技術(shù)編號:6788635
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本專利屬于太陽能發(fā)電設(shè)備制造領(lǐng)域,具體涉及到156多晶硅電池片制備過程中產(chǎn)生的缺角片后續(xù)處理利用的一種新方法使之具備更高的利用率減少不必要的損耗提高公司的投入產(chǎn)出比。背景技術(shù)目前常規(guī)電池生產(chǎn)流程為表面結(jié)構(gòu)化處理(Texturing)—磷摻雜擴散(Diffusion) — PN邊緣隔離(Edge Etch)—去磷娃玻璃(PSG Removal)—鍍減反射膜(PECVD)—絲網(wǎng)印刷背面電極(Screen Printing)—背面電極烘干(Hot Air Dry...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。