一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物和富勒烯衍生物形成的混合材料；所述金屬氧化物為三氧化鉬、氧化鎳、三氧化鎢或五氧化二釩；所述富勒烯衍生物為C60、C70、6,6-苯基-C61-丁酸甲酯或6,6-苯基-C71-丁酸甲酯。該有機(jī)電致發(fā)光器件以金屬氧化物與富勒烯衍生物形成的混合材料作為空穴阻擋層的材質(zhì)，可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復(fù)合影響發(fā)光效率，有利于電子的傳輸，提高器件的發(fā)光效率。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organiclight-emitting Devices,簡稱 OLEDs)是一種使用有機(jī)發(fā)光材料的多層發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)，電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在典型的有機(jī)電致發(fā)光器件中，空穴的注入效率和傳輸能力普遍高于電子，相當(dāng)一部分空穴構(gòu)成漏電流，降低了發(fā)光效率也對(duì)器件壽命構(gòu)成不利影響。雖然通過改進(jìn)有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極結(jié)構(gòu)，可提高電子的注入效率，但具有較高電子遷移率的有機(jī)電子傳輸材料并不多見，所以常在有機(jī)電致發(fā)光器件中引入空穴阻擋層。目前廣泛應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的阻擋材料多為有機(jī)材料，包括BCP，Bphen, TAZ和TPBI等，這些材料具有較低的HOMO軌道(阻擋空穴)和較寬的帶隙(限制激子)，但其在器件中不利于電子的傳輸，并不能夠充分地改善器件性能。有效的空穴阻擋層應(yīng)當(dāng)不僅阻擋空穴和激子，而且還促進(jìn)電子從相鄰電子傳輸層注入到空穴阻擋層以及從空穴阻擋層注入到相鄰的發(fā)光層中。在實(shí)際應(yīng)用中，難以找到和設(shè)計(jì)出如此有效的空穴阻擋材料。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件以金屬氧化物與富勒烯衍生物形成的混合材料作為空穴阻擋層的材質(zhì)，可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復(fù)合影響發(fā)光效率，且有利于電子的傳輸，提高OLED的發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物和富勒烯衍生物形成的混合材料；
[0006]所述金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、氧化鎳(NiO)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)；
[0007]所述富勒烯衍生物為C60、C70、6，6-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)或6，6_苯基-C71-丁酸甲酯(PC71BM)15
[0008]優(yōu)選地，所述金屬氧化物與富勒烯衍生物的質(zhì)量比為0.05:1?0.4:1。
[0009]優(yōu)選地，所述空穴阻擋層的厚度為I?30nm。
[0010]所述空穴阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物和富勒烯衍生物形成的混合材料，金屬氧化物為雙極性金屬氧化物，可同時(shí)傳輸空穴與電子，當(dāng)存在電子時(shí)，有利于電子的傳輸，而富勒烯的衍生物是富電子材料，也有利于電子的傳輸，促進(jìn)電子從相鄰電子傳輸層注入到空穴阻擋層以及從空穴阻擋層注入到相鄰的發(fā)光層中，同時(shí)富勒烯衍生物的HOMO能級(jí)較低，約-6.0eV，可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復(fù)合影響發(fā)光效率。而富勒烯衍生物作為炭的同系化合物，顆粒較大，可加強(qiáng)光的散射，提高發(fā)光效率。
[0011]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極為銦錫氧化物玻璃(IT0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO),更優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極為IT0。
[0012]優(yōu)選地，所述的空穴注入層材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20?80nm，更優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為WO3,厚度為50nm。
[0013]優(yōu)選地，所述的空穴傳輸層材質(zhì)為1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)。厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為40nm。
[0014]優(yōu)選地，所述的發(fā)光層材質(zhì)為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( 1，I, 7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為ADN,厚度優(yōu)選為10nm。
[0015]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?80nm,更優(yōu)選地,所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為45nm。
[0016]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為LiF，厚度為lnm。
[0017]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，厚度為60?300nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Al，厚度為lOOnm。
[0018]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0019]提供所需尺寸的導(dǎo)電陽極，清洗后干燥；然后在導(dǎo)電陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層；
[0020]在發(fā)光層上蒸鍍空穴阻擋層，所述的空穴阻擋層具體制備方法為:將金屬氧化物和富勒烯衍生物混合后蒸鍍到發(fā)光層上，得到空穴阻擋層；其中，所述金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、氧化鎳(NiO)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);所述富勒烯衍生物為C60、C70、6，6-苯基-C61- 丁酸甲酯(PC61BM)或 6，6-苯基-C71- 丁酸甲酯(PC71BM)；
[0021]在空穴阻擋層上依次蒸鍍制備電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0022]優(yōu)選地，所述蒸鍍空穴阻擋層時(shí)的壓力為2X10_4Pa?5X10_3Pa，蒸鍍速率為
0.1 ?lnm/s。
[0023]優(yōu)選地，所述金屬氧化物與富勒烯衍生物的質(zhì)量比為0.05:1?0.4:1。
[0024]優(yōu)選地，所述蒸鍍空穴注入層時(shí)的壓力為2X 10_4Pa?5 X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?IOnm/sο
[0025]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層蒸鍍條件均為:蒸鍍壓力為2 X 10 4Pa?5 X 10 3Pa,蒸鍛速率為0.1?lnm/s。
[0026]優(yōu)選地，所述蒸鍍陰極時(shí)的壓力為2X 10_4Pa?5 X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?IOnm/S。
[0027]優(yōu)選地，所述提供所需尺寸的玻璃基板，具體操作為:將玻璃基板進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成所需要的大小。
[0028]優(yōu)選地，所述清洗后干燥為將玻璃基板依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干。
[0029]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極為ΙΤ0、ΑΖ0或ΙΖ0，更優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極為ΙΤ0。
[0030]優(yōu)選地，所述的空穴注入層材質(zhì)為Mo03、WO3或V2O5,厚度為20?80nm，更優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為WO3，厚度為50nm。
[0031]優(yōu)選地，所述的空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC、TCTA或NPB。厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為40nm。
[0032]優(yōu)選地，所述的發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為ADN,厚度優(yōu)選為10nm。
[0033]優(yōu)選地，所述的電子傳輸層材質(zhì)為Bphen、TAZ或TPBI，厚度為40?80nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為45nm。
[0034]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為Cs2C03、CsF、CsN3*LiF，厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為LiF,厚度為lnm。
[0035]優(yōu)選地，所述陰極為Ag、Al、Pt或Au,厚度為60?300nm,更優(yōu)選地,所述陰極為Al，厚度為lOOnm。
[0036]在本發(fā)明中，所述空穴阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物和富勒烯衍生物形成的混合材料，金屬氧化物可同時(shí)傳輸空穴與電子，存在電子時(shí)，有利于電子的傳輸，而富勒烯的衍生物是富電子材料，也有利于電子的傳輸，促進(jìn)電子從相鄰電子傳輸層注入到空穴阻擋層以及從空穴阻擋層注入到相鄰的發(fā)光層中，同時(shí)富勒烯的衍生物HOMO能級(jí)較低，約-6.0eV,可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復(fù)合影響發(fā)光效率；富勒烯衍生物作為炭的同系化合物，其比表面積較大，粒徑也較大，對(duì)光有明顯的散射作用，使得發(fā)光材料所發(fā)出的往各個(gè)方向的光被散射回中路，進(jìn)一步集中了光線，提高了 OLED的發(fā)光效率。
[0037]空穴阻擋層的制備方法簡單，原料價(jià)格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0038]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果:
[0039](I)該有機(jī)電致發(fā)光器件以金屬氧化物與富勒烯衍生物形成的混合材料作為空穴阻擋層的材質(zhì)，可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復(fù)合，且有利于電子的傳輸，提高OLED的發(fā)光效率；
[0040]( 2 )空穴阻擋層的制備方法簡單，原料價(jià)格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0042]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；[0043]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0045]實(shí)施例1
[0046]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0047](I)導(dǎo)電陽極I選用銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)，先將導(dǎo)電陽極I進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；然后在導(dǎo)電陽極I上依次蒸鍍空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4 ;其中空穴注入層的材質(zhì)為WO3,厚度為50nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為40nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為10nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s ；[0048](2)在發(fā)光層4上蒸鍍空穴阻擋層5，空穴阻擋層5的材質(zhì)為C60與MoO3形成的混合材料，MoO3與C60的質(zhì)量比為0.15:1，空穴阻擋層5的厚度為5nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X 10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s ；
[0049](3)在空穴阻擋層5上依次蒸鍍制備電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，電子傳輸層6材質(zhì)為Bphen，厚度為45nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5 X 10?,蒸鍍速率為0.lnm/s ；電子注入層7材質(zhì)為LiF，厚度為lnm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s ;陰極8材質(zhì)為Al，厚度為lOOnm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X l(T3Pa,蒸鍍速率為lnm/s ；
[0050]圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、空穴阻擋層5、電子傳輸層6、電子注入層7和陰極8。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0051 ] IT0/W03/TCTA/ADN/C60: Mo03/Bphen/LiF/Al。
[0052]實(shí)施例2
[0053]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0054]( I)導(dǎo)電陽極選用摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2 X 2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；然后在導(dǎo)電陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層。其中，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5,厚度為80nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_3Pa，蒸鍍速率為5nm/s ;空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，厚度為60nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2 X 10?,蒸鍍速率為0.5nm/s ；
[0055](2)在發(fā)光層上蒸鍍空穴阻擋層，空穴阻擋層的材質(zhì)為C70與WO3形成的混合材料，W0jC70的質(zhì)量比為0.4:1，空穴阻擋層的厚度為lnm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X 10_3Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s ；[0056](3)在空穴阻擋層上依次蒸鍍制備電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，電子傳輸層材質(zhì)為Bphen,厚度為75nm,蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X 10_3Pa,蒸鍍速率為0.5nm/s ;電子注入層材質(zhì)為Cs2CO3，厚度為0.5nm ;蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X 10?,蒸鍍速率為0.5nm/s ;陰極材質(zhì)為Ag，厚度為300nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2 X l(T3Pa,蒸鍍速率為5nm/s ；
[0057]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0058]AZ0/V205/TAPC/Alq3/C70: W03/Bphen/Cs2C03/Ag。
[0059]實(shí)施例3
[0060]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:[0061](I)導(dǎo)電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2 X 2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；然后在導(dǎo)電陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層。其中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為40nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為3nm/s ;空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，厚度為45nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為0.3nm/s ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為40nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為0.3nm/s ；
[0062](2)在發(fā)光層上蒸鍍空穴阻擋層，空穴阻擋層的材質(zhì)為PC61BM與NiO形成的混合材料，NiO與PC61BM的質(zhì)量比為0.05:1，空穴阻擋層的厚度為30nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5 X l(T4Pa,蒸鍍速率為 0.3nm/s ；
[0063](3)在空穴阻擋層上依次蒸鍍制備電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，電子傳輸層材質(zhì)為TPBI，厚度為60nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為0.3nm/s ;電子注入層材質(zhì)為CsN3，厚度為10nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為0.3nm/s ;陰極材質(zhì)為Au，厚度為60nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為5X10_4Pa，蒸鍍速率為4nm/s ；
[0064]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0065]I Z0/Mo03/TCTA/BCzVB i /PC61BM: Ni 0/ΤΡΒI/CsN3Au。
[0066]實(shí)施例4
[0067]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0068](I)導(dǎo)電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2 X 2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；然后在導(dǎo)電陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層。其中空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為20nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X 10_4Pa，蒸鍍速率為lOnm/s ;空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，厚度為60nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s ；
[0069](2)在發(fā)光層上蒸鍍空穴阻擋層，空穴阻擋層的材質(zhì)為PC71BM與WO3形成的混合材料，WO3與PC71BM的質(zhì)量比為0.1:1，空穴阻擋層的厚度為15nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s ；
[0070](3)在空穴阻擋層上依次蒸鍍制備電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，電子傳輸層材質(zhì)為TAZ，厚度為35nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度為0.5nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;陰極材質(zhì)為Pt，厚度為120nm，蒸鍍時(shí)采用的壓力為2X10_4Pa，蒸鍍速率為IOnm/sο
[0071]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0072]IZ0/V205/NPB/DCJTB/PC71BM: W03/TAZ/CsF/Pt。
[0073]對(duì)比實(shí)施例
[0074]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對(duì)比實(shí)施例，對(duì)比實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例中沒有空穴阻擋層，對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:ITO/WO/TCTA/ADN/Bphen/LiF/Al，分別對(duì)應(yīng)導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0075]效果實(shí)施例
[0076]采用電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號(hào):2400)、色度計(jì)(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號(hào):CS-100A)測試有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測試對(duì)象為實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件。測試結(jié)果如圖2所示。圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對(duì)比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0077]從圖2可以看出，本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件在所測試亮度范圍內(nèi)的流明效率都要比對(duì)比實(shí)施例大，在IOV時(shí)，實(shí)施例1的亮度為8160cd/m2，而對(duì)比例的僅為5524cd/m2，這說明，本發(fā)明專利采用金屬氧化物與富勒烯衍生物進(jìn)行摻雜制備空穴阻擋層，有利于電子的傳輸，阻擋空穴，且加強(qiáng)光的散射，從而提高發(fā)光效率。
[0078]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴阻擋層的材質(zhì)為金屬氧化物和富勒烯衍生物形成的混合材料； 所述金屬氧化物為三氧化鑰、氧化鎳、三氧化鎢或五氧化二釩； 所述富勒烯衍生物為C60，C70，6，6-苯基-C61- 丁酸甲酯或6，6-苯基-C71- 丁酸甲酯。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物與富勒烯衍生物的質(zhì)量比為0.05:1?0.4:1。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴阻擋層的厚度為I?30nmo
4.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 提供所需尺寸的導(dǎo)電陽極，清洗后干燥；然后在導(dǎo)電陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層； 在發(fā)光層上蒸鍍空穴阻擋層，所述的空穴阻擋層具體制備方法為:將金屬氧化物和富勒烯衍生物混合后蒸鍍到發(fā)光層上，得到空穴阻擋層；其中，所述金屬氧化物為三氧化鑰、氧化鎳、三氧化鎢或五氧化二釩；所述富勒烯衍生物為C60，C70，6，6-苯基-C61- 丁酸甲酯或6，6-苯基-C71-丁酸甲酯； 在空穴阻擋層上依次蒸鍍制備電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物與富勒烯衍生物的質(zhì)量比為0.05?0.4:1。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍空穴阻擋層時(shí)的壓力為2X KT4Pa?5X l(T3Pa，蒸鍍速率為0.1?lnm/s。
7.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層蒸鍍條件均為:蒸鍍壓力為2X 10_4Pa?5X 10_3Pa，蒸鍍速率為0.1?lnm/s。
8.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層和陰極的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓力為2X 10_4Pa?5X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?10nm/S。
9.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為5?40nm。
10.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為40?80nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103928623SQ201310016012
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月16日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司