半導(dǎo)體封裝件的制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于一透明承載件上，其中，該透明承載件表面上形成有膠層，該膠層與透明承載件之間形成有光罩，且該至少一半導(dǎo)體組件通過(guò)該膠層粘附于該透明承載件上；進(jìn)行曝光顯影步驟，以移除未為該至少一半導(dǎo)體組件所覆蓋的膠層部分；形成包覆該至少一半導(dǎo)體組件的封裝膠體；以及移除該透明承載件及剩余的膠層。本發(fā)明將圖案化的薄膜形成于膠層與透明承載件之間，以作為光罩，可減少光罩與膠層之間的距離，避免曝光光線通過(guò)光罩和透明承載件產(chǎn)生繞射之后放大誤差，所以可更提升曝光精確度及產(chǎn)品信賴性。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝件的制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，尤指一種能提升曝光精確度的半導(dǎo)體封裝件制法及據(jù)此所得的半導(dǎo)體封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，現(xiàn)今電子產(chǎn)品均朝向微型化、多功能、高電性及高速運(yùn)作的方向發(fā)展。例如，隨著前端半導(dǎo)體芯片工藝的集積化，半導(dǎo)體芯片的主動(dòng)面上形成有密集的電極墊，以提供信號(hào)的輸入/輸出(I/o)。為了配合此一發(fā)展趨勢(shì)，后端半導(dǎo)體業(yè)者積極研發(fā)能利用互連結(jié)構(gòu)將該等電極墊傳輸?shù)男盘?hào)扇出的半導(dǎo)體封裝件，例如扇出式封裝件。
[0003]在是種封裝件中，如芯片的半導(dǎo)體組件通常通過(guò)一封裝膠體鑲嵌至一承載件。之后，該承載件會(huì)被移除，并在該半導(dǎo)體組件上形成互連結(jié)構(gòu)。如圖1A至圖1G所示，其顯示一種扇出式封裝件的制法。
[0004]如圖1A所示，提供一表面上依序形成有離型層11和膠層12的透明承載件10，該膠層12上設(shè)置有半導(dǎo)體組件13。
[0005]如圖1B所示，于該透明承載件10的底面IOb上接置一光罩14，并進(jìn)行曝光工藝。
[0006]如圖1C所示，移除未曝光的膠層12部分。
[0007]接著，如圖1D及圖1E的順序，通過(guò)一支撐件16使封裝膠體15包覆該半導(dǎo)體組件13，并移除該透明承載件10。最后如圖1F所示，移除剩余的該膠層12。
[0008]然而，該光罩14設(shè)于透明承載件10的底面10b，且透明承載件10的厚度約有700 μ m，是以，曝光光線通過(guò)光罩14產(chǎn)生繞射，再通過(guò)一厚度較大的介質(zhì)，將使得曝光圖形變形。尤其因設(shè)置半導(dǎo)體組件時(shí)，該半導(dǎo)體組件13的部分通常會(huì)陷入該膠層12(如圖1A所示)，所以必須于曝光時(shí)定義出半導(dǎo)體組件投影區(qū)域外的膠層部分，以于后續(xù)步驟移除的，但因曝光圖形變形導(dǎo)致于圖1C所示的步驟無(wú)法移除半導(dǎo)體組件13周圍的膠層12，使得形成封裝膠體15時(shí)，無(wú)法完整包覆半導(dǎo)體組件13的側(cè)面，進(jìn)行令該半導(dǎo)體組件13側(cè)面與封裝膠體15形成間隙g。如果接著于該半導(dǎo)體組件上形成互連結(jié)構(gòu)，例如圖1G所示的形成于該半導(dǎo)體組件13上的包括導(dǎo)電跡線171和絕緣層172的線路重布結(jié)構(gòu)17和導(dǎo)電組件18，勢(shì)必容易因該間隙g影響產(chǎn)品信賴性。
[0009]因此，如何克服現(xiàn)有技術(shù)中的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，可更提升曝光精確度及產(chǎn)品信賴性。
[0011]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法，包括:設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于一透明承載件上，其中，該透明承載件表面上形成有膠層，該膠層與透明承載件之間形成有光罩，且該至少一半導(dǎo)體組件通過(guò)該膠層粘附于該透明承載件上；進(jìn)行曝光顯影步驟，以移除未為該至少一半導(dǎo)體組件所覆蓋的膠層部分；形成包覆該至少一半導(dǎo)體組件的封裝膠體；以及移除該透明承載件及剩余的膠層。
[0012]本發(fā)明將圖案化的薄膜形成于膠層與透明承載件之間，以作為光罩，此薄膜的厚度很薄，尤其是相比于傳統(tǒng)曝光顯影的光罩厚度，所以于大幅減少光罩與膠層之間的距離后，得以避免曝光光線通過(guò)光罩和透明承載件因產(chǎn)生繞射所放大的誤差，提升曝光精確度及產(chǎn)品信賴性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1A至圖1G為現(xiàn)有扇出式封裝件的制法剖面示意圖；以及
[0014]圖2A至圖2H為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖，其中，圖2A’為圖2A的俯視圖。
[0015]【符號(hào)說(shuō)明】
[0016]10, 20透明承載件
[0017]IOb底面
[0018]11, 21離型層
[0019]12，22膠層
[0020]13，23半導(dǎo)體組件
[0021]14光罩
[0022]15，25封裝膠體
[0023]16，26支撐件
[0024]17，27線路重布結(jié)構(gòu)
[0025]171,271導(dǎo)電跡線
[0026]172，272絕緣層
[0027]18, 28導(dǎo)電組件
[0028]2半導(dǎo)體封裝件
[0029]20a第一表面
[0030]20b第二表面
[0031]24光罩膜
[0032]23a作用面
[0033]23b非作用面
[0034]231電極墊
[0035]25a頂面
[0036]25b底面
[0037]g間隙
[0038]L照光。
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。[0040]須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上”、“頂”、“底”、“第一”、“第二”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0041]圖2A至圖2H為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖。
[0042]首先，于進(jìn)行曝光顯影步驟之前，設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件23于一透明承載件20上，其中，該透明承載件20表面上形成有膠層22，該膠層22與透明承載件20之間形成有光罩，且該至少一半導(dǎo)體組件23通過(guò)該膠層22粘附于該透明承載件20上。
[0043]具體而言,如圖2A及圖2A’所不,提供一具有相對(duì)的第一表面20a和第二表面20b的透明承載件20，于該第一表面20a上形成一光罩膜24，例如，利用化學(xué)氣相沉積法于該第一表面20a上形成圖案化的金屬膜，其材質(zhì)可為鋁。由此，所得的薄膜厚度可薄至0.1 μ m。
[0044]如圖2B所示，也可利用化學(xué)氣相沉積法，于該透明承載件20的第一表面20a及光罩膜24上形成離型層21，接著于該離型層21上形成膠層22，其材質(zhì)可為光固性膠，例如紫外光可固化膠。該膠層22與透明承載件20之間形成有覆蓋該光罩膜24的離型層21，則該透明承載件20和光罩膜24即可重復(fù)使用，達(dá)到節(jié)省成本和簡(jiǎn)化工藝的效果。
[0045]如圖2C所示，將至少一半導(dǎo)體組件23 (本圖以二個(gè)半導(dǎo)體組件說(shuō)明)設(shè)于該透明承載件20的膠層22上。該半導(dǎo)體組件23具有相對(duì)的作用面23a和非作用面23b，該作用面23a上具有多個(gè)電極墊231，且將該作用面23a接置于該膠層22上。
[0046]接著，如圖2D及圖2E所示，進(jìn)行曝光顯影步驟，也就是包括自該透明承載件20的第二表面20b照光L，再移除未為該至少一半導(dǎo)體組件23所覆蓋的膠層22部分。
[0047]如圖2F所示，形成封裝膠體25時(shí)，可包括通過(guò)支撐件26將該封裝膠體25壓制于該半導(dǎo)體組件23上，以包覆該半導(dǎo)體組件23。
[0048]如圖2G所示，移除該透明承載件20及剩余的膠層22。
[0049]此外，可如圖2H所示，于該半導(dǎo)體組件23上形成線路重布結(jié)構(gòu)27和如焊球的導(dǎo)電組件28，該線路重布結(jié)構(gòu)27包括形成于該半導(dǎo)體組件23及封裝膠體25的頂面25a上的導(dǎo)電跡線271以及覆蓋于該半導(dǎo)體組件23、封裝膠體25的頂面25a及導(dǎo)電跡線271上的絕緣層272，該絕緣層272外露部分導(dǎo)電跡線271，以供形成導(dǎo)電組件28。由于精準(zhǔn)的曝光可減少間隙的產(chǎn)生，所以可提升產(chǎn)品信賴性。
[0050]根據(jù)前述的制法，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件2，包括:封裝膠體25，其具有相對(duì)的頂面25a和底面25b ；以及至少一半導(dǎo)體組件23，其嵌埋于該封裝膠體25中，該封裝膠體25的頂面25a外露出該至少一半導(dǎo)體組件23。
[0051]于一具體實(shí)施例中，該半導(dǎo)體封裝件2還包括支撐件26，如玻璃，其設(shè)于該封裝膠體25的底面25b上，且該至少一半導(dǎo)體組件23具有相對(duì)的作用面23a和非作用面23b，且該封裝膠體25的頂面25a外露出該至少一半導(dǎo)體組件23的作用面23a。
[0052]于另一具體實(shí)施例中，該作用面23a與該封裝膠體25的頂面25a具有一段差，例如約10 μ m的段差。[0053]綜上所述，本發(fā)明將圖案化的薄膜形成于膠層與透明承載件之間，以作為光罩，因此光線通過(guò)光罩后不再穿越厚度很厚的透明承載件，所以于大幅減少光罩與膠層之間的距離后，得以避免曝光光線通過(guò)光罩和透明承載件因產(chǎn)生繞射所放大的誤差，提升曝光精確度及產(chǎn)品信賴性。
[0054]上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括: 設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件于一透明承載件上，其中，該透明承載件表面上形成有膠層，該膠層與透明承載件之間形成有光罩，且該至少一半導(dǎo)體組件通過(guò)該膠層粘附于該透明承載件上； 進(jìn)行曝光顯影步驟，以移除未為該至少一半導(dǎo)體組件所覆蓋的膠層部分； 形成包覆該至少一半導(dǎo)體組件的封裝膠體；以及 移除該透明承載件及剩余的膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該膠層與透明承載件之間形成有覆蓋該光罩的離型層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該光罩為光罩膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該光罩膜為金屬膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該膠層的材質(zhì)為光固性膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該透明承載件具有相對(duì)的第一表面和第二表面，且該光罩形成于該第一表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該曝光顯影步驟包括自該透明承載件的第二表面照光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成封裝膠體時(shí)，還包括通過(guò)支撐件將該封裝膠體壓制于該至少一半導(dǎo)體組件上，以包覆該至少一半導(dǎo)體組件。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK103915351SQ201310015586
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月3日
【發(fā)明者】陳彥亨, 張江城, 黃榮邦, 許習(xí)彰, 廖宴逸 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司