一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴摻雜層的材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物。本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明空穴摻雜層既具有空穴注入能力又具有空穴傳輸能力，可有效提高空穴與電子的復合幾率，同時提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(OLED)。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。OLED因其具有發(fā)光效率高、制作工藝簡單，以及易實現(xiàn)全色和柔性顯示等特點，在照明和平板顯示領(lǐng)域弓I起了越來越多的關(guān)注。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部發(fā)光材料發(fā)出的光大約只有18%是可以發(fā)射到外部去的，大部分發(fā)出的光會以其他形式消耗在器件外部。研究發(fā)現(xiàn)，OLED光損耗大，有很大一部分原因在于空穴注入層的不完善。由于現(xiàn)有空穴注入層的材質(zhì)通常為金屬氧化物，它在可見光范圍內(nèi)的吸光率較高，造成了光損失；另外，金屬氧化物為無機物，與空穴傳輸層的有機材料性質(zhì)差別較大，兩者界面之間存在折射率差，容易引起全反射，導致OLED整體出光性能較低。因此非常有必要對空穴注入層的材質(zhì)進行改進。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，該器件可有效提高空穴與電子的復合幾率，同時提高了有機電致發(fā)光器件的出光效率和發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴摻雜層的材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物，所述氧化鋅顆粒的粒徑為l(T50nm，所述金屬氧化物為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)或五氧化二f凡(V2O5)。
[0006]優(yōu)選地，所述空穴摻雜層的厚度為80nm。
[0007]將所述金屬氧化物進行醋酸鋅處理后，金屬氧化物表面會覆蓋上一層氧化鋅(ZnO)顆粒，從而形成一種P摻雜結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有利于空穴的傳輸，而金屬氧化物是空穴注入材料，因此所述空穴摻雜層同時具備空穴注入和空穴傳輸?shù)哪芰?，可有效提高空穴與電子的復合幾率；另外，ZnO覆蓋在金屬氧化物表面后，會使納米薄膜的粒徑增大，提高光散射能力，使出光效率得到增強。并且顆粒間的連接更緊密，使薄膜具有更好的致密性，有效避免薄膜缺陷的存在，而納米薄膜的粒徑增大，也使器件空穴傳輸性能得到增強，最終可有效的提聞器件發(fā)光效率。
[0008]優(yōu)選地，所述導電陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZ0),更優(yōu)選地，所述導電陽極基底為ΙΤ0。[0009]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),所述發(fā)光層的厚度為5?40nm。
[0010]更優(yōu)選地,所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度為30nm。
[0011]優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，所述電子傳輸層厚度為40?200nm。
[0012]更優(yōu)選地,所述電子傳輸層材質(zhì)為TAZ,厚度為150nm。
[0013]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?IOnm0
[0014]更優(yōu)選地,所述電子注入層材質(zhì)為CsF,厚度為lnm。
[0015]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au )，厚度為60?300nm。
[0016]更優(yōu)選地,所述陰極為Ag,厚度為lOOnm。
[0017]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0018]提供所需尺寸的導電陽極，清洗后干燥；
[0019]在導電陽極上蒸鍍空穴摻雜層，所述空穴摻雜層的材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物，所述空穴摻雜層的制備方法為:將金屬氧化物放入醋酸鋅溶液中浸泡30?120min，得到懸浮溶液，所述懸浮液中醋酸鋅與金屬氧化物的質(zhì)量比為0.02、.6:1，將懸浮溶液烘干后，于300?500°C煅燒15?60min，得到表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物；然后通過真空鍍膜系統(tǒng)將所述表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物蒸鍍在導電陽極上，得到空穴摻雜層；所述氧化鋅顆粒的粒徑為l(T50nm，所述金屬氧化物為Mo03、WO3或V2O5 ；
[0020]在空穴摻雜層表面上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0021]優(yōu)選地，所述空穴摻雜層的厚度為20?lOOnm。
[0022]所述醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%?60%，所述金屬氧化物的質(zhì)量為Img?5mg。
[0023]優(yōu)選地，所述通過真空鍍膜系統(tǒng)蒸鍍空穴摻雜層時的真空度為2X10—4?5 X 10 3Pa,蒸鍍速率為I?I Onm/s ο
[0024]優(yōu)選地，所述煅燒在馬弗爐中進行。
[0025]優(yōu)選地，所述提供所需尺寸的導電陽極，具體操作為:將導電陽極基板進行光刻處理，然后剪裁成所需要的大小。
[0026]優(yōu)選地，所述清洗后干燥為將導電陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干。
[0027]優(yōu)選地，所述發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:真空度為2 X 10 4 ?5 X 10 3Pa,蒸鍍速率為 0.1 ?lnm/s。
[0028]優(yōu)選地，所述蒸鍍陰極時的真空度為2X 10_4?5X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?IOnm/S。
[0029]優(yōu)選地，所述導電陽極基底為ITO、AZO或IZ0，更優(yōu)選地，所述導電陽極基底為ITO。
[0030]優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3，所述發(fā)光層的厚度為5?40nmo
[0031]更優(yōu)選地,所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3,厚度為30nm。
[0032]優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為BpheruTAZ或TPBI，所述電子傳輸層厚度為40?200nm。
[0033]更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為TAZ,厚度為150nm。
[0034]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為Cs2C03、CsF、CsN3或LiF，厚度為0.5?10nm。
[0035]更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF,厚度為lnm。
[0036]優(yōu)選地，所述陰極為Ag、Al、Pt或Au，厚度為60?300nm。
[0037]更優(yōu)選地，所述陰極為Ag，厚度為lOOnm。
[0038]本發(fā)明將所述金屬氧化物進行醋酸鋅處理后，金屬氧化物表面會覆蓋上一層氧化鋅(ZnO)顆粒，從而形成一種P摻雜結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有利于空穴的傳輸，而金屬氧化物是空穴注入材料，因此所述空穴摻雜層同時具備空穴注入和空穴傳輸?shù)哪芰Γ捎行岣呖昭ㄅc電子的復合幾率；另外，ZnO覆蓋在金屬氧化物表面后，在陽極上蒸鍍表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物會形成納米薄膜(納米薄膜的粒徑為15?80nm),將所述納米薄膜作為空穴摻雜層，ZnO會使納米薄膜的粒徑增大，提高光散射能力，使出光效率得到增強。并且顆粒間的連接更緊密，使薄膜具有更好的致密性，有效避免薄膜缺陷的存在，而納米薄膜的粒徑增大，也使器件空穴傳輸性能得到增強，最終可有效的提高器件發(fā)光效率。
[0039]空穴摻雜層的存在可以替代空穴傳輸層和空穴注入層，減少了材料成本并簡化了膜形成工藝。同時，空穴摻雜層的制備方法簡單，原料價格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0040]本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，具有如下有益效果:
[0041](I)空穴摻雜層材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物，經(jīng)過處理后的金屬氧化物，其表面會覆蓋上一層氧化鋅(ZnO)顆粒，這種P型結(jié)構(gòu)有利于空穴的傳輸和空穴注入，使空穴摻雜層同時具備空穴注入與空穴傳輸能力，有效提高空穴與電子的復合幾率，提高了光散射能力，同時使薄膜具有更好的致密性，有效避免薄膜缺陷的存在，最終提高發(fā)光效率；
[0042](2)本發(fā)明制備的空穴摻雜層的存在可以替代空穴傳輸層和空穴注入層，減少了材料成本并簡化了膜形成工藝，同時，空穴摻雜層的制備方法簡單，原料價格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0044]圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖?！揪唧w實施方式】
[0046]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。
[0047]實施例1
[0048]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0049](I)導電陽極I選用銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)，先將導電陽極I進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導電陽極，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干；
[0050](2)將20mg MoO3浸泡在IOml醋酸鋅溶液中，醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為35%，浸泡60min，得到懸浮溶液，將懸浮溶液烘干后，放在馬弗爐中煅燒，煅燒溫度為400°C，煅燒時間為30min，得到表面包覆有ZnO顆粒的MoO3，然后采用真空鍍膜系統(tǒng)，以5 X 10?的壓強和lnm/s的蒸鍍速率將表面包覆有ZnO顆粒的MoO3蒸鍍在導電陽極I上，得到厚度為80nm的含有氧化 鋅顆粒的三氧化鑰薄膜，薄膜的粒徑為60nm，將含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜作為空穴摻雜層2 ；
[0051](3)在空穴摻雜層2上依次蒸鍍制備發(fā)光層3、電子傳輸層4、電子注入層5和陰極6，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0052]發(fā)光層3材質(zhì)為Alq3，蒸鍍時采用的壓強為5 X 10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為30nm ；
[0053]電子傳輸層4的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為5 X 10?,蒸鍍速率為0.1nm/s,蒸鍍厚度為150nm ；
[0054]電子注入層5的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強為5 X 10?,蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為Inm ；
[0055]陰極6的材質(zhì)為Ag,蒸鍍時采用的壓強為5X l(T3Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為 lOOnm。
[0056]圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極1、空穴摻雜層2、發(fā)光層3、電子傳輸層4、電子注入層5和陰極6。具體結(jié)構(gòu)表不為:
[0057]ITO/ (MoO3-ZnO)/Alq3/TAZ/CsF/Ag。
[0058]實施例2
[0059]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0060]( I)導電陽極選用摻鋁的氧化鋅玻璃(AZ0)，先將導電陽極進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導電陽極，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干；
[0061](2Mf50mg WO3浸泡在IOml醋酸鋅溶液中，醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%，浸泡30min，得到懸浮溶液，將懸浮溶液烘干后，放在馬弗爐中煅燒，煅燒溫度為500°C，煅燒時間為15min，得到表面包覆有ZnO顆粒的WO3,醋酸鋅與氧化鎢質(zhì)量比為0.02:1，然后采用真空鍍膜系統(tǒng)，以2X KT4Pa的壓強和lOnm/s的蒸鍍速率將表面包覆有ZnO顆粒的WO3蒸鍍在導電陽極上，得到厚度為IOOnm的含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜，薄膜的粒徑為80nm,將含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜作為空穴摻雜層；[0062](3)在空穴摻雜層上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0063]發(fā)光層材質(zhì)為ADN，蒸鍍時采用的壓強為2X10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為 5nm ；
[0064]電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為75nm ；
[0065]電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3,蒸鍍時采用的壓強為2X 10_4Pa,蒸鍍速率為lnm/s,蒸鍍厚度為0.5nm ；
[0066]陰極的材質(zhì)為Al，蒸鍍時采用的壓強為2X10_4Pa，蒸鍍速率為10nm/S，蒸鍍厚度為 300nm。
[0067]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0068]AZO/ (WO3-ZnO)/ADN/Bphen/Cs2C03/Al。
[0069]實施例3
[0070]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0071](I)導電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)，先將導電陽極進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導電陽極，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干；
[0072](2)將IOmg V2O5浸泡在IOml醋酸鋅溶液中，醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為60%，浸泡60min，得到懸浮溶液，將懸浮溶液烘干后，放在馬弗爐中煅燒，煅燒溫度為300°C，煅燒時間為60min，得到表面包覆有ZnO顆粒的V2O5，醋酸鋅與五氧化二釩質(zhì)量比為0.6:1，然后采用真空鍍膜系統(tǒng)，以IX 10_3Pa的壓強和5nm/s的蒸鍍速率將表面包覆有ZnO顆粒的V2O5蒸鍍在導電陽極上，得到厚度為20nm的含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜，薄膜的粒徑為15nm，將含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜作為空穴摻雜層；
[0073](3)在空穴摻雜層上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0074]發(fā)光層材質(zhì)為BCzVBi，蒸鍍時采用的壓強為IX 10_3Pa，蒸鍍速率為0.6nm/s，蒸鍍厚度為40nm ；
[0075]電子傳輸層的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時采用的壓強為IX 10_3Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s,蒸鍍厚度為60nm ；
[0076]電子注入層的材質(zhì)為CsN3,蒸鍍時采用的壓強為I X 10?,蒸鍍速率為0.7nm/s,蒸鍍厚度為IOnm ；
[0077]陰極的材質(zhì)為Au，蒸鍍時采用的壓強為I X 10?,蒸鍍速率為6nm/s，蒸鍍厚度為60nmo
[0078]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0079]IZO/ (V2O5-ZnO)/BCzVBi/TPBI/CsN3/Au。
[0080]實施例4
[0081]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:[0082](I)導電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，先將導電陽極進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導電陽極，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干；
[0083](2)將40mg MoO3浸泡IOml醋酸鋅溶液中，醋酸鋅溶液的在質(zhì)量百分比濃度為50%，浸泡40min，得到懸浮溶液，將懸浮溶液烘干后，放在馬弗爐中煅燒，煅燒溫度為350°C，煅燒時間為30min，得到表面包覆有ZnO顆粒的MoO3，醋酸鋅與氧化鑰的質(zhì)量比為
0.125:1，然后采用真空鍍膜系統(tǒng)，以5X KT3Pa的壓強和9nm/s的蒸鍍速率將表面包覆有ZnO顆粒的MoO3蒸鍍在導電陽極上，得到厚度為60nm的含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜，薄膜的粒徑為50nm，將含有氧化鋅顆粒的三氧化鑰薄膜作為空穴摻雜層；
[0084](3)在空穴摻雜層上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發(fā)光器件，其中，
[0085]發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB，蒸鍍時采用的壓強為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.9nm/s，蒸鍍厚度為8nm ；
[0086]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.9nm/s,蒸鍍厚度為35nm ；
[0087]電子注入層的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強為5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.9nm/s,蒸鍍厚度為0.5nm ；
[0088]陰極的材質(zhì)為Pt，蒸鍍時采用的壓強為5X 10_3Pa，蒸鍍速率為9nm/s，蒸鍍厚度為120nmo
[0089]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0090]IZO/ (MoO3-ZnO)/DCJTB/TAZ/LiF/Pt。
[0091]對比實施例
[0092]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例包括依次層疊的導電陽極、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，對比實施例與實施例1的區(qū)別在于對比實施例中的空穴注入層材質(zhì)為MoO3，對比實施例有機電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:IT0/Mo03/Alq3/TAZ/CsF/Ag。
[0093]效果實施例
[0094]采用電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色度計(日本柯尼卡美能達公司，型號=CS-1OOA)測試有機電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件。測試結(jié)果如圖2所示。
[0095]圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖，從圖2可以看出，本發(fā)明實施例1有機電致發(fā)光器件在所測試亮度范圍內(nèi)的流明效率都要比對比實施例大，其中最大的流明效率為15.81m/ff (對比例的僅為8.81m/W)，而且對比例的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。說明本發(fā)明采用表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物作為空穴摻雜層材質(zhì)，使空穴摻雜層同時具備空穴注入與空穴傳輸能力，提高器件光散射能力，使出光效率得到增強。有效避免薄膜缺陷的存在。從而提高器件發(fā)光效率。[0096]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導電陽極、空穴摻雜層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴摻雜層的材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物，所述氧化鋅顆粒的粒徑為l(T50nm，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴摻雜層的厚度為20 ?lOOnm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層材質(zhì)為4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或N-芳基苯并咪唑。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 提供所需尺寸的導電陽極，清洗后干燥； 在導電陽極上蒸鍍空穴摻雜層，所述空穴摻雜層的材質(zhì)為表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物，所述空穴摻雜層的制備方法為:將金屬氧化物放入醋酸鋅溶液中，浸泡30?120min，得到懸浮溶液，所述懸浮液中醋酸鋅與金屬氧化物的質(zhì)量比為0.02、.6:1，將懸浮溶液烘干后，于300?500°C煅燒15?60min，得到表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物；然后通過真空鍍膜系統(tǒng)將所述表面包覆有氧化鋅顆粒的金屬氧化物蒸鍍在導電陽極上，得到空穴摻雜層；所述氧化鋅顆粒的粒徑為l(T50nm，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； 在空穴摻雜層表面上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到所述有機電致發(fā)光器件。
6.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述通過真空鍍膜系統(tǒng)蒸鍍空穴摻雜層時的真空度為2 X10-4?5X 10_3Pa，蒸鍍速率為I?lOnm/s。
7.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴摻雜層的厚度為20?lOOnm。
8.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%?60%，所述金屬氧化物的質(zhì)量為IOmg?50mg。
9.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:真空度為2X10_4?5X10_3Pa，蒸鍍速率為0.1?lnm/s。
10.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍陰極時的真空度為2X10—4?5X10_3Pa，蒸鍍速率為I?10nm/s。
【文檔編號】H01L51/54GK103928636SQ201310015374
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月16日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司