示的全部通孔結(jié)構(gòu)45a至45h都可以分別具有通孔芯46a至46h、通孔阻擋層47a至47h以及通孔襯墊48a至48h。通孔芯46a至46h、通孔阻擋層47a至47h以及通孔襯墊48a至48h可以分別由如2A至圖2S中所示的各個通孔結(jié)構(gòu)40a至40s的通孔芯41a至41s、通孔阻擋層42a至42s以及通孔襯墊43a至43s來替換。圖4A和圖4B是示出了形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS的方法的流程圖；并且圖5A至圖5G以及圖6A至圖6C是示出了形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS的方法的縱截面圖。參考圖4A和圖5A，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括在下層20中形成通孔結(jié)構(gòu)40 (操作S10)。通孔結(jié)構(gòu)40可以埋入下層20中。通孔結(jié)構(gòu)40可以包括通孔芯41、被配置為包圍通孔芯41的表面的通孔阻擋層42、以及被配置為包圍通孔阻擋層42的表面的通孔襯墊43。將參考本公開的其它附圖來詳細(xì)描述形成通孔結(jié)構(gòu)40的方法。參考圖4A和圖5B，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括地毯式地(blanketly)除去下層20的上部以使通孔結(jié)構(gòu)40的頂部表面和部分側(cè)表面暴露(操作S20)。下層20的頂部表面可以從初始表面SI降低至最終表面S2。通孔襯墊43可以暴露在從降低后的下層20向上突出的通孔結(jié)構(gòu)40的表面上。可替換地，可以暴露通孔阻擋層42。除去下層20的 上部可以包括執(zhí)行研磨工藝、濕法蝕刻工藝和/或干法蝕刻工藝。參考圖4A和圖5C，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括在下層20上形成絕緣層30以覆蓋通孔結(jié)構(gòu)40 (操作S30)。絕緣層30可以包括氧化硅或氮化硅。參考圖4A和圖5D，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括在絕緣層30中形成槽55以使通孔結(jié)構(gòu)40的頂部表面和側(cè)表面暴露(操作S40)。例如，通孔結(jié)構(gòu)40可以突出至槽55內(nèi)。在此工藝期間，可以將暴露在突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40的表面上的通孔襯墊43除去。參考圖4A和圖5E，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括在槽55內(nèi)形成互連阻擋材料層52a (操作S50)。互連阻擋材料層52a可以共形地形成在槽55的內(nèi)壁和底部表面上以及通孔結(jié)構(gòu)40的暴露表面上?；ミB阻擋材料層52a還可以形成在絕緣層30的頂部表面上。
參考圖4A和圖5F，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括在槽55內(nèi)形成互連材料層51a (操作S60)?；ミB材料層51a可以形成在互連阻擋材料層52a上以完全填充槽55。例如，形成互連材料層51a可以包括在互連阻擋材料層52a上形成種子層以及執(zhí)行電鍍工藝?；ミB材料層51a還可以形成在絕緣層30的頂部表面上。參考圖4A和圖5G，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOF的方法可以包括形成互連結(jié)構(gòu)50以填充槽55 (操作S70)。形成互連結(jié)構(gòu)50可以包括將在絕緣層30上形成的互連材料層51a的一部分以及互連阻擋材料層52a的一部分除去。將互連材料層51a的一部分以及互連阻擋材料層52a的一部分除去可以包括執(zhí)行化學(xué)機械拋光(CMP)工藝和/或濕法蝕刻工藝。歸功于該工藝，可以形成具有互連51和互連阻擋層52的互連結(jié)構(gòu)50。隨后，可以在絕緣層30和互連結(jié)構(gòu)50上形成鈍化層60，從而完成了圖2A所示的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA的形成(操作S80)。參考圖4B和圖6A，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG至IOS的方法可以包括執(zhí)行參考圖5A和圖5B描述的工藝(操作SlO和S20)以及在下層20和突出的通孔結(jié)構(gòu)40上形成下絕緣層31 (操作S25)。下絕緣層31可以包括氧化硅。參考圖4B和圖6B，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG至IOS的方法可以包括在下絕緣層31上形成上絕緣層32 (操作S35)。上絕緣層32可以形成為掩埋突出的通孔結(jié)構(gòu)40。上絕緣層32可以包括氮化硅。參考圖4B和圖6C，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG至IOS的方法可以包括在上絕緣層32中形成槽55以使通孔結(jié)構(gòu)40的頂部表面和側(cè)表面暴露(操作S42)。在此工藝期間，可以除去在突出的通孔結(jié)構(gòu)40的表面上形成的下絕緣層31和通孔襯墊43。例如，可以暴露通孔阻擋層42。同樣，下絕緣層31的一部分可以暴露在槽55的底部表面上。此后，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG至IOS的方法可以還包括執(zhí)行參考圖5E至圖5G描述的工藝(操作S50至S80)，從而完成圖2G所示的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG的形成 。圖7A至圖7Q是具有各種形狀的通孔結(jié)構(gòu)40a至40q的概念縱截面圖，在形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOQ的方法中，通孔結(jié)構(gòu)40a至40q暴露在槽55內(nèi)。參考圖7A，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA的方法可以包括將突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40a的通孔襯墊43a除去。通孔阻擋層42a可以覆蓋通孔芯41a的整個表面。參考圖7B，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOB的方法可以包括形成突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40b的通孔襯墊43b，以使通孔阻擋層42b的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋通孔阻擋層42b的側(cè)表面。通孔阻擋層42b可以覆蓋通孔芯41b的整個表面。參考圖7C，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOC的方法可以包括:形成突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40c的通孔阻擋層42c，以使通孔芯41c的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋通孔芯41c的側(cè)表面；以及形成通孔襯墊43c，以使突出至槽55內(nèi)的通孔阻擋層42c的頂端的表面暴露并且全部覆蓋通孔阻擋層42c的側(cè)表面。
參考圖7D，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOD的方法可以包括:形成突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40d的通孔阻擋層42d，以使通孔芯41d的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋通孔芯41d的側(cè)表面；以及形成通孔襯墊43d，以使突出至槽55內(nèi)的通孔阻擋層42d的頂端的表面暴露并且部分覆蓋通孔阻擋層42d的側(cè)表面。參考圖7E，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOE的方法可以包括:形成突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40e的通孔阻擋層42e，以使通孔芯41e的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋通孔芯41e的側(cè)表面；以及形成通孔襯墊43e，以使突出至槽55內(nèi)的通孔阻擋層42e的頂端表面和側(cè)表面暴露。例如，該方法可以包括形成通孔襯墊43e，使得通孔襯墊43e的頂端布置在與槽55的底部表面相同的水平或相似的水平處。參考圖7F，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOF的方法可以包括將突出至槽55內(nèi)的通孔結(jié)構(gòu)40f的通孔阻擋層42f和通孔襯墊43f除去，以使通孔芯41f的頂端表面和側(cè)表面全部暴露。參考圖7G，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOG的方法可以包括形成下絕緣層31g和上絕緣層32g，并且使在槽55內(nèi)的下絕緣層31g的頂端的一部分暴露。通孔芯41g和通孔阻擋層42g可以突出至槽55內(nèi)。下絕緣層31g可以包圍通孔結(jié)構(gòu)40g并且與通孔襯墊43g的側(cè)表面接觸。上絕緣層32g可以與通孔襯墊43g隔離開并且不與通孔襯墊43g接觸。通孔阻擋層42g可以覆蓋突出的通孔芯41g的頂部表面和側(cè)表面。通孔阻擋層42g的頂部表面和側(cè)表面可以與互連阻擋層52直接接觸。在槽55內(nèi)，通孔襯墊43g的頂部表面、下絕緣層31g和上絕緣層32g可以在相同的水平或相似的水平處。參考圖7H，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOH的方法可以包括形成下絕緣層31h和上絕緣層32h，并且使通孔襯墊43h的頂端突出至槽55內(nèi)。

參考圖71，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)101的方法可以包括形成下絕緣層31i和上絕緣層32i，并且使通孔襯墊43i的頂端以及下絕緣層31i的頂端突出至槽55內(nèi)。通孔襯墊43i的頂端以及下絕緣層31i的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖7J，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOJ的方法可以包括形成下絕緣層31j和上絕緣層32j，并且使通孔襯墊43j的頂端以及下絕緣層31j的頂端突出至槽55內(nèi)。通孔襯墊43j的頂端可以布置在比下絕緣層31j的頂端高的水平處。參考圖7K，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOK的方法可以包括形成下絕緣層31k和上絕緣層32k，并且使通孔芯41k突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42k可以部分覆蓋通孔芯41k的側(cè)表面。通孔阻擋層42k的頂端、通孔襯墊43k的頂端、下絕緣層31k的頂端和上絕緣層32k的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖7L，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOL的方法可以包括形成下絕緣層311和上絕緣層321，并且使通孔芯411突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層421可以全部或部分覆蓋通孔芯411的側(cè)表面。通孔阻擋層421可以突出至槽55內(nèi)。通孔襯墊431的頂端、下絕緣層311的頂端和上絕緣層321的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖7M，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOM的方法可以包括形成下絕緣層31m和上絕緣層32m，并且使通孔芯41m突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42m可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔芯41m的側(cè)表面。通孔襯墊43m可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔阻擋層42m的側(cè)表面。參考圖7N，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)ION的方法可以包括形成下絕緣層31η和上絕緣層32η，并且使通孔芯41η突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42η可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔芯41η的側(cè)表面。通孔襯墊43η可以突出至槽55內(nèi)并且全部覆蓋通孔阻擋層42η的側(cè)表面。下絕緣層31η的一部分可以突出至槽55內(nèi)并且全部覆蓋通孔襯墊43η的側(cè)表面。參考圖70，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)100的方法可以包括形成下絕緣層31ο和上絕緣層320，并且使通孔芯41ο突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42ο可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔芯41ο的側(cè)表面。通孔襯墊43ο可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔阻擋層42ο的側(cè)表面。下絕緣層31ο的頂部表面可以布置在與上絕緣層32ο的表面相同的水平或相似的水平處。參考圖7Ρ，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOP的方法可以包括形成下絕緣層31ρ和上絕緣層32ρ，并且使通孔芯41ρ突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42ρ可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔芯41ρ的側(cè)表面。通孔襯墊43ρ可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔阻擋層42ρ的側(cè)表面。下絕緣層31ρ的一部分可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔襯墊43ρ的側(cè)表面。參考圖7Q，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOQ的方法可以包括形成下絕緣層31q和上絕緣層32q，并且使通孔芯41q突出至槽55內(nèi)。通孔阻擋層42q可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔芯41q的側(cè)表面。通孔襯墊43q可以突出至槽55內(nèi)并且全部覆蓋通孔阻擋層42q的側(cè)表面。通孔阻擋層42q的頂端和通孔襯墊43q的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。下絕緣層31q的一部分可以突出至槽55內(nèi)并且部分或全部覆蓋通孔襯墊43q的側(cè)表面。
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形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)的各方法可以包括使用大馬士革工藝來形成互連結(jié)構(gòu)50。因此，互連阻擋層52可以完全包圍互連51的底部表面和側(cè)表面。例如，當(dāng)使用濕法蝕刻工藝或選擇性蝕刻工藝來除去互連阻擋層52時，互連阻擋層52可能不完全包圍互連51的底部或側(cè)表面，因而引起物理的和/或電的不穩(wěn)定。代替光刻和蝕刻工藝，形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)的各方法可以采用CMP工藝。因而，通孔結(jié)構(gòu)40a至40s的節(jié)距和互連結(jié)構(gòu)50的節(jié)距可以變得更微小和更復(fù)雜。在形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)的各方法中的每一個方法中，通孔結(jié)構(gòu)40a至40s可以突出至互連結(jié)構(gòu)50內(nèi)。例如,通孔結(jié)構(gòu)40a至40s可以插入互連結(jié)構(gòu)50中。因此，通孔結(jié)構(gòu)40a至40s與互連結(jié)構(gòu)50之間的接觸面積可以增加，使得通孔結(jié)構(gòu)40a至40s與互連結(jié)構(gòu)50之間的薄層電阻可以減小。而且，由于互連結(jié)構(gòu)50可以由通孔結(jié)構(gòu)40a至40s進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。圖8A至圖8S是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件IOOA至IOOS的概念縱截面圖。參考圖8A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件IOOA可以包括:在襯底101的正面103上形成的內(nèi)部電路230和正面輸入/輸出(I/O)焊盤300 ;在襯底101中形成的硅通孔(TSV)結(jié)構(gòu)400a ;以及在襯底101的背面104上形成的再分布結(jié)構(gòu)500和背面I/O焊盤600。襯底101可以是硅晶圓。例如，襯底101可以包括單晶硅晶圓、包括碳化硅(SiC)層或硅鍺(SiGe)層的硅晶圓、或者包括絕緣層的絕緣體上硅(SOI)晶圓。在本實施例中，假設(shè)襯底101是單晶娃晶圓。包括單元器件200的內(nèi)部電路230可以形成在襯底101的正面103上。例如，單元器件200可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管210和單元圖案(cell pattern)220。MOS晶體管210可以包括互補MOS (CMOS)邏輯電路。單元圖案220可以包括閃存串結(jié)構(gòu)。例如，單元圖案220可以包括多個閃存單元?？商鎿Q地，當(dāng)半導(dǎo)體器件100A為邏輯器件時，單元圖案220可以包括各種單元晶體管。內(nèi)部電路230可以包括多個導(dǎo)電的內(nèi)部通孔240和多層的導(dǎo)電的內(nèi)部互連250。內(nèi)部通孔240可以在垂直方向上連接在襯底101和內(nèi)部互連250之間或者連接在各內(nèi)部互連250之間，并且傳送電信號。內(nèi)部互連250可以在水平方向上傳送電信號。內(nèi)部電路230可以包括導(dǎo)電材料，諸如摻雜娃、金屬、金屬娃化物、金屬合金或金屬化合物。內(nèi)部電路230可以包括正面I/O焊盤通孔插頭270。正面I/O焊盤通孔插頭270可以將最上面的內(nèi)部互連250的一部分與正面I/O焊盤300電連接。正面I/O焊盤通孔插頭270可以包括金屬，諸如銅(Cu)、鋁(Al)或鎢(W)。單元器件200可以由第一層間絕緣層215覆蓋。雖然將第一層間絕緣層215形成為多層類型，但是為了簡潔示出了具有單層結(jié)構(gòu)的第一層間絕緣層215。第一層間絕緣層215可以包括氧化硅或氮化硅。例如，當(dāng)?shù)谝粚娱g絕緣層215是單層時，第一層間絕緣層215可以包括氧化硅。內(nèi)部電路230可以由第二層間絕緣層225覆蓋。雖然可以將第二層間絕緣層225形成為多層類型，但是為了簡潔示出了具有單層結(jié)構(gòu)的第二層間絕緣層225。第二層間絕緣層225可以包括氧化硅或氮化硅。可以在第二層間絕緣層225上形成正面鈍化層265。正面鈍化層265可以包括氧化硅、氮化硅或聚酰亞胺。正面鈍化層265可以具有正面I/O焊盤開口 310，正面I/O焊盤開口 310使正面I/O焊盤通孔插頭270的上部暴露。正面I/O焊盤 300可以形成在正面I/O焊盤開口 310內(nèi)和在正面鈍化層265的表面上。正面鈍化層265可以包圍正面I/O焊盤300的側(cè)表面的一部分。例如，正面I/O焊盤300可以具有反向階梯，而正面鈍化層265可以布置在正面I/O焊盤300的反向階梯的底部表面之下。正面I/O焊盤300可以包括正面I/O焊盤阻擋層320、正面I/O焊盤種子層330、正面I/O焊盤金屬層350、和/或正面I/O焊盤覆蓋層360。正面I/O焊盤阻擋層320可以包括阻擋金屬。例如，正面I/O焊盤阻擋層320可以包括鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈦鎢(TiW)、或其它難熔金屬。正面I/O焊盤種子層330可以包括種子金屬，諸如銅(Cu)、釕(Ru)、鎳(Ni )或鎢(W)。正面I/O焊盤金屬層350可以包括金屬，諸如銅或鎳。正面I/O焊盤覆蓋層360可以包括金(Au)、銀(Ag)或鎳(Ni)。正面I/O焊盤阻擋層320可以是多層類型?？梢栽谝r底101的正面103的上方，例如在第一層間絕緣層215上，形成硅通孔(TSV)焊盤260。TSV焊盤260可以與內(nèi)部電路230的一些電連接。TSV焊盤260可以包括金屬、金屬娃化物或金屬合金。TSV焊盤260可以是多層類型。例如，TSV焊盤260可以包括用作阻擋層的金屬層和用作焊盤的金屬層。例如，TSV焊盤260可以包括:在與TSV結(jié)構(gòu)400a接觸的部分上以相對小的厚度形成的TSV焊盤阻擋層；以及在TSV焊盤阻擋層上作為單層類型或多層類型形成的TSV焊盤金屬層。例如，TSV焊盤阻擋層可以包括由T1、TiN、Ta,TaN或WN制成的金屬或金屬硅化物。TSV焊盤金屬層可以包括諸如鎢(W)、鋁(Al)或銅(Cu)之類的金屬或金屬硅化物。TSV結(jié)構(gòu)400a可以形成為穿透襯底101。TSV結(jié)構(gòu)400a可以包括面向襯底101的正面103的正面端FE以及面向襯底101的背面104的背面端BE。例如，TSV結(jié)構(gòu)400a的正面端FE可以布置為接近于襯底101的正面103，并且TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE可以布置為接近于襯底101的背面104。TSV結(jié)構(gòu)400a可以包括TSV芯410a、TSV阻擋層420a和TSV襯墊430a。TSV芯410a可以形成為柱形，并且TSV芯410a的側(cè)表面可以由TSV阻擋層420a和TSV襯墊430a包圍。例如，TSV芯410a可以包括金屬，諸如銅(Cu)。TSV阻擋層420a可以包括阻擋金屬，諸如T1、TiN、Ta、TaN或TiW。TSV阻擋層420a可以形成為單層類型或多層類型。TSV襯墊430a可以包括絕緣材料，諸如氧化硅。TSV結(jié)構(gòu)400a的正面端FE可以與TSV焊盤260接觸。TSV芯410a可以在TSV結(jié)構(gòu)400a的正面端FE暴露，并且與TSV焊盤260直接接觸。TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE可以從襯底101的背面104的表面突出。例如，TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE的頂部表面和背面端BE的側(cè)表面的一部分可以從襯底101的背面104突出。所示出的是TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE從襯底101的背面104向下突出。TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE的頂部表面和背面端BE的側(cè)表面的該部分可以由TSV阻擋層420a覆蓋。TSV襯墊430a可以不形成在TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE的頂部表面和TSV結(jié)構(gòu)400a的側(cè)表面的部分上。例如，TSV阻擋層420a可以與再分布結(jié)構(gòu)500直接接觸。

可以在襯底101的背面104上形成背面絕緣層285a。背面絕緣層285a可以包括氧化娃或氮化娃。背面絕緣層285a可以包括槽550。槽550可以包括再分布槽551和對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment key)槽 552?？梢栽谠俜植疾?51內(nèi)形成再分布結(jié)構(gòu)500。再分布結(jié)構(gòu)500可以包括再分布阻擋層520和再分布互連510。TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE可以突出至再分布槽551內(nèi)。再分布阻擋層520可以形成在TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE的暴露表面上。例如，再分布阻擋層520可以共形地形成在可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE的頂部表面和側(cè)表面上。TSV阻擋層420a可以在可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BE上暴露，并且與再分布阻擋層520直接接觸。再分布阻擋層520可以沿著可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400a的輪廓共形地形成。背面絕緣層285a可以包圍TSV結(jié)構(gòu)400a的側(cè)表面的一部分。例如，在再分布槽551下面形成的背面絕緣層285a可以包圍TSV結(jié)構(gòu)400a的側(cè)表面的該部分。當(dāng)被埋入襯底101或背面絕緣層285a中的TSV結(jié)構(gòu)400a的側(cè)表面由具有第一厚度的單阻擋層(例如，TSV阻擋層420a)包圍時，突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400a的表面可以具有第二厚度的多層阻擋層(例如，TSV阻擋層420a和再分布阻擋層520)。第二厚度可以大于第一厚度。例如，TSV結(jié)構(gòu)400a的可不與再分布結(jié)構(gòu)500接觸的部分可以具有相對薄的阻擋層，而TSV結(jié)構(gòu)400a的可與再分布結(jié)構(gòu)500接觸的部分可以具有相對厚的阻擋層。可以在對準(zhǔn)標(biāo)記槽552內(nèi)形成對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560。對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560可以包括對準(zhǔn)標(biāo)記阻擋層570和對準(zhǔn)標(biāo)記圖案580。對準(zhǔn)標(biāo)記槽552可以具有與再分布槽551相同的深度?？梢砸耘c再分布阻擋層520相同的厚度、相同的材料來形成對準(zhǔn)標(biāo)記阻擋層570?？梢砸耘c再分布互連510相同的材料來形成對準(zhǔn)標(biāo)記圖案580?？梢栽谠俜植冀Y(jié)構(gòu)500和對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560上形成背面鈍化層275a。背面鈍化層275a可以包括氧化硅、氮化硅或聚酰亞胺。背面鈍化層275a可以具有使再分布互連510的一部分暴露的背面I/O焊盤開口 610?？梢栽诒趁鍵/O焊盤開口 610內(nèi)和在背面鈍化層275a的表面上形成背面I/O焊盤600。背面I/O焊盤600可以包括背面I/O焊盤阻擋層620、背面I/O焊盤種子層630、背面I/O焊盤金屬層650、和/或背面I/O焊盤覆蓋層660。背面I/O焊盤阻擋層620可以包括阻擋金屬。例如，背面1/0焊盤阻擋層620可以包括11、11隊1&、1&隊111或其它難熔金屬。背面I/O焊盤阻擋層620可以形成為單層類型或多層類型。背面I/O焊盤種子層630可以包括種子金屬，諸如銅(Cu)、釕(Ru)、鎳或鎢(W)。背面I/O焊盤金屬層650可以包括金屬，諸如銅或鎳。背面I/O焊盤覆蓋層660可以包括金(Au)、銀(Ag)或鎳(Ni)。例如，正面I/O焊盤300和背面I/O焊盤600可以在垂直方向上對準(zhǔn)。參考圖SB，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100B可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的T SV結(jié)構(gòu)400b。TSV結(jié)構(gòu)400b可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410b和TSV阻擋層420b。例如，TSV阻擋層420b可以覆蓋TSV芯410b的全部頂部表面和側(cè)表面，并且TSV襯墊430b可以覆蓋TSV阻擋層420b的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430b的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在再分布槽551內(nèi)，并且與再分布阻擋層520接觸。參考圖SC，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100C可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400c。TSV結(jié)構(gòu)400c可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410c、TSV阻擋層420c和TSV襯墊430c。例如，TSV阻擋層420c可以覆蓋TSV芯410c的側(cè)表面的一部分，而TSV襯墊430c可以覆蓋TSV阻擋層420c的側(cè)表面。TSV阻擋層420c的頂端可以與TSV襯墊430c的頂端表面處于相似的水平處。TSV阻擋層420c的頂端以及TSV襯墊430c的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在再分布槽551內(nèi)，并且與再分布阻擋層520接觸。TSV芯410c可以與再分布阻擋層520直接接觸。參考圖8D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100D可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400d。TSV結(jié)構(gòu)400d可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410d、TSV阻擋層420d和TSV襯墊430d。例如，TSV阻擋層420d可以覆蓋TSV芯410d的側(cè)表面的一部分，并且TSV襯墊430d可以覆蓋TSV阻擋層420d的側(cè)表面的一部分。TSV阻擋層420d的頂端可以處于比TSV襯墊430d的頂端高的水平處。TSV阻擋層420d的頂端和部分側(cè)表面以及TSV襯墊430d的頂端和部分側(cè)表面可以暴露在再分布槽551內(nèi)，并且與再分布阻擋層520接觸。參考圖SE，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100E可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400e。TSV結(jié)構(gòu)400e可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410e和TSV阻擋層420e。例如，TSV芯410e的上部和/或部分側(cè)表面可以不被TSV阻擋層420e覆蓋而是暴露著的。TSV芯410e的上部和/或部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520直接接觸。TSV襯墊430e的頂端可以處在與背面絕緣層285e的表面相同的水平或相似的水平處。參考圖8F，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100F可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400f。TSV結(jié)構(gòu)400f可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410f。例如，TSV芯410f的上部和部分側(cè)表面可以不被TSV阻擋層420f覆蓋而是暴露著的。例如，只有TSV芯410f可突出至再分布槽551內(nèi)。突出的TSV芯410f的上部和側(cè)表面可以與再分布阻擋層520直接接觸。TSV阻擋層420f的頂端和TSV襯墊430f的頂端可以處在與背面絕緣層285f的表面相同的水平或相似的水平處。參考圖8G，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100G可以包括:在襯底101的背面?zhèn)?04上形成的下背面絕緣層287g;在下背面絕緣層287g上形成的并且具有槽550的上背面絕緣層289g;以及可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410g和TSV阻擋層420g。下背面絕緣層287g可以與TSV結(jié)構(gòu)400g的側(cè)表面接觸。下背面絕緣層287g的、可與TSV結(jié)構(gòu)400g的背面端BE接近的部分可以與再分布阻擋層520接觸。下背面絕緣層287g可以形成在襯底101的背面104上并且覆蓋TSV結(jié)構(gòu)400g的側(cè)表面的一部分。上背面絕緣層289g可以形成在下背面絕緣層287g上并且具有槽550。上背面絕緣層289g可以不與TSV結(jié)構(gòu)400g的側(cè)表面接觸并且與TSV結(jié)構(gòu)400g的側(cè)表面隔離開。例如，下背面絕緣層287g可以插入在上背面絕緣層289g和TSV結(jié)構(gòu)400g之間。TSV阻擋層420g可以覆蓋突出的TSV芯410g的頂部表面和側(cè)表面。TSV阻擋層420g的頂部表面和側(cè)表面可以與再分布阻擋層520直接接觸。在再分布槽551內(nèi)，TSV襯墊430g的頂部表面、下背面絕緣層287g的頂部表面和上背面絕緣層289g的頂部表面可以處在相同的水平或相似的水平處。參考圖8H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100H可以包括下背面絕緣層287h和上背面絕緣層289h，并且還包括突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400h。TSV阻擋層420h可以覆蓋TSV芯410h的頂部表面和側(cè)表面。TSV襯墊430h可以覆蓋突出的TSV阻擋層420h的側(cè)表面的一部分。例如，TSV襯墊430h的頂端可以在再分布槽551內(nèi)從下背面絕緣層287h和上背面絕緣層289h的表面突出。TSV阻擋層420h的上部和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520直接接觸。參考圖81，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件1001可以包括下背面絕緣層287i和上背面絕緣層289i。半導(dǎo)體器件1001可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400i和下背面絕緣層287i。下背面絕緣層287i的突出部可以覆蓋TSV襯墊430i的側(cè)表面的一部分。下背面絕緣層287i的突出部的頂端以及TSV襯墊430i的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。下背面絕緣層287i的側(cè)表面的一部分可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖8J，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100J可以包括下背面絕緣層287j和上背面絕緣層289j。半導(dǎo)體器件100J可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400j和下背面絕緣層287j。下背面絕緣層287j的突出部可以覆蓋TSV襯墊430j的側(cè)表面的一部分。下背面絕緣層287j的側(cè)表面的一部分可以與再分布阻擋層520接觸。參 考圖8K，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100K可以包括下背面絕緣層287k和上背面絕緣層289k，并且還包括突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410k。例如，TSV阻擋層420k的表面、TSV襯墊430k的表面、下背面絕緣層287k的表面和上背面絕緣層289k的表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的TSV芯410k的頂部表面和側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖8L，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100L可以包括下背面絕緣層2871和上背面絕緣層2891，并且還包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯4101和TSV阻擋層4201。例如，TSV阻擋層4201可以覆蓋TSV芯4101的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊4301的表面、下背面絕緣層2871的表面和上背面絕緣層2891的表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的TSV芯4101的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖SM，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100M可以包括下背面絕緣層287m和上背面絕緣層289m，并且還包括突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400m。例如，TSV阻擋層420m可以覆蓋TSV芯410m的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430m可以覆蓋TSV阻擋層420m的側(cè)表面。TSV阻擋層420m的頂端和TSV襯墊430m的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。下背面絕緣層287m的表面和上背面絕緣層289m的表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的TSV芯410m的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖SN，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100N可以包括下背面絕緣層287η和上背面絕緣層289η。半導(dǎo)體器件100Ν可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400η和下背面絕緣層287η。例如，TSV阻擋層420η可以覆蓋TSV芯410η的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430η可以覆蓋TSV阻擋層420η的側(cè)表面。突出的下背面絕緣層287η可以覆蓋TSV襯墊430的側(cè)表面。TSV阻擋層420η的頂端、TSV襯墊430η的頂端和下背面絕緣層287η的頂端可以布置在相同的水平或相似的 水平處。突出的TSV芯410η的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖80，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件1000可以包括下背面絕緣層287ο和上背面絕緣層289ο，并且還包括突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400ο。例如，TSV阻擋層420ο可以覆蓋TSV芯410ο的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430ο可以覆蓋TSV阻擋層420ο的側(cè)表面的一部分。突出的TSV芯410ο的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖8Ρ，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100Ρ可以包括下背面絕緣層287ρ和上背面絕緣層289ρ。半導(dǎo)體器件100Ρ可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400ρ和下背面絕緣層287ρ。例如，TSV阻擋層420ρ可以覆蓋TSV芯410ρ的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430ρ可以覆蓋TSV阻擋層420ρ的側(cè)表面的一部分。突出的下背面絕緣層287ρ可以覆蓋TSV襯墊430ρ的側(cè)表面的一部分。突出的TSV芯410ρ的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖8Q，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100Q可以包括下背面絕緣層287q和上背面絕緣層289q。半導(dǎo)體器件100Q可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400q和下背面絕緣層287q。例如，TSV阻擋層420q可以覆蓋TSV芯410q的暴露的側(cè)表面的一部分。TSV襯墊430q可以覆蓋TSV阻擋層420q的暴露的表面。TSV襯墊430q的頂端TSV阻擋層420q的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。突出的下背面絕緣層287q可以覆蓋TSV襯墊430q的側(cè)表面的一部分。TSV芯410q的頂部表面和部分側(cè)表面可以與再分布阻擋層520接觸。參考圖SR，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100R可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV芯410r和TSV阻擋層420r。TSV阻擋層420r可以全部覆蓋TSV芯410r的暴露的側(cè)表面。TSV芯410r的頂端和TSV阻擋層420r的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖8S，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件100S可以包括可突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400s，并且TSV襯墊430s可以部分或全部覆蓋TSV阻擋層420s的暴露的表面。TSV芯410s的頂端和TSV阻擋層420s的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件100A至100S中的每一個可以包括使用大馬士革工藝形成的再分布結(jié)構(gòu)500。因此，再分布阻擋層520可以完全包圍再分布互連510的底部表面和側(cè)表面。例如，當(dāng)使用濕法蝕刻工藝或選擇性蝕刻工藝來除去再分布阻擋層520時，再分布阻擋層520可能不完全包圍再分布互連510的底部或側(cè)表面，因而引起物理的和/或電的不穩(wěn)定。代替光刻和蝕刻工藝，可以使用CMP工藝來平面地形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件100A至100S，并且TSV結(jié)構(gòu)400a至400s的節(jié)距和再分布結(jié)構(gòu)500的節(jié)距可以變得更微小和更復(fù)雜。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件100A至100S的每一個中，TSV結(jié)構(gòu)400a至400s可以突出至再分布結(jié)構(gòu)500。例如，TSV結(jié)構(gòu)400a至400s可以插入至再分布結(jié)構(gòu)500。因此，TSV結(jié)構(gòu)400與再分布結(jié)構(gòu)500之間的接觸面積可以增加，使得TSV結(jié)構(gòu)400a至400s與再分布結(jié)構(gòu)500之間的薄層電阻可以減小。而且，由于再分布結(jié)構(gòu)500可以由TSV結(jié)構(gòu)400a至400s進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。圖9A至圖9J是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件100A至100S的方法的流程圖，圖1OA至圖1OX是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖9A和圖10 A，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101的正面103上形成單元器件200 (操作S102)。將參考圖8A來理解對單元器件200的描述。單元器件200可以由第一層間絕緣層215覆蓋。第一層間絕緣層215可以包括氧化硅。參考圖9A和圖10B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101中形成TSV孔401 (操作S104)。形成TSV孔401可以包括:在第一層間絕緣層215上形成TSV孔掩膜圖案450，并且使用TSV孔掩膜圖案450作為蝕刻掩膜對襯底101和第一層間絕緣層215進行蝕刻。TSV孔掩膜圖案450可以包括氮化硅、氮氧化硅或有機材料。TSV孔401的最下端可以布置在襯底101的內(nèi)部，例如，在主體中。TSV孔401可以不穿透襯底101的背面104。在形成TSV孔401后，可以除去TSV孔掩膜圖案450。參考圖9A和圖10C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV孔401的內(nèi)壁上共形地形成TSV襯墊430(操作S106)。TSV襯墊430可以包括氧化硅或氮化硅。例如，可以使用原子層沉積(ALD)工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝或亞常壓CVD (SACVD)工藝在TSV孔401的內(nèi)壁上共形地沉積TSV襯墊430?？商鎿Q地，可以通過使用熱氧化工藝來對TSV孔401的內(nèi)壁進行熱氧化而獲得TSV襯墊430。在本實施例中，假設(shè)TSV襯墊430包括使用SACVD工藝形成的氧化硅層。參考圖9A和圖10D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV襯墊430上形成TSV阻擋層420和TSV種子層425(操作S108)。形成TSV阻擋層420可以包括使用諸如濺射工藝之類的物理氣相沉積(PVD)工藝或金屬有機CVD (MOCVD)工藝在TSV襯墊430上共形地形成阻擋金屬。TSV阻擋層420可以包括T1、TiN、Ta、TaN或WN。TSV阻擋層420可以形成為單層類型或多層類型。形成TSV種子層425可以包括使用PVD工藝或CVD工藝在TSV阻擋層420上共形地形成銅(Cu)、釕(Ru)、鎢(W)或其它種子金屬。參考圖9A和圖10E，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV芯材料層410ml以填充TSV孔401(操作S110)。可以使用電鍍工藝來形成TSV芯材料層410ml。當(dāng)TSV種子層425和TSV芯材料層410ml包括相同的材料時，其間的邊界可以消失。例如，當(dāng)TSV種子層425和TSV芯材料層410ml包括銅(Cu)時，其間的邊界可以消失。因此，在圖1OE中未示出TSV種子層425。參考圖9A和圖10F，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S112)。TSV結(jié)構(gòu)400可以包括TSV芯410、TSV阻擋層420和TSV襯墊430。形成TSV結(jié)構(gòu)400可以包括使用CMP工藝來將可以在第一層間絕緣層215的頂部表面上形成的TSV芯材料層410ml、TSV種子層425和TSV襯墊430除去。例如，形成TSV結(jié)構(gòu)400可以包括:使用第一 CMP工藝來將TSV芯材料層410ml和TSV種子層425除去；使用第二 CMP 工藝來將TSV阻擋層420除去；以及使用濕法蝕刻工藝或清洗工藝來將TSV襯墊430除去?？商鎿Q地，形成TSV結(jié)構(gòu)400可以包括:使用CMP工藝來將TSV芯材料層410ml和TSV種子層425除去；以及使用濕法蝕刻工藝或清洗工藝來將TSV阻擋層420和/或TSV襯墊430除去。參考圖9A和圖10G，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101的正面103上形成內(nèi)部電路230(操作S114)。內(nèi)部電路230可以包括多個導(dǎo)電的內(nèi)部通孔240和多層的導(dǎo)電的內(nèi)部互連250。每一個內(nèi)部通孔240可以示出為垂直延伸的柱形，每一個內(nèi)部互連250可以示出為水平延伸的臺形。內(nèi)部電路230可以由第一層間絕緣層215和第二層間絕緣層225覆蓋。TSV焊盤260可以與襯底101的表面隔離開，并且形成在第二層間絕緣層225中。例如，TSV焊盤260可以形成在第一層間絕緣層215上。TSV焊盤260可以包括諸如W、Cu、Al之類的金屬或其它金屬。雖然第二層間絕緣層225將被形成為多層類型，但是為了簡潔將第二層間絕緣層225示出為單層類型。參考圖9A和圖10H，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在第二層間絕緣層225上形成正面I/O焊盤通孔插頭270和正面鈍化層265(操作SI 16)。正面I/O焊盤通孔插頭270可以包括金屬。例如，正面I/O焊盤通孔插頭270可以包括最上面的金屬層。正面鈍化層265可以包括氮化硅、氧化硅或聚酰亞胺。正面鈍化層265可以包括使正面I/O焊盤通孔插頭270的上部暴露的下正面I/O焊盤開口 311。參考圖9A和圖101，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在下正面I/o焊盤開口 311內(nèi)形成正面I/O焊盤阻擋層320和正面I/O焊盤種子層330(操作S118)。形成正面I/O焊盤阻擋層320可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或MOCVD工藝在正面鈍化層265上共形地形成阻擋金屬。正面I/O焊盤阻擋層320可以包括T1、TiN、Ta、TaN、WN或其它難熔金屬。正面I/O焊盤阻擋層320可以形成為單層類型或多層類型。形成正面I/O焊盤種子層330可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或CVD工藝在正面I/O焊盤阻擋層320上共形地形成銅(Cu)、釕(Ru)、鎢(W)或其它金屬。參考圖9A和圖10J，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在正面I/o焊盤種子層330上形成正面I/O焊盤掩膜圖案340(操作S120)。正面I/O焊盤掩膜圖案340可以具有使下正面I/O焊盤開口 311暴露的上正面I/O焊盤開口 312。正面I/O焊盤掩膜圖案340可以包括光致抗蝕劑。參考圖9A和圖10K，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成初步的正面I/o焊盤300p(操作S122)。形成初步的正面I/O焊盤300p可以包括分別在下正面I/O焊盤開口 311和上正面I/O焊盤開口 312內(nèi)形成正面I/O焊盤金屬層350和正面I/O焊盤覆蓋層360。形成正面I/O焊盤金屬層350可以包括使用電鍍工藝來形成諸如鎳(Ni)或鎢(W)之類的金屬層。形成正面I/O焊盤覆蓋層360可以包括在正面I/O焊盤金屬層350上電鍍金、鎳或銀。參考圖9A和圖10L，制造根據(jù) 本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成正面I/o焊盤300 (操作S124)。形成正面I/O焊盤300可以包括使用濕法蝕刻工藝來除去正面I/O焊盤掩膜圖案340以及除去暴露在正面鈍化層265上的正面I/O焊盤阻擋層320和正面I/O焊盤種子層330。參考圖9A和圖10M，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將襯底101顛倒過來并且將襯底101安裝在晶圓支撐載體WSC上(操作S126)。可以在晶圓支撐載體WSC上布置墊層Wc以保護正面I/O焊盤300不受物理沖擊。參考圖9A和圖10N，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括地毯式地和/或選擇性地將襯底101的背面104除去以使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE暴露(操作S128)。例如，可以使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE的頂部表面和部分側(cè)表面暴露。將襯底101的背面104除去可以包括例如研磨工藝和/或回蝕工藝(etchback process)。參考圖9B和圖100，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成背面絕緣層285以覆蓋暴露的TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S130)。背面絕緣層285可以是包括氮化硅的單層。參考圖9B和圖10P，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在背面絕緣層285中形成槽550 (操作S132)。槽550可以包括再分布槽551和對準(zhǔn)標(biāo)記槽552。再分布槽551可以使TSV結(jié)構(gòu)400的一部分暴露。例如，再分布槽551可以使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE的頂部表面和側(cè)表面暴露。在此工藝期間，可以將暴露的TSV襯墊430除去以使TSV阻擋層420暴露。參考圖9B和圖10Q，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在再分布槽551內(nèi)形成再分布阻擋層520和再分布種子層530 (操作S134)。再分布阻擋層520和再分布種子層530可以共形地形成在再分布槽551的底部表面和內(nèi)壁以及TSV結(jié)構(gòu)400的暴露表面上。形成再分布阻擋層520可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或MOCVD工藝在背面絕緣層285上形成阻擋金屬。再分布阻擋層520可以包括T1、TiN、Ta、TaN、WN或其它難熔金屬。再分布阻擋層520可以形成為單層類型或多層類型。形成再分布種子層530可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或CVD工藝在再分布阻擋層520上共形地形成銅(Cu)、釕(Ru)、鎢(W)或其它金屬。在此工藝期間，也可以在對準(zhǔn)標(biāo)記槽552內(nèi)形成再分布阻擋層520和再分布種子層530?？梢栽赥SV結(jié)構(gòu)400的暴露表面上形成雙層，例如TSV阻擋層420和再分布阻擋層520。參考圖9B和圖10R，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成再分布互連材料層510a (操作S136)。形成再分布互連材料層510a可以包括使用電鍍工藝來完全填充再分布槽551。當(dāng)再分布互連材料層510a和再分布種子層530包括相同的材料時，其間的邊界可以消失。為了附圖的簡介，再分布互連材料層510a和再分布種子層530之間的邊界被省略。當(dāng)再分布互連材料層510a和再分布種子層530包括不同的材料時，其間的邊界可以存在。再分布互連材料層510a還可以填充對準(zhǔn)標(biāo)記槽552。參考圖9B和圖10S，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成再分布結(jié)構(gòu)500 (操作S138)。形成再分布結(jié)構(gòu)500可以包括:使用CMP工藝來將暴露在背面絕緣層285的頂部表面上的再分布互連材料層510a、再分布種子層530和再分布阻擋層520除去。例如，形成再分布結(jié)構(gòu)500可以包括:使用第一 CMP工藝來將再分布互連材料層510a和再分布種子層530除去；以及使用第二 CMP工藝來將再分布阻擋層520除去。在此工藝期間，可以形成再分布互連510和對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560。可替換地，形成再分布結(jié)構(gòu)500可以包括:使用CMP工藝來將再分布互連材料層510a和再分布種子層530除去；以及使用濕法蝕刻工藝來將再分布阻擋層520除去。參考圖9B和圖10T，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成背面鈍化層275(操作S140)。背面鈍化層275可以具有使再分布互連510的表面部分暴露的下背面I/O焊盤開口 611。背面鈍化層275可以包括氧化硅、氮化硅或聚酰亞胺。參考圖9B和圖10U，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在下背面I/o焊盤開口 611內(nèi)和/或在背面鈍化層275上形成背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630 (操作S142)。形成背面I/O焊盤阻擋層620可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或MOCVD工藝在背面鈍化層275上共形地形成阻擋金屬。背面I/O焊盤阻擋層620可以包括T1、TiN、Ta、TaN或WN。背面I/O焊盤阻擋層620可以形成為單層類型或多層類型。形成背面I/O焊盤種子層630可以包括使用諸如濺射工藝之類的PVD工藝或CVD工藝在背面I/O焊盤阻擋層620上形成銅(Cu)、釕(Ru)、鎢(W)或其它金屬。參考圖9B和圖10V，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在背面I/o焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630上形成背面I/O焊盤掩膜圖案640(操作S144)。背面I/O焊盤掩膜圖案640可以具有使下背面I/O焊盤開口 611暴露的上背面I/O焊盤開口 612。背面I/O焊盤掩膜圖案640可以包括光致抗蝕劑。參考圖9B和圖10W，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成初步的背面I/O焊盤600p (操作S146)。形成初步的背面I/O焊盤600p可以包括:在下背面I/O焊盤開口 611和上背面I/O焊盤開口 612內(nèi)形成背面I/O焊盤金屬層650和背面I/O焊盤覆蓋層660。形成背面I/O焊盤金屬層650可以包括使用電鍍工藝來形成諸如鎳(Ni)或鎢(W)之類的金屬層。形成背面I/O焊盤覆蓋層660可以包括在背面I/O焊盤金屬層650上電鍍金(Au)或銀(Ag)。參考圖9B 和圖10X，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成背面I/o焊盤600 (操作S148)。形成背面I/O焊盤600可以包括使用濕法蝕刻工藝來將背面I/o焊盤掩膜圖案640除去并且將暴露在背面鈍化層275上的背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630除去。隨后，可以將所得到的結(jié)構(gòu)從晶圓支撐載體WSC分離，從而完成圖8A所示的半導(dǎo)體器件100A的形成。圖1lA至圖1lD是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖9C和圖11A，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:參考圖9A和圖1OA至圖1ON使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE暴露；以及形成下背面絕緣層287以覆蓋TSV結(jié)構(gòu)400的暴露的背面端BE (操作S129A)。下背面絕緣層287可以共形地形成在襯底101的表面和TSV結(jié)構(gòu)400的暴露的表面上。下背面絕緣層287可以包括氧化硅。參考圖9C和圖11B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在下背面絕緣層287上形成上背面絕緣層289(操作S129B)。與下背面絕緣層287相比，上背面絕緣層289可以形成為更大的厚度。上背面絕緣層289可以包括氮化硅。參考圖9C和圖11C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在上背面絕緣層289中形成槽550以使TSV結(jié)構(gòu)400的表面暴露(操作S132A)。槽550可以包括再分布槽551和對準(zhǔn)標(biāo)記槽552。再分布槽551可以使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE的頂部表面和側(cè)表面暴露。在此工藝期間，可以將暴露的TSV襯墊430除去。下背面絕緣層287的一部分可以暴露在再分布槽551的底部表面上。參考圖9C和圖11D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括通過執(zhí)行參考圖9B和圖1OQ至圖1OX所描述的各工藝(操作S134至S148)來形成背面I/O焊盤600。再分布阻擋層520的一部分和下背面絕緣層287的一部分可以與TSV結(jié)構(gòu)400的側(cè)表面接觸。圖12A至圖12G是示出`了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖9D和圖12A，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101中形成TSV孔401 (操作S202)。在襯底101中形成TSV孔401可以包括在襯底101的正面103上形成TSV孔掩膜圖案450，并且使用TSV孔掩膜圖案450作為蝕刻掩膜對襯底101進行蝕刻。TSV孔掩膜圖案450可以包括氧化硅和/或氮化硅。TSV孔掩膜圖案450可以形成為單層類型或多層類型。例如，可以在襯底101上形成氧化硅層，并且可以在氧化硅層上形成氮化硅層。在本實施例中，在概念上假設(shè)TSV孔掩膜圖案450為單材料層。TSV孔401的最下端可以布置在襯底101中，例如，在主體中。在形成TSV孔401后，可以除去TSV孔掩膜圖案450。參考圖9D和圖12B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV孔401的內(nèi)壁上共形地形成TSV襯墊430 (操作S204)。然后，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV襯墊430上共形地形成TSV阻擋層420和TSV種子層425 (操作S206)。參考圖9D和圖12C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV芯材料層410ml以填充TSV孔401 (操作S208)。參考圖9D和圖12D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S210)。參考圖9D和圖12E，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成內(nèi)部電路230和正面I/O焊盤300(操作S212)?？梢圆恍纬蓤D1OG至圖1lD的TSV焊盤260。例如，TSV結(jié)構(gòu)400可以與內(nèi)部通孔240中的一個直接接觸。參考圖9D和圖12F，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將襯底101顛倒過來并且將襯底101安裝在晶圓支撐載體WSC上(操作S214)。而且，該方法可以包括地毯式地和/或選擇性地除去襯底101的背面104以使TSV結(jié)構(gòu)400的一部分暴露(操作S216)。參考圖9E和圖12G并且還參考圖100至圖10X，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:形成背面絕緣層285以覆蓋暴露的TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S218);在背面絕緣層285中形成槽550 (操作S220);在槽550中形成再分布阻擋層520和再分布種子層530 (操作S222);形成再分布互連材料層510a (操作S224);形成再分布結(jié)構(gòu)500 (操作S226);形成具有下背面I/O焊盤開口 611以使再分布互連510的表面部分暴露的背面鈍化層275 (操作S228);在下背面I/O焊盤開口 611內(nèi)和/或在背面鈍化層275上，形成背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630 (操作S230);在背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊 盤種子層630上，形成具有上背面I/O焊盤開口 612以使下背面I/O焊盤開口 611暴露的背面I/O焊盤掩膜圖案640 (操作S232);形成初步的背面I/O焊盤600p (操作S234);以及形成背面I/O焊盤600 (操作S236)。示例性地示出了再分布種子層530和再分布互連510之間的邊界。圖13A至圖13D是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖9F和圖13A，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括參考圖9D和圖12A至圖12F使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE暴露，并且形成下背面絕緣層287以覆蓋在襯底101的背面104上暴露的TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S219A)。參考圖9F和圖13B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在下背面絕緣層287上形成上背面絕緣層289 (操作S219B)。參考圖9F和圖13C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在上背面絕緣層289中形成再分布槽551以使TSV結(jié)構(gòu)400的表面暴露(操作S220A)。例如，再分布槽551可以使TSV結(jié)構(gòu)400的背面端BE的頂部表面和側(cè)表面暴露。在此工藝期間，可以除去暴露的TSV襯墊430。下背面絕緣層287的一部分可以暴露在再分布槽551的底部表面上。參考圖9E和圖13D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:在槽550內(nèi)形成再分布阻擋層520和再分布種子層530 (操作S222);形成再分布互連材料層510a (操作S224);形成再分布結(jié)構(gòu)500 (操作S226);形成具有下背面I/O焊盤開口 611以使再分布互連510的表面部分暴露的背面鈍化層275 (操作S228);在下背面I/O焊盤開口 611內(nèi)和/或在背面鈍化層275上，形成背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630 (操作S230);在背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630上，形成具有上背面I/O焊盤開口 612以使下背面I/O焊盤開口 611暴露的背面I/O焊盤掩膜圖案640 (操作S232);形成初步的背面I/O焊盤600p (操作S234);以及形成背面I/O焊盤600 (操作 S236)。圖14A至圖14Q是在制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的方法中，具有各種形狀的TSV結(jié)構(gòu)400a至400q的概念縱截面圖，TSV結(jié)構(gòu)400a至400q暴露在再分布槽551內(nèi)。參考圖14A，可以從突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400a的背面端BEa除去TSV襯墊430a，以使TSV阻擋層420a暴露。TSV阻擋層420a可以覆蓋TSV芯410a的整個表面。參考圖14B，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400b的背面端BEb中，TSV襯墊430b可以使TSV阻擋層420b的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋TSV阻擋層420b的側(cè)表面。TSV阻擋層420b可以覆蓋TSV芯410b的整個表面。參考圖14C，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400c的背面端BEc中，TSV阻擋層420c可以使TSV芯410c的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋TSV芯410c的側(cè)表面，TSV襯墊430c可以使突出至再分布槽551內(nèi)的TSV阻擋層420c的頂端的表面暴露并且覆蓋TSV阻擋層420c的整個側(cè)表面。參考圖14D，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400d的背面端BEd中，TSV阻擋層420d可以使TSV芯410d的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋TSV芯410d的側(cè)表面，TSV襯墊430d可以使突出至再分布槽551內(nèi)的TSV阻擋層420d的頂端的表面暴露并且部分覆蓋TSV阻擋層420d的側(cè)表面?！⒖紙D14E，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400e的背面端BEe中，TSV阻擋層420e可以使TSV芯410e的頂端的表面暴露并且部分或全部覆蓋TSV芯410e的側(cè)表面，TSV襯墊430e可以使突出至再分布槽551內(nèi)的TSV阻擋層420e的頂端和側(cè)表面暴露。例如，TSV襯墊430e的頂端可以形成在與再分布槽551的底部表面相同的水平或相似的水平處。參考圖14F，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400f的背面端BEf中，可以將TSV阻擋層420f和TSV襯墊430f除去以使TSV芯410f的頂端和側(cè)表面全部暴露。參考圖14G，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400g的背面端BEg中，下背面絕緣層287的頂端的一部分可以暴露在上背面絕緣層289的再分布槽551內(nèi)。TSV芯410g和TSV阻擋層420g可以突出至再分布槽551內(nèi)。下背面絕緣層287可以包圍TSV結(jié)構(gòu)400g，并且與TSV襯墊430g的側(cè)表面接觸。上背面絕緣層289可以與TSV襯墊430g隔離開，并且不與TSV襯墊430g接觸。TSV阻擋層420g可以覆蓋突出的TSV芯410g的頂部表面和側(cè)表面。在再分布槽551內(nèi)，TSV襯墊430g的頂部表面、下背面絕緣層287的頂部表面和上背面絕緣層289的頂部表面可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖14H，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400h的背面端BEh中，TSV襯墊430h的頂端可以突出至再分布槽551內(nèi)。參考圖141，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400i的背面端BEi中，TSV襯墊430 的頂端和下背面絕緣層287的頂端可以突出至再分布槽551內(nèi)。TSV襯墊430i的頂端和下背面絕緣層287的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖14J，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400 j的背面端BE j中，TSV襯墊430j的頂端和下背面絕緣層287的頂端可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且TSV襯墊430j的頂端可以布置在比下背面絕緣層287的頂端高的水平處。
參考圖14K，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400k的背面端BEk中，TSV芯410k可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且TSV阻擋層420k可以部分覆蓋TSV芯410k的側(cè)表面。TSV阻擋層420k的頂端、TSV襯墊430k的頂端、下背面絕緣層287的頂端和上背面絕緣層289的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖14L，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)4001的背面端BEl中，TSV芯4101可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且TSV阻擋層4201可以部分或全部覆蓋TSV芯4101的側(cè)表面。TSV阻擋層4201可以突出至再分布槽551內(nèi)。TSV襯墊4301的頂端、下背面絕緣層287的頂端和上背面絕緣層289的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。參考圖14M，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400m的背面端BEm中，TSV芯410m可以突出至再分布槽551內(nèi)，TSV阻擋層420m可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV芯410m的側(cè)表面。TSV襯墊430m可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV阻擋層420m的側(cè)表面。參考圖14N，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400η的背面端BEn中，TSV芯410η可以突出至再分布槽551內(nèi)，TSV阻擋層420η可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV芯410η的側(cè)表面。TSV襯墊430η可以突出至再分布槽551內(nèi)并且全部覆蓋TSV阻擋層420η的側(cè)表面。下背面絕緣層287的一部分可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且全部覆蓋TSV襯墊430η的側(cè)表面。參考圖140，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400ο的背面端BEo中，TSV芯410ο可以突出至再分布槽551內(nèi)，TSV阻擋層420ο可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV芯410ο的側(cè)表面。TSV襯墊430ο可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV阻擋層420ο的側(cè)表面。下背面絕緣層287的頂部表面可布置在與上背面絕緣層289的表面相同的水平或相似的水平處。參考圖14Ρ，在突 出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400ρ的背面端BEp中，TSV芯410ρ可以突出至再分布槽551內(nèi)，TSV阻擋層420ρ可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV芯410ρ的側(cè)表面。TSV襯墊430ρ可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV阻擋層420ρ的側(cè)表面。下背面絕緣層287的一部分可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且部分或全部覆蓋TSV襯墊430ρ的側(cè)表面。參考圖14Q，在突出至再分布槽551內(nèi)的TSV結(jié)構(gòu)400q的背面端BEq中，TSV芯410q可以突出至再分布槽551內(nèi)，TSV阻擋層420q可以突出至再分布槽551內(nèi)并且部分或全部覆蓋TSV芯410q的側(cè)表面。TSV襯墊430q可以突出至再分布槽551內(nèi)并且全部覆蓋TSV阻擋層420q的側(cè)表面。TSV阻擋層420q的頂端和TSV襯墊430q的頂端可以布置在相同的水平或相似的水平處。下背面絕緣層287的一部分可以突出至再分布槽551內(nèi)，并且部分或全部覆蓋TSV襯墊430q的側(cè)表面。圖15A至圖15M是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖9G和圖15A，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101上形成內(nèi)部電路230和正面I/O焊盤300 (操作S302)。在此工藝期間，可以形成TSV焊盤260。參考圖9G和圖15B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將襯底101顛倒過來并且將襯底101安裝在晶圓支撐載體WSC上(操作S304)。參考圖9G和圖15C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在襯底101中形成TSV孔401(操作S306)。形成TSV孔401可以包括在襯底101的背面104上形成TSV孔掩膜圖案450，并且使用TSV孔掩膜圖案450作為蝕刻掩膜對襯底101進行蝕刻。TSV孔掩膜圖案450可以包括氧化硅或氮化硅。TSV孔掩膜圖案450可以形成為單層類型或多層類型。例如，可以在襯底101上形成氧化硅層，并且在氧化硅層上形成氮化硅層。在本實施例中，在概念上假設(shè)TSV孔掩膜圖案450為單材料層。然后，可以除去TSV孔掩膜圖案450。本實施例描述了未除去而是保留TSV孔掩膜圖案450的示例性情況。在形成TSV孔401前，可以執(zhí)行將襯底101的背面104地毯式地除去以使襯底101變薄的工藝。參考圖9G和圖15D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV孔401的內(nèi)壁和底部上共形地形成TSV襯墊430 (操作S308)。參考圖9G和圖15E，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將在TSV孔401的底部形成的TSV襯墊430除去(操作S310)。在此工藝期間，可以將TSV孔掩膜圖案450變薄或除去。本實施例描述了將TSV孔掩膜圖案450變薄的示例性情況。參考圖9G和圖15F，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV襯墊430上共形地形成TSV阻擋層420和TSV種子層425 (操作S312)。參考圖9G和圖15G，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV芯材料層410ml以填充TSV孔401 (操作S314)。參考圖9G和圖15H，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S316)。形成TSV結(jié)構(gòu)400可以包括使用CMP工藝和/或回蝕工藝來將在襯底101的背面104上形成的TSV芯材料層410ml、TSV種子層425、TSV阻擋層420、TSV襯墊430和/或TSV孔掩膜圖案450除去。參考圖9G和圖151，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的該實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將襯底101的背面104地毯式地和/或選擇性地除去以使TSV結(jié)構(gòu)400的一部分暴露(操作S318)。TSV阻擋層420可以暴露在TSV結(jié)構(gòu)400的頂部表面上。參考圖9G和圖15J，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成背面絕緣層285以覆蓋暴露的TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S320)。例如，可以在襯底101和背面絕緣層285之間插入氧化硅。參考圖9G和圖15K，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在背面絕緣層285中形成槽550 (操作S322)。在此工藝期間，可以除去暴露的TSV襯墊430。參考圖9G和圖15L，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在再分布槽551內(nèi)形成再分布阻擋層520和再分布種子層530 (操作S324)。再分布阻擋層520和再分布種子層530可以共形地形成在再分布槽551的底部表面和內(nèi)壁以及暴露的TSV結(jié)構(gòu)400上。參考圖9H和圖15M，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:通過執(zhí)行參考圖1OR至圖1OX來描述的各工藝來形成再分布互連材料層510a (操作S326);形成再分布結(jié) 構(gòu)500 (操作S328);形成具有下背面I/O焊盤開口 611以使再分布互連510的表面部分暴露的背面鈍化層275 (操作S330);在下背面I/O焊盤開口 611內(nèi)和/或在背面鈍化層275上，形成背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630 (操作S332);在背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630上，形成背面I/O焊盤掩膜圖案640 (操作S334);形成初步的背面I/O焊盤600p (操作S336);以及形成背面I/O焊盤 600 (操作 S338)。圖16A至圖16K是示出了制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的方法的縱截面圖。參考圖16A并且還參考圖9G、圖15A和圖15B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的該實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:在襯底101上形成內(nèi)部電路230和正面I/O焊盤300 (操作S302);將襯底101顛倒過來并且將襯底101安裝在晶圓支撐載體WSC上(操作S304);以及在襯底101的背面104上形成TSV孔掩膜圖案450 (操作S306)。TSV孔掩膜圖案450可以形成為多層類型。例如，TSV孔掩膜圖案450可以包括包含氧化硅的下TSV孔掩膜圖案451和包含氮化硅的上TSV孔掩膜圖案452。參考圖91和圖16B，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV孔401 (操作S408)。參考圖91和圖16C，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV孔401的內(nèi)壁上共形地形成TSV襯墊430 (操作S410)。參考圖91和圖16D，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括將布置在TSV孔401的底部表面上的TSV襯墊430部分地除去(操作S412)。在此工藝期間，還可以將在TSV孔掩膜圖案450上形成的TSV襯墊430除去。參考圖91和圖16E，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在TSV襯墊430上共形地形成TSV阻擋層420和TSV種子層425 (操作S414)。參考圖91和圖16F，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV芯材料層410ml以填充TSV孔401 (操作S416)。在圖16F中，省略了 TSV種子層425和TSV芯材料層410ml之間的邊界。參考圖91和圖16G，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S418)。形成TSV結(jié)構(gòu)400可以包括使用CMP工藝和/或蝕刻工藝來將在上TSV孔掩膜圖案452上形成的TSV芯材料層410ml和TSV阻擋層420除去。參考圖91和圖16H，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括形成背面絕緣層285以覆蓋暴露的TSV結(jié)構(gòu)400 (操作S420)。當(dāng)背面絕緣層285和上TSV孔掩膜圖案452包括相同的材料時，其間的邊界可以消失。參考圖91和圖161，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在背面絕緣層285中形成槽550 (操作S422)。槽550可以包括再分布槽551和對準(zhǔn)標(biāo)記槽552。再分布槽551可以使TSV結(jié)構(gòu)400的一端暴露。在此工藝期間，可以將在TSV結(jié)構(gòu)400的暴露的表面上形成的TSV襯墊430除去。例如，TSV阻擋層420可以暴露在再分布槽551內(nèi)。參考圖91和圖16J，制造根據(jù)本 發(fā)明構(gòu)思的該實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在背面絕緣層285上形成再分布阻擋層520和再分布種子層530 (操作S424)。再分布阻擋層520和再分布種子層530可以共形地形成在再分布槽551的底部表面和內(nèi)壁以及暴露的TSV結(jié)構(gòu)400上。參考圖9J和圖16K，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括:通過執(zhí)行參考圖9L和圖1OR至圖1OX來描述的各工藝來形成再分布互連材料層510a(操作S426);形成再分布結(jié)構(gòu)500 (操作S428);形成具有下背面I/O焊盤開口 611以使再分布互連510的表面部分暴露的背面鈍化層275 (操作S430);在下背面I/O焊盤開口 611內(nèi)和/或在背面鈍化層275上，形成背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630(操作S432);在背面I/O焊盤阻擋層620和背面I/O焊盤種子層630上，形成背面I/O焊盤掩膜圖案640 (操作S434);形成初步的背面I/O焊盤600p (操作S436);以及形成背面I/O焊盤600 (操作S438)。沒有示出再分布互連510和再分布種子層530之間的邊界。例如，可以形成圖8R所示的半導(dǎo)體器件100R。制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體器件的各方法可以包括使用大馬士革工藝來形成再分布結(jié)構(gòu)500。因此，再分布阻擋層520可以完全包圍再分布互連510的底部表面和側(cè)表面。例如，當(dāng)使用濕法蝕刻工藝或選擇性蝕刻工藝來除去再分布阻擋層520時，再分布阻擋層520可能不完全包圍再分布互連510的底部或側(cè)表面，因而引起物理的和/或電的不穩(wěn)定。代替光刻和蝕刻工藝，制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體器件的各方法可以采用CMP工藝。因此，TSV結(jié)構(gòu)400的節(jié)距和再分布結(jié)構(gòu)500的節(jié)距可以變得更微小和更復(fù)雜。在制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體器件的各方法的每一個方法中，TSV結(jié)構(gòu)400可以突出至再分布結(jié)構(gòu)500中。例如，TSV結(jié)構(gòu)400可以插入再分布結(jié)構(gòu)500中。因此，TSV結(jié)構(gòu)400與再分布結(jié)構(gòu)500之間的接觸面積可以增加，使得TSV結(jié)構(gòu)400與再分布結(jié)構(gòu)500之間的薄層電阻可以減小。而且，由于再分布結(jié)構(gòu)500可以由TSV結(jié)構(gòu)400進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。在制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體器件的各方法中，可以同時形成再分布結(jié)構(gòu)500和對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560。形成對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)560的附加工藝可以省略。再分布槽551和對準(zhǔn)標(biāo)記槽552可以同時形成至相同的深度。再分布阻擋層520和對準(zhǔn)標(biāo)記阻擋層570可以由相同的材料同時形成。再分 布互連510和對準(zhǔn)標(biāo)記圖案580可以由相同的材料同時形成。因此，可以簡化用于形成半導(dǎo)體器件的工藝，以提高生產(chǎn)力和降低制造成本。圖17A至圖17D是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000A至1000D的概念縱截面圖。參考圖17A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000A可以包括下半導(dǎo)體器件1100和上半導(dǎo)體器件1200?？梢酝ㄟ^使用凸塊1010來將下半導(dǎo)體器件1100的正面I/O焊盤1130和上半導(dǎo)體器件1200的背面I/O焊盤1260彼此電連接。例如，可以獲得半導(dǎo)體器件層疊結(jié)構(gòu)1000A，其中下半導(dǎo)體器件1100的正面I/O焊盤1130和上半導(dǎo)體器件1200的背面I/O焊盤1260可以電連接。凸塊1010可以包括焊接材料。例如，凸塊1010可以包括錫(Sn)、銀(Ag)和銅(Cu)。凸塊1010還可以包括鎳(Ni)。下半導(dǎo)體器件1100和上半導(dǎo)體器件1200可以具有相同的結(jié)構(gòu)。例如，正面I/O焊盤1130和背面I/O焊盤1260可以彼此垂直對準(zhǔn)。參考圖17B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000B可以包括順序?qū)盈B的多個半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400。例如，層疊結(jié)構(gòu)1000B可以包括相同結(jié)構(gòu)的多個半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400。正面I/O焊盤1130、1230、1330和1430以及背面I/O焊盤1160、1260、1360和1460可以相互垂直對準(zhǔn)。半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000B可以包括例如與2的冪相等的數(shù)量的半導(dǎo)體器件，例如4、8、16或32。正面I/O焊盤1130、1230、1330和1430以及背面I/O焊盤1160、1260、1360和1460的相鄰焊盤可以分別通過凸塊1010、1020和1030相互物理和/或電氣連接。例如，最下面的半導(dǎo)體器件1100的正面I/O焊盤1130可以電連接至最上面的半導(dǎo)體器件1400的背面I/O焊盤1460。參考圖17C，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000C可以包括下半導(dǎo)體器件1100和上半導(dǎo)體器件1200。例如，下半導(dǎo)體器件1100可以包括邏輯器件，上半導(dǎo)體器件1200可以包括存儲器件。例如，下半導(dǎo)體器件1100的正面I/O焊盤1130可以物理和/或電氣連接至上半導(dǎo)體器件1200的背面I/O焊盤1260。參考圖17D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個實施例的半導(dǎo)體器件的層疊結(jié)構(gòu)1000D可以包括下半導(dǎo)體器件1500和多個上半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400。例如，下半導(dǎo)體器件1500可以包括邏輯器件，上半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400可以包括存儲器件。通過使用凸塊1010、1020、1030和1050，半導(dǎo)體器件1100、1200、1300、1400和1500的正面I/O焊盤1130、1230、1330和1530以及半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400的背面I/O焊盤1160、1260、1360和1460可以相互電連接。圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件1600的概念縱截面圖。參考圖18，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的本實施例的半導(dǎo)體封裝件1600可以包括層疊在封裝件襯底1610上的多個半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400。例如，半導(dǎo)體器件1100、1200、1300和1400中的每一個可以包括閃存器件。通過使用凸塊1060，最下面的半導(dǎo)體器件1100的背面I/O焊盤1160可以電連接至封裝件襯底1610的凸塊連接盤(bumpland) 1630。圖19是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的模塊2200的概念圖，模塊2200包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件。參考圖19，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的該實施例的模塊2200可以包括安裝在模塊襯底2210上的半導(dǎo)體封裝件2230。半導(dǎo)體封裝件2230可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個。模塊2200還可以包括安裝·在模塊襯底2210上的微處理器(MP)2220。輸入/輸出(I/O)端子2240可以布置在模塊襯底2210的至少一側(cè)上。圖20是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個的電子系統(tǒng)2300的概念框圖。參考圖20，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)2300。電子系統(tǒng)2300可以包括主體2310、MP單元2320、電源2330、功能單元2340和/或顯示控制單元2350。主體2310可以包括含有印刷電路板(PCB)的系統(tǒng)板或主板。MP單元2320、電源2330、功能單元2340和顯示控制單元2350可以安裝在主體2310上?？梢栽谥黧w2310的頂部表面上或在主體2310的外部布置顯示單元2360。例如，顯示單元2360可以布置在主體2310的表面上，并且顯示由顯示控制單元2350處理的圖像。電源2330可以從外部電池(未示出)接收預(yù)定的電壓，將該電壓分成具有所需的電壓電平的各個電壓，并且將各個分壓提供給MP單元2320、功能單元2340和顯示控制單元2350。MP單元2320可以接收來自電源2330的電壓，并且控制功能單元2340和顯示單元2360。功能單元2340可以提供電子系統(tǒng)2300的各種功能。例如，當(dāng)電子系統(tǒng)2300是諸如便攜式電話之類的移動電子產(chǎn)品時，功能單元2340可以包括若干組件，這些組件能夠提供無線通信功能，例如，通過撥號外部設(shè)備2370或與外部設(shè)備2370通信，來將圖像輸出至顯示單元2360或?qū)⒙曇糨敵鲋翐P聲器。當(dāng)還安裝有照相機時，功能單元2340可以用作圖像處理器。在應(yīng)用實施例中，當(dāng)電子系統(tǒng)2300連接至存儲卡以增加容量時，功能單元2340可以是存儲卡控制器。功能單元2340可以通過有線或無線通信單元2380來向外部設(shè)備2370發(fā)送信號或從外部設(shè)備2370接收信號。而且，當(dāng)電子系統(tǒng)2300需要通用串行總線(USB)以增加功能時，功能單元2340可以用作接口控制器。在功能單元2340中，可以包括在本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例中描述的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個。圖21是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個的電子系統(tǒng)2400的概念框圖。參考圖21，電子系統(tǒng)2400可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個。電子系統(tǒng)2400可以應(yīng)用于移動裝置或計算機。例如，電子系統(tǒng)2400可以包括可通過使用總線2420來執(zhí)行數(shù)據(jù)通信的存儲系統(tǒng)2412、MP2414、隨機存取存儲器(RAM) 2416和用戶接口 2418。MP2414可以對電子系統(tǒng)2400進行編程和控制。RAM2416可以用作MP2414的操作存儲器。例如，MP2414或RAM2416可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個。MP2414、RAM2416和/或其它組件可以裝配在單個封裝件內(nèi)。用戶接口 2418可以用于將數(shù)據(jù)輸入至電子系統(tǒng)2400或從電子系統(tǒng)2400輸出數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)2412可以存儲用于操作MP2414的代碼、由MP2414處理的數(shù)據(jù)或外部輸入數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)2412可以包括控制器和存儲器。圖22是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各實施例的通孔連接結(jié)構(gòu)IOA至IOS或半導(dǎo)體器件100A至100Q中的至少一個的無線移動電話2500的示意圖。無線移動電話2500可以解釋為平板個人電腦(PO。另外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體封裝件中的至少一個不但可以用于平板PC，而且可以用于便攜式計算機，諸如筆記本電腦、MPEG-1音頻層3(MP3)播放器、MP4播放器、導(dǎo)航裝置、固態(tài)盤(SSD)、臺式計算機或用于汽車和家庭用途的電子裝置。根據(jù)本發(fā) 明構(gòu)思的各實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)中的每一個可以包括互連阻擋層，該互連阻擋層被配置為完全包圍互連的底部表面和側(cè)表面。因此，可以提高互連和互連阻擋層之間的物理和/或電氣接觸穩(wěn)定性。由于可以使用CMP工藝來平面地形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各通孔連接結(jié)構(gòu)，因此通孔結(jié)構(gòu)的節(jié)距和互連結(jié)構(gòu)的節(jié)距可以變得更微小和更復(fù)雜。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各實施例的每一個通孔連接結(jié)構(gòu)中，通孔結(jié)構(gòu)可以突出至互連結(jié)構(gòu)內(nèi)，使得通孔結(jié)構(gòu)和互連結(jié)構(gòu)之間的薄層電阻可以減小。而且，由于互連結(jié)構(gòu)可以由通孔結(jié)構(gòu)進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的每一個半導(dǎo)體器件可以包括再分布阻擋層，該再分布阻擋層被配置為完全包圍再分布互連的底部表面和側(cè)表面。因此，可以提高再分布互連和再分布阻擋層之間的物理和/或電氣接觸穩(wěn)定性。由于可以使用CMP工藝來平面地形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的各半導(dǎo)體器件，因此TSV結(jié)構(gòu)的節(jié)距和再分布結(jié)構(gòu)的節(jié)距可以變得更微小和更精致。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例的每一個半導(dǎo)體器件中，TSV結(jié)構(gòu)可以突出至再分布結(jié)構(gòu)內(nèi)，使得TSV結(jié)構(gòu)和再分布結(jié)構(gòu)之間的薄層電阻可以減小。而且，由于再分布結(jié)構(gòu)可以由TSV結(jié)構(gòu)進行物理固定，因此可以防止由浮動現(xiàn)象引起的各組件的接觸故障或分離。上述內(nèi)容僅僅是各實施例的說明而不應(yīng)解釋為限于這些實施例。雖然已經(jīng)描述了若干實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在不實質(zhì)上背離這些新穎教導(dǎo)和優(yōu)點的情況下可以作出多種變型。因此，如權(quán)利要求中所限定的那樣，所有這些變型將包括在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，手段加功能從句旨在覆蓋作為執(zhí)行所限定的功能的本申請中所描述的結(jié)構(gòu)，不 但覆蓋結(jié)構(gòu)等同物而且覆蓋等同的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 下層； 絕緣層，其在所述下層的第一側(cè)上； 互連結(jié)構(gòu)，其在所述絕緣層中； 通孔結(jié)構(gòu)，其在所述下層中，并且所述通孔結(jié)構(gòu)突出至所述絕緣層和所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中 在所述下層中并且突出至所述絕緣層內(nèi)的所述通孔結(jié)構(gòu)的一部分包括通孔芯、在所述通孔芯上的通孔阻擋層以及在所述通孔阻擋層上的通孔襯墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述互連結(jié)構(gòu)包括互連阻擋層，所述互連阻擋層內(nèi)襯于所述絕緣層內(nèi)的槽并且覆蓋所述通孔結(jié)構(gòu)的一部分； 所述互連結(jié)構(gòu)包括互連，所述互連填充所述槽的剩余部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述通孔結(jié)構(gòu)突出至所述互連內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述互連結(jié)構(gòu)包括通孔區(qū)域、焊盤區(qū)域和互連區(qū)域，所述互連區(qū)域?qū)⑺鐾讌^(qū)域和所述焊盤區(qū)域電連接； 所述半導(dǎo)體器件還包括·在所述焊盤區(qū)域上的焊盤；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)突出至所述通孔區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述通孔區(qū)域和所述焊盤區(qū)域的水平寬度大于所述互連區(qū)域的水平寬度，并且所述通孔區(qū)域的至少一部分的水平寬度大于所述焊盤區(qū)域的水平寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對，所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 多個單元器件，以及 多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至第二側(cè)焊盤，并且至少一個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至所述多個單元器件中的至少一個；并且 所述第二側(cè)焊盤在所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)上， 其中所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 第一層間絕緣層，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第一層間絕緣層覆蓋所述多個單元器件中的至少一個，以及 第二層間絕緣層，其在所述第一層間絕緣層上，所述第二層間絕緣層覆蓋所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)在所述第一層間絕緣層的至少一部分中而不在所述第二層間絕緣層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對，所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 多個單元器件，以及多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至第二側(cè)焊盤，并且至少一個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至所述多個單元器件中的至少一個；并且 所述第二側(cè)焊盤在所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)上， 其中所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 第一層間絕緣層，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第一層間絕緣層覆蓋所述多個單元器件中的至少一個，以及 第二層間絕緣層，其在所述第一層間絕緣層上，所述第二層間絕緣層覆蓋所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)不在所述第一層間絕緣層中并且不在所述第二層間絕緣層中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述絕緣層包括在所述下層上的第一絕緣層和在所述第一絕緣層上的第二絕緣層； 所述互連結(jié)構(gòu)只在所述第二絕緣層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一絕緣層布置在所述通孔結(jié)構(gòu)和所述第二絕緣層之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述互連結(jié)構(gòu)包括互連阻擋層，所述互連阻擋層內(nèi)襯于所述絕緣層內(nèi)的槽并且覆蓋所述通孔結(jié)構(gòu)的一部分； 所述互連結(jié)構(gòu)包括互連，所述互連填充所述槽的剩余部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述通孔結(jié)構(gòu)突出至所述互連內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述互連結(jié)構(gòu)包括通孔區(qū)域、焊盤區(qū)域和互連區(qū)域，所述互連區(qū)域?qū)⑺鐾讌^(qū)域和所述焊盤區(qū)域電連接； 所述半導(dǎo)體器件還包括在所述焊盤區(qū)域上的焊盤；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)突出至所述通孔區(qū)域內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述通孔區(qū)域和所述焊盤區(qū)域的水平寬度大于所述互連區(qū)域的水平寬度大，并且所述通孔區(qū)域的至少一部分的水平寬度大于所述焊盤區(qū)域的水平寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對，所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 多個單元器件，以及 多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至第二側(cè)焊盤，并且至少一個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)將所述通孔結(jié)構(gòu)電連接至所述多個單元器件中的至少一個；并且 所述第二側(cè)焊盤在所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 第一層間絕緣層，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第一層間絕緣層覆蓋所述多個單元器件中的至少一個，以及 第二層間絕緣層，其在所述第一層間絕緣層上，所述第二層間絕緣層覆蓋所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)在所述第一層間絕緣層的至少一部分中而不在所述第二層間絕緣層中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)包括， 第一層間絕緣層，其在所述下層的第二側(cè)上，所述第一層間絕緣層覆蓋所述多個單元器件中的至少一個，以及 第二層間絕緣層，其在所述第一層間絕緣層上，所述第二層間絕緣層覆蓋所述多個內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)中的至少一個；并且 所述通孔結(jié)構(gòu)不在所述第一層間絕緣層中并且不在所述第二層間絕緣層中。
18.一種半導(dǎo)體器件，包括: 下層； 絕緣層，其在所述下層的第一側(cè)上； 互連結(jié)構(gòu)，其在所述絕緣層中，所述互連結(jié)構(gòu)包括通孔區(qū)域、焊盤區(qū)域和互連區(qū)域，所述互連區(qū)域?qū)⑺鐾讌^(qū)域和所述焊盤區(qū)域電連接； 通孔結(jié)構(gòu)，其在所述下層、所述絕緣層的至少一部分以及所述通孔區(qū)域的至少一部分中；以及 焊盤，其在所述焊盤區(qū)域上。
19.一種半導(dǎo)體器件，包括: 下層； 絕緣層，其在所述下層的第一側(cè)上； 互連結(jié)構(gòu)，其在所述絕緣層中，所述互連結(jié)構(gòu)包括通孔區(qū)域、第一焊盤區(qū)域和第一互連區(qū)域，所述第一互連區(qū)域?qū)⑺鐾讌^(qū)域和所述第一焊盤區(qū)域電連接，所述通孔區(qū)域和所述第一焊盤區(qū)域的水平寬度大于所述第一互連區(qū)域的水平寬度，并且所述通孔區(qū)域的至少一部分的水平寬度大于所述第一焊盤區(qū)域的水平寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中所述互連結(jié)構(gòu)包括第二焊盤區(qū)域和第二互連區(qū)域，所述第二互連區(qū)域?qū)⑺龅诙副P區(qū)域電連接至所述通孔區(qū)域，所述通孔區(qū)域和所述第二焊盤區(qū)域的水平寬度大于所述第二互連區(qū)域的水平寬度，并且所述通孔區(qū)域的至少一部分的水平寬 度大于所述第二焊盤區(qū)域的水平寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供了通孔連接結(jié)構(gòu)、具有該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括下層；在所述下層的第一側(cè)上的絕緣層；在所述絕緣層中的互連結(jié)構(gòu)；在所述下層中的通孔結(jié)構(gòu)。該通孔結(jié)構(gòu)突出至所述絕緣層和所述互連結(jié)構(gòu)內(nèi)。
文檔編號H01L23/528GK103247600SQ20131004209
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月2日
發(fā)明者李鎬珍, 姜泌圭, 李圭夏, 樸炳律, 鄭顯秀, 崔吉鉉 申請人:三星電子株式會社