專利名稱：一種156多晶硅缺角片的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利屬于太陽能發(fā)電設(shè)備制造領(lǐng)域，具體涉及到156多晶硅電池片制備過程中產(chǎn)生的缺角片后續(xù)處理利用的一種新方法使之具備更高的利用率減少不必要的損耗提高公司的投入產(chǎn)出比。
背景技術(shù)：
目前常規(guī)電池生產(chǎn)流程為:表面結(jié)構(gòu)化處理(Texturing)—磷摻雜擴(kuò)散(Diffusion) — PN邊緣隔離(Edge Etch)—去磷娃玻璃(PSG Removal)—鍍減反射膜(PECVD)—絲網(wǎng)印刷背面電極(Screen Printing)—背面電極烘干(Hot Air Dryer)—絲網(wǎng)印刷背面電場一背面電場烘干一正面電極印刷一快速燒結(jié)(Fast Firing)—測(cè)試分檔(Testing&Classifying)—質(zhì)量檢驗(yàn)、出貨組件車間?，F(xiàn)行多晶硅電池片制造過程中產(chǎn)生的缺角片大部分作為碎片直接報(bào)廢或被多晶硅鑄錠廠商收購回爐重新鑄造多晶硅錠重新切片；另一小部分出售給終端應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)商印刷電極和激光切割處理后制備諸如草坪燈、庭院燈、太陽能手機(jī)充電器等小尺寸的終端微型發(fā)電設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種156多晶硅缺角片的處理方法，此技術(shù)方案中156多晶硅缺角片的處理方法比較簡單且容易實(shí)現(xiàn)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:—種156多晶娃缺角片的處理方法,主要步驟為利用激光切割設(shè)備將156多晶娃缺角片切割為單晶156的外部尺寸，經(jīng)過全新設(shè)計(jì)的電極與電場方案進(jìn)行印刷之后，使用與常規(guī)相同的方法進(jìn)行電池與組件的加工處理，最終的組件產(chǎn)品與單晶156產(chǎn)品具備相同的外觀，用以編入系統(tǒng)電站的建設(shè)中充分利用。一種156多晶硅缺角片的處理方法，具體步驟如下:第一步，將車間生產(chǎn)工段中產(chǎn)生的156多晶硅缺角片統(tǒng)一制備至鍍膜后絲網(wǎng)印刷前待下步處理；第二步，將編制156單晶圓角圖形文件調(diào)入激光切割機(jī)將所有缺角片加工為156單晶的外觀；第三步，將切割好的在制品使用細(xì)砂紙進(jìn)行邊角打磨避免較尖銳的邊緣出現(xiàn)；第四步，將處理好的在制品利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備156單晶圓角的電極、電場；第五步，將成品電池片進(jìn)行測(cè)試分檔為下一步制備組件成品做好準(zhǔn)備；第六步，將同檔電池片串焊、層壓制備組件并進(jìn)行組件測(cè)試分檔以備系統(tǒng)電站的使用。所述第二步中，使用12-12.5AU3KHZ的激光以8-lOmm/s的速度即可進(jìn)行切割改變尺寸。
所述第三步中，細(xì)砂紙的目數(shù)為800目或更細(xì)。所述第五步中，經(jīng)過切割電池片的面積發(fā)生改變，測(cè)試分檔是需要進(jìn)行面積的修正，將原來的24336平方毫米的面積修正為23860平方毫米方可進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率的正常分檔。所述第六步后，將加工后的組件與同輸出功率檔的156單晶硅組件混合為陣列、系統(tǒng)。因?yàn)橥庑蔚母淖冃枰匦略O(shè)計(jì)背面電場與正面電極網(wǎng)版圖形，背面電極可以不需要改變；經(jīng)過切割電池片的面積發(fā)生改變。本專利的目的是先期通過激光切割機(jī)的切割處理將其制備成156單晶的圓角外觀尺寸規(guī)格，而后進(jìn)行生產(chǎn)加工為 成品電池片，最終層壓為與156單晶具備同樣外觀尺寸規(guī)格的光電組件編入系統(tǒng)電站的組裝中。具體流程為:表面結(jié)構(gòu)化處理(Texturing)—磷摻雜擴(kuò)散(Diffusion) — PN邊緣隔離(Edge Etch)—去磷硅玻璃(PSG Removal)—鍍減反射膜(PECVD)—激光切割上述工序產(chǎn)生的缺角片(Laser Sawing)—絲網(wǎng)印刷背面電極(Screen Printing)—背面電極烘干(Hot Air Dryer)—絲網(wǎng)印刷背面電場一背面電場烘干一正面電極印刷一快速燒結(jié)(FastFiring)—測(cè)試分檔(Testing&Classifying)—品質(zhì)檢驗(yàn)一組件焊接一敷設(shè)一層壓一裝框—測(cè)試分檔一清潔包裝…一系統(tǒng)安裝。使用此方案可以使很大一部分比例156多晶缺角片得以僅增加一段加工工序的前提下制備電池片與組件代替原本的碎片回收或低價(jià)出售處理，減少了制造物料成本的損耗；此方案下制備的電池、組件相較同等材料的正常156多晶硅片僅僅損失1.96%的面積即只減少1.96%的功率輸出而組件封裝損失同樣控制在2% 3%，且外觀與市場上使用的156單晶圓角尺寸相同。多晶制成成品后再加工因?yàn)殡姌O圖形與邊緣漏電等因素不可行，因此在制成過程中就切割加工外形，修改電極圖形。本發(fā)明的處理方法避免了原本將缺角片一部分直接報(bào)廢或者做碎片回購給多晶硅生產(chǎn)商重新鑄錠切片，一部分低價(jià)出售給做草坪燈、庭院燈等微型發(fā)電設(shè)備的開發(fā)商，降低了工廠的浪費(fèi)與成本，增加了企業(yè)的投入產(chǎn)出比。


圖1a.為激光切割前156-220的尺寸圖示，邊長156mm，對(duì)角線長220mm ；圖1b.為激光切割后156-200的尺寸圖示，邊長156mm，對(duì)角線長200mm ；圖2.為背面電場網(wǎng)版圖紙:背電場網(wǎng)版與單晶156網(wǎng)版外部尺寸相同，只是由于背電極的不同因此中間分段鏤空?qǐng)D形不等同于單晶；圖3.為正面電極圖形:正電極圖形與常規(guī)多晶156-220類似，只是四個(gè)邊角修剪出直徑為197mm的四個(gè)圓弧圖形，外部邊沿尺寸與單晶156-200相同；圖4a為常規(guī)多晶156-220組件博碩測(cè)試機(jī)功率測(cè)試I_V曲線圖；圖4b為切割多晶156-200組件博碩測(cè)試機(jī)功率測(cè)試I_V曲線圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例:I，按照以上實(shí)施方案第一步、第二步將公司內(nèi)RFXZXX121120010批次多晶156-220待制品使用激光切割為圖1所示的156-200外觀尺寸，并用800目砂紙進(jìn)行切割處打磨避免較尖銳的邊緣在后續(xù)加工中割破網(wǎng)版，待進(jìn)一步加工；其中激光機(jī)參數(shù)設(shè)置為:表1.激光機(jī)參數(shù)設(shè)置
權(quán)利要求
1.一種156多晶硅缺角片的處理方法，其特征在于，主要步驟為利用激光切割設(shè)備將156多晶硅缺角片切割為單晶156的外部尺寸，經(jīng)過全新設(shè)計(jì)的電極與電場方案進(jìn)行印刷之后，使用與常規(guī)相同的方法進(jìn)行電池與組件的加工處理，最終的組件產(chǎn)品與單晶156產(chǎn)品具備相同的外觀，用以編入系統(tǒng)電站的建設(shè)中充分利用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，具體步驟如下: 第一步，將車間生產(chǎn)工段中產(chǎn)生的156多晶硅缺角片統(tǒng)一制備至鍍膜后絲網(wǎng)印刷前待下步處理； 第二步，將編制156單晶圓角圖形文件調(diào)入激光切割機(jī)將所有缺角片加工為156單晶的外觀； 第三步，將切割好的在制品使用細(xì)砂紙進(jìn)行邊角打磨避免較尖銳的邊緣出現(xiàn)； 第四步，將處理好的在制品利用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制備156單晶圓角的電極、電場； 第五步，將成品電池片進(jìn)行測(cè)試分檔為下一步制備組件成品做好準(zhǔn)備； 第六步，將同檔電池片串焊、層壓制備組件并進(jìn)行組件測(cè)試分檔以備系統(tǒng)電站的使用。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述第二步中，使用12 12.4A、13KHz的激光以8 10mm/S的速度即可進(jìn)行切割改變尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述第三步中，細(xì)砂紙的目數(shù)為800目或更細(xì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述第五步中，測(cè)試前應(yīng)該修正面積為156單晶硅面積23860平方毫米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種處理多晶156缺角片的一種全新方法，主要步驟為利用激光切割設(shè)備將缺角部分切割為單晶156的外部尺寸，經(jīng)過全新設(shè)計(jì)的電極與電場方案進(jìn)行印刷之后，使用與常規(guī)相同的方法進(jìn)行電池與組件的加工處理，最終的組件產(chǎn)品與單晶156產(chǎn)品具備相同的外觀，可以編入系統(tǒng)電站的建設(shè)中充分利用，從而避免了原本將缺角片一部分直接報(bào)廢或者做碎片回購給多晶硅生產(chǎn)商重新鑄錠切片，一部分低價(jià)出售給做草坪燈、庭院燈等微型發(fā)電設(shè)備的開發(fā)商，降低了工廠的浪費(fèi)與成本，增加了企業(yè)的投入產(chǎn)出比。
文檔編號(hào)H01L31/18GK103078011SQ20131004198
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月2日
發(fā)明者楊雷, 梁興芳, 張長江 申請(qǐng)人:潤峰電力有限公司