專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法、以及相關(guān)的電子設(shè)備和電子系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
已經(jīng)進行了在襯底上垂直地形成多個存儲單元的各種方法的研究，從而按比例縮小半導(dǎo)體器件并改善半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供具有高可靠的三維晶體管的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明構(gòu)思的其它實施例提供制造該半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明構(gòu)思的其它實施例提供具有該半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備和電子系統(tǒng)。本發(fā)明構(gòu)思的方面不應(yīng)受到以上描述限制，其它未提及的方面將從這里描述的示例實施例而被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員清楚地理解。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件。該器件包括設(shè)置在襯底上的第一和第二隔離圖案。該器件還可以包括在襯底的表面上且在第一和第二隔離圖案之間的交替堆疊的層間絕緣圖案和導(dǎo)電圖案。支撐圖案貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案，并具有比第一和第二隔離圖案小的寬度。第一垂直結(jié)構(gòu)貫穿第一隔離圖案和支撐圖案之間的多個導(dǎo)電圖案和多個層間絕緣圖案。第二垂直結(jié)構(gòu)貫穿第二隔離圖案和支撐圖案之間的多個導(dǎo)電圖案和多個層間絕緣圖案。支撐圖案的頂表面和底表面之間的距離大于支撐圖案的底表面與襯底的表面之間的距離。從平面圖，第一和第二隔離圖案可以具有基本上彼此平行的線形狀。從平面圖，支撐圖案可以具有基本上平行于第一和第二隔離圖案的線形狀。支撐圖案可以包括具有第一寬度的第一部分以及具有小于第一寬度的第二寬度的第二部分。支撐圖案的第一部分可以設(shè)置在層間絕緣圖案之間，支撐圖案的第二部分可以設(shè)置在導(dǎo)電圖案之間。第一和第二隔離圖案的每個可以在與層間絕緣圖案基本上相同的水平具有第三寬度，并在與導(dǎo)電圖案基本上相同的水平具有大于第三寬度的第四寬度。支撐圖案的頂表面可以設(shè)置在與第一和第二垂直結(jié)構(gòu)的頂表面不同的水平。支撐圖案可以包括主支撐圖案以及設(shè)置在主支撐圖案的側(cè)表面上的輔助支撐圖案。輔助支撐圖案可以設(shè)置在層間絕緣圖案與主支撐圖案之間并由與主支撐圖案的材料不同的材料形成。導(dǎo)電圖案可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案、設(shè)置在至少一個下導(dǎo)電圖案上的多個中間導(dǎo)電圖案、以及設(shè)置在中間導(dǎo)電圖案上的至少一個上導(dǎo)電圖案。第一和第二隔離圖案的頂表面可以設(shè)置在比支撐圖案和第一和第二垂直結(jié)構(gòu)高的水平。第一隔離圖案和第一垂直結(jié)構(gòu)之間的距離可以不同于支撐圖案與第一垂直結(jié)構(gòu)之間的距離。第一和第二垂直結(jié)構(gòu)的每個可以包括有源圖案和電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料可以插設(shè)在有源圖案與導(dǎo)電圖案之間并在有源圖案與層間絕緣圖案之間延伸。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的隔離圖案。交替堆疊的導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案設(shè)置在隔離圖案之間的襯底上。垂直結(jié)構(gòu)貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案。支撐圖案貫穿垂直結(jié)構(gòu)之間的多個導(dǎo)電圖案和多個層間絕緣圖案并具有小于隔離圖案的寬度。支撐圖案在鄰近層間絕緣圖案的部分中具有第一寬度，在鄰近導(dǎo)電圖案的部分中具有第二寬度，第二寬度不同于第一寬度。支撐圖案的第一寬度可以大于其第二寬度。支撐圖案可以包括主支撐圖案以及輔助支撐圖案，該輔助支撐圖案由相對于主支撐圖案具有蝕刻選擇性的材料層形成。主支撐圖案可以貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案。輔助支撐圖案可以包括插設(shè)在層間絕緣圖案和主支撐圖案之間的側(cè)部輔助圖案、以及插設(shè)在主支撐圖案與襯底之間的底部輔助圖案。每個垂直結(jié)構(gòu)可以包括貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案的有源圖案、以及插設(shè)在有源圖案與導(dǎo)電圖案之間并在有源圖案與層間絕緣圖案之間延伸的第一電介質(zhì)圖案。半導(dǎo)體器件還可以包括第二電介質(zhì)圖案，該第二電介質(zhì)圖案插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)一個與導(dǎo)電圖案之間并在導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案之間延伸以及在導(dǎo)電圖案與支撐圖案之間延伸。每個垂直結(jié)構(gòu)還可以包括第一電介質(zhì)圖案與層間絕緣圖案之間的保護電介質(zhì)圖案。半導(dǎo)體器件還可以包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的表面中的凹入?yún)^(qū)域。支撐圖案可以延伸到凹入?yún)^(qū)域中。支撐圖案可以包括導(dǎo)電材料層和插設(shè)在導(dǎo)電材料層與半導(dǎo)體襯底之間的絕緣氧化物。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上的第一和第二隔離圖案。層疊結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一和第二隔離圖案之間的半導(dǎo)體襯底上。層疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖案、層間絕緣圖案和蓋圖案。支撐圖案設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)中并具有比第一和第二隔離圖案小的寬度，其中支撐圖案包括接觸層間絕緣圖案的第一部分以及接觸導(dǎo)電圖案的第二部分，其中第一部分比第二部分寬。垂直有源圖案結(jié)構(gòu)設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)中并與支撐圖案間隔開。導(dǎo)電圖案包括下導(dǎo)電圖案、設(shè)置在下導(dǎo)電圖案上的多個中間導(dǎo)電圖案、以及設(shè)置在多個中間導(dǎo)電圖案上的上導(dǎo)電圖案。層間絕緣圖案包括插設(shè)在下導(dǎo)電圖案與半導(dǎo)體襯底之間的最下面的絕緣圖案、插設(shè)在下導(dǎo)電圖案與多個中間導(dǎo)電圖案之間的下絕緣圖案、插設(shè)在多個中間導(dǎo)電圖案之間的中間層間圖案、插設(shè)在多個中間導(dǎo)電圖案與上導(dǎo)電圖案之間的上絕緣圖案、以及設(shè)置在上導(dǎo)電圖案上的最上面的絕緣圖案。蓋圖案設(shè)置在最上面的絕緣圖案上。支撐圖案貫穿最上面的絕緣圖案、上導(dǎo)電圖案、上絕緣圖案、多個中間導(dǎo)電圖案、以及中間層間圖案。支撐圖案還可以延伸到下絕緣圖案中。支撐圖案的底表面可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案高的水平。支撐圖案的底表面與頂表面之間的距離可以大于支撐圖案的底表面與半導(dǎo)體襯底的表面之間的距離。支撐圖案可以貫穿導(dǎo)電圖案和絕緣圖案并在半導(dǎo)體襯底的表面下面延伸。半導(dǎo)體器件還可以包括設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)下面的導(dǎo)線。導(dǎo)線可以具有比垂直有源圖案結(jié)構(gòu)小的寬度。垂直有源圖案結(jié)構(gòu)和支撐圖案中的其中之一可以向上延伸以貫穿蓋圖案，其另一個可以用蓋圖案覆蓋。半導(dǎo)體器件還可以包括從導(dǎo)線延伸到垂直有源圖案結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電接觸插塞。此外，導(dǎo)電接觸插塞可以貫穿蓋圖案。從平面圖，多個垂直有源圖案結(jié)構(gòu)可以布置為使得彼此鄰近的垂直有源圖案結(jié)構(gòu)在隔離圖案和支撐圖案之間是非共線的。其它實施例的特定細(xì)節(jié)被包括在具體描述和附圖中。


從本發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)選實施例的更具體描述，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它它特征和優(yōu)點將變得明顯，如附圖所示，其中相同的附圖標(biāo)記在不同視圖中始終指代相同的部件。附圖不一定按比例繪制，而是重點在于示出本發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中:圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖2B至圖2D分別是圖2A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖2E是圖2A的部分“B”的局部放大圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖3B至圖3D分別是圖3A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖4B至圖4D分別是圖4A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖5B至圖5C分別是圖5A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖7A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖7B至圖7D分別是圖7A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖7E是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖9A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖9B和圖9C分別是圖9A的部分“A”的修改示例的局部放大圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖14A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖14B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第六實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第六實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖22是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第六實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第七實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第七實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的截面圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第七實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例的截面圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第八實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第九實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第十實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖29是示出本發(fā)明構(gòu)思的第一至第四實施例以及第八至第十實施例的流程圖；圖30A至圖30R是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖31A至圖31C是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖32A和圖32B是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的另一修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖33A至圖33C是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的另一修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖34是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的另一修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖35A至圖3 是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖36A至圖36H是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖37A至圖37E是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖38是示出本發(fā)明構(gòu)思的第五至第七實施例及其修改示例的流程圖；圖39A至圖39G是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖40A至圖40D是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第六實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖41A至圖41D是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第七實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的方法的截面圖42是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的半導(dǎo)體器件的存儲卡系統(tǒng)的示意圖；圖43是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖；圖44是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備(例如，數(shù)據(jù)存儲器)的框圖；以及圖45是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。
具體實施例方式在下文將參照附圖更充分地描述本發(fā)明構(gòu)思，附圖中示出本發(fā)明構(gòu)思的實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施例。而是，提供這些實施例使得本公開透徹和完整，并將本發(fā)明構(gòu)思的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸被夸大。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。這里參照截面圖、平面圖和框圖描述本發(fā)明構(gòu)思的實施例，這些圖為本發(fā)明構(gòu)思的理想化實施例的示意圖。因而，由例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的變化是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不應(yīng)被解釋為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差。例如，示出為矩形的蝕刻區(qū)域通常將具有圓化或彎曲的特征。因此，附圖所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要示出器件區(qū)域的精確形狀，也并非要限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的厚度被夸大。還將理解，當(dāng)稱一層在另一層或襯底“上”時，它可以直接在另一層或襯底上，或者還可以存在居間層。相反，當(dāng)稱一層“直接在”另一層或襯底上時，不存在居間層。由相同附圖標(biāo)記指示的部分始終表示相同的部件。為便于描述，這里可以使用空間相對性術(shù)語諸如“頂端”、“底端”、“頂表面”、“底表面”、“上”、“下”等來描述如附圖所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征的關(guān)系。將理解，空間相對術(shù)語旨在概括除附圖所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過來，則相對于其它元件或特征被描述為“之下”的元件將會相對于其它元件或特征取向為“之上”。這樣，示例性術(shù)語“之下”可以涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以采取其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向)，這里所用的空間相對性描述符做相應(yīng)解釋。將理解，雖然這里可以使用術(shù)語第一、第二等描述各個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。因此，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分而不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。這里所用的術(shù)語僅是為了描述特定實施例，并非要限制本發(fā)明構(gòu)思。將理解，雖然這里可以使用術(shù)語諸如“支撐”或“隔離”來描述各個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一區(qū)域、層或部分卻別開。因此，以下討論的支撐圖案或隔離圖案可以被稱為例如第一圖案或第二圖案，而不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。例如，在說明書中，“支撐圖案”和“隔離圖案”可以分別用“第一圖案”和“第二圖案”來代替。
在這里使用時，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一”和“該”均同時旨在包括復(fù)數(shù)形式。將進一步理解的是，術(shù)語“包括”和/或“包含”，當(dāng)在本說明書中使用時，指明了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。除非另行定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣含義。將進一步理解的是，除非此處加以明確定義，否則諸如通用詞典中所定義的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境和本說明書中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過度形式化的意義。圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖2A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖2B至圖2D分別是圖2A的部分“A”的修改示例的局部放大圖。圖2E是圖2A的部分“B”的局部放大圖。這里，圖2A示出了沿圖1的線1-1’截取的區(qū)域。首先，將參照圖1和圖2A描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第一實施例的半導(dǎo)體器件。參照圖1和圖2A，可以提供襯底I。襯底I可以是半導(dǎo)體襯底。例如，襯底I可以是硅(Si )襯底、鍺(Ge )襯底或硅鍺(SiGe )襯底。同時，襯底I可以是絕緣體上硅(SOI)層。襯底I可以包括其中形成存儲單元的存儲單元陣列區(qū)以及其中形成用于操作存儲單元的外圍電路的外圍電路區(qū)。層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)72可以包括沿垂直方向交替且重復(fù)地層疊在襯底I上的多個層間絕緣圖案6a和多個導(dǎo)電圖案66a。此外，每個層疊結(jié)構(gòu)72還可以包括第一蓋圖案27a和第二蓋圖案52a。導(dǎo)電圖案66a可以通過層間絕緣圖案6a彼此間隔開且垂直地層疊。導(dǎo)電圖案66a可以包括最下面的導(dǎo)電圖案66aL、設(shè)置在最下面的導(dǎo)電圖案66aL上的多個中間導(dǎo)電圖案66aM、以及設(shè)置在中間導(dǎo)電圖案66aM上的最上面的導(dǎo)電圖案66aU。導(dǎo)電圖案66a可以包括摻雜半導(dǎo)體(例如，摻雜硅)、金屬(例如，鎢(W)、銅(Cu)或鋁(Al))、導(dǎo)電金屬氮化物(例如，鈦氮化物(TiN)、鉭氮化物(TaN)或鎢氮化物(WN))、導(dǎo)電金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，金屬硅化物)、或過渡金屬(例如，鈦(Ti)或鉭(Ta))中的至少之一。例如，每個導(dǎo)電圖案66a可以包括鶴層和欽氣化物層。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體器件在非易失性存儲器件諸如快閃存儲器中使用時，最下面的導(dǎo)電圖案66aL可以用作接地選擇柵電極，最上面的導(dǎo)電圖案66aU可以用作串選擇柵電極。中間導(dǎo)電圖案66aM的大部分或全部可以用作單元柵電極。層間絕緣圖案6a可以包括最下面的層間絕緣圖案6aL、設(shè)置在最下面的層間絕緣圖案6aL上的中間層間絕緣圖案6aM、以及設(shè)置在中間層間絕緣圖案6aM上的最上面的層間絕緣圖案6aU。最上面的層間絕緣圖案6aU可以比最下面的層間絕緣圖案6aL厚。每個中間層間絕緣圖案6aM可以比最下面的層間絕緣圖案6aL厚。每個中間層間絕緣圖案6aM可以比最上面的層間絕緣圖案6aU薄。層間絕緣圖案6a可以由絕緣材料諸如硅氧化物形成。第一蓋圖案27a和第二蓋圖案52a可以設(shè)置在最上面的層間絕緣圖案6aU上，并由絕緣材料諸如硅氧化物形成。多個隔離圖案90可以設(shè)置在襯底I上。隔離圖案90可以由絕緣材料(例如，硅氧化物)形成。從平面圖，隔離圖案90可以具有基本上彼此平行的線形狀。從平面圖，層疊結(jié)構(gòu)72和隔離圖案90可以交替且重復(fù)地布置。例如，單個層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I的位于彼此相鄰設(shè)置的第一隔離圖案90_1和第二隔離圖案90_2之間的表面MS上。類似地，單個隔離圖案90可以設(shè)置在兩個相鄰的層疊結(jié)構(gòu)72之間的襯底I上。因此，可以設(shè)置層疊結(jié)構(gòu)72，該層疊結(jié)構(gòu)72包括多個層間絕緣圖案圖6a和多個導(dǎo)電圖案66a，該多個層間絕緣圖案圖6a和多個導(dǎo)電圖案66a交替且重復(fù)地堆疊在襯底I的表面MS上且在彼此相鄰地設(shè)置的第一和第二隔尚圖案90_1和90_2之間。絕緣間隔物81可以設(shè)置在隔離圖案90和層疊結(jié)構(gòu)72之間。絕緣間隔物81可以由絕緣材料諸如硅氧化物或硅氮化物形成。雜質(zhì)區(qū)84可以設(shè)置在隔離圖案90下面的襯底I中。雜質(zhì)區(qū)84可以具有不同于鄰近雜質(zhì)區(qū)84設(shè)置的襯底I的導(dǎo)電類型。雜質(zhì)區(qū)84可以具有N導(dǎo)電類型，而鄰近雜質(zhì)區(qū)84設(shè)置的襯底I可以具有P導(dǎo)電類型。雜質(zhì)區(qū)84可以用作非易失性存儲器件諸如快閃存儲器的公共源極區(qū)。金屬-半導(dǎo)體化合物87可以設(shè)置在形成有雜質(zhì)區(qū)84的襯底I與隔離圖案90之間。金屬-半導(dǎo)體化合物87可以由金屬硅化物諸如鈷硅化物、鈦硅化物或鎳硅化物形成。支撐圖案25’可以設(shè)置在相鄰的隔離圖案90之間。例如，至少一個支撐圖案25’可以設(shè)置在隔離圖案90當(dāng)中的相鄰的第一和第二隔離圖案90_1和90_2之間。支撐圖案25’的頂表面可以設(shè)置在比隔離圖案90的頂表面低的水平面。支撐圖案25’的寬度L2可以小于隔離圖案90的寬度LI。隔離圖案90的寬度LI可以為支撐圖案25’的寬度L2的約
1.5 倍。每個支撐圖案25’可以具有第一部分和第二部分，該第一部分具有第一寬度W1，該第二部分具有小于第一寬度Wl的第二寬度W2。每個隔離圖案90具有第三寬度W3 (可以在與層間絕緣圖案6a基本相同的水平)，并具有大于第三寬度W3的第四寬度W4 (可以在與導(dǎo)電圖案66a基本相同的水平)。支撐圖案25’可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)72中。支撐圖案25’可以具有線形狀。支撐圖案25’可以基本上平行于隔離圖案90。例如，支撐圖案25’和隔離圖案90可以具有基本上彼此平行的線形狀。支撐圖案25’可以貫穿層疊結(jié)構(gòu)72的層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。此外，每個支撐圖案25’可以延伸到襯底I的凹入?yún)^(qū)域17。襯底I的凹入?yún)^(qū)域17的底表面可以設(shè)置在比襯底I的表面MS低的水平。因此，支撐圖案25’的底表面可以設(shè)置在比襯底I的表面MS低的水平。支撐圖案25’的底表面與襯底I的表面MS之間的距離H2可以小于支撐圖案25’的頂表面與其底表面之間的距離H1。層間絕緣圖案6a之間的支撐圖案25’可以與層間絕緣圖案6a的側(cè)表面直接接觸。因此，支撐圖案25’可以用于防止層間絕緣圖案6a的翹曲或變形并防止在層間絕緣圖案6a中發(fā)生諸如裂紋的損傷(failure)。每個支撐圖案25’可以包括主支撐圖案24’和設(shè)置在主支撐圖案24’下面的絕緣氧化物21。絕緣氧化物21可以覆蓋凹入?yún)^(qū)域17的底表面和側(cè)壁。絕緣氧化物21可以插入在主支撐圖案24’和襯底I之間。絕緣氧化物21可以包括通過氧化襯底I得到的硅氧化物。主支撐圖案24’可以由絕緣材料(例如，硅氮化物或硅氧化物)或?qū)щ姴牧?例如，多晶硅(poly-Si))形成。當(dāng)主支撐圖案24’包括導(dǎo)電材料層時，絕緣氧化物21可以使主支撐圖案24’與襯底I電絕緣。支撐圖案25’可以用第一蓋圖案27a覆蓋。多個垂直結(jié)構(gòu)50可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)72中。垂直結(jié)構(gòu)50可以貫穿層疊結(jié)構(gòu)72中的層間絕緣圖案6a、導(dǎo)電圖案66a和第一蓋圖案27a。垂直結(jié)構(gòu)50可以包括插設(shè)在支撐圖案25’和第一隔離圖案90_1之間的第一垂直結(jié)構(gòu)50_1、以及插設(shè)在支撐圖案25’和第二隔離圖案90_2之間的第二垂直結(jié)構(gòu)50_2。第一垂直結(jié)構(gòu)50_1和第一隔離圖案90_1之間的距離SI可以不同于第一垂直結(jié)構(gòu)50_1和支撐圖案25’之間的距離S2。多個垂直結(jié)構(gòu)50可以以Z字形或非共線的布置方式布置在彼此相鄰設(shè)置的隔離圖案90和支撐圖案25’之間。垂直結(jié)構(gòu)50的頂表面可以設(shè)置在比支撐圖案25’的頂表面高的水平。垂直結(jié)構(gòu)50的頂表面可以設(shè)置在比隔離圖案90的頂表面低的水平。隔離圖案90的頂表面可以設(shè)置在比支撐圖案25’高的水平。每個垂直結(jié)構(gòu)50可以具有有源圖案40和第一電介質(zhì)圖案35。有源圖案40可以具有豎直形狀。有源圖案40可以是可用作晶體管的溝道區(qū)域的半導(dǎo)體圖案。例如，有源圖案40可以是由多晶Si或單晶硅形成的半導(dǎo)體圖案。有源圖案40可以電連接到襯底I的預(yù)定區(qū)域。有源圖案40可以延伸到形成在襯底I中的凹入?yún)^(qū)域31中。凹入?yún)^(qū)域31的底表面可以設(shè)置在比襯底I的表面MS低的水平。在一些實施例中，有源圖案40可以具有中空形狀，例如管形或通心粉形狀。在這種情況下，有源圖案40的底端可以為封閉的狀態(tài)。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)50可以具有間隙填充圖案45、設(shè)置在間隙填充圖案45上的焊盤圖案48、以及覆蓋間隙填充圖案45的側(cè)表面和底表面且延伸到焊盤圖案48的側(cè)表面上的有源圖案40。此外，在垂直結(jié)構(gòu)50中，第一電介質(zhì)圖案35可以插設(shè)在有源圖案40與導(dǎo)電圖案66a之間并在有源圖案40和層間絕緣圖案6a之間延伸。因此，第一電介質(zhì)圖案35可以插設(shè)在層疊結(jié)構(gòu)72與有源圖案40的外側(cè)表面之間。焊盤圖案48可以包括晶體娃。例如，焊盤圖案48可以由多晶Si形成。焊盤圖案48的側(cè)表面可以與有源圖案40接觸。間隙填充圖案45可以由絕緣材料(例如，硅氧化物)形成。在垂直結(jié)構(gòu)50中，第一電介質(zhì)圖案35可以包括相對于支撐圖案25’的主支撐圖案24’具有蝕刻選擇性的材料層。第二電介質(zhì)圖案63可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)50和導(dǎo)電圖案66a之間，并在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間延伸，以及還在支撐圖案25’和導(dǎo)電圖案66a之間延伸。在半導(dǎo)體工藝和/或傳送半導(dǎo)體晶片以執(zhí)行半導(dǎo)體工藝的工藝期間，支撐圖案25’可以防止在中間層間絕緣圖案6aM中發(fā)生損傷(例如，裂紋)或由于施加到層間絕緣圖案6a (具體地，中間層間絕緣圖案6aM)的應(yīng)力引起的中間層間絕緣圖案6aM的變形或翹曲而產(chǎn)生的對中間層間絕緣圖案6aM的損壞。此外，垂直結(jié)構(gòu)50可以防止利用中間層間絕緣圖案6aM在垂直結(jié)構(gòu)50中發(fā)生損傷(例如，裂紋)，可以利用支撐圖案25’防止中間層間絕緣圖案6aM被破壞或損傷。也就是說，支撐圖案25’可以與中間層間絕緣圖案6aM的任一個側(cè)表面接觸，防止中間層間絕緣圖案6aM的變形或?qū)ζ涞膿p壞。由于中間層間絕緣圖案6aM沒有變形或損壞，所以可以防止在垂直結(jié)構(gòu)50中發(fā)生損傷諸如裂紋。多條導(dǎo)線96可以設(shè)置在隔離圖案90和層疊結(jié)構(gòu)72上。導(dǎo)電接觸插塞93可以設(shè)置為將導(dǎo)線96與垂直結(jié)構(gòu)50電連接。導(dǎo)電接觸插塞93可以貫穿第二蓋圖案52a并將導(dǎo)線96與垂直結(jié)構(gòu)50的焊盤圖案48電連接。垂直結(jié)構(gòu)50可以具有第一寬度D1，而導(dǎo)線91可以具有小于第一寬度Dl的第二寬度D2。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例中，第一和第二電介質(zhì)圖案35和63可以被不同地修改?，F(xiàn)在將分別參照圖2B至圖2D來描述被不同修改的第一和第二電介質(zhì)圖案35和63。首先，將參照圖2B更詳細(xì)地描述根據(jù)第一實施例的第一和第二電介質(zhì)圖案35和63。參照圖2A和圖2B，圖2A的第一電介質(zhì)圖案35可以是具有多個電介質(zhì)層的第一電介質(zhì)圖案35a。例如,每個第一電介質(zhì)圖案35a可以包括第一電介質(zhì)層35al、第二電介質(zhì)層35a2和第三電介質(zhì)層35a3。第二電介質(zhì)層35a2可以插設(shè)在第一和第三電介質(zhì)層35al和35a3之間。第三電介質(zhì)層35a3可以鄰近有源圖案40。第一電介質(zhì)層35al可以鄰近導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a。因此，可以提供包括第一至第三電介質(zhì)層35al、35a2和35a3的垂直結(jié)構(gòu)50a。在一些實施例中，第一電介質(zhì)層35al可以是勢壘電介質(zhì)層，第二電介質(zhì)層35a2可以是用于存儲信息或電荷的層，也就是數(shù)據(jù)存儲層。第三電介質(zhì)層35a3可以是隧穿電介質(zhì)層。此外，第二電介質(zhì)圖案63可以是阻擋電介質(zhì)層63a。隧穿電介質(zhì)層可以包括硅氧化物層和氮摻雜的硅氧化物層中的至少之一。例如，當(dāng)?shù)谌娊橘|(zhì)層35a3是隧穿電介質(zhì)層時，第三電介質(zhì)層35a3可以包括硅氧化物層和/或氮摻雜的硅氧化物層。數(shù)據(jù)存儲層可以是在非易失性存儲器件諸如快閃存儲器中用于存儲信息的層。例如，數(shù)據(jù)存儲層可以是能夠俘獲電荷以存儲信息的材料層。因此，基于存儲器件的運行條件，用作數(shù)據(jù)存儲層的第二電介質(zhì)層35a2可以由能夠俘獲并保留穿過用作隧穿電介質(zhì)層的第三電介質(zhì)層35a3從有源圖案40注入的電子的材料形成，或由能夠擦除被俘獲在用作數(shù)據(jù)存儲層的第二電介質(zhì)層35a2中的電子的材料形成。例如，用作數(shù)據(jù)存儲層的第二電介質(zhì)層35a2可以包括硅氮化物和高k電介質(zhì)材料中的至少之一。高k電介質(zhì)材料可以包括具有比硅氧化物高的介電常數(shù)的電介質(zhì)材料(例如，鋁氧化物(AlO)、鋯氧化物(ZrO)、鉿氧化物(HfO)或鑭氧化物(LA0))。用作勢壘電介質(zhì)層的第一電介質(zhì)層35al可以由具有比高k電介質(zhì)材料大的能帶隙的電介質(zhì)材料(例如，硅氧化物)形成。用作阻擋電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)圖案63a可以包括具有比用作隧穿電介質(zhì)層的第三電介質(zhì)層35a3高的介電常數(shù)的高k電介質(zhì)材料(例如，金屬氧化物，諸如鉿氧化物和/或鋁氧化物)。在支撐圖案25’當(dāng)中，主支撐圖案24’可以由相對于第一電介質(zhì)層35al具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氮化物層或多晶硅層)形成。接著，將參照圖2C更詳細(xì)地描述根據(jù)第一實施例的第一和第二電介質(zhì)圖案35和63的修改示例。參照圖2A和圖2C，圖2A的第一和第二電介質(zhì)圖案35和63的每個可以包括多個電介質(zhì)層。例如，第一電介質(zhì)圖案35可以是包括第一電介質(zhì)層35bl和第二電介質(zhì)層35b2的第一電介質(zhì)圖案35b,第二電介質(zhì)圖案63可以是包括第三電介質(zhì)層63bI和第四電介質(zhì)層63b2的第二電介質(zhì)圖案63b。因此,可以提供包括第一和第二電介質(zhì)層35bl和35b2的垂直結(jié)構(gòu)50b。在第一電介質(zhì)圖案35b中，第一電介質(zhì)層35bl可以鄰近層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a，而第二電介質(zhì)層35b2可以鄰近有源圖案40。因此，可以提供包括修改的電介質(zhì)圖案35b的垂直結(jié)構(gòu)50b。在第二電介質(zhì)圖案63b中，第三電介質(zhì)層63bl可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)50b之間并在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間延伸,第四電介質(zhì)層63b2可以插設(shè)在第三電介質(zhì)層63bI和導(dǎo)電圖案66a之間。第一和第三電介質(zhì)層35bl和63bl中的任何一個可以是數(shù)據(jù)存儲層。例如，在第一電介質(zhì)圖案35b中，第一電介質(zhì)層35bl可以是數(shù)據(jù)存儲層,第二電介質(zhì)層35b2可以是隧穿電介質(zhì)層。在第二電介質(zhì)圖案63b中，第三電介質(zhì)層63bl可以是勢壘電介質(zhì)層，第四電介質(zhì)層63b2可以是阻擋電介質(zhì)層。在另一,清形下，在第一電介質(zhì)圖案35b中，第一電介質(zhì)層35bl可以是勢壘電介質(zhì)層，第二電介質(zhì)層35b2可以是隧穿電介質(zhì)層。在第二電介質(zhì)圖案63b中，第三電介質(zhì)層63bl可以是數(shù)據(jù)存儲層，第四電介質(zhì)層63b2可以是阻擋電介質(zhì)層。在支撐圖案25’當(dāng)中，主支撐圖案24’可以由相對于第一電介質(zhì)層35bl具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層或硅氧化物層)形成。接著，將參照圖2D更詳細(xì)地描述根據(jù)第一實施例的第一和第二電介質(zhì)圖案35和63的另一修改不例。參照圖2A和圖2D,圖2A的第一電介質(zhì)圖案35可以是包括隧穿電介質(zhì)層的第一電介質(zhì)圖案35c，圖2A的第二電介質(zhì)圖案63可以是第二電介質(zhì)圖案63c，該第二電介質(zhì)圖案63c包括插設(shè)在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)50c之間的數(shù)據(jù)存儲層63c1、插設(shè)在數(shù)據(jù)存儲層63cl和導(dǎo)電圖案66a之間的勢魚電介質(zhì)層63c2、以及插設(shè)在勢魚電介質(zhì)層63c2和導(dǎo)電圖案66a之間的阻擋層63c3?？梢蕴峁┌ǖ谝浑娊橘|(zhì)圖案35c的垂直結(jié)構(gòu)50c。接著，將參照圖2E更詳細(xì)地描述根據(jù)第一實施例的有源圖案40和焊盤圖案48。參照圖2A和圖2E，有源圖案40可以包括具有不同電性能的第一部分40L和第二部分40U。第二部分40U可以設(shè)置在第一部分40L上并具有與焊盤圖案48相同的導(dǎo)電類型。第二部分40U可以設(shè)置在有源區(qū)域40的上區(qū)域中，第一部分40L可以設(shè)置在第二部分40U下面的有源區(qū)域40中。第二部分40U可以設(shè)置在焊盤圖案48的側(cè)表面上的有源圖案40中，并延伸到設(shè)置在比焊盤圖案48低的水平的有源區(qū)域40中。第二部分40U的底部分可以插設(shè)在焊盤圖案48和導(dǎo)電圖案66a的最上面的導(dǎo)電圖案66aU之間。在另一,清形下，第二部分40U的底部分可以設(shè)置在與在最上面的導(dǎo)電圖案66aU的頂表面基本相同的水平，或插設(shè)在最上面的導(dǎo)電圖案66aU的頂表面和底表面之間。有源圖案40的第一和第二部分40L和40U可以具有不同的電性能。例如，第二部分40U可以具有N型半導(dǎo)體性質(zhì)，而第一部分40L可以具有P型半導(dǎo)體性質(zhì)。在另一種情形下，第二部分40U可以具有N型半導(dǎo)體性質(zhì)，第一部分40L可以具有本征半導(dǎo)體性質(zhì)。有源圖案40的第二部分40U可以具有與焊盤圖案48相同的電性能，例如N型半導(dǎo)體性質(zhì)。在以下實施例中，假設(shè)有源圖案的上部區(qū)域和焊盤圖案具有相同的導(dǎo)電類型，例如N型半導(dǎo)體性質(zhì)。在下文，為了簡潔，將省略其詳細(xì)描述?，F(xiàn)在將參照圖3A來描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例。這里，將主要描述根據(jù)第一實施例的上述半導(dǎo)體器件的修改部分。參照圖3A，如參照圖2A所述，包括多個層間絕緣圖案6a和多個導(dǎo)電圖案66a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在彼此相鄰設(shè)置的一對隔離圖案90之間。此外，如參照圖2A所述，可以提供包括第一電介質(zhì)圖案135、間隙填充圖案145、焊盤圖案148和有源圖案140的垂直結(jié)構(gòu)150。此外，如參照圖2A所述，第二電介質(zhì)圖案163可以插設(shè)在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間并在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)150之間延伸。由于以上描述了層疊結(jié)構(gòu)72、垂直結(jié)構(gòu)150以及第二電介質(zhì)圖案163,所以將省略其詳細(xì)描述?？梢蕴峁﹫D2A的支撐圖案25’的修改的支撐圖案125’。例如，每個修改的支撐圖案125’可以包括主支撐圖案123m和輔助(subsidiary)支撐圖案123a。如參照圖3A和圖3B所示，每個支撐圖案125’可以包括具有第一寬度的第一部分以及具有小于第一寬度的第二寬度的第二部分。主支撐圖案123m可以貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。輔助支撐圖案123a可以包括插設(shè)在層間絕緣圖案6a和主支撐圖案123m之間的側(cè)部輔助支撐圖案123al、以及插設(shè)在主支撐圖案123m和襯底I之間的底部輔助支撐圖案123a2。在一些實施例中，支撐圖案125’還可以包括絕緣氧化物121，該絕緣氧化物121插設(shè)在設(shè)置于主支撐圖案123m下面的底部輔助支撐圖案123a2和襯底I之間。輔助支撐圖案123a可以由相對于第一電介質(zhì)圖案135具有蝕刻選擇性的材料(例如，多晶Si)形成，主支撐圖案123m可以由相對于輔助支撐圖案123a具有蝕刻選擇性的材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)形成。絕緣氧化物121可以由能夠使輔助支撐圖案123a與襯底I電絕緣的材料(例如，硅氧化物)形成。第一電介質(zhì)圖案135和第二電介質(zhì)圖案163可以被不同地修改，如參照圖2B至圖2D所述。因此，將參照圖3B至圖3D描述被不同修改的第一和第二電介質(zhì)圖案135和163。首先，參照圖3A和圖3B，如參照圖2B所述，圖3A的每個第一電介質(zhì)圖案135可以被修改為包括隧穿電介質(zhì)層135a3、數(shù)據(jù)存儲層135a2和勢壘電介質(zhì)層135al的第一電介質(zhì)圖案135a。因此，可以提供包括修改的第一電介質(zhì)圖案135a的垂直結(jié)構(gòu)150a。此外，圖3A的第二電介質(zhì)圖案163可以被修改為包括阻擋電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)圖案163a。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案135a和163a基本類似于參照圖2B描述的那些,所以將省略其詳細(xì)描述。在支撐圖案125’當(dāng)中，輔助支撐圖案123a可以由相對于第一電介質(zhì)圖案135a的勢壘電介質(zhì)層135al具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層)形成，主支撐圖案123m可以由相對于輔助支撐圖案123a具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層或硅氮化物層)形成。接著，將參照圖3C描述第一和第二電介質(zhì)圖案135和163的另一修改示例。參照圖3A和圖3C，圖3A的第一和第二電介質(zhì)圖案135和163的每個可以包括如參照圖2C所述的多個電介質(zhì)層。例如，第一電介質(zhì)圖案135可以是包括第一電介質(zhì)層135bl和第二電介質(zhì)層135b2的第一電介質(zhì)圖案135b,可以提供包括第一電介質(zhì)圖案135b的垂直結(jié)構(gòu)150b。此外，第二電介質(zhì)圖案163可以是包括第三電介質(zhì)層163bl和第四電介質(zhì)層163b2的第二電介質(zhì)圖案163b。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案135b和163b基本類似于參照圖2C描述的那些，所以將省略其詳細(xì)描述。在支撐圖案125’當(dāng)中，輔助支撐圖案123a可以由相對于第一電介質(zhì)圖案135b的第一電介質(zhì)材料層135bl具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層)形成，主支撐圖案123m可以由相對于輔助支撐圖案123a具有蝕刻選擇性的材料層(例如,娃氧化物層或娃氮化物層)形成。接下來，將參照圖3D描述第一和第二電介質(zhì)圖案135和163的另一修改不例。參照圖3A和圖3D,圖3A的第一電介質(zhì)圖案135可以是包括隧穿電介質(zhì)層的第一電介質(zhì)圖案135c，可以提供包括第一電介質(zhì)圖案135c的垂直結(jié)構(gòu)150c。另外，如參照圖2D所述，圖3A的第二電介質(zhì)圖案163可以是包括數(shù)據(jù)存儲層163cl和阻擋層163c2的第二電介質(zhì)圖案163c。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案135c和163c基本上類似于參照圖2D描述的那些，所以將省略其詳細(xì)描述。將參照圖4A描述根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。這里，將主要描述根據(jù)第一實施例的上述半導(dǎo)體器件的修改部分。參照圖4A，如參照圖3A所述的，包括多個層間絕緣圖案6a和多個導(dǎo)電圖案66a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)72可以插設(shè)在一對相鄰的隔離圖案90之間。此外，如參照圖3A所述的，可以提供包括第一電介質(zhì)圖案235、間隙填充圖案245、焊盤圖案248和有源圖案240的垂直結(jié)構(gòu)250。第二電介質(zhì)圖案263可以插設(shè)在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間并在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)250之間延伸?？梢蕴峁﹫D3A的支撐圖案125’的修改支撐圖案225’。例如，每個支撐圖案225’可以是包括至少三個層的復(fù)合層。例如，每個支撐圖案225’可以包括主支撐圖案223m以及第一和第二輔助支撐圖案223a和223b。每個支撐圖案225可以包括具有第一寬度的第一部分以及具有小于第一寬度的第二寬度的第二部分。主支撐圖案223m可以貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。此外，第一和第二輔助支撐圖案223a和223b可以插設(shè)在層間絕緣圖案6a和主支撐圖案223m之間、以及插設(shè)在主支撐圖案223m和襯底I之間。第二輔助支撐圖案223b可插設(shè)在第一輔助支撐圖案223a和主支撐圖案223m之間。如圖4A所示，每個第一輔助支撐圖案223a可以包括側(cè)部輔助支撐圖案223al和底部輔助支撐圖案223a2，每個第二輔助支撐圖案223b可以包括側(cè)部輔助支撐圖案223bl和底部輔助支撐圖案223b2。第一輔助支撐圖案223a可以由相對于第一電介質(zhì)圖案235的鄰近層疊結(jié)構(gòu)72設(shè)置的電介質(zhì)材料形成部分具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶硅層)形成。第二輔助支撐圖案223b可以由相對于第一電介質(zhì)圖案235的鄰近層疊結(jié)構(gòu)72設(shè)置的電介質(zhì)材料形成部分以及第一輔助支撐圖案223a具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層或硅氮化物層)形成。主支撐圖案223m可以由相對于第二輔助支撐圖案223b具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶硅層、硅氧化物層或硅氮化物層)形成。在一些實施例中，如圖4A所示，支撐圖案225’還可以包括插設(shè)在輔助支撐圖案223a和223b與襯底I之間的絕緣氧化物221。第一和第二電介質(zhì)圖案235和263可以被不同地修改。因此，將參照圖4B至圖4D來分別描述不同修改的第一和第二電介質(zhì)圖案235和263以及支撐圖案225’。首先，將參照圖4B描述第一和第二電介質(zhì)圖案235和263的修改示例。參照圖4A和圖4B,如參照圖3B所述的，圖4A的第一電介質(zhì)圖案235可以修改為包括隧穿電介質(zhì)層235a3、數(shù)據(jù)存儲層235a2和勢壘電介質(zhì)層235al的第一電介質(zhì)圖案235a，可以提供包括修改的第一電介質(zhì)圖案235a的垂直結(jié)構(gòu)250a。圖4A的第二電介質(zhì)圖案263可以修改成包括阻擋電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)圖案263a。當(dāng)勢壘電介質(zhì)層235al由硅氧化物層形成時，第一輔助支撐圖案223a可以由相對于勢壘電介質(zhì)層235al具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶硅層)形成，第二輔助支撐圖案223b可以由相對于第一輔助支撐圖案223a具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氮化物層)形成。主支撐圖案223m可以由相對于第二輔助支撐圖案223b具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層)形成。接著，將參照圖4C描述第一和第二電介質(zhì)圖案235和263的另一修改示例。參照圖4A和圖4C，如參照圖3C所述的，圖4A的第一和第二電介質(zhì)圖案235和263可以修改為包括多個電介質(zhì)層的第一和第二電介質(zhì)圖案235b和263b。例如,第一電介質(zhì)圖案235可以是包括第一電介質(zhì)層235bl和第二電介質(zhì)層235b2的第一電介質(zhì)圖案235b,可以提供包括第一電介質(zhì)圖案235b的垂直結(jié)構(gòu)250b。此外,第二電介質(zhì)圖案263可以是包括第三電介質(zhì)層263bl和第四電介質(zhì)層263b2的第二電介質(zhì)圖案263b。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案235b和263b基本上類似于參照圖3C描述的那些，所以將省略其詳細(xì)描述。接著，將參照圖4D描述第一和第二電介質(zhì)圖案235和263的另一修改示例。參照圖4A和圖4D,圖4A的第一電介質(zhì)圖案235可以是包括隧穿電介質(zhì)層的第一電介質(zhì)圖案235c，并且可以提供包括第一電介質(zhì)圖案235c的垂直結(jié)構(gòu)250c。此外，如參照圖2D所述的，圖4A的第二電介質(zhì)圖案263可以是包括數(shù)據(jù)存儲層263cl和阻擋層263c2的第二電介質(zhì)圖案263c。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案235c和263c基本上類似于參照圖2D描述的那些，所以將省略其詳細(xì)描述。將參照圖5A描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。這里，將主要描述根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。參照圖5A，如參照圖3A所述的，包括多個層間絕緣圖案6a、多個導(dǎo)電圖案66a以及第一和第二蓋圖案27a和52a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)72可以插設(shè)在一對相鄰的隔尚圖案90之間。在層疊結(jié)構(gòu)72中，垂直結(jié)構(gòu)350可以設(shè)置為貫穿第一蓋圖案27a、導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a。每個垂直結(jié)構(gòu)350可以包括間隙填充圖案345、焊盤圖案348、有源圖案340、第一電介質(zhì)圖案335和保護電介質(zhì)圖案334。焊盤圖案348可以設(shè)置在間隙填充圖案345上。有源圖案340可以圍繞間隙填充圖案345和焊盤圖案348的側(cè)表面并覆蓋間隙填充圖案345的底表面。第一電介質(zhì)圖案335可以設(shè)置在有源圖案340的外側(cè)表面上。保護電介質(zhì)圖案334可以插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案335和層間絕緣圖案6a之間、以及第一電介質(zhì)圖案335和第一蓋圖案27a之間。保護電介質(zhì)圖案334可以由絕緣材料層(例如，硅氮化物層或硅氧化物層)形成。每個垂直結(jié)構(gòu)350可以包括具有第一寬度Vl的第一部分以及具有小于第一寬度Vl的第二寬度V2的第二部分。在垂直結(jié)構(gòu)350中，保護電介質(zhì)圖案335可以設(shè)置在具有相對大的寬度Vl的第二部分中。在每個垂直結(jié)構(gòu)350中，第一部分可以設(shè)置在與絕緣圖案6a基本相同的水平，而第二部分可以設(shè)置在與導(dǎo)電圖案66a基本相同的水平。在層疊結(jié)構(gòu)72中，支撐圖案可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。支撐圖案可以是參照圖3A描述的支撐圖案125’。例如，每個修改的支撐圖案125’可以包括主支撐圖案124m和輔助支撐圖案123a。支撐圖案125’可以分別包括主支撐圖案123m、輔助支撐圖案123a和氧化物121。主支撐圖案123m可以分別貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。輔助支撐圖案123a可以插設(shè)在主支撐圖案123m和層間絕緣圖案6a之間以及插設(shè)在主支撐圖案123m和襯底I之間。氧化物121可以插設(shè)在主支撐圖案123a和襯底I之間。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，支撐圖案可以是參照圖2A描述的支撐圖案25’，或者參照圖4A描述的支撐圖案225’。當(dāng)保護電介質(zhì)圖案334由絕緣材料層(例如，硅氮化物層或硅氧化物層)形成時，輔助支撐圖案323a可以由相對于保護電介質(zhì)圖案334具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層)形成，主支撐圖案123m可以由相對于輔助支撐圖案123a具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層或硅氮化物層)形成。第一和第二電介質(zhì)圖案335和363可以被不同地修改。因此，將參照圖5B和圖5C來描述不同修改的第一和第二電介質(zhì)圖案335和363。首先，將參照圖5B描述第一和第二電介質(zhì)圖案335和363的修改示例。參照圖5A和圖5B，圖5A的第一電介質(zhì)圖案335可以是包括數(shù)據(jù)存儲層的第一電介質(zhì)圖案335a，圖5A的第二電介質(zhì)圖案363可以是包括阻擋電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)圖案363a。例如，第一電介質(zhì)圖案335a可以包括隧穿電介質(zhì)層335a3、數(shù)據(jù)存儲層335a2和勢壘電介質(zhì)層335al。數(shù)據(jù)存儲層335a2可以插設(shè)在隧穿電介質(zhì)層335a3和勢魚電介質(zhì)層335al之間。隧穿電介質(zhì)層335a3可以鄰近有源圖案340或者與有源圖案340接觸，勢壘電介質(zhì)層335al可以鄰近導(dǎo)電圖案6a和保護電介質(zhì)圖案334。接著，將參照圖5C描述第一和第二電介質(zhì)圖案335和363的另一修改示例。參照圖5C,圖5A的第一和第二電介質(zhì)圖案335和363可以是包括多個電介質(zhì)層的第一和第二電介質(zhì)圖案335b和363b。例如,第一電介質(zhì)圖案335可以是包括第一電介質(zhì)層335bl和第二電介質(zhì)層335b2的第一電介質(zhì)圖案335b,可以提供包括第一電介質(zhì)圖案的垂直結(jié)構(gòu)350b。此外，第二電介質(zhì)圖案363可以是包括第三電介質(zhì)層363bl和第四電介質(zhì)層363b2的第二電介質(zhì)圖案363b。因此，由于修改的第一和第二電介質(zhì)圖案335b和363b基本上類似于參照圖3C描述的那些，所以將省略其詳細(xì)描述。接著，將參照圖6描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。這里，將主要描述根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。參照圖6，如參照圖2A所述的，包括多個層間絕緣圖案6a、多個導(dǎo)電圖案66a以及第一和第二蓋圖案27a和52a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)72可以插設(shè)在一對相鄰的隔離圖案90之間?？梢蕴峁﹨⒄請D5A描述的支撐圖案125’。垂直結(jié)構(gòu)450可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)72中。垂直結(jié)構(gòu)450可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)72中的第一蓋圖案27a、導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a。每個垂直結(jié)構(gòu)450可以包括多個有源圖案433和440。多個有源圖案433和440可以包括下有源圖案433和設(shè)置在下有源圖案433上的上有源圖案440。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)450可以包括間隙填充圖案445、設(shè)置在間隙填充圖案445上的焊盤圖案448、覆蓋間隙填充圖案445的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案448的側(cè)表面上的上有源圖案440、設(shè)置在上有源圖案440下面的下有源圖案433、以及設(shè)置在上有源圖案440的外側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案435。此外，如參照圖5A所述的，每個垂直結(jié)構(gòu)445還可以包括插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案435和層間絕緣圖案6a之間以及插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案435和第一蓋圖案27a之間的保護電介質(zhì)圖案434。此外，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，參照圖6描述的下有源圖案435可以提供在參照圖2A、圖3A和圖4A描述的有源圖案40、140和240與襯底I之間。接著，將參照圖7A描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件。這里，省略與上述實施例中相同的部分，將主要描述根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。參照圖7A，如參照圖2A所述的，包括多個層間絕緣圖案6a、多個導(dǎo)電圖案66a以及第一和第二蓋圖案27a和52a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。此外，每個層疊結(jié)構(gòu)72可以插設(shè)在一對相鄰的隔離圖案90之間。垂直結(jié)構(gòu)550可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)72中。垂直結(jié)構(gòu)550可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)72中的第一蓋圖案27a、導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a。每個垂直結(jié)構(gòu)550可以包括有源圖案540。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)550可以包括間隙填充圖案545、設(shè)置在間隙填充圖案545上的焊盤圖案548以及覆蓋間隙填充圖案545的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案548的側(cè)表面上的有源圖案540。如在之前的實施例中所述的，支撐圖案525可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)72的層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。每個支撐圖案525可以包括主支撐圖案523以及插設(shè)在主支撐圖案523和襯底I之間的氧化物521。電介質(zhì)圖案563可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)550和導(dǎo)電圖案66a之間，并在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案66a和支撐圖案525之間延伸?，F(xiàn)在將參照圖7B至圖7D描述可被不同修改的支撐圖案525。首先，參照圖7B，支撐圖案525可以是與參照圖2A描述的支撐圖案相同的支撐圖案525a。也就是說，每個支撐圖案部525a可以包括第一部分524_1和第二部分5242。第一部分524_1可以設(shè)置與層間絕緣圖案6基本相同的水平并具有相對大的寬度W1，第二部分524_2可以設(shè)置在與導(dǎo)電圖案66a基本相同的水平并具有相對小的寬度W2。支撐圖案525a可以由相對于有源圖案540具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氮化物層)形成。電介質(zhì)圖案563可以包括隧穿電介質(zhì)層536al、數(shù)據(jù)存儲層563a2和阻擋層563a3。數(shù)據(jù)存儲層536a2可以插設(shè)在隧穿電介質(zhì)層536al和阻擋層563a3之間，隧穿電介質(zhì)層563al可以插設(shè)在數(shù)據(jù)存儲層563a2和垂直結(jié)構(gòu)550之間并在數(shù)據(jù)存儲層563a2和層間絕緣圖案6a之間延伸，阻擋層563a3可以插設(shè)在數(shù)據(jù)存儲層563a2和導(dǎo)電圖案66a之間。接著，參照圖7C，如參照圖3A所述的，每個支撐圖案525可以被修改為包括主支撐圖案523ml和輔助支撐圖案523b的支撐圖案525b。每個支撐圖案525b可以包括具有第一寬度Wl的第一部分524_1以及具有小于第一寬度Wl的第二寬度W2的第二部分524_2。輔助支撐圖案523b可以設(shè)置在支撐圖案525b的第一部分524_1中以及插設(shè)在主支撐圖案523ml和層間絕緣圖案6a之間。輔助支撐圖案523b可以由相對于有源圖案540具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氮化物層)形成，而主支撐圖案523ml可以由相對于輔助支撐圖案523b具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層)形成。接著，參照圖7D，如參照圖4A所述的，每個支撐圖案525可以修改為包括主支撐圖案523m2以及第一和第二輔助支撐圖案523cl和523c2的支撐圖案525c。支撐圖案525c可以貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。每個支撐圖案525c可以包括具有第一寬度Wl的第一部分524_1以及具有小于第一寬度Wl的第二寬度W2的第二部分524_2。主支撐圖案523m2可以貫穿層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a。此外,第一和第二輔助支撐圖案523cI和523c2可以插設(shè)在層間絕緣圖案6a和主支撐圖案523m2之間以及插設(shè)在主支撐圖案523m2和襯底I之間。第二輔助支撐圖案523c2可以插設(shè)在第一輔助支撐圖案523cl和主支撐圖案523m2之間。第一輔助支撐圖案523cl可以由相對于有源圖案540具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氮化物層)形成，第二輔助支撐圖案523c2可以由相對于有源圖案540和第一輔助支撐圖案523cl具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層)形成。主支撐圖案523m2可以由相對于第二輔助支撐圖案523c2具有蝕刻選擇性的材料層(例如，多晶Si層或硅氮化物層)形成。參照圖7A描述的垂直結(jié)構(gòu)550可以被提供為具有垂直的側(cè)表面。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，可以提供具有非垂直側(cè)表面(即，不平整(rough)的側(cè)表面)的垂直結(jié)構(gòu)。在下文，將參照圖7E描述具有不平整側(cè)表面的垂直結(jié)構(gòu)。參照圖7E，修改的垂直結(jié)構(gòu)550a’可以設(shè)置在圖7A的層疊結(jié)構(gòu)72中。每個垂直結(jié)構(gòu)550a’可以包括間隙填充圖案545a、焊盤圖案548a、有源圖案540a和保護電介質(zhì)圖案538。焊盤圖案548a可以設(shè)置在間隙填充圖案545a上，有源圖案540a可以圍繞間隙填充圖案545a和焊盤圖案548a的側(cè)表面并覆蓋間隙填充圖案545a的底表面。保護電介質(zhì)圖案538可以插設(shè)在有源圖案540a和層間絕緣圖案6a之間以及插設(shè)在有源圖案540a和第一蓋圖案27a之間。保護電介質(zhì)圖案538可以由相對于支撐圖案525’和有源圖案540a具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，當(dāng)有源圖案540a和支撐圖案525’由硅形成時，保護電介質(zhì)圖案538可以由諸如硅氮化物或硅氧化物的絕緣材料形成。垂直結(jié)構(gòu)550a’可以分別包括具有第一寬度Vl的第一部分以及具有小于第一寬度Vl的第二寬度V2的第二部分。在垂直結(jié)構(gòu)550a中，保護電介質(zhì)圖案538可以設(shè)置在具有相對大的寬度Vl的第一部分中。在垂直結(jié)構(gòu)550a’中，第一部分可以設(shè)置在與絕緣圖案6a基本相同的水平，第二部分可以設(shè)置在與導(dǎo)電圖案66a基本相同的水平。在其它實施例中，如圖8所示，電介質(zhì)圖案563可以被修改為電介質(zhì)圖案563’，該電介質(zhì)圖案563’可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)550之間以及插設(shè)在導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a之間，并在層間絕緣圖案6a和隔離圖案90之間延伸。另外，在參照圖2A至圖6描述的實施例中，插設(shè)在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間的第二電介質(zhì)圖案63、163、263、363和463可以在層間絕緣圖案6a和隔離圖案90之間延伸，如圖8所示。接著，將參照圖9A描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第二實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。參照圖9A和圖9B，如參照圖2A所述，包括多個層間絕緣圖案6a、多個導(dǎo)電圖案566a以及第一和第二蓋圖案27a和52a的層疊結(jié)構(gòu)72可以設(shè)置在襯底I上。此外，每個層疊結(jié)構(gòu)72可以插設(shè)在一對相鄰的隔離圖案90之間。垂直結(jié)構(gòu)550可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)72中。如參照圖7A所述，每個垂直結(jié)構(gòu)550可以包括間隙填充圖案545、設(shè)置在間隙填充圖案545上的焊盤圖案548、以及覆蓋間隙填充圖案545的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案548的側(cè)表面上的有源圖案540。如之前的實施例所述，支撐圖案526可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)72中的層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案566a。電介質(zhì)圖案563可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)550和導(dǎo)電圖案566a之間、在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案566a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案566a和支撐圖案526之間延伸。在一些實施例中，如圖9B所示，支撐圖案526a可以在層間絕緣圖案6a之間具有第一寬度W1’并在導(dǎo)電圖案566a’之間具有第二寬度W2’。第二寬度W2’可以小于第一寬度W1’。在這種情況下，導(dǎo)電圖案566a’可以具有與層間絕緣圖案6a的側(cè)表面垂直對準(zhǔn)的側(cè)表面。在其它實施例中，如圖9C所示，可以提供具有基本相同的寬度的支撐圖案526b。因此，層間絕緣圖案6a可以具有比彼此相鄰設(shè)置的垂直結(jié)構(gòu)550和支撐圖案526b之間的導(dǎo)電圖案566a"更大的寬度。接著，將參照圖10描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件。參照圖10，可以提供襯底1000。襯底1000可以是半導(dǎo)體襯底。包括多個層間絕緣圖案1016a、多個導(dǎo)電圖案1066以及第一和第二蓋圖案1027a和1048的層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底1000上。隔離圖案1090可以設(shè)置在襯底1000上，并彼此間隔開且基本上彼此平行地設(shè)置。從平面圖，隔離圖案1090可以具有基本上彼此平行的線形狀。如參照圖2A所述，隔離圖案1090和層疊結(jié)構(gòu)可以交替且重復(fù)地布置。絕緣間隔物1081可以設(shè)置在隔離圖案1090和層疊結(jié)構(gòu)之間。如圖10所示，雜質(zhì)區(qū)1084可以設(shè)置在隔離圖案1090下面的襯底1000中。雜質(zhì)區(qū)1084可以用作非易失性存儲器件諸如快閃存儲器的公共源極區(qū)。金屬-半導(dǎo)體化合物1087可以設(shè)置在具有雜質(zhì)區(qū)1084的襯底1000和隔離圖案1090之間。導(dǎo)電圖案1066可以通過層間絕緣圖案1016a彼此間隔開并且垂直地堆疊。導(dǎo)電圖案1066可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案1066L、多個中間導(dǎo)電圖案1066M以及至少一個上導(dǎo)電圖案1066U。中間導(dǎo)電圖案1066M可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案1066L高的水平，上導(dǎo)電圖案1066U可以設(shè)置在比中間導(dǎo)電圖案1066M高的水平。在實施例中，導(dǎo)電圖案1066可以用作半導(dǎo)體存儲器件的柵電極和/或柵極互連。例如，中間導(dǎo)電圖案1066M可以用作非易失性存儲器件的單元柵電極。插設(shè)在單元柵電極中的最下面的單元柵電極1066M和襯底1000之間的至少一個下導(dǎo)電圖案1066L可以用作接地選擇柵電極。設(shè)置在單元柵電極1066M上的至少一個上導(dǎo)電圖案1066U可以用作串選擇柵電極。層間絕緣圖案1016a可以包括最下面的絕緣圖案1006a、下層間圖案1007a、下絕緣圖案1008a、中間層間圖案1010a、上絕緣圖案1012a、上層間圖案1014nUa和最上面的絕緣圖案1014Ua。最下面的絕緣圖案1006a可以插設(shè)在下導(dǎo)電圖案1066L和襯底1000之間，下層間圖案1007a可以插設(shè)在下導(dǎo)電圖案1066L之間。下絕緣圖案1008a可以插設(shè)在至少一個下導(dǎo)電圖案1066L和中間導(dǎo)電圖案1066M之間，中間層間圖案IOlOa可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1066M之間。上絕緣圖案1012a可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1066M和至少一個上導(dǎo)電圖案1066U之間，上層間圖案1014nUa可以插設(shè)在上導(dǎo)電圖案1065U之間。最上面的絕緣圖案1014Ua可以設(shè)置在至少一個上導(dǎo)電圖案1066U上。第一蓋圖案1027a可以設(shè)置在最上面的絕緣圖案1014Ua上，第二蓋圖案1048可以設(shè)置在第一蓋圖案1027a上。支撐圖案1025’可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a和導(dǎo)電圖案1066。每個支撐圖案1025’可以為單層或復(fù)合層。例如，如參照圖4A所述，每個支撐圖案1025’可以包括主支撐圖案1023m以及設(shè)置在主支撐圖案1023m的側(cè)表面上的第一和第二輔助支撐圖案1023cl和1023c2。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。例如，支撐圖案1025’可以被修改為參照圖2A描述的支撐圖案25’或參照3A圖描述的支撐圖案125’。垂直結(jié)構(gòu)1045可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a、導(dǎo)電圖案1066和第一蓋圖案1027a。垂直結(jié)構(gòu)1045可以具有與參照圖2A描述的垂直結(jié)構(gòu)50相同的形狀。例如,每個垂直結(jié)構(gòu)1045可以包括間隙填充圖案1039、設(shè)置在間隙填充圖案1039上的焊盤圖案1042、圍繞間隙填充圖案1039的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案1042的側(cè)表面上的有源圖案1036、以及設(shè)置在有源圖案1036的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案1033。第二電介質(zhì)圖案1063可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案1066和垂直結(jié)構(gòu)1045之間，在導(dǎo)電圖案1066和層間絕緣圖案1016a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案1066和支撐圖案1025’之間延伸。第一電介質(zhì)圖案1033和第二電介質(zhì)圖案1063可以被不同地修改為參照圖2B至圖2D描述的第一電介質(zhì)圖案50a、50b和50c以及第二電介質(zhì)圖案63a、63b和63c。導(dǎo)電插塞1093可以設(shè)置為貫穿第二蓋圖案1048。導(dǎo)線1096可以設(shè)置在導(dǎo)電插塞1093 上。接著，將參照圖11描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例。參照圖11，參照圖10描述的垂直結(jié)構(gòu)1045可以被修改為如圖11所示。每個修改的垂直結(jié)構(gòu)1145可以包括至少兩個有源圖案1130和1136。例如，每個修改的垂直結(jié)構(gòu)1145可以包括第一有源圖案1130、設(shè)置在第一有源圖案1130上的間隙填充圖案1139、設(shè)置在填充間隙圖案1139上的焊盤圖案1142、第二有源圖案1136以及設(shè)置在第二有源圖案1136的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案1133，第二有源圖案1136插設(shè)在第一有源圖案1130和間隙填充圖案1139之間并配置為延伸到間隙填充圖案1139和焊盤圖案1142的側(cè)表面上。第一有源圖案1130可以水平地交疊下導(dǎo)電圖案1066L。接著，將參照圖12描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。參照圖12，參照圖10描述的垂直結(jié)構(gòu)1045可以如圖12所示地修改。修改的垂直結(jié)構(gòu)1245可以分別包括設(shè)置在與層間絕緣圖案1016a和第一蓋圖案1027a相鄰設(shè)置的部分中的保護電介質(zhì)圖案1231。例如，每個修改的垂直結(jié)構(gòu)1245可以包括:間隙填充圖案1239 ;焊盤圖案1242，設(shè)置在間隙填充圖案1239上；有源圖案1236，圍繞間隙填充圖案1239的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案1242的側(cè)表面上；第一電介質(zhì)圖案1233，設(shè)置在有源圖案1236的側(cè)表面上；以及保護電介質(zhì)圖案1231，設(shè)置在第一電介質(zhì)圖案1233與層間絕緣圖案1016a之間并在第一電介質(zhì)圖案1233和第一蓋圖案1027a之間延伸。
接著，將參照圖13描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實施例的半導(dǎo)體器件的另一修改示例。
參照圖13，參照圖10描述的垂直結(jié)構(gòu)1045可以修改為與參照圖7A描述的垂直結(jié)構(gòu)550相同的形狀。也就是說，每個修改的垂直結(jié)構(gòu)1345可以包括間隙填充圖案1339、設(shè)置在間隙填充圖案1339上的焊盤圖案1342以及覆蓋間隙填充圖案1339的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案1342的側(cè)表面上的有源圖案1336。
電介質(zhì)圖案1363可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案1066和垂直結(jié)構(gòu)1345之間，在導(dǎo)電圖案1066和層間絕緣圖案1016a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案1066和支撐圖案1025’之間延伸。如參照圖7B所述，每個電介質(zhì)圖案1363可以包括隧穿電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和阻擋層。
接著，將參照圖14A描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例的半導(dǎo)體器件。這里，將主要描述根據(jù)之前實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。
參照圖14A，如參照圖10所述，包括多個層間絕緣圖案1016a、多個導(dǎo)電圖案1566以及第一和第二蓋圖案1027a和1048的層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底1000上，多個隔離圖案1090可以設(shè)置在襯底1000上。
與圖10中一樣，每個導(dǎo)電圖案1566可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案1566L、多個中間導(dǎo)電圖案1566M以及至少一個上導(dǎo)電圖案1566U。層間絕緣圖案1016a可以包括最下面的絕緣圖案1006a’、下層間圖案1007a’、下絕緣圖案1008a’、中間層間圖案1010a、上絕緣圖案1012a、上層間圖案1014nUa以及最上面的絕緣圖案1014Ua。最下面的絕緣圖案1006a’可以插設(shè)在至少一個下導(dǎo)電圖案1566L和襯底1000之間，下層間圖案1007a’可以插設(shè)在至少一個下導(dǎo)電圖案1566L之間。下絕緣圖案1008a’可以插設(shè)在至少一個下導(dǎo)電圖案1566L和中間導(dǎo)電圖案1566M之間，中間層間圖案IOlOa可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1566M之間。上絕緣圖案1012a可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1566M和上導(dǎo)電圖案1566U之間，上層間圖案1014nUa可以插設(shè)在上導(dǎo)電圖案1566U之間。最上面的絕緣圖案1014Ua可以設(shè)置在上導(dǎo)電圖案1566U上。第一蓋圖案1027a可以設(shè)置在最上面的絕緣圖案1014Ua上，第二蓋圖案1048可以設(shè)置在第一蓋圖案1027a上。
支撐圖案1425’可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a中的最上面的層間絕緣圖案1014Ua、上層間圖案1014nUa、上絕緣圖案1012a、中間層間圖案IOlOa以及下絕緣圖案1008a’，并貫穿導(dǎo)電圖案1566中的中間導(dǎo)電圖案1566M和上導(dǎo)電圖案1566U。支撐圖案1425’可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案1566L高的水平。
每個支撐圖案1425’可以為單層或復(fù)合層。例如，每個支撐圖案1425’可包括主支撐圖案1423m和輔助支撐圖案1423。主支撐圖案1423m可以貫穿最上面的層間絕緣圖案1014Ua、上層間圖案1014nUa、上絕緣圖案1012a、中間層間圖案1010a、下絕緣圖案1008a’、中間導(dǎo)電圖案1066M以及上導(dǎo)電圖案1066U。輔助支撐圖案1423可以插設(shè)在主支撐圖案1423m和最上面的層間絕緣圖案1014Ua之間、在主支撐圖案1423m和上層間圖案1014nUa之間、在主支撐圖案1423m和上絕緣圖案1012a之間、在主支撐圖案1423m和中間層間圖案IOlOa之間、以及在主支撐圖案1423m和下絕緣圖案1008a’之間。輔助支撐圖案1423可以由相對于主支撐圖案1423m具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，主支撐圖案1423m可以由硅氧化物形成，輔助支撐圖案1423可以由硅形成。
與圖10中一樣，垂直結(jié)構(gòu)1045可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a、導(dǎo)電圖案1566和第一蓋圖案1027a。第二電介質(zhì)圖案1563可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案1566和垂直結(jié)構(gòu)1045之間，在導(dǎo)電圖案1566和層間絕緣圖案1016a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案1566和支撐圖案1425’之間延伸。第一電介質(zhì)圖案1033和第二電介質(zhì)圖案1563可以被不同地修改為參照圖2B至圖2D描述的第一電介質(zhì)圖案50a、50b和50c以及第二電介質(zhì)圖案63a、63b和63c。
接著，將參照圖14B描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例。
參照圖14B，包括多個層間絕緣圖案1516a、多個導(dǎo)電圖案1566以及第一和第二蓋圖案1027a和1048的層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底1000上。如參照圖10所述，多個隔離圖案1090可以設(shè)置在襯底1000上。導(dǎo)電圖案1566可以通過層間絕緣圖案1516a彼此間隔開且垂直地堆疊。
導(dǎo)電圖案1566可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案1566L、多個中間導(dǎo)電圖案1566M以及至少一個上導(dǎo)電圖案1566U。中間導(dǎo)電圖案1566M可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案1566L高的水平，上導(dǎo)電圖案1566U可以設(shè)置在比中間導(dǎo)電圖案1566M高的水平。
如參照圖10所述，層間絕緣圖案1516a可以包括最下面的絕緣圖案1006a’、下層間圖案1007a’、下絕緣圖案1508a、中間層間圖案1010a、上絕緣圖案1012a、上層間圖案1014nUa以及最上面的絕緣圖案1014Ua。
最下面的絕緣圖案1006a’可以插設(shè)在下導(dǎo)電圖案1566L和襯底1000之間，下層間圖案1007a’可以插設(shè)在下導(dǎo)電圖案1566L之間。下絕緣圖案1508a可以插設(shè)在下導(dǎo)電圖案1566L和中間導(dǎo)電圖案1566M之間，中間層間圖案IOlOa可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1566M之間。上絕緣圖案1012a可以插設(shè)在中間導(dǎo)電圖案1566M和上導(dǎo)電圖案1566U之間，上層間圖案1014nUa可以插設(shè)在上導(dǎo)電圖案1566U之間。此外，最上面的絕緣圖案1014Ua可以設(shè)置在上導(dǎo)電圖案1566U上。第一蓋圖案1027a可以設(shè)置在最上面的絕緣圖案1014Ua上，第二蓋圖案1048可以設(shè)置在第一蓋圖案1027a上。
下絕緣圖案1508a可以比下層間圖案1007a’和中間層間圖案IOlOa厚。此外，上絕緣圖案1012a可以比下層間圖案1007a，和中間層間圖案IOlOa厚。
下絕緣圖案1508a可以是單層或疊層。例如，下絕緣圖案1508a可以包括依次堆疊的第一下絕緣圖案1508La、第二下絕緣圖案1508Ma和第三下絕緣圖案1508Ua。
第二下絕緣圖案1508Ma可以由相對于第一和第三下絕緣圖案1508La和1508Ua具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷谌陆^緣圖案1508La和1508Ua由硅氧化物形成時，第二下絕緣圖案1508Ma可以由高k電介質(zhì)層(例如，鉿氧化物層、鋁氧化物層或氮化物層)形成。
支撐圖案1525’可以設(shè)置為貫穿導(dǎo)電圖案1566中的上導(dǎo)電圖案1566U和中間導(dǎo)電圖案1566M并貫穿層間絕緣圖案1516a中的最上面絕緣圖案1014Ua、上層間圖案1014nUa、上絕緣圖案1012a和中間層間圖案1010a。此外，支撐圖案1525’可以延伸到下絕緣圖案1508a中。例如，支撐圖案1525’可以貫穿中間導(dǎo)電圖案1566M，并延伸到下絕緣圖案1508a的頂表面和底表面之間的中間部分。
當(dāng)下絕緣圖案1508a包括第一下絕緣圖案1508La、第二下絕緣圖案1508Ma和第三下絕緣圖案1508Ua時，支撐圖案1525’可以貫穿中間導(dǎo)電圖案1566M并貫穿下絕緣圖案1508a中的第三下絕緣圖案1508Ua。在形成支撐圖案1525’期間，第二下絕緣圖案1508Ma可以用作蝕刻停止層。
每個支撐圖案1525’可以由單層或復(fù)合層形成。例如，當(dāng)支撐圖案1525’包括復(fù)合層時，每個支撐圖案1525’可以包括主支撐圖案1523m以及設(shè)置在主支撐圖案1523m的底表面和部分側(cè)表面上的輔助支撐圖案1523。輔助支撐圖案1523可以由相對于第一電介質(zhì)圖案1033具有蝕刻選擇性的材料層(例如，導(dǎo)電材料層，諸如多晶Si層)形成。主支撐圖案1523m可以由相對于輔助支撐圖案1523具有蝕刻選擇性的材料層(例如，硅氧化物層或硅氮化物層)形成。
垂直結(jié)構(gòu)1045可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1516a、導(dǎo)電圖案1566和第一蓋圖案1027a。由于垂直結(jié)構(gòu)1045與參照圖10描述的相同，所以將省略其詳細(xì)描述。
第二電介質(zhì)圖案1563可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案1566和垂直結(jié)構(gòu)1045之間,在導(dǎo)電圖案1566和層間絕緣圖案1516a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案1566和支撐圖案1525’之間延伸。
支撐圖案1525’的頂表面可以設(shè)置在比垂直結(jié)構(gòu)1045的頂表面低的水平。此外，支撐圖案1525’的底表面可以設(shè)置在比垂直結(jié)構(gòu)1045的底表面高的水平。
圖14B的垂直結(jié)構(gòu)1045可以被不同地修改。例如，垂直結(jié)構(gòu)1045可以被修改為與參照圖11描述的垂直結(jié)構(gòu)1145、參照圖12描述的垂直結(jié)構(gòu)1245或參照圖13描述的垂直結(jié)構(gòu)1345相同的形狀。例如,如圖15所不,垂直結(jié)構(gòu)1045可以修改為垂直結(jié)構(gòu)1645,垂直結(jié)構(gòu)1645包括間隙填充圖案1639、設(shè)置在間隙填充圖案1639上的焊盤圖案1642、覆蓋間隙填充圖案1639的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案1642的側(cè)表面上的有源圖案1636，修改的垂直結(jié)構(gòu)1645可以具有與圖13的垂直結(jié)構(gòu)1345相同的形狀。
另夕卜，電介質(zhì)圖案1663可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案1566和垂直結(jié)構(gòu)1045之間,在導(dǎo)電圖案1566和層間絕緣圖案1516a之間延伸以及在上導(dǎo)電圖案1566U和中間導(dǎo)電圖案1566M與支撐圖案1525’之間延伸。如參照圖7A至圖7D所述，電介質(zhì)圖案1663可以包括隧穿電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和阻擋電介質(zhì)層。
接著，將參照圖16描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實施例的半導(dǎo)體器件。圖16是沿圖1的線1-1’截取的截面圖。
參照圖16，可以提供參照圖2A描述的襯底2000。層疊結(jié)構(gòu)2072可以設(shè)置在襯底2000上。如參照圖2A所述，每個層疊結(jié)構(gòu)2072可以包括層間絕緣圖案2006a、導(dǎo)電圖案2066a、第一蓋圖案2032a和第二蓋圖案2045a。導(dǎo)電圖案2066a可以通過層間絕緣圖案2006a彼此間隔開且垂直地堆疊。
導(dǎo)電圖案2066a可以包括最下面的導(dǎo)電圖案2066aL、設(shè)置在最下面的導(dǎo)電圖案2066aL上的多個中間導(dǎo)電圖案2066aM以及設(shè)置在中間導(dǎo)電圖案2066aM上的最上面的導(dǎo)電圖案 2066aU。
層間絕緣圖案2006a可以包括最下面的層間絕緣圖案2006aL、設(shè)置在最下面的層間絕緣圖案2006aL上的中間層間絕緣圖案2006aM、以及設(shè)置在中間層間絕緣圖案2006aM上的最上面的層間絕緣圖案2006aU。
如參照圖2A所述，多個隔離圖案2090可以設(shè)置在襯底2000上。從平面圖，層疊結(jié)構(gòu)2072和隔離圖案2090可以交替且重復(fù)地布置。絕緣間隔物2081可以插設(shè)在隔離圖案2090和層疊結(jié)構(gòu)2072之間。
雜質(zhì)區(qū)2084可以設(shè)置在隔離圖案2090下面的襯底2000中并用作快閃存儲器件的公共源極區(qū)。金屬-半導(dǎo)體化合物2087可以設(shè)置在具有雜質(zhì)區(qū)2084的襯底2000和隔離圖案2090之間。
多個垂直結(jié)構(gòu)2030可以設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)2072中。垂直結(jié)構(gòu)2030可以貫穿層疊結(jié)構(gòu)2072中的層間絕緣圖案2006a和導(dǎo)電圖案2066a。垂直結(jié)構(gòu)2030可以具有比隔離圖案2090小的寬度。此外，垂直結(jié)構(gòu)2030的頂表面可以設(shè)置在比隔離圖案2090的頂表面低的水平。
每個垂直結(jié)構(gòu)2030可以具有有源圖案2021和第一電介質(zhì)圖案2018。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)2030可以包括間隙填充圖案2024、設(shè)置在間隙填充圖案2024上的焊盤圖案2027、覆蓋間隙填充圖案2024的側(cè)表面和底表面且延伸到焊盤圖案2027的側(cè)表面上的有源圖案2021、以及設(shè)置在有源圖案2021的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案2018。第一電介質(zhì)圖案2018可以插設(shè)在有源圖案2021和導(dǎo)電圖案2066a之間并在有源圖案2021和層間絕緣圖案2006a之間延伸。
支撐圖案2043’可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)2072中的層間絕緣圖案2006a、導(dǎo)電圖案2066a和第一蓋圖案2032a。
每個支撐圖案2043'可以包括單層或復(fù)合層。例如，當(dāng)支撐圖案2043’包括復(fù)合層時，每個支撐圖案2043’可以包括主支撐圖案2042m以及輔助支撐圖案2042a和2042b。此外，每個支撐圖案2043’還可以包括插設(shè)在輔助支撐圖案2042a和2042b與襯底2000之間的氧化物2036。
主支撐圖案2042m可以貫穿層間絕緣圖案2006a、導(dǎo)電圖案2066a和第一蓋圖案2032a。輔助支撐圖案2042a和2042b可以包括第一輔助支撐圖案2042a和第二輔助支撐圖案2042b。第二輔助支撐圖案2042b可以插設(shè)在主支撐圖案2042m與第一輔助支撐圖案2042a之間。
輔助支撐圖案2042a和2042b可以包括插設(shè)在主支撐圖案2042m和層間絕緣圖案2006a之間的圖案、插設(shè)在主支撐圖案2042m和第一蓋圖案2032a之間的圖案、以及插設(shè)在主支撐圖案2042m和襯底2000之間的圖案。也就是說，如參照圖4A所述，輔助支撐圖案2042a和2042b可以包括側(cè)部輔助支撐圖案和底部輔助支撐圖案。
支撐圖案2043’的頂表面可以設(shè)置在比垂直結(jié)構(gòu)2030高的水平。支撐圖案2043’的頂表面可以設(shè)置在比隔離圖案2090的頂表面低的水平。支撐圖案2043’可以具有寬度不同的部分。例如，支撐圖案2043’可以在插設(shè)于層間絕緣圖案2006a之間的第一部分中具有第一寬度Wl,并在插設(shè)于導(dǎo)電圖案2066a之間的第二部分中具有第二寬度W2。
第二電介質(zhì)圖案2063可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)2030和導(dǎo)電圖案2066a之間，在層間絕緣圖案2006a和導(dǎo)電圖案2066a之間延伸以及在支撐圖案2043’和導(dǎo)電圖案2066a之間延伸。
第一電介質(zhì)圖案2018和第二電介質(zhì)圖案2063可以被不同地修改為參照圖2B至圖2D描述的第一電介質(zhì)圖案50a、50b和50c以及第二電介質(zhì)圖案63a、63b和63c。
導(dǎo)電插塞2093可以設(shè)置為貫穿第一和第二蓋圖案2032a和2045a。導(dǎo)線2096可以設(shè)置在導(dǎo)電插塞2093上。
圖16的垂直結(jié)構(gòu)2030可以被不同地修改。現(xiàn)在將參照圖17至圖19分別描述可修改的垂直結(jié)構(gòu)。
參照圖17，圖16的垂直結(jié)構(gòu)2030可以被修改為包括多個有源圖案2016和2021’的垂直結(jié)構(gòu)2030’。修改的垂直結(jié)構(gòu)2030’可以包括第一有源圖案2016以及設(shè)置在第一有源圖案2016上的第二有源圖案2021’。例如，修改的垂直結(jié)構(gòu)2030’可以包括第一有源圖案2016、設(shè)置在第一有源圖案2016上的間隙填充圖案2024’、設(shè)置在間隙填充圖案2024’上的焊盤圖案2027’、插設(shè)在第一有源圖案2016和間隙填充圖案2024’之間并延伸到間隙填充圖案2024’和焊盤圖案2027’的側(cè)表面上的第二有源圖案2021’、以及插設(shè)在第二有源圖案2021’和導(dǎo)電圖案2066a之間并在第二有源圖案2021’和層間絕緣圖案2006a之間延伸的第一電介質(zhì)圖案2018’。
參照圖18，圖16的垂直結(jié)構(gòu)2030可以被修改為包括具有不同寬度的第一和第二部分的垂直結(jié)構(gòu)2130。修改的垂直結(jié)構(gòu)2130可以包括具有第一寬度Vl的第一部分、具有小于第一寬度Vl的第二寬度V2的第二部分。例如，修改的垂直結(jié)構(gòu)2130可以在設(shè)置在與層間絕緣圖案2006a基本相同的水平處的第一部分中具有第一寬度VI，并在設(shè)置在與導(dǎo)電圖案2066a基本相同的水平處的第二部分中具有第二寬度V2。第二寬度V2可以小于第一寬度VI。
每個修改的垂直結(jié)構(gòu)2130可以包括間隙填充圖案2127、設(shè)置在間隙填充圖案2127上的焊盤圖案2121、覆蓋間隙填充圖案2127的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案2121的側(cè)表面上的有源圖案2124、設(shè)置在有源圖案2124的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案2118以及插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案2118和層間絕緣圖案2006a之間的保護電介質(zhì)圖案2117。
參照圖19，可以提供圖16的垂直結(jié)構(gòu)2030的修改的垂直結(jié)構(gòu)2230。每個垂直結(jié)構(gòu)2230可以包括間隙填充圖案2224、設(shè)置在間隙填充圖案2224上的焊盤圖案2227、以及覆蓋間隙填充圖案2224的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案2227的側(cè)表面上的有源圖案2221。此外，電介質(zhì)圖案2263可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)2230和導(dǎo)電圖案2066a之間、在層間絕緣圖案2006a和導(dǎo)電圖案2066a之間延伸以及在支撐圖案2043’和導(dǎo)電圖案2066a之間延伸。如參照圖7B所述，電介質(zhì)圖案2263可以包括隧穿電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和阻擋層。
接著，將參照圖20描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第六實施例的半導(dǎo)體器件。
參照圖20，如參照圖10所述，包括多個層間絕緣圖案3016a、多個導(dǎo)電圖案3066以及第一和第二蓋圖案3032a和3048的層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底3000上。導(dǎo)電圖案3066可以通過層間絕緣圖案3016a彼此間隔開且垂直地堆疊。此外，如參照圖10所述，多個隔離圖案3090可以設(shè)置在襯底3000上。
如圖20所示，雜質(zhì)區(qū)3084可以設(shè)置在隔離圖案3090下面的襯底3000中。雜質(zhì)區(qū)3084可以用作非易失性存儲器件諸如快閃存儲器件的公共源極區(qū)。金屬-半導(dǎo)體化合物3087可以設(shè)置在具有雜質(zhì)區(qū)3084的襯底3000和隔離圖案3090之間。
如參照圖10所述，導(dǎo)電圖案3066可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案、多個中間導(dǎo)電圖案以及至少一個上導(dǎo)電圖案。層間絕緣圖案3016a可以包括最下面的絕緣圖案3006a、下層間圖案3007a、下絕緣圖案3008a、中間層間圖案3010a、上絕緣圖案3012a、上層間圖案3014nUa以及最上面的絕緣圖案3014Ua。
垂直結(jié)構(gòu)3030可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案3016a和導(dǎo)電圖案3066。類似于圖16所示的，每個垂直結(jié)構(gòu)3030可以包括間隙填充圖案3024、設(shè)置在間隙填充圖案3024上的焊盤圖案3027、覆蓋間隙填充圖案3024的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3027的側(cè)表面上的有源圖案3021、以及設(shè)置在有源圖案3021的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3018。支撐圖案3043可以設(shè)置為貫穿層疊結(jié)構(gòu)中的層間絕緣圖案3016a、導(dǎo)電圖案3066和第一蓋圖案3032a。絕緣氧化物3036可以設(shè)置在支撐圖案3043的輔助支撐圖案和襯底3000之間。
每個支撐圖案3043可以包括單層或復(fù)合層。例如，當(dāng)每個支撐圖案3043包括復(fù)合層時，每個支撐圖案3043可以包括主支撐圖案3042m、輔助支撐圖案3042a和3042b以及氧化物3036，如參照圖16描述。
主支撐圖案3042m可以貫穿層間絕緣圖案3016a、導(dǎo)電圖案3066a和第一蓋圖案3032a。輔助支撐圖案3042a和3042b可以包括插設(shè)在主支撐圖案3042m和層間絕緣圖案3016a之間的圖案、插設(shè)在主支撐圖案3042m和第一蓋圖案3032a之間的圖案、以及插設(shè)在主支撐圖案3042m和襯底3000之間的圖案。此外，輔助支撐圖案3042a和3042b可以包括第一輔助支撐圖案3042a和第二輔助支撐圖案3042b。第二輔助支撐圖案3042b可以插設(shè)在主支撐圖案3042m和第一輔助支撐圖案3042a之間。
第二電介質(zhì)圖案3063可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)3030和導(dǎo)電圖案3066之間，在層間絕緣圖案3016a和導(dǎo)電圖案3066之間延伸以及在支撐圖案3043和導(dǎo)電圖案3066之間延伸。
第一和第二電介質(zhì)圖案3018和3063可以被不同地修改為參照圖2B至圖2D描述的第一電介質(zhì)圖案50a、50b和50c以及第二電介質(zhì)圖案63a、63b和63c。
導(dǎo)電插塞3093可以設(shè)置為貫穿第一和第二蓋圖案3032a和3048。導(dǎo)線3096可以設(shè)置在導(dǎo)電插塞3093上。
此外，圖20的垂直結(jié)構(gòu)3030可以如參照圖17至圖19所述被不同地修改。將參照圖21和圖22分別描述修改的垂直結(jié)構(gòu)的一些示例。
參照圖21，圖20的垂直結(jié)構(gòu)3030可以修改為包括具有不同寬度的第一部分和第二部分的垂直結(jié)構(gòu)3130。與參照圖18所述的一樣，修改的垂直結(jié)構(gòu)3130可以包括具有第一寬度Vl的第一部分以及具有小于第一寬度Vl的第二寬度V2的第二部分。
每個修改的垂直結(jié)構(gòu)3130可以包括間隙填充圖案3124、設(shè)置在間隙填充圖案3124上的焊盤圖案3127、覆蓋間隙填充圖案3124的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3127的側(cè)表面上的有源圖案3121、設(shè)置在有源圖案3121的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3118、以及插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案3118和層間絕緣圖案3016a之間的保護電介質(zhì)圖案3117。
參照圖22，可以提供圖20的垂直結(jié)構(gòu)3030的修改的垂直結(jié)構(gòu)3230。每個垂直結(jié)構(gòu)3230可以包括間隙填充圖案3224、設(shè)置在間隙填充圖案3224上的焊盤圖案3227、覆蓋間隙填充圖案3224的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3227的側(cè)表面上的有源圖案3221。此外，電介質(zhì)圖案3263可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)3230和導(dǎo)電圖案3066之間、在層間絕緣圖案3016a和導(dǎo)電圖案3066之間延伸以及在支撐圖案3043’和導(dǎo)電圖案3066之間延伸。如參照圖7B所述，電介質(zhì)圖案3263可以包括隧穿電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和阻擋層。
此外，盡管參照圖20描述的垂直結(jié)構(gòu)3030可以被修改為參照圖21和圖22描述的垂直結(jié)構(gòu)3130和3230，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，如參照圖17所述，參照圖20描述的垂直結(jié)構(gòu)3030可以被修改為包括多個有源圖案的垂直結(jié)構(gòu)。
接著，將參照圖23描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第七實施例的半導(dǎo)體器件。
參照圖23，包括多個層間絕緣圖案3516a、多個導(dǎo)電圖案3566以及第一和第二蓋圖案3532a和3548的層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底3000上。此外，如參照圖10所述，多個隔離圖案3090可以設(shè)置在襯底3000上。如參照圖10所述，導(dǎo)電圖案3566可以通過層間絕緣圖案3516a彼此間隔開且垂直地堆疊。
導(dǎo)電圖案3566可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案3566L、多個中間導(dǎo)電圖案3566M以及至少一個上導(dǎo)電圖案3566U。中間導(dǎo)電圖案3566M可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案3566L高的水平，上導(dǎo)電圖案3566U可以設(shè)置在比中間導(dǎo)電圖案3566M高的水平。
如參照圖10所述，層間絕緣圖案3516a可以包括最下面的絕緣圖案3506a、下層間圖案3507a、下絕緣圖案3508a、中間層間圖案3510a、上絕緣圖案3512a、上層間圖案3514nUa以及最上面的絕緣圖案3514Ua。
下絕緣圖案3508a可以比下層間圖案3507a和中間層間圖案3510a厚。此外，上絕緣圖案3512a可以比下層間圖案3507a和中間層間圖案3510a厚。
下絕緣圖案3508a可以是單層或疊層。例如，類似于圖14B所示的，下絕緣圖案3508a可以包括依次層疊的第一下絕緣圖案3508La、第二下絕緣圖案3508Ma和第三下絕緣圖案 3508Ua。
支撐圖案3543可以設(shè)置為貫穿第一蓋圖案3532a、貫穿導(dǎo)電圖案3566中的上導(dǎo)電圖案3566U和中間導(dǎo)電圖案3566M并貫穿層間絕緣圖案3516a中的最上面的絕緣圖案3514Ua、上層間圖案3514nUa、上絕緣圖案3512a和中間層間圖案3510a。此外，支撐圖案3543可以延伸到下絕緣圖案3508a中。例如，支撐圖案3543可以貫穿中間導(dǎo)電圖案3566M，并延伸到下絕緣圖案3508a的頂表面和底表面之間的中間部分。例如，當(dāng)下絕緣圖案3508a包括依次層疊的第一下絕緣圖案3508La、第二下絕緣圖案3508Ma和第三下絕緣圖案3508Ua時，支撐圖案3543可以貫穿中間導(dǎo)電圖案3566M，并貫穿下絕緣圖案3508a中的第三下絕緣圖案3508Ua。因此，支撐圖案3543可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案3566L高的水平。
每個支撐圖案3543可以包括單層或復(fù)合層。例如，當(dāng)支撐圖案3543包括復(fù)合層時，每個支撐圖案3543可以包括主支撐圖案3542m以及設(shè)置在主支撐圖案3542m的底表面和部分側(cè)表面上的輔助支撐圖案3542c。
垂直結(jié)構(gòu)3530可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案3516a和導(dǎo)電圖案3566。如參照圖20所述，每個垂直結(jié)構(gòu)3530可以包括間隙填充圖案3524、設(shè)置在間隙填充圖案3524上的焊盤圖案3527、覆蓋間隙填充圖案3524的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3527的側(cè)表面上的有源圖案3521、以及設(shè)置在有源圖案3521的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3518。
第二電介質(zhì)圖案3563可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案3566和垂直結(jié)構(gòu)3530之間，在導(dǎo)電圖案3566和層間絕緣圖案3516a之間延伸以及在導(dǎo)電圖案3566和支撐圖案3543之間延伸。
支撐圖案3543的頂表面可以設(shè)置在比垂直結(jié)構(gòu)3530的頂表面高的水平。此外，支撐圖案3543的底表面可以設(shè)置在比垂直結(jié)構(gòu)3530的底表面高的水平。支撐圖案3543可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案3566L高的水平。
此外，支撐圖案3543和垂直結(jié)構(gòu)3530可以設(shè)置在比隔離圖案3090的頂表面低的水平。
此外，如參照圖21和圖22所述，參照圖23描述的垂直結(jié)構(gòu)3530可以被不同地修改。將參照圖24和圖25分別描述修改的垂直結(jié)構(gòu)的一些不例。
參照圖24，圖23的垂直結(jié)構(gòu)3530可以被修改為包括具有不同寬度的第一和第二部分的垂直結(jié)構(gòu)3630。如參照圖21所述，修改的垂直結(jié)構(gòu)3630可以包括具有第一寬度Vl的第一部分以及具有小于第一寬度Vl的第二寬度V2的第二部分。
如參照圖21所述，每個修改的垂直結(jié)構(gòu)3630可以包括間隙填充圖案3624、設(shè)置在間隙填充圖案3624上的焊盤圖案3627、覆蓋間隙填充圖案3624的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3627的側(cè)表面上的有源圖案3621、設(shè)置在有源圖案3621的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3618、以及插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案3618和層間絕緣圖案3516a之間的保護電介質(zhì)圖案3617。
參照圖25，可以提供圖23的垂直結(jié)構(gòu)3530的修改的垂直結(jié)構(gòu)3730。每個垂直結(jié)構(gòu)3730可以包括間隙填充圖案3724、設(shè)置在間隙填充圖案3724上的焊盤圖案3727、以及覆蓋間隙填充圖案3724的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3727的側(cè)表面上的有源圖案3721。此外，電介質(zhì)圖案3563可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)3730和導(dǎo)電圖案3566之間、在層間絕緣圖案3516a和導(dǎo)電圖案3566之間延伸并在支撐圖案3543和導(dǎo)電圖案3566之間延伸。如參照圖7B所述，電介質(zhì)圖案3563可以包括隧穿電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和阻擋層。
雖然參照圖23描述的垂直結(jié)構(gòu)3530可以被修改為參照圖24和圖25描述的垂直結(jié)構(gòu)3630和3730，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，如參照圖17所述，參照圖23描述的垂直結(jié)構(gòu)3530可以被修改為包括多個有源圖案的垂直結(jié)構(gòu)。
接著，將參照圖26描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第八實施例的半導(dǎo)體器件。這里，將主要描述根據(jù)之前實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。
參照圖26，如參照圖3A所述，可以提供層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包括交替且重復(fù)地堆疊在襯底I上的多個層間絕緣圖案圖6a和多個導(dǎo)電圖案66a。多個隔離圖案90可以設(shè)置在襯底I上。每個層疊結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在襯底I的表面上且在一對相鄰的隔離圖案90之間。
垂直結(jié)構(gòu)3850可以設(shè)置為貫穿多個層間絕緣圖案6a和多個導(dǎo)電圖案66a。垂直結(jié)構(gòu)3850可以具有與圖2A中相同的形狀。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)3850可以包括間隙填充圖案3845、設(shè)置在間隙填充圖案3845上的焊盤圖案3848、覆蓋間隙填充圖案3845的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3848的側(cè)表面上的有源圖案3840、以及設(shè)置在有源圖案3840的外側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3835。
支撐圖案3825’可以設(shè)置為貫穿多個層間絕緣圖案圖6a和多個導(dǎo)電圖案66a并與垂直結(jié)構(gòu)3850間隔開。支撐圖案3825’可以具有設(shè)置在與垂直結(jié)構(gòu)3850基本相同的水平的頂表面。支撐圖案3825’和垂直結(jié)構(gòu)3850可以設(shè)置在比隔離圖案90的頂表面低的水平。
支撐圖案3825’可以由單層或復(fù)合層形成。例如，每個支撐圖案3825’可以具有與圖3A中相同的形狀。例如，每個支撐圖案3825’可以包括主支撐圖案3823m、輔助支撐圖案3823a和氧化物3821。
主支撐圖案3823m可以貫穿多個層間絕緣圖案6a和多個導(dǎo)電圖案66a。輔助支撐圖案3823a可以包括插設(shè)在層間絕緣圖案6a和主支撐圖案3823m之間的側(cè)部輔助支撐圖案3823al以及插設(shè)在主支撐圖案3823m和襯底I之間的底部輔助支撐圖案3823a2。氧化物3821可以插設(shè)在底部輔助支撐圖案3823a2和襯底I之間。
接著，將參照圖27描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第九實施例的半導(dǎo)體器件。這里，將主要描述根據(jù)之前實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。
參照圖27，如圖10所示，隔離圖案1090可以提供在襯底1000上，多個層間絕緣圖案1016a和多個導(dǎo)電圖案1066可以交替地且重復(fù)地堆疊在襯底1000的表面上且在相鄰的隔離圖案1090之間。
支撐圖案3925’可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a和導(dǎo)電圖案1066。每個支撐圖案3925’可以為單層或復(fù)合層。例如，如參照圖4A所述，每個支撐圖案3925’可以包括主支撐圖案3923m以及設(shè)置在主支撐圖案3923m的側(cè)表面上的第一和第二輔助支撐圖案3923al和3923a2。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。例如，支撐圖案3925’可以被修改為具有與參照圖2A所述相同的形狀的支撐圖案25’，或修改為具有與參照圖3A所述相同的形狀的支撐圖案125’。
垂直結(jié)構(gòu)3945可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1016a和導(dǎo)電圖案1066。垂直結(jié)構(gòu)3945可以具有與參照圖10描述的垂直結(jié)構(gòu)1045相同的形狀。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)3945可以包括間隙填充圖案3939、設(shè)置在間隙填充圖案3939上的焊盤圖案3942、圍繞間隙填充圖案3939的側(cè)表面和底表面并延伸到焊盤圖案3942的側(cè)表面上的有源圖案3936、以及設(shè)置在有源圖案3936的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案3933。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。例如，垂直結(jié)構(gòu)3945可以包括如圖11所示的多個有源圖案，可以包括如圖12所示的保護電介質(zhì)圖案，或可以具有與圖13中的垂直結(jié)構(gòu)相同的形狀。
垂直結(jié)構(gòu)3945和支撐圖案3925’可以設(shè)置為具有設(shè)置在基本相同的水平的頂表面。垂直結(jié)構(gòu)3945和支撐圖案3925’可以設(shè)置在比隔離圖案1090的頂表面低的水平。
接著，將參照圖28描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第十實施例的半導(dǎo)體器件。這里，將主要描述根據(jù)之前實施例的半導(dǎo)體器件的修改部分。
參照圖28，如參照圖14B所述，隔離圖案1090可以設(shè)置在襯底1000上，多個層間絕緣圖案1516a和多個導(dǎo)電圖案1566可以交替且重復(fù)地堆疊在襯底1000的表面上且在隔離圖案1090之間。
與參照圖14B所述一樣,導(dǎo)電圖案1566可以包括至少一個下導(dǎo)電圖案1566L、多個中間導(dǎo)電圖案1566M以及至少一個上導(dǎo)電圖案1566U。中間導(dǎo)電圖案1566M可以設(shè)置在比下導(dǎo)電圖案1566L高的水平，上導(dǎo)電圖案1566U可以設(shè)置在比中間導(dǎo)電圖案1566M高的水平。
如參照14B所述，層間絕緣圖案1516a可以包括最下面的絕緣圖案1006a’、下層間圖案1007a’、下絕緣圖案1508a、中間層間圖案1010a、上絕緣圖案1012a、上層間圖案1014nUa和最上面的絕緣圖案1014Ua。下絕緣圖案1508a可以包括依次堆疊的第一下絕緣圖案1508La、第二下絕緣圖案1508Ma和第三下絕緣圖案1508Ua。第二下絕緣圖案1508Ma可以由相對于第一和第三下絕緣圖案1508La和1508Ua具有蝕刻選擇性的材料層形成。
支撐圖案4025’可以設(shè)置為貫穿導(dǎo)電圖案1566中的上導(dǎo)電圖案1566U和中間導(dǎo)電圖案1566M，并貫穿層間絕緣圖案1516a中的最上面的絕緣圖案1014Ua、上層間圖案1014nUa、上絕緣圖案1012a和中間層間圖案1010a。此外，支撐圖案4025’可以如圖14B所示地延伸到下絕緣圖案1508a中。例如，支撐圖案4025’可以貫穿中間導(dǎo)電圖案1566M并延伸到下絕緣圖案1508a的頂表面和底表面之間的中間部分。
每個支撐圖案4025’可以形成為單層或復(fù)合層。例如，當(dāng)支撐圖案4025’包括復(fù)合層時，每個支撐圖案4025’可以如圖14所示地包括主支撐圖案4023m以及設(shè)置在主支撐圖案4023m的部分側(cè)表面和底表面上的輔助支撐圖案4023。
垂直結(jié)構(gòu)4045可以設(shè)置為貫穿層間絕緣圖案1516a和導(dǎo)電圖案1566。垂直結(jié)構(gòu)4045可以具有與參照圖10描述的垂直結(jié)構(gòu)1045相同的形狀。例如，每個垂直結(jié)構(gòu)4045可以包括間隙填充圖案4039、設(shè)置在間隙填充圖案4039上的焊盤圖案4042、圍繞間隙填充圖案4039的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案4042的側(cè)表面上的有源圖案4036、以及設(shè)置在有源圖案4036的側(cè)表面上的第一電介質(zhì)圖案4033。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。例如，垂直結(jié)構(gòu)4045可以包括如圖11所示的多個有源圖案，可以包括如圖12所示的保護電介質(zhì)圖案，或可以具有與圖13中的有源圖案相同的形狀。
垂直結(jié)構(gòu)4045和支撐圖案4025’可以設(shè)置為具有設(shè)置在基本相同的水平處的頂表面。垂直結(jié)構(gòu)4045和支撐圖案4025’可以設(shè)置在比隔離圖案1090的頂表面低的水平。
在下文，將描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述第一至第十實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖29是流程圖，示出參照圖2A至圖15描述的根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一至第四實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的每個的制造方法。
參照圖29，可以在襯底上形成包括多個犧牲層和多個層間絕緣層的水平層(步驟S10)。襯底可以是半導(dǎo)體襯底?？梢詧D案化水平層以形成第一開口(步驟S15)。可以形成填充第一開口的支撐圖案(步驟S20)。可以形成貫穿水平層的孔(步驟S25)?？梢栽诳變?nèi)形成垂直結(jié)構(gòu)(步驟S30)?？梢詧D案化水平層以形成具有比支撐圖案大的寬度的第二開口(步驟S35)。可以去除由第二開口暴露的犧牲層以形成空的(vacant)區(qū)域(步驟S40)。通過空的區(qū)域暴露的支撐圖案可以被部分蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域(步驟S45)。可以在擴大的空的區(qū)域中形成導(dǎo)電圖案(步驟S50)。可以分別形成填充第二開口的隔離圖案(步驟S55 )。可以形成電連接到垂直結(jié)構(gòu)的位線(步驟S60 )。
在下文，將參照圖29和圖30至圖37E描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一至第四實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件(其參照圖2A至圖15被描述)的每個的制造方法。
首先，將參照圖29和圖30A至圖30R描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件(其參照圖2A至圖2E被描述)的制造方法。
參照圖29和圖30A，可以制備襯底I。襯底I可以是半導(dǎo)體襯底。例如，襯底I可以是由半導(dǎo)體材料諸如硅形成的半導(dǎo)體晶片。襯底I可以包括:存儲單元區(qū)(或單元陣列區(qū))，包括存儲單元；以及外圍電路區(qū)，包括配置來操作存儲單元的外圍電路。襯底I可以包括第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)。第一導(dǎo)電類型可以是P型。
水平層6和9可以形成在襯底I上(步驟SlO)。水平層6和9可以包括在垂直方向上交替且重復(fù)地堆疊的層間絕緣層6和犧牲層9。犧牲層9可以通過層間絕緣層6彼此垂直地間隔開。
層間絕緣層6可以包括最下面的層間絕緣層6L、最上面的層間絕緣層6U以及插設(shè)在最下面的層間絕緣層6L和最上面的層間絕緣層6U之間的多個中間層間絕緣層6M。最上面的層間絕緣層6U可以形成為比每個中間層間絕緣層6M大的厚度。此外，最下面的層間絕緣層6L可以形成為比每個中間層間絕緣層6M小的厚度。水平層6和9中的最下層可以是最下面的層間絕緣層6L，而其最上層可以是最上面的層間絕緣層6U。
犧牲層9可以由相對于層間絕緣層6具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，層間絕緣層6可以由絕緣氧化物(例如，利用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝得到的硅氧化物)形成，并且犧牲層9可以由絕緣氧化物或硅形成。例如，當(dāng)層間絕緣層6由硅氧化物形成時，犧牲層9可以由絕緣氮化物諸如硅氮化物、非晶硅(a-Si)或多晶Si形成。
參照圖29和圖30B，水平層6和9可以被圖案化以形成第一開口 15 (步驟S15)。第一開口 15可以貫穿水平層6和9。從平面圖，每個第一開口 15可以具有線形狀。第一開口 15可以基本上彼此平行。
開口 15可以貫穿水平層6和9以暴露部分襯底I。此外，開口 15可以貫穿水平層6和9并延伸到襯底I中。因此，凹入部17可以挨著開口 15形成襯底I中。
參照圖29和圖30C，可以形成支撐圖案25以填充第一開口 15 (步驟S20)。支撐圖案25的形成可以包括形成用于填充第一開口 15的材料層以及平坦化該材料層直到暴露水平層6和9中的最上層6U。因此，從平面圖，支撐圖案25可以具有基本上彼此平行的直線形狀。每個支撐圖案25可以具有線形狀，其具有第一寬度W1。
支撐圖案25可以包括相對于犧牲層9具有蝕刻選擇性的材料。例如，當(dāng)犧牲層9由絕緣氮化物(例如，硅氮化物)形成時，支撐圖案25可以由a-Si或多晶Si形成。備選地，當(dāng)犧牲層9由a-Si或多晶Si形成時，支撐圖案25可以由絕緣氮化物(例如，硅氮化物)形成。
在一些實施例中，當(dāng)支撐圖案25包括導(dǎo)電材料時，支撐圖案25可以包括主支撐圖案24以及插設(shè)在主支撐圖案24和襯底I之間的絕緣氧化物21。例如，主支撐圖案24可以由導(dǎo)電材料(例如，a-Si或多晶Si)形成，絕緣氧化物21可以由能夠使主支撐圖案24與襯底I電絕緣的氧化物形成。支撐圖案25的形成可以包括在通過第一開口 15暴露的襯底I上形成絕緣氧化物21以及形成填充第一開口 15的主支撐圖案24。絕緣氧化物21可以由通過氧化襯底I獲得的氧化物(例如，硅氧化物)形成。
參照圖29和圖30D，第一蓋層27可以形成為覆蓋支撐圖案25。第一蓋層27可以由相對于犧牲層9具有蝕刻選擇性的絕緣材料層形成。例如，當(dāng)犧牲層9由硅氮化物形成時，第一蓋層27可以由娃氧化物形成。
第一蓋層27以及水平層6和9可以被圖案化，從而形成貫穿第一蓋層27以及水平層6和9并且暴露部分襯底I的孔30 (步驟S25)。孔30可以彼此間隔開?？?0也可以與支撐圖案24間隔開。
在一些實施例中，每個孔30可以包括延伸到襯底I中的部分，也就是說，可以包括襯底I的凹入部31。例如，孔30的形成可以包括:利用光刻和蝕刻工藝來蝕刻層間絕緣層6和犧牲層9以形成貫穿水平層6和9的部分；以及蝕刻一部分襯底I以在襯底I中形成凹入部31。
參照圖30E,第一電介質(zhì)圖案35可以形成在孔30的側(cè)壁上。第一電介質(zhì)圖案35的形成可以包括:在具有孔30的襯底I上形成至少一個電介質(zhì)層；以及蝕刻該電介質(zhì)層以在孔30的側(cè)壁上留下電介質(zhì)層并暴露孔30的底部。每個第一電介質(zhì)圖案35可以是參照圖2B至圖2D描述的第一電介質(zhì)圖案35a、35b和35c中的任一個。
有源層39可以形成在具有第一電介質(zhì)圖案35的襯底I上。有源層39可以共形地形成在具有第一電介質(zhì)圖案35的襯底I上。有源層39可以覆蓋第一電介質(zhì)圖案35并與設(shè)置在孔30底部中的襯底I接觸。
有源層39可以使用CVD工藝或原子層沉積(ALD)工藝形成。有源層39可以包括晶體半導(dǎo)體層。例如，有源層39的形成可以包括:在具有第一電介質(zhì)圖案35的襯底I上共形地形成a-Si層；以及使用用于晶化a-Si層的退火工藝來形成晶體硅層。例如，晶體硅層可以是多晶Si層。
參照圖30F，間隙填充層44可以形成在具有有源層39的襯底I上以填充孔30。間隙填充層44可以由絕緣材料層形成。例如，間隙填充層44可以由絕緣材料諸如硅氧化物形成。間隙填充層44可以與第一電介質(zhì)圖案35和有源層39—起填充孔30。例如，有源層39可以形成在孔30的內(nèi)壁上，間隙填充層44可以填充孔30的沒有用有源層39填充的剩余部分。
參照圖30G，間隙填充層44可以被部分地蝕刻以形成部分地填充孔30的間隙填充圖案45。因此，可以暴露部分有源層39。
參照圖29和圖30H，焊盤層可以形成在具有間隙填充圖案45的襯底I上，并且焊盤層和有源層可以被平坦化直到暴露第一蓋層27。因此，保留在孔30內(nèi)的平坦化的有源層可以定義為有源圖案40，而平坦化的焊盤層可以定義為焊盤圖案48。焊盤圖案48可以由多晶Si形成。
有源圖案40可以形成在孔30的內(nèi)壁上，并且間隙填充圖案45和焊盤圖案48可以依次堆疊在有源圖案40上。間隙填充圖案45可以用有源圖案40和焊盤圖案48圍繞。
第一電介質(zhì)圖案35、有源圖案40、間隙填充圖案45和焊盤圖案48可以構(gòu)成垂直結(jié)構(gòu)50。因此，垂直結(jié)構(gòu)50可以形成在孔30內(nèi)并貫穿水平層6和9以及第一蓋層27。
之后，可以進行離子注入工藝，使得雜質(zhì)能夠被注入到焊盤圖案48和有源圖案40的上部區(qū)域。因此，如圖2E所示，焊盤圖案48和有源圖案40的上部區(qū)域可以形成為具有相同的導(dǎo)電類型。例如，焊盤圖案48和有源圖案40的上部區(qū)域(參照圖2E的40U)可以具有N導(dǎo)電類型。因此，如參照圖2E所述，有源圖案40可以包括第一部分40L以及設(shè)置在第一部分40L上的第二部分40U。
參照圖301，第二蓋層52可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)50的襯底I上。第二蓋層52可以形成為覆蓋有源圖案40、焊盤圖案48和第一蓋層27。第二蓋層52可以由相對于犧牲層9具有蝕刻選擇性的絕緣材料層(例如，硅氧化物層)形成。
參照圖29和圖30J，第二蓋層52、第一蓋層27以及水平層6和9可以被圖案化，從而形成第二開口 55 (步驟S35)。從平面圖，每個第二開口 55可以具有線形狀。第二開口 55可以具有基本上彼此平行的線形狀。開口 55可以形成為寬度大于支撐圖案25。
在一些實施例中，襯底I的表面的部分可以通過開口 55而凹入。
每個支撐圖案25可以設(shè)置在一對相鄰的第二開口 55之間。類似地，每個第二開口 55可以設(shè)置在多個支撐圖案25中的一對相鄰的支撐圖案25之間。
由于第二開口 55，第二蓋層52可以定義為第二蓋圖案52a，第一蓋層27可以定義為第一蓋圖案27a。此外，由于第二開口 55，層間絕緣層6可以定義為層間絕緣圖案6a，犧牲層9可以定義為犧牲圖案9a，第一和第二蓋層27和52可以定義為第一第二蓋圖案27a和52a。層間絕緣圖案6a可以包括最上面的層間絕緣圖案6aU、最下面的層間絕緣圖案6aL、以及多個中間層間絕緣圖案6aM。多個中間層間絕緣圖案6aM可以設(shè)置在最上面的層間絕緣圖案6aU和最下面的層間絕緣圖案6aL之間。
每個犧牲圖案9a可以具有彼此相反設(shè)置的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。犧牲圖案9a的第一側(cè)表面可以通過第二開口 55暴露，而其第二側(cè)表面可以鄰近或接觸支撐圖案25。因此，犧牲圖案9a的一個側(cè)表面可以通過第二開口 55暴露，而它的另一側(cè)表面可以與支撐圖案25接觸。
每個層間絕緣圖案6a可以具有彼此相反設(shè)置的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。層間絕緣圖案6a的第一側(cè)表面可以通過第二開口 55暴露,層間絕緣圖案6a的第二側(cè)表面可以與支撐圖案25接觸。因此，層間絕緣圖案6a的一個側(cè)表面可以與支撐圖案25接觸，而它的另一側(cè)表面可以通過第二開口 55暴露。
參照圖29和圖30K，通過第二開口 55暴露的犧牲圖案9a可以被選擇性去除以形成空的區(qū)域58 (步驟S40)。結(jié)果，垂直結(jié)構(gòu)50的部分側(cè)表面可以通過空的區(qū)域58暴露，并且支撐圖案25的部分側(cè)表面可以被暴露。
參照圖29和圖30L，通過空的區(qū)域58暴露的支撐圖案25可以利用蝕刻設(shè)備被部分地蝕刻，從而形成擴大的空的區(qū)域58a (步驟S45)。因此，擴大的空的區(qū)域58可以延伸到支撐圖案25中。此外，支撐圖案25可以由于擴大的空的區(qū)域58而被定義為具有非垂直側(cè)表面的支撐圖案25’。
每個支撐圖案25’可以具有非垂直側(cè)表面，也就是不平整的側(cè)表面。每個支撐圖案25’可以在設(shè)置于與層間絕緣圖案6a基本相同的水平處的第一部分中具有第一寬度W1，并在設(shè)置于與空的區(qū)域58a基本相同的水平處的第二部分中具有第二寬度W2。第二寬度W2可以小于第一寬度W1。也就是說，如參照圖2A和圖2B所述，每個支撐圖案25’可以具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一寬度Wl，第二部分具有小于第一寬度Wl的第二寬度W2。
空的區(qū)域58或擴大的空的區(qū)域58a可以形成在層間絕緣圖案6a之間。層間絕緣圖案6a的一個側(cè)表面可以與支撐圖案25’接觸。因此，支撐圖案25’(其可以與層間絕緣圖案6a的一個側(cè)表面接觸)可以防止層間絕緣圖案6a的變形或?qū)娱g絕緣圖案6a中發(fā)生損傷(例如，裂紋)。
參照圖30M，電介質(zhì)材料62可以共形地形成在具有擴大的空的區(qū)域58a和支撐圖案25’的襯底I上。電介質(zhì)材料62可以由與參照圖2B至圖2D描述的第二電介質(zhì)圖案63a、63b和63c中的任一個相同的材料層形成。
參照圖30N，導(dǎo)電層66可以形成在電介質(zhì)材料62上以填充圖30M中示出的擴大的空的區(qū)域58a。導(dǎo)電層66可以形成為填充空的區(qū)域58a并覆蓋第二開口 55的內(nèi)壁。此夕卜，導(dǎo)電層66可以形成為不完全填充第二開口 55的開口型。
導(dǎo)電層66可以由摻雜半導(dǎo)體(例如,摻雜娃)、金屬(例如,鶴、銅或招)、導(dǎo)電金屬氮化物(例如，鈦氮化物、鉭氮化物或鎢氮化物)、導(dǎo)電金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，金屬硅化物)和過渡金屬(例如，鈦或鉭)中的至少一種形成。例如，導(dǎo)電層66可以包括依次堆疊的鈦氮化物層和鎢層。
參照圖29和圖300，導(dǎo)電層66可以被部分地蝕刻，從而形成保留在空的區(qū)域58a中的導(dǎo)電圖案66a(步驟S50)。導(dǎo)電層66的部分蝕刻可以利用各向同性蝕刻工藝進行。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案66a可以具有不與層間絕緣圖案6a的側(cè)壁垂直對齊的側(cè)壁。
蝕刻水平層6和9以形成第二開口 55 (參照圖30J中的55)的工藝、利用蝕刻工藝去除犧牲圖案9a以形成空的區(qū)域(參照圖30K中的58)和擴大的空的區(qū)域(參照圖30L中的58a)的工藝、以及部分地蝕刻犧牲圖案25的工藝可以利用蝕刻裝置進行。此外，電介質(zhì)材料62 (參照圖30M中的62)可以利用沉積裝置諸如ALD裝置形成。此外，導(dǎo)電層(參照圖30N)可以使用沉積裝置諸如CVD裝置形成。此外，蝕刻導(dǎo)電層(參照圖30N中的66)以形成導(dǎo)電圖案66a的工藝可以利用蝕刻裝置進行。
在利用蝕刻裝置形成空的區(qū)域(參照圖30K中的58)和擴大的空的區(qū)域(參照圖30L的58a)之后，具有空的區(qū)域(參照圖30K中的58)和擴大的空的區(qū)域(參照圖30L中的58a)的襯底(S卩，半導(dǎo)體晶片)可以被轉(zhuǎn)移到配置用于形成電介質(zhì)材料(參照圖30M中的62)的ALD裝置。
另外，在形成電介質(zhì)材料(參照圖30M中的62)之后，具有電介質(zhì)材料的襯底(SP，半導(dǎo)體晶片)可以從ALD裝置轉(zhuǎn)移到配置用于形成導(dǎo)電層(參照圖30N)的CVD裝置。
此外，具有導(dǎo)電層(參照圖30N中的66)的襯底(即，半導(dǎo)體晶片)可以被轉(zhuǎn)移到配置用于蝕刻導(dǎo)電層(參照圖30N中的66)的蝕刻裝置。
在上述半導(dǎo)體工藝以及傳輸半導(dǎo)體晶片以能夠進行半導(dǎo)體工藝的工藝期間，支撐圖案25可以防止層間絕緣圖案6a (尤其是中間層間絕緣圖案6aM)具有損傷(裂紋)或被損壞。此外，可以通過支撐圖案25防止中間層間絕緣圖案6aM變形，垂直結(jié)構(gòu)50可以被防止由于中間層間絕緣圖案6aM而在垂直結(jié)構(gòu)50中發(fā)生損傷(例如，裂紋)。也就是說，支撐圖案25可以與中間層間絕緣圖案6aM的一個側(cè)表面接觸并防止中間層間絕緣圖案6aM的變形或損壞。由于中間層間絕緣圖案6aM沒有變形或損壞，所以可以防止在垂直結(jié)構(gòu)50中發(fā)生缺陷諸如裂紋。
參照圖30P，電介質(zhì)材料62可以被部分地蝕刻以形成第二電介質(zhì)圖案63。第二電介質(zhì)圖案63可以插設(shè)在導(dǎo)電圖案66a和垂直結(jié)構(gòu)50之間,在導(dǎo)電圖案66a和層間絕緣圖案6a之間延伸，以及在導(dǎo)電圖案66a和支撐圖案25’之間延伸。
參照圖30Q，間隔物層可以形成在具有第二電介質(zhì)圖案63的襯底I上。間隔物層可以由絕緣材料層諸如硅氧化物或硅氮化物形成。
此后，可以對具有間隔物層的襯底I進行離子注入工藝，使得雜質(zhì)區(qū)84可以形成在第二開口 55的底表面下具有間隔物層的襯底I中。雜質(zhì)區(qū)84可以具有與襯底I不同的導(dǎo)電類型。例如，雜質(zhì)區(qū)84可以具有N導(dǎo)電類型，而鄰近雜質(zhì)區(qū)84設(shè)置的襯底I可以具有P導(dǎo)電類型。
雜質(zhì)區(qū)84可以用作非易失性存儲器件諸如快閃存儲器件中的公共源極區(qū)。
間隔物層可以被蝕刻，從而形成保留在第二開口 55的側(cè)壁上的絕緣間隔物81。因此，可以暴露在第二開口 55下面的雜質(zhì)區(qū)84。
之后，金屬-半導(dǎo)體化合物87可以利用娃化工藝形成在暴露的雜質(zhì)區(qū)84上。金屬-半導(dǎo)體化合物87可以是金屬硅化物，諸如鈷硅化物、鈦硅化物或鎳硅化物。
參照圖29和圖30R，隔離圖案90可以形成在具有金屬-半導(dǎo)體化合物87的襯底I上以填充第二開口 55(步驟S55)。隔離圖案90的形成可以包括:在具有金屬-半導(dǎo)體化合物87的襯底I上形成絕緣材料層；以及平坦化絕緣材料層直到暴露第二蓋圖案52a。每個隔離圖案90可以具有大于每個支撐圖案25的寬度。
每個隔離圖案90可以具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一寬度，第二部分具有大于第一寬度的第二寬度。在每個隔離圖案90中，具有相對大的寬度的第二部分可以設(shè)置在與導(dǎo)電圖案66a基本相同的水平，具有相對小的寬度的第一部分可以設(shè)置在與層間絕緣圖案6a、第一蓋圖案27a和第二蓋圖案52a基本相同的水平。
此后，如圖2A所示，接觸插塞93可以形成為貫穿第二蓋圖案52a并電連接到垂直結(jié)構(gòu)50，導(dǎo)線96可以形成在第二蓋圖案52a上且電連接到接觸插塞93 (參照圖29中的S60)。導(dǎo)線96可以形成為比垂直結(jié)構(gòu)50小的寬度。接觸插塞93可以由金屬諸如鎢、銅或鋁形成，導(dǎo)線96可以由金屬諸如鎢、銅或鋁形成。導(dǎo)線96可以用作非易失性存儲器件諸如快閃存儲器件的位線。
另外，當(dāng)參照圖30D描述的形成第一蓋層27的工藝被省略并且進行半導(dǎo)體工藝時，可以形成圖26所示的半導(dǎo)體器件。
接著，將參照圖31A至圖31C描述根據(jù)第一實施例的修改示例的參照圖3A描述的半導(dǎo)體器件的制造方法。在下文，將主要描述修改部分。
參照圖31A，可以提供參照圖30A和圖30B描述的半導(dǎo)體器件。也就是說，可以制備參照圖30B描述的具有第一開口 15的襯底I。此后，圖30C的支撐圖案25的修改支撐圖案125可以設(shè)置在第一開口 15內(nèi)。。
例如，支撐圖案125的形成可以包括:在通過第一開口 15暴露的襯底I形成絕緣氧化物121 ;具有絕緣氧化物121的襯底I上共形地形成第一支撐層；在第一支撐層上形成第二支撐層以填充第一開口 15 ;以及通過平坦化第一和第二支撐層直到暴露最上面的層間絕緣層6U，形成第一支撐圖案122和第二支撐圖案123m。
第二支撐圖案123m可以貫穿犧牲層9和層間絕緣層6，第一支撐圖案122可以插設(shè)在第二支撐圖案123m和絕緣氧化物121之間并延伸到第二支撐圖案123m的側(cè)表面上。
此后，參照圖31B，可以進行參照圖30D至圖30K描述的方法。也就是說，如參照圖30D至圖301所述，第一蓋層可以形成為覆蓋支撐圖案125，垂直結(jié)構(gòu)150可以形成為貫穿第一蓋層、層間絕緣層6和犧牲層9。第二蓋層可以形成在第一蓋層上以覆蓋垂直結(jié)構(gòu)150。此后，參照圖30J，第二蓋層、第一蓋層以及水平層6和9可以被圖案化，從而形成第二開口 55。在這種情況下，如參照圖30J所述，可以形成第一和第二蓋圖案27a和52a、層間絕緣圖案6a和犧牲圖案9a。
接著，如圖31B所示，犧牲圖案9a可以被選擇性去除以形成空的區(qū)域158。垂直結(jié)構(gòu)150的部分側(cè)表面和支撐圖案125的部分側(cè)表面可以被暴露。
參照圖31C，支撐圖案125的被暴露的第一支撐圖案(參照圖31B中的122)可以被選擇性蝕刻。即，第一支撐圖案(參照圖31B中的122)可以由相對于垂直結(jié)構(gòu)150的第一電介質(zhì)圖案135和第二支撐圖案123m具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，當(dāng)垂直結(jié)構(gòu)150的第一電介質(zhì)圖案135由電介質(zhì)材料形成并且第二支撐圖案123m由絕緣材料諸如硅氧化物或硅氮化物形成時，第一支撐圖案(參照圖31B中的122)可以由a-Si或晶體硅形成。因此，支撐圖案125可以被修改為具有非垂直側(cè)表面(S卩，不平整的側(cè)表面)的支撐圖案125’，空的區(qū)域158可以被修改為擴大的空的區(qū)域158a。第一支撐圖案122可以被蝕刻以形成輔助支撐圖案123a，而第二支撐圖案123m可以保留并被定義為主支撐圖案123m。因此，如參照圖3A所述，支撐圖案125’可以包括絕緣氧化物121、主支撐圖案123m和輔助支撐圖案123a。
隨后，可以進行與參照圖30M至圖30R描述的相同工藝。結(jié)果，可以形成參照圖3A描述的半導(dǎo)體器件。
接著，將參照圖32A和圖32B描述根據(jù)第一實施例的另一修改示例的、參照圖4A描述的半導(dǎo)體器件的制造方法。在下文，將主要描述修改部分。
參照圖32A，可以形成參照圖31A描述的支撐圖案125的修改支撐圖案225。例如，第一開口 15可以形成為貫穿水平層6和9，支撐圖案225可以形成為填充第一開口 15。這里，支撐圖案225的形成可以包括依次共形地形成第一支撐圖案223a和第二支撐圖案223b以及在第二支撐圖案223b上形成第三支撐圖案223m，從而填充第一開口 15。此外，在形成第一支撐圖案225a之前，支撐圖案225的形成還可以包括通過氧化由第一開口 15暴露的襯底I來形成絕緣氧化物221。
參照圖32B，可以形成參照圖31B描述的空的區(qū)域。也就是說，空的區(qū)域可以暴露支撐圖案225的部分側(cè)表面。
第一支撐圖案223a和第二支撐圖案223b可以由相對于垂直結(jié)構(gòu)250的第一電介質(zhì)圖案235和第三支撐圖案223m具有蝕刻選擇性的材料形成。第一支撐圖案223a可以由相對于第二支撐圖案223b具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，垂直結(jié)構(gòu)250的第一電介質(zhì)圖案235的通過空的區(qū)域暴露的部分可以包括硅氧化物。第一支撐圖案223a可以由a_Si或晶體硅形成，第二支撐圖案223b可以由硅氮化物形成，第三支撐圖案223m可以由硅氧化物、a_Si或晶體娃形成。這里，晶體娃可以是多晶Si。
因此，在支撐圖案225’當(dāng)中，通過空的區(qū)域暴露的第一支撐圖案223a和第二支撐圖案223b可以依次被選擇性蝕刻。結(jié)果，支撐圖案225可以修改為具有非垂直側(cè)表面的支撐圖案225’，并且空的區(qū)域可以修改成擴大的空的區(qū)域258a。
第一支撐圖案223a可以被蝕刻以形成第一輔助支撐圖案223al和223a2，第二支撐圖案223b可以被蝕刻以形成第二輔助支撐圖案223bl和223b2。第三支撐圖案223m可以保留并被定義為主支撐圖案223m。因此，如參照圖4A所述，支撐圖案225’可以包括絕緣氧化物221、主支撐圖案223m以及輔助支撐圖案223a和223b。
此后，可以執(zhí)行與參照圖30M至30R描述的相同工藝。結(jié)果，可以形成參照圖4A描述的半導(dǎo)體器件。
接著，將參照圖33A至圖33C描述根據(jù)第一實施例的另一修改示例的半導(dǎo)體器件(參照圖5A描述)的制造方法。在下文，將主要描述之前實施例的修改部分。
參照圖33A，如之前實施例中描述的，水平層6和9可以形成在襯底I上，支撐圖案125可以形成為貫穿水平層6和9。例如，第一開口 15可以形成為貫穿水平層6和9，支撐圖案125可以形成為填充第一開口 15。這里，支撐圖案125的形成可以包括:通過氧化由第一開口 15暴露的襯底I來形成絕緣氧化物121 ;在具有絕緣氧化物121的襯底I上共形地形成第一支撐圖案122 ;以及在第一支撐圖案122上形成第二支撐圖案123m以填充第一開口 15。因此，可以形成具有與圖31A中基本相同的形狀的支撐圖案125。
在其它的實施例中，支撐圖案125可以具有與圖27C的支撐圖案25相同的形狀，或具有與圖32A的支撐圖案225相同的形狀。
此后，第一蓋層27可以形成為覆蓋支撐圖案125，并且孔30可以形成為貫穿第一蓋層27以及水平層6和9并暴露襯底I。
保護層333和第一電介質(zhì)圖案335可以依次形成在孔30的側(cè)壁上。保護電介質(zhì)層333可以插設(shè)在第一電介質(zhì)圖案335和孔30的側(cè)壁之間。保護電介質(zhì)層333可以由絕緣材料諸如硅氧化物、硅氧氮化物(SiON)或硅氮化物形成。
此后，有源層339可以共形地形成在具有第一電介質(zhì)圖案335的襯底I上。在這種情況下，有源層339可以形成為不完全填充孔30的開口型。
參照圖33B，垂直結(jié)構(gòu)350可以利用與參照圖30F至圖30H基本相同的方法形成在具有有源層340的襯底I上。此后，如參照圖301和圖30J所述，第二蓋層可以形成為覆蓋垂直結(jié)構(gòu)350，并且第二開口 55可以形成為貫穿第二蓋層、第一蓋層27以及水平層6和9。此后，如參照圖30K和圖301所述，通過第二開口 55暴露的犧牲圖案可以被去除以形成空的區(qū)域，被空的區(qū)域暴露的支撐圖案125可以被部分地蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域358a。
另外，保護電介質(zhì)層333可以具有與支撐圖案125’的被蝕刻部分不同的蝕刻選擇速率的材料形成。保護電介質(zhì)層333可以由與支撐圖案125’的被蝕刻部分的材料不同的材料形成。例如，當(dāng)支撐圖案125’的第一支撐圖案123a由a-Si或晶體硅形成時，保護電介質(zhì)層333可以由絕緣材料(例如，硅氧化物、氮(N)摻雜的硅氧化物或硅氮化物)形成。因此，在形成空的區(qū)域和擴大的空的區(qū)域358a的蝕刻工藝期間，保護電介質(zhì)層333可以防止第一電介質(zhì)圖案335被蝕刻工藝損壞。
參照圖33C，通過擴大的空的區(qū)域358a暴露的保護層333可以被蝕刻以形成保護電介質(zhì)圖案334。保護電介質(zhì)圖案334可以保留在第一電介質(zhì)圖案335和層間絕緣圖案6a之間，并保留在第一蓋圖案27a和第一電介質(zhì)圖案335之間。此后，可以執(zhí)行與參照圖30M至圖30R描述的基本相同的工藝以形成圖5A中示出的半導(dǎo)體器件。
接著，將參照圖34描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的另一修改示例的半導(dǎo)體器件(其參照圖6描述)的制造方法。在下文，將主要描述之前實施例的修改部分。
參照圖34，可以提供如圖30D所示的襯底1，在該襯底I中孔30形成為貫穿水平層6和9。此后，第一有源圖案432可以形成在通過孔30暴露的襯底I上。第一有源圖案432可以通過選擇性外延生長(SEG)工藝?yán)猛ㄟ^孔30暴露的襯底I作為籽晶層來形成。因此，第一有源圖案432可以由單晶硅形成。第一有源圖案432可以形成為柱型。因此，第一有源圖案432可以填充孔30的下部區(qū)域。
此后，在孔30內(nèi)，第一電介質(zhì)圖案435可以形成在沒有用第一有源圖案432填充的孔30的剩余側(cè)壁上。另外，在形成第一電介質(zhì)圖案435之前，保護電介質(zhì)層433可以形成在沒有用第一有源圖案432填充的孔30的剩余側(cè)壁上。保護電介質(zhì)層433和第一電介質(zhì)圖案435可以由與參照圖33描述的保護電介質(zhì)層333和第一電介質(zhì)圖案335基本相同的材料形成。
此后，有源層439可以形成在具有第一電介質(zhì)圖案435的襯底I上，如參照圖33A所述。因此，可以形成具有與參照圖33A描述的類似形狀的半導(dǎo)體器件。隨后，可以執(zhí)行與參照33B和圖33C描述的基本相同的工藝。在這種情況下，支撐圖案125的最外部分122可以由相對于第一有源圖案432具有不同的蝕刻選擇性的材料形成。例如，第一支撐圖案122可以由多晶Si形成，而第一有源圖案432可以由單晶硅形成。
接著，將參照圖35A至圖3 描述根據(jù)第二實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件(其參照圖7A至7E描述)的制造方法。在下文，將主要描述之前實施例的修改部分。
參照圖35A，如參照圖30A所述，水平層6和9可以形成在襯底I上。支撐圖案525b可以形成在貫穿水平層6和9的第一開口 15內(nèi)。支撐圖案525b可以具有與圖32A中相同的形狀。也就是說，支撐圖案525b可以包括通過氧化由第一開口 15暴露的襯底I而形成的氧化物521、形成在氧化物521上且共形地形成在第一開口 15的內(nèi)壁上的第一支撐圖案522、以及填充第一開口 15的剩余部分的第二支撐圖案523m。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，支撐圖案525b可以具有與圖30C的支撐圖案25相同的形狀，或支撐圖案525b可以具有與圖32A的支撐圖案225相同的形狀。第一蓋層27可以形成在具有支撐圖案525b的襯底I上。
參照圖35B，垂直結(jié)構(gòu)550a可以形成在貫穿第一蓋層27以及水平層6和9的孔30內(nèi)。每個垂直結(jié)構(gòu)550a可以包括:間隙填充圖案545a，配置為貫穿第一蓋層27以及水平層6和9 ;焊盤圖案548a，設(shè)置在間隙填充圖案545a上；以及有源圖案540a，覆蓋間隙填充圖案545a的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案548a的側(cè)表面上。
在修改的示例中，在形成有源圖案540a之前，垂直結(jié)構(gòu)550a的形成還可以包括在孔30的側(cè)壁上形成保護電介質(zhì)層537。由于形成垂直結(jié)構(gòu)550a的工藝與參照圖30E至圖30H描述的基本相同，所以這里將省略其詳細(xì)描述。同時，可以形成保護電介質(zhì)層537來代替圖30E的第一電介質(zhì)圖案35。之后，第二蓋層52可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)550a的襯底I上。
參照圖35C，如圖30J所示，第二開口 55可以形成在具有第二蓋層52a的襯底I中以貫穿第一和第二蓋層27和52以及水平層6和9。之后，如參照圖30K所述，由第二開口55暴露的犧牲圖案(參照圖30J中的9a)可以被選擇性去除以形成空的區(qū)域。隨后，支撐圖案525b的第一支撐圖案522可以被選擇性地蝕刻以暴露第二支撐圖案523m，從而形成擴大的空的區(qū)域558a。在這種情況下，第二支撐圖案523m可以被定義為主支撐圖案523m，剩余的支撐圖案523a可以被定義為第一和第二輔助支撐圖案523al和523a2，由此形成支撐圖案525b’。在這種情況下，保護電介質(zhì)層(參照圖35B中的537)可以防止有源圖案540a由于用于形成擴大的空的區(qū)域558a的蝕刻工藝而被損壞。
此后，保護電介質(zhì)層537可以被蝕刻以暴露有源圖案540a，從而形成保護電介質(zhì)圖案538，如圖3 所示。參照圖35D，保護電介質(zhì)圖案538可以插設(shè)在有源圖案540a和層間絕緣圖案6a之間以及插設(shè)在有源圖案540a和第一蓋圖案27a之間。因此，可以提供包括保護電介質(zhì)圖案538的垂直結(jié)構(gòu)550a’。
此外，參照圖35D，電介質(zhì)圖案63a和導(dǎo)電圖案66a可以形成為填充擴大的空的區(qū)域(參照圖35C中的558a)。電介質(zhì)圖案63a可以插設(shè)在垂直結(jié)構(gòu)550a’和導(dǎo)電圖案66a之間，在層間絕緣圖案6a和導(dǎo)電圖案66a之間延伸，以及在導(dǎo)電圖案66a和支撐圖案525’之間延伸。電介質(zhì)圖案63a可以被修改為參照圖7B描述的電介質(zhì)圖案。之后，可以執(zhí)行與參照圖30Q和圖30R基本相同的工藝，使得雜質(zhì)區(qū)84可以形成在第二開口 55下面的襯底I中，絕緣間隔物81可以形成在第二開口 55的側(cè)壁上，金屬-半導(dǎo)體化合物87可以形成在雜質(zhì)區(qū)84上，隔離圖案90可以形成為填充第二開口 55。
接著，將參照圖36A至圖361描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第三實施例的半導(dǎo)體器件(其參照圖10描述)的制造方法。參照圖36A，可以提供襯底1000。水平層1016和1018可以形成在襯底1000上。水平層1016和1018可以包括交替且重復(fù)地堆疊在襯底1000上的多個層間絕緣層1016和多個犧牲層1018。
犧牲層1018可以包括至少一個下犧牲層1018L、多個中間犧牲層1018M和至少一個上犧牲層1018U。中間犧牲層1018M可以設(shè)置在比至少一個下犧牲層1018L高的水平，至少一個上犧牲層1018U可以設(shè)置在比中間犧牲層1018M高的水平。
層間絕緣層1016可以包括插設(shè)在至少一個下犧牲層1018L和襯底1000之間的最下面的絕緣層1006、插設(shè)在至少一個下犧牲層1018L之間的下層間層1007、插設(shè)在至少一個下犧牲層1018L和中間犧牲層1018M之間的下絕緣層1008、插設(shè)在中間犧牲層1018M之間的中間層間層1010、插設(shè)在中間犧牲層1018M和至少一個上犧牲層1018U之間的上絕緣層1012、插設(shè)在至少一個上犧牲層1018U之間的上層間層1014nU、以及設(shè)置在至少一個上犧牲層1018U上的最上面的絕緣層1014U。
參照圖36B，支撐圖案1025可以形成在貫穿水平層1016和1018的第一開口 1020內(nèi)。
每個支撐圖案1025可以具有與圖32A中相同的形狀。也就是說，每個支撐圖案1025可以包括:通過氧化由相應(yīng)一個第一開口 1020暴露的襯底1000而形成的氧化物1021 ;第一支撐圖案1022a和第二支撐圖案1022b，設(shè)置在氧化物1021上并依次共形地形成在相應(yīng)一個第一開口 1020的內(nèi)壁上；以及第三支撐圖案1023m，填充相應(yīng)一個第一開口1020的剩余部分。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，支撐圖案1025可以具有與圖30C中相同的形狀或與圖31A中相同的形狀。
參照圖36C，第一蓋層1027可以形成在具有支撐圖案1025的襯底1000上。此后，孔1030可以形成為貫穿第一蓋層1027以及水平層1016和1018。另外，為了形成與圖27中相同的半導(dǎo)體器件，可以省略第一蓋層1027的形成。
參照圖36D，垂直結(jié)構(gòu)1045可以形成在孔1030內(nèi)。垂直結(jié)構(gòu)1045可以利用與參照圖30D至圖30H描述的形成垂直結(jié)構(gòu)50的方法基本相同的方法來形成。結(jié)果，如參照圖30H所述，每個垂直結(jié)構(gòu)1045可以包括:第一電介質(zhì)圖案1033，形成在孔1030的側(cè)壁上；有源圖案1036，覆蓋孔1030的其上形成第一電介質(zhì)圖案1033的內(nèi)壁；間隙填充圖案1039，形成在有源圖案上以部分填充孔1030 ;焊盤圖案1042，設(shè)置在間隙填充圖案1039上。
參照圖36E，第二蓋層可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)1045的襯底1000上。此后，如參照圖30J所述，第二開口 1055可以形成為依次貫穿第二蓋層、第一蓋層1027以及水平層1016和1018。犧牲圖案1018a、層間絕緣圖案1016a、第一蓋圖案1027a和第二蓋圖案1048可以定義在第二開口 1055之間。
參照圖36F，通過第二開口 1055暴露的犧牲圖案1018a可以被去除以形成空的區(qū)域 1058。
參照圖36G，第一和第二支撐圖案1022a和1022b可以被蝕刻以形成擴大的空缺區(qū)域1058a。此外,剩余的第一和第二支撐圖案1022a和1022b可以被定義為第一和第二輔助支撐圖案1023cl和1023c2。在這種情況下，第三支撐圖案1023m可以被定義為主支撐圖案1023m。因此，可以形成包括第一和第二輔助支撐圖案1023cl和1023c2、主支撐圖案1023m和氧化物1021并具有不平整(rough)的側(cè)表面的支撐圖案1025’。接著，參照圖36H，可以執(zhí)行與參照圖30M至圖30R描述的基本相同的工藝，從而制造參照圖10描述的半導(dǎo)體器件。
接下來，將參照圖37A至圖37D描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第四實施例的半導(dǎo)體器件(其參照圖14B描述)的制造方法。
參照圖37A，水平層1516和1018可以形成在襯底1000上。如參照圖36A所述，水平層1516和1018可以包括交替且重復(fù)地堆疊的多個層間絕緣層1516和多個犧牲層1018。
如參照圖36A所述，犧牲層1018可以包括至少一個下犧牲層1018L、多個中間犧牲層1018M和至少一個上犧牲層1018U。
層間絕緣層1516可以包括插設(shè)在至少一個犧牲層1018L和襯底1000之間的最下面的絕緣層1006、插設(shè)在至少一個犧牲層1018L之間的下層間層1007、插設(shè)在至少一個下犧牲層1018L和中間犧牲層1018M之間的下絕緣層1508、插設(shè)在中間犧牲層1018M之間的中間層間層1010、插設(shè)在中間犧牲層1018M和上犧牲層1018U之間的上絕緣層1012、插設(shè)在上犧牲層1018U之間的上層間層1014nU、以及設(shè)置在上犧牲層1018U上的最上面的絕緣層 1014U。
在層間絕緣層1516當(dāng)中，下絕緣層1508可以具有包括多個層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，下絕緣層1508可以包括第一下絕緣層1508L、設(shè)置在第一下絕緣層1508L上的第二下絕緣層1508M、以及設(shè)置在第二下絕緣層1508M上的第三下絕緣層1508U。第二下絕緣層1508M可以由相對于第三下絕緣層1508U具有蝕刻選擇性的材料層形成。例如，當(dāng)?shù)谌陆^緣層1508U由硅氧化物形成時，第二下絕緣層1508M可以由諸如鉿氧化物或鋁氧化物的高k電介質(zhì)材料或者諸如娃的材料形成。這里，娃可以是a_Si或多晶Si。
此后，水平層1516和1018可以被部分地蝕刻以形成第一開口 1520。第一開口1520可以形成為貫穿上犧牲層1018U、中間犧牲層1018M、最上面的絕緣層1014U、上層間層1014nU、上絕緣層1012以及中間層間層1010。此外，第一開口 1520可以延伸到下絕緣層1508中。在這種情況下，第二下絕緣層1508M可以用作蝕刻停止層。因此，第一開口 1520可以貫穿下絕緣層1508的第三下絕緣層1508U。而且，第一開口 1520甚至可以貫穿第二下絕緣層1508M。
第一開口 1520的底表面可以設(shè)置在比下犧牲層1018L高的水平。
在另一修改示例中，為了形成參照圖14A所述的半導(dǎo)體器件，第一開口 1520可以貫穿下絕緣層1508并延伸到下犧牲層1018L中。在這種情況下，下絕緣層1508可以是像圖36A的絕緣層1008 —樣的單層。
參照圖37B，支撐圖案1525可以設(shè)置在第一開口 1520內(nèi)。支撐圖案1525可以是單層或復(fù)合層。例如，每個支撐圖案1525可以包括沿第一開口 1520的內(nèi)壁共形地形成的第一支撐圖案1522以及設(shè)置在第一支撐圖案1522上以填充第一開口 1520的第二支撐圖案1523m。第二支撐圖案1523m可以由相對于第一支撐圖案1522具有蝕刻選擇性的材料層形成。例如，第二支撐圖案1523m可以由硅氧化物或硅氮化物形成，而第一支撐圖案1522可以由導(dǎo)電材料諸如多晶Si形成。
第一蓋層1027可以形成在最上面的絕緣層1014U上以覆蓋支撐圖案1525。
此后，如參照圖30D所述，孔1530可以形成為貫穿第一蓋層1027以及水平層1516和 1018。
另外，為了形成圖28的半導(dǎo)體器件，可以省略第一蓋層1027的形成。
參照圖37C，與參照圖36D所述一樣，垂直結(jié)構(gòu)1545可以形成在孔1530內(nèi)。因此，每個垂直結(jié)構(gòu)1545可以包括:第一電介質(zhì)圖案1533，形成在孔1530的側(cè)壁上；有源圖案1536，覆蓋孔1530的其上形成第一電介質(zhì)圖案1533的內(nèi)壁；間隙填充圖案1539，形成在有源圖案1536上以部分地填充孔1530 ;以及焊盤圖案1542，設(shè)置在間隙填充圖案1539上。
參照圖37D，如參照圖36E所述，第二蓋層可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)1545的襯底1000上，第二開口 1555可以形成為依次貫穿第二蓋層、第一蓋層1027以及水平層1516和1018。犧牲圖案、層間絕緣圖案1516a’、第一蓋圖案1027a和第二蓋圖案1048可以定義在第二開口 1555之間。之后，犧牲圖案可以被去除以形成空的區(qū)域，第一支撐圖案1522 (其在支撐圖案1525當(dāng)中設(shè)置在最外面)可以被選擇性蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域1558a。在這種情況下，剩余的第一支撐圖案1522可以被定義為輔助支撐圖案1523，第二支撐圖案1523m可以被定義為主支撐圖案1523m。因此，可以形成具有不平整(rough)側(cè)表面的支撐圖案1525’。
隨后，參照圖37E，可以執(zhí)行與參照圖30M至圖30R描述的基本相同的工藝以形成參照圖14B描述的半導(dǎo)體器件。
接著，將參照圖38描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五至第六實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
參照圖38，可以在襯底上形成包括犧牲層和層間絕緣層的水平層(步驟S110)?？梢孕纬韶灤┧綄拥目?步驟S115)?？梢栽诳變?nèi)形成垂直結(jié)構(gòu)(步驟S120)?？梢詧D案化水平層以形成第一開口(步驟S125)?？梢孕纬商畛涞谝婚_口的支撐圖案(步驟S130)?？梢詧D案化水平層以形成第二開口(步驟S135)。可以去除通過第二開口暴露的犧牲層以形成空的區(qū)域(步驟S140)。通過空的區(qū)域暴露的支撐圖案可以被部分蝕刻，由此形成擴大的空的區(qū)域(步驟S145)。可以在擴大的空的區(qū)域內(nèi)形成導(dǎo)電圖案(步驟S150)?？梢苑謩e形成填充第二開口的隔離圖案(步驟S155)?？梢孕纬蓪㈦娺B接到垂直結(jié)構(gòu)的位線(步驟S160)。
接著，將參照圖38和39A至圖39G描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第五實施例的半導(dǎo)體器件(其參照圖16描述)的制造方法。
參照圖38和圖39A，與參照圖30A所述一樣，包括多個犧牲層2009和多個層間絕緣層2006的水平層2006和2009可以形成在襯底2000上(步驟SI 10)。襯底2000可以是半導(dǎo)體襯底。水平層2006和2009可以包括交替且重復(fù)地堆疊的層間絕緣層2006和犧牲層2009。如圖39A所示，層間絕緣層2006可以包括最下面的層間絕緣層2006L、中間層間絕緣層2006M以及最上面的層間絕緣層2006U。
孔2015可以形成為貫穿水平層2006和2009 (步驟S115)。如參照圖30D所述，孔2015可以包括在襯底2000的表面下延伸的部分，即，襯底2000的凹入部2012。
垂直結(jié)構(gòu)2030可以形成在孔2015內(nèi)(步驟S120)。垂直結(jié)構(gòu)2030可以使用與參照圖30E至圖30H描述的基本相同的方法形成。結(jié)果，每個垂直結(jié)構(gòu)2030可以包括:間隙填充圖案2024，貫穿水平層2006和2009 ;焊盤圖案2027，設(shè)置在間隙填充圖案2024上；有源圖案2021，覆蓋間隙填充圖案2024的底表面和側(cè)表面并延伸到焊盤圖案2027的側(cè)表面上；以及第一電介質(zhì)圖案2018，插設(shè)在有源圖案2021的側(cè)表面與孔2015當(dāng)中的相應(yīng)一個孔的側(cè)壁之間。
參照圖38和圖39B，第一蓋層2032可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)2030的襯底2000上。此后，第一開口 2034可以形成為貫穿第一蓋層2032以及水平層2006和2009 (步驟S125)。第一開口 2034可以貫穿水平層2006和2009并在襯底2000的表面下延伸。也就是說，第一開口 2034可以包括襯底2000的凹入部2033。
參照圖38和圖39C，支撐圖案2043可以形成在第一開口 2034內(nèi)(步驟S130)。支撐圖案2043可以具有與圖32A中相同的形狀。也就是說，支撐圖案2043可以包括:通過氧化由第一開口 2034暴露的襯底2000而形成的氧化物2036 ;第一支撐圖案2041a和第二支撐圖案2041b，形成在氧化物2036上并依次共形地形成在第一開口 2034的內(nèi)壁上；以及第三支撐圖案2042m，填充第一開口 2034的剩余部分。然而，本發(fā)明構(gòu)思是不限于此，支撐圖案2043可以具有與圖30C中相同的形狀或與圖31A中相同的形狀。
參照圖39D，第二蓋層2045可以形成在具有支撐圖案2043的襯底2000上。
參照圖38和圖39E，第二開口 2055可以形成為貫穿第二蓋層2045、第一蓋層2032以及水平層2006和2009(步驟S135)。由于開口 2055，犧牲層2009可以被定義為犧牲圖案2009a，層間絕緣層2006可以被定義為層間絕緣圖案2006a，第一和第二蓋層2032和2045可以被定義為第一和第二蓋圖案2032a和2045a。
參照圖38和圖39F，通過第二開口 2055暴露的犧牲層(S卩，犧牲圖案2009a)可以被去除以形成空的區(qū)域(步驟S140)。此后，支撐圖案2043的第一和第二支撐圖案2041a和2041b可以被依次蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域2058a (步驟S145)。在這種情況下，第三支撐圖案2042m可以被定義為主支撐圖案，而剩余的第一和第二支撐圖案可以被定義為第一和第二輔助支撐圖案2042a和2042b。
參照圖38和圖39G，可以對具有擴大的空的區(qū)域2058a的襯底2000執(zhí)行與參照圖30M至圖30P描述的基本相同的方法，使得第二電介質(zhì)圖案2063和導(dǎo)電圖案2066a可以形成在擴大的空的區(qū)域2058a內(nèi)(S150)。
接著，如參照圖30Q至圖30R所述，雜質(zhì)區(qū)2084可以形成在第二開口 2055下面的襯底2000中，并且間隔物2081可以形成在第二開口 2055的側(cè)壁上。金屬-半導(dǎo)體化合物2087可以形成在通過第二開口 2055暴露的襯底2000上。此后，隔離圖案2090可以形成為填充第二開口 2055 (步驟S155)。接著，如參照圖16所述，插塞2093可以形成為貫穿第一和第二蓋圖案2032a和2045a并電連接到垂直結(jié)構(gòu)2030，電連接到插塞2093的導(dǎo)線(即，位線2096)可以形成在插塞2093上(S160)。
接著，將參照圖40A至圖40D描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思第六實施例的半導(dǎo)體器件(其參照圖20描述)的制造方法。
參照圖40A，與參照圖36A所述一樣，包括多個犧牲層3018和多個層間絕緣層3016的水平層3016和3018可以形成襯底3000上。犧牲層3018和層間絕緣層3016可以交替且重復(fù)地堆疊在襯底3000上。
如參照圖36C和圖36D所述，孔3015可以形成為貫穿水平層3016和3018，并且垂直結(jié)構(gòu)3030可以形成在孔3015內(nèi)。結(jié)果,每個垂直結(jié)構(gòu)3030可以包括:第一電介質(zhì)圖案3018，形成在孔3015的側(cè)壁上；有源圖案3021，覆蓋其中形成有第一電介質(zhì)圖案3018的孔3015的內(nèi)壁；間隙填充圖案3024，形成在有源圖案3021上以部分地填充孔3015 ;以及焊盤圖案3027，設(shè)置在間隙填充圖案3024上。
參照圖40B，第一蓋圖案3032可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)3030的襯底3000上。此后，第一開口可以形成為貫穿第一蓋層3032以及水平層3016和3018，支撐圖案3043可以形成在第一開口內(nèi)。
每個支撐圖案3043可以具有與圖36B中相同的形狀。也就是說，每個支撐圖案3043可以包括:通過氧化由第一開口暴露的襯底3000而形成的氧化物3036 ;第一支撐圖案3041a和第二支撐圖案3041b，設(shè)置在氧化物3036上并依次共形地形成在第一開口的內(nèi)壁上；以及第三支撐圖案3042m，填充第一開口的剩余部分。然而，本發(fā)明構(gòu)思是不限于此，支撐圖案3043可以具有與圖30C中相同的形狀或與圖31A中相同的形狀。
此后，參照圖40C，第二蓋層可以形成在具有支撐圖案3043的襯底3000上，第二開口 3055可以形成為貫穿第二蓋層、第一蓋層3032以及水平層3016和3018，由此定義第二蓋圖案3048，第一蓋圖案3032a、層間絕緣圖案3016a和導(dǎo)電圖案3066。
接著，通過第二開口 3055暴露的犧牲層3018可以被去除以形成空的區(qū)域3058。
參照圖40D，通過空的區(qū)域3058暴露的支撐圖案3043可以被部分蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域以及具有不平整的側(cè)表面的支撐圖案3043’。因此，可以形成參照圖20描述的支撐圖案3043’。
可以對具有擴大的空的區(qū)域的襯底3000執(zhí)行與參照圖30M至圖30P描述的基本相同的方法，從而在擴大的空的區(qū)域內(nèi)形成第二電介質(zhì)圖案3063和導(dǎo)體圖案3066。此后，如參照圖30Q至圖30R所述，雜質(zhì)區(qū)3084可以形成在第二開口 3055下面的襯底3000中，間隔物3081可以形成在第二開口 3055的側(cè)壁上。金屬-半導(dǎo)體化合物3087可以形成在通過第二開口 3055暴露的襯底3000上。此后，隔離圖案3090可以形成為填充第二開口3055。接著，可以依次形成插塞3093和導(dǎo)線3096，如參照圖20所述。
接著，將參照圖41A至圖41D描述根據(jù)第六實施例(參照圖23描述)及其修改示例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
參照圖41A，與如參照圖37A所述一樣，包括多個層間絕緣層和多個犧牲層的水平層3516和3018可以形成襯底3000上。層間絕緣層3516和犧牲層3018可以交替且重復(fù)地堆疊在襯底3000上。
如圖41A所示，犧牲層3018可以包括至少一個下犧牲層3018L、多個中間犧牲層3018M和至少一個上犧牲層3018U。
層間絕緣層3516可以包括插設(shè)在下犧牲層3018L和襯底3000之間的最下面的絕緣層3506a、插設(shè)在至少一個下犧牲層3018L之間的下層間層3507、插設(shè)在下犧牲層3018L和中間犧牲層3018M之間的下絕緣層3508a、插設(shè)在中間犧牲層3018M之間的中間層間層3510a、插設(shè)在中間犧牲層3018M和上犧牲層3018U之間的上絕緣層3512a、插設(shè)在至少一個上犧牲層3018U之間的上層間層3014nU、以及設(shè)置在至少一個上犧牲層1018U上的最上面的絕緣層3014U。
如參照圖37A所述，在層間絕緣層3516當(dāng)中，下絕緣層3508a可以包括依次堆疊的第一下絕緣層3508L、第二下絕緣層3508M和第三下絕緣層3508U。
此后，如參照圖40A所述，孔3015可以形成為貫穿水平層3516和3018，垂直結(jié)構(gòu)3530可以形成在孔3015內(nèi)。
參照圖41B，第一蓋層3532可以形成在具有垂直結(jié)構(gòu)3530的襯底3000上。第一開口 3538可以形成為貫穿第一蓋層3532、上犧牲層3018U、中間犧牲層3018M、最上面的絕緣層3014U、上層間層3014nU、上絕緣層3512a和中間層間層3510a。此外，如參照圖37A所述，第一開口 3538可以延伸到下絕緣層3508a中。第一開口 3538的底表面可以設(shè)置在比下犧牲層3018L高的水平。
具有單層或復(fù)合層的支撐圖案3543可以形成在第一開口 3538內(nèi)。與參照圖37B所述一樣，每個支撐圖案3543可以包括沿第一開口 3538的內(nèi)壁共形地形成的第一支撐圖案3541以及設(shè)置在第一支撐圖案3541上以填充第一開口 3538的第二支撐圖案3542m。
參照圖41C，第二蓋層可以形成在具有支撐圖案3543的襯底3000上。接著，第二開口 3555可以形成為依次貫穿第二蓋層、第一蓋層3532以及水平層3516和3018。
犧牲圖案3518a、層間絕緣圖案3516a、第一蓋圖案3532a和第二蓋圖案3548可以被定義在第二開口 3555之間。
參照圖41D，犧牲圖案3518a可以被去除以形成空的區(qū)域。第一支撐圖案3541(其在支撐圖案3543當(dāng)中設(shè)置在最外面)可以被選擇性蝕刻以形成擴大的空的區(qū)域和具有不平整的側(cè)表面的支撐圖案3543’。此后，可以執(zhí)行與參照圖30M至圖30R描述的基本相同的工藝以形成參照圖23描述的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了在制造半導(dǎo)體器件的工藝期間防止損壞半導(dǎo)體器件或防止半導(dǎo)體器件中發(fā)生故障的結(jié)構(gòu)和方法，并提供高度可靠的3維半導(dǎo)體器件。
圖42是包括根據(jù)參照圖1至圖41D描述的本發(fā)明構(gòu)思的實施例中的任一個的半導(dǎo)體器件的存儲卡系統(tǒng)的示意圖。
參照圖42，可以提供存儲卡系統(tǒng)4100。存儲卡系統(tǒng)4100可以包括控制器4110、存儲器4120和接口 4130?？刂破?110和存儲器4120可以被配置為發(fā)送和接收命令和/或數(shù)據(jù)。例如，存儲器4120可以用于存儲由控制器4110執(zhí)行的命令和/或由用戶輸入的數(shù)據(jù)。因此，存儲卡系統(tǒng)4100可以將數(shù)據(jù)存儲在存儲器4120中或從存儲器4120向外輸出數(shù)據(jù)。存儲器4120可以包括根據(jù)參照圖1至圖41D描述的本發(fā)明構(gòu)思的實施例的任一個的半導(dǎo)體器件，例如非易失性存儲器件。
接口 4130可以用于從外部輸入和向外部輸出數(shù)據(jù)。存儲卡系統(tǒng)4100可以是多媒體卡(MMC)、安全數(shù)字卡(SD)或便攜式數(shù)據(jù)存儲器件。
圖43是包括根據(jù)參照圖1至圖41D描述的本發(fā)明構(gòu)思的實施例的任一個的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖。
參照圖43，可以提供電子設(shè)備4200。電子設(shè)備4200可以包括處理器4210、存儲器4220和輸入/輸出(I/O)器件4230。處理器4210、存儲器4220和I/O器件4230可以通過總線4246連接。
存儲器4220可以從處理器4210接收控制信號，諸如RAS*、WE*和CAS*。存儲器4220可以存儲用于處理器4210的操作的代碼和數(shù)據(jù)。存儲器4220可以用于存儲通過總線4246訪問的數(shù)據(jù)。
存儲器4220可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例及其修改示例的半導(dǎo)體器件。為了本發(fā)明構(gòu)思的具體實現(xiàn)和修改，可以提供額外的電路和控制信號。
電子設(shè)備4200可以構(gòu)成需要存儲器4220的各種電子控制系統(tǒng)。例如，電子設(shè)備4200可以用于計算機系統(tǒng)、無線通信系統(tǒng)(例如，個人數(shù)字助理(PDA)、膝上型計算機、便攜式計算機、上網(wǎng)本、無線電話、便攜式電話、數(shù)字音樂播放器、MP3播放器、導(dǎo)航、固態(tài)盤(SSD )或家用電器)、或任何能夠在無線環(huán)境中收發(fā)信息的設(shè)備。
現(xiàn)在將參照圖44和圖45描述電子設(shè)備4200的具體實施和修改的示例。
圖44是包括參照圖1至圖41D描述的本發(fā)明構(gòu)思的實施例的任一個的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖。
參照圖44，電子設(shè)備可以是數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，諸如固態(tài)盤(SSD)4311。SSD4311可以包括接口 4313、控制器4315、非易失性存儲器4318和緩沖存儲器4319。
SSD4311可以利用半導(dǎo)體器件存儲信息。與硬盤驅(qū)動器(HDD)相比，SSD4311可以以高速運行，減少機械延遲、故障率、產(chǎn)生的熱和噪聲，并可以按比例縮小且制作得重量輕。SSD4311可以廣泛用于膝上型個人計算機(膝上型PC)、上網(wǎng)本、臺式PC、MP3播放器或便攜式存儲設(shè)備。
控制器4315可以鄰近接口 4313形成并電連接到接口 4313?？刂破?315可以是包括存儲器控制器和緩沖控制器的微處理器(MP)。非易失性存儲器4318可以鄰近控制器4315形成并通過連接端子T電連接到控制器4315。SSD4311可以具有對應(yīng)于非易失性存儲器4318的數(shù)據(jù)容量。緩沖存儲器4319可以鄰近控制器4315形成并電連接到控制器4315。
接口 4313可以連接到主機4302并用于發(fā)送和接收電信號諸如數(shù)據(jù)。例如，接口4313可以是使用標(biāo)準(zhǔn)諸如串行高級技術(shù)附加裝置(SATA)、集成驅(qū)動電子設(shè)備(IDE)、小型計算機系統(tǒng)接口(SCSI)和/或其組合的裝置。非易失性存儲器4318可以通過控制器4315連接到接口 4313。
非易失性存儲器4318可以用于存儲通過接口 4313接收的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器4318可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的參照圖1至41D描述的實施例中的任一個的半導(dǎo)體器件。
即使供應(yīng)到SSD4311的電力被中斷，非易失性存儲器4318也可以具有保留所存儲的數(shù)據(jù)的特點。
緩沖存儲器4319可以包括易失性存儲器件。易失性存儲器器件可以是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和/或靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。緩沖存儲器4319可以以比非易失性存儲器件4318高的速度運行。
接口 4313的數(shù)據(jù)處理速度可以高于非易失性存儲器件4318的運行速度。這里，緩沖存儲器4319可以用于暫時存儲數(shù)據(jù)。在通過接口 4313接收的數(shù)據(jù)通過控制器4315被暫時存儲在緩沖存儲器4319之后，接收的數(shù)據(jù)可以以非易失性存儲器件4318的數(shù)據(jù)寫入速度永久地存儲在非易失性存儲器件4318中。此外，在存儲于非易失性存儲器件4318中的數(shù)據(jù)當(dāng)中，被頻繁使用的數(shù)據(jù)可以被先讀取并暫時存儲在緩沖存儲器4319中。S卩，緩沖存儲器4319可以用于以增加SSD4311的有效操作速度并降低誤碼率。
圖45是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的參照圖1至圖41D描述的實施例之一的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖。
參照圖45，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的參照圖1至圖41D描述的實施例之一的半導(dǎo)體器件可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)4400。電子系統(tǒng)4400可以包括主體4410、微處理器(MP)單元4420、電源4430、功能單元4440和顯示控制器單元4450。主體4410可以是包括PCB的主板。MP單元4420、電源4430、功能單元4440和顯示控制器單元4450可以安裝在主體4410上。顯示單元4460可以設(shè)置在主體4410內(nèi)部或外部。例如，顯示單元4460可以設(shè)置在主體4410的表面上并顯示由顯示控制器單元4450處理的圖像。
電源4430可以用于從外部電池(未示出)接收預(yù)定的電壓，將該電壓劃分成所需的電壓電平，并將劃分的電壓供應(yīng)到MP單元4420、功能單元4440和顯示控制器單元4450。MP單元4420可以從電源4430接收電壓并控制功能單元4440和顯示單元4460。功能單元4440可以提供電子系統(tǒng)4400的各種功能。例如，當(dāng)電子系統(tǒng)4400是便攜式電話時，功能單元4440可以包括能夠提供便攜式電話的各種功能(例如，通過撥號或與外部裝置4470通信而輸出圖像到顯示單元4460或輸出聲音到揚聲器)的幾個部件。當(dāng)照相機也被安裝時，功能單元4440可以用作照相機圖像處理器。
在應(yīng)用的實施例中，當(dāng)電子系統(tǒng)4400連接到存儲卡以增大容量時，功能單元4440可以是存儲卡控制器。功能單元4440可以通過有線或無線通信單元4480發(fā)送信號到外部裝置4470/從外部裝置4470接收信號。此外，當(dāng)電子系統(tǒng)4400需要通用串行總線(USB)以增加功能時，功能單元4440可以用作接口控制器。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的參照圖1至圖41D描述的實施例之一的半導(dǎo)體器件可以應(yīng)用于MP單元4420和功能單元4440中的至少一個。
以上是對實施例的說明而不應(yīng)被解釋為對其進行限制。盡管已經(jīng)描述了幾個實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，可以有許多修改而在實質(zhì)上不脫離新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點。因此，所有這樣的修改旨在被包括在本發(fā)明構(gòu)思的由權(quán)利要求限定的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能條款意在覆蓋這里被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，不僅覆蓋結(jié)構(gòu)等價物而且覆蓋等價結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 設(shè)置在襯底上的第一和第二隔離圖案； 在所述襯底的表面上且在所述第一和第二隔離圖案之間，交替堆疊的層間絕緣圖案和導(dǎo)電圖案； 支撐圖案，貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣圖案，所述支撐圖案具有比所述第一和第二隔離圖案小的寬度； 第一和第二垂直結(jié)構(gòu)，在所述支撐圖案的相反兩側(cè)分別貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣圖案， 其中所述支撐圖案的頂表面和底表面之間的距離大于所述支撐圖案的底表面與所述襯底的表面之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從平面圖，所述支撐圖案和所述第一和第二隔離圖案具有基本上彼此平行的線形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述支撐圖案包括具有第一寬度的第一部分和具有小于所述第一寬度的第二寬度的第二部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案的所述第一部分設(shè)置在所述層間絕緣圖案之間，并且 其中所述支撐圖案的所述第二部分設(shè)置在所述導(dǎo)電圖案之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一和第二隔離圖案中的每個在與所述層間絕緣圖案基本相同的水平具有第三寬度，并在與所述導(dǎo)電圖案基本相同的水平具有大于所述第三寬度的第四寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案的頂表面設(shè)置在與所述第一和第二垂直結(jié)構(gòu)的頂表面不同的水平，其中所述第一和第二隔離圖案的頂表面設(shè)置在比所述支撐圖案以及所述第一和第二垂直結(jié)構(gòu)高的水平。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案包括主支撐圖案以及設(shè)置在所述主支撐圖案的側(cè)表面上的輔助支撐圖案， 其中所述輔助支撐圖案設(shè)置在所述層間絕緣圖案和所述主支撐圖案之間，并且由與所述主支撐圖案的材料不同的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一隔離圖案和所述第一垂直結(jié)構(gòu)之間的距離不同于所述支撐圖案和所述第一垂直結(jié)構(gòu)之間的距離。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括: 隔離圖案，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上； 交替堆疊的導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案，設(shè)置在所述襯底上且在所述隔離圖案之間； 垂直結(jié)構(gòu)，貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣圖案；以及 支撐圖案，在所述垂直結(jié)構(gòu)之間貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣圖案，所述支撐圖案具有比所述隔離圖案小的寬度， 其中所述支撐圖案在鄰近所述層間絕緣圖案的部分中具有第一寬度，并在鄰近所述導(dǎo)電圖案的部分中具有第二寬度，并且所述第二寬度不同于所述第一寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案包括主支撐圖案和輔助支撐圖案，該輔助支撐圖案由相對于所述主支撐圖案具有蝕刻選擇性的材料層形成， 其中所述主支撐圖案貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述層間絕緣圖案，并且其中所述輔助支撐圖案包括插設(shè)在所述層間絕緣圖案和所述主支撐圖案之間的側(cè)部輔助圖案以及插設(shè)在所述主支撐圖案和所述襯底之間的底部輔助圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的表面中的凹入?yún)^(qū)域， 其中所述支撐圖案延伸到所述凹入?yún)^(qū)域中。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案包括導(dǎo)電材料層以及插設(shè)在所述導(dǎo)電材料層和所述半導(dǎo)體襯底之間的絕緣氧化物層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，從平面圖，所述多個垂直結(jié)構(gòu)布置為使得彼此相鄰的所述垂直結(jié)構(gòu)在所述隔離圖案和所述支撐圖案之間非共線。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一和第二隔離圖案，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上； 層疊結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上且在所述第一和第二隔離圖案之間，所述層疊結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖案、層間絕緣圖案和蓋圖案； 支撐圖案，設(shè)置在所述層疊結(jié)構(gòu)中并具有比所述第一和第二隔離圖案小的寬度，其中所述支撐圖案包括接觸所述層間絕緣圖案的第一部分以及接觸所述導(dǎo)電圖案的第二部分，并且其中所述第一部分比所述第二部分寬； 垂直有源圖案結(jié)構(gòu) ，設(shè)置在所述層疊結(jié)構(gòu)中且與所述支撐圖案間隔開， 其中所述導(dǎo)電圖案包括下導(dǎo)電圖案、設(shè)置在所述下導(dǎo)電圖案上的多個中間導(dǎo)電圖案以及設(shè)置在所述多個中間導(dǎo)電圖案上的上導(dǎo)電圖案， 其中所述層間絕緣圖案包括插設(shè)在所述下導(dǎo)電圖案和所述半導(dǎo)體襯底之間的最下面的絕緣圖案、插設(shè)在所述下導(dǎo)電圖案與所述多個中間導(dǎo)電圖案之間的下絕緣圖案、插設(shè)在所述多個中間導(dǎo)電圖案之間的中間層間圖案、插設(shè)在所述多個中間導(dǎo)電圖案與所述上導(dǎo)電圖案之間的上絕緣圖案、以及設(shè)置在所述上導(dǎo)電圖案上的最上面的絕緣圖案， 其中所述蓋圖案設(shè)置在所述最上面的絕緣圖案上，并且 其中所述支撐圖案貫穿所述最上面的絕緣圖案、所述上導(dǎo)電圖案、所述上絕緣圖案、所述多個中間導(dǎo)電圖案和所述中間層間圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案進一步延伸到所述下絕緣圖案中，并且 其中所述支撐圖案的底表面設(shè)置在比所述下導(dǎo)電圖案高的水平。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐圖案貫穿所述導(dǎo)電圖案和所述絕緣圖案并在所述半導(dǎo)體襯底的表面之下延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述層疊結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)線， 其中所述導(dǎo)線具有比所述垂直有源圖案結(jié)構(gòu)小的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述垂直有源圖案結(jié)構(gòu)和所述支撐圖案中的一個向上延伸以貫穿所述蓋圖案，它們中的另一個用所述蓋圖案覆蓋。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括從所述導(dǎo)線延伸到所述垂直有源圖案結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電接觸插塞。
20.根據(jù)權(quán)利要求1 4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電接觸插塞貫穿所述蓋圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在襯底上的第一和第二隔離圖案。交替堆疊的層間絕緣圖案和導(dǎo)電圖案設(shè)置在襯底的表面上且在第一和第二隔離圖案之間。支撐圖案貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案，并具有比第一和第二隔離圖案小的寬度。第一垂直結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一隔離圖案和支撐圖案之間并貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案。第二垂直結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二隔離圖案和支撐圖案之間并貫穿導(dǎo)電圖案和層間絕緣圖案。支撐圖案的頂表面和底表面之間的距離大于支撐圖案的底表面與襯底的表面之間的距離。
文檔編號H01L21/768GK103199082SQ20131000214
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者沈載株, 金漢洙, 李云京, 林周永, 黃盛珉 申請人:三星電子株式會社