半導(dǎo)體組件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種包括精密且工序缺陷低的穿過布線的制造半導(dǎo)體組件的方法，本發(fā)明的一個實施例的制造半導(dǎo)體組件的方法包括如下步驟：準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟；去除導(dǎo)電部件的一部分而形成平面部和從平面部突出的突出部的步驟；形成密封導(dǎo)電部件的密封部件的步驟；去除密封部件的一部分而使導(dǎo)電部件的突出部從密封部件露出來形成穿過布線的步驟；在穿過布線上形成與穿過布線電連接的再布線圖案層的步驟；在再布線圖案層上安裝半導(dǎo)體芯片的步驟；以及形成與穿過布線電連接的外部連接部件的步驟。
【專利說明】半導(dǎo)體組件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的技術(shù)思想涉及一種半導(dǎo)體組件，更詳細(xì)而言，涉及一種包括穿過布線的半導(dǎo)體組件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，半導(dǎo)體元件隨著工序技術(shù)的微細(xì)化和功能的多樣化，芯片尺寸減小，且伴隨輸出、輸入端子數(shù)量的增加，電極焊盤間距逐漸微細(xì)化，隨著各種功能的融合化的加速化，將各種元件集成于一個封裝內(nèi)的系統(tǒng)級封裝技術(shù)逐漸興起。并且，系統(tǒng)級封裝技術(shù)中，為了將動作間噪音最小化并提高信號速度，逐漸變更為能夠維持較短的信號距離的三維層疊技術(shù)方式。另一方面，為了應(yīng)對這種技術(shù)的改善要求的同時，為了控制產(chǎn)品價格上升且為了提高生產(chǎn)率、降低制造成本，導(dǎo)入了包括多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體組件。
[0003]當(dāng)在現(xiàn)有的封裝中層疊多個半導(dǎo)體芯片的情況下，為了相互連接上側(cè)半導(dǎo)體芯片和下側(cè)半導(dǎo)體芯片，通常在形成下側(cè)半導(dǎo)體芯片的扇出式封裝之后，在封裝模型上通過激光鉆頭等形成通孔，在所述通孔中填充導(dǎo)電性物質(zhì)來形成穿過布線。但存在難以精密地形成在封裝模型上形成的通孔且難以在所述通孔中致密地填充導(dǎo)電性物質(zhì)的局限性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明的技術(shù)思想所要完成的技術(shù)課題在于提供一種包括精密且工序缺陷低的穿過布線的制造半導(dǎo)體組件的方法。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]用于實現(xiàn)上述技術(shù)課題的本發(fā)明的技術(shù)思想的制造半導(dǎo)體組件的方法，其包括如下步驟:準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟；去除所述導(dǎo)電部件的一部分而形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟；形成密封所述導(dǎo)電部件的密封部件的步驟；去除所述密封部件的一部分使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出來形成穿過布線的步驟；在所述穿過布線上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案層的步驟；在所述再布線圖案層上安裝半導(dǎo)體芯片的步驟；以及形成與所述穿過布線電連接的外部連接部件的步驟。
[0008]用于解決上述技術(shù)課題的本發(fā)明的技術(shù)思想的半導(dǎo)體組件，其利用上述的制造方法進行制造，所述半導(dǎo)體組件包括:穿過布線，利用去除導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成；再布線圖案層，位于所述穿過布線上，并且與所述穿過布線電連接；半導(dǎo)體芯片，位于所述再布線圖案層上，并且與所述再布線圖案層電連接；以及外部連接部件，與所述穿過布線電連接。
[0009](三)有益效果
[0010]本發(fā)明的技術(shù)思想的半導(dǎo)體組件，與現(xiàn)有的填充通孔來形成穿過布線的情況相t匕，由于預(yù)先從導(dǎo)電部件形成突出部，利用所述突出部形成穿過布線，因此能夠提供精密且工序缺陷低的穿過布線。
[0011]并且，不要求用于形成所述穿過布線的在密封部件上進行通孔形成工序和用導(dǎo)電物填充所述通孔的填充工序，因此制造工序變得簡單，能夠提供產(chǎn)率增加、工序費用減少的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件的俯視圖。
[0013]圖2是沿著A-A線切割本發(fā)明的一個實施例的圖1的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0014]圖3至圖22是按照工序步驟表示制造本發(fā)明的一個實施例的圖1的制造半導(dǎo)體組件的方法的剖視圖。
[0015]圖23是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0016]圖24是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件的剖視圖。

【具體實施方式】
[0017]以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細(xì)說明。本發(fā)明的實施例是為了向該【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員更完整地說明本發(fā)明的技術(shù)思想而提供的，以下實施例可以變更為多種其他方式，本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍并不限定于以下實施例，而是這些實施例使本發(fā)明公開內(nèi)容更充實、完整，是為了向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地傳達(dá)本發(fā)明的技術(shù)思想而提供的。如本說明書中所使用的術(shù)語“和/或”包括相應(yīng)列舉的項目中任意一個和一個以上的所有組合。相同符號始終意味著相同的要件。并且，附圖中的各種要件和區(qū)域是概略描繪。因此，本發(fā)明的技術(shù)思想并不受附圖中繪出的相對的大小或間隔的限制。
[0018]圖1是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件100的俯視圖。圖2是沿著A-A線切割本發(fā)明的一個實施例的圖1的半導(dǎo)體組件100的剖視圖。
[0019]參照圖1和圖2，半導(dǎo)體組件100包括穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120、密封部件130、再布線圖案層140、底部填充層160及外部連接部件170。
[0020]穿過布線110可以位于穿過密封部件130的位置。穿過布線110能夠通過再布線圖案層140與半導(dǎo)體芯片120電連接。S卩，穿過布線110能夠通過再布線圖案144和半導(dǎo)體芯片連接部件124與半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122電連接。如參照以下的圖3至圖22所說明，穿過布線110能夠利用從導(dǎo)電部件111 (參照圖4)形成的突出部113 (參照圖4)來形成。
[0021]從密封部件130露出的穿過布線110可以具有與密封部件130的表面135相比凹陷的表面115。作為代替方案，密封部件的130的表面和穿過布線110的露出的表面可以位于同一平面上。
[0022]密封部件130可以包括絕緣物，例如可以包括環(huán)氧模塑化合物(epoxy moldcompound, EMC)。
[0023]再布線圖案層140可以位于密封部件130和穿過布線110上，能夠與穿過布線110電連接。與再布線圖案層140連接的穿過布線110的表面116可以位于與密封部件130的表面136同一平面上。再布線圖案層140可以包括第一絕緣層142、再布線圖案144及第二絕緣層146。再布線圖案144可以被第一絕緣層142和第二絕緣層146包圍。再布線圖案144可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬，可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。再布線圖案144能夠?qū)Υ┻^布線110進行再布線，和/或能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片120進行再布線。因此，再布線圖案144能夠?qū)雽?dǎo)體芯片120的輸出、輸入端子微細(xì)化，并且能夠增加所述輸出、輸入端子的數(shù)量。并且，通過再布線圖案144，半導(dǎo)體組件100能夠具有扇出式結(jié)構(gòu)。
[0024]并且，再布線圖案層140可以由預(yù)先制造的結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)體通過壓接、粘結(jié)、回流等方式粘結(jié)在密封部件130上的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0025]半導(dǎo)體芯片120可以位于再布線圖案層140上，與再布線圖案層140電連接。例如，半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122能夠通過半導(dǎo)體芯片連接部件124與再布線圖案層140的再布線圖案144電連接。半導(dǎo)體芯片120可以為存儲器芯片或邏輯芯片。這種存儲器芯片例如可以包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、閃存(flash)、相變化存儲器(PRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM)、鐵電存儲器(FeRAM)或非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器(MRAM)。這種邏輯芯片可以為控制存儲器芯片的控制器。
[0026]半導(dǎo)體芯片120能夠通過半導(dǎo)體芯片連接部件124的高度與再布線圖案層140分開。作為代替方案，半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140接觸的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。此時，半導(dǎo)體組件100可以不包括底部填充層160。
[0027]底部填充層160可以位于半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140之間，以便填充半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140之間的空間。底部填充層160能夠填充半導(dǎo)體芯片連接部件124之間的空間。底部填充層160可以包括絕緣物，例如可以為環(huán)氧模塑化合物、二氧化硅、樹脂、玻璃質(zhì)物質(zhì)或聚合物等。底部填充層160能夠?qū)嵤┮园雽?dǎo)體芯片120與再布線圖案層140接觸的狀態(tài)進行固定的功能，為此，可以具有能夠防止由外部沖擊引起的龜裂的適當(dāng)?shù)捻g性(toughness)。
[0028]外部連接部件170能夠在再布線圖案層140的相反位置與穿過布線110電連接，由此能夠通過再布線圖案層140與半導(dǎo)體芯片120電連接。并且，外部連接部件170能夠?qū)雽?dǎo)體芯片120與外部裝置電連接。為了外部連接部件170與穿過布線110的電連接，穿過布線110可以具有凹陷的表面115，外部連接部件170能夠通過密封部件130并排和/或固定。外部連接部件170可以與穿過布線110垂直地位于相同的位置。外部連接部件170可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬。外部連接部件170可以為錫球。
[0029]如圖1所示，半導(dǎo)體芯片120可以位于半導(dǎo)體組件100的中央部分。但是，這僅僅是例示，本發(fā)明的技術(shù)思想并不限定于此，半導(dǎo)體芯片120位于半導(dǎo)體組件100的任意部分的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0030]外部連接部件170可以位于半導(dǎo)體芯片120的外圍。并且，外部連接部件170可以位于與半導(dǎo)體芯片120重疊的位置。圖1所示的外部連接部件170的排列僅僅是例示，本發(fā)明的技術(shù)思想并不限定于此，外部連接部件170的多種排列屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0031]圖3至圖22是按照工序步驟表示制造本發(fā)明的一個實施例的圖1的半導(dǎo)體組件100的制造方法的剖視圖。
[0032]參照圖3，準(zhǔn)備導(dǎo)電部件111。導(dǎo)電部件111可以具有平板形狀。導(dǎo)電部件111可以包括導(dǎo)電性物質(zhì)，例如可以包括金屬。導(dǎo)電部件111例如可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。
[0033]參照圖4，去除導(dǎo)電部件111的一部分而形成平面部112和從平面部112突出的突出部113?？梢詫⑺龉ば蚍Q為半蝕刻(half etching)工序，但并不限定于突出部113的高度與平面部112的高度相同的情況。突出部113的高度可以具有與在后續(xù)的工序中形成的穿過布線110(參照圖11)相同的高度或比其略高的高度。平面部112的高度可以多種變更，為了后續(xù)的去除工序，越薄越優(yōu)選，但為了防止導(dǎo)電部件111的撓曲現(xiàn)象等，可以具有一定的厚度。這種形成突出部113的工序可以利用光刻和蝕刻工序去除導(dǎo)電部件111的一部分來實施。作為代替方案，可以利用沖壓裝置，通過將導(dǎo)電部件111壓接在模型來形成突出部113。在形成突出部113之后，為了去除不需要的殘留物，還可以實施清洗工序。
[0034]參照圖5,將導(dǎo)電部件111粘合在第一載體基板119上。例如,導(dǎo)電部件111能夠利用第一粘結(jié)部件118粘合在第一載體基板119上。平面部112可以面向第一載體基板119，且能夠與第一粘結(jié)部件118接觸。第一載體基板119可以包括娃(silicon)、玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、塑料(plastic)或聚合物(polymer)。第一粘結(jié)部件118可以為液態(tài)粘結(jié)劑或粘結(jié)膠帶。
[0035]參照圖6，形成密封導(dǎo)電部件111的密封部件130。并且，密封部件130能夠填充導(dǎo)電部件111的突出部113之間。并且，密封部件130可以覆蓋導(dǎo)電部件111。密封部件130可以包括絕緣物，例如可以包括環(huán)氧模塑化合物。
[0036]參照圖7，去除密封部件130的一部分而使導(dǎo)電部件111的突出部113從密封部件130露出。所述去除工序可以利用拋光、回蝕或機械化學(xué)拋光(mechanical chemicalpolishing, CMP)來實施。
[0037]參照圖8，在密封部件130上粘合第二粘結(jié)部件138。由此能夠在露出的導(dǎo)電部件111上粘合第二粘結(jié)部件138。第二粘結(jié)部件138可以為液態(tài)粘結(jié)劑或粘結(jié)膠帶。第一粘結(jié)部件118和第二粘結(jié)部件138可以包括相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。
[0038]參照圖9，在第二粘結(jié)部件138上粘合第二載體基板139。即，第二載體基板139粘合在導(dǎo)電部件111的露出的突出部113上。由此，第二載體基板139以導(dǎo)電部件111為基準(zhǔn)沿相對于第一載體基板119的相反方向粘合。第二載體基板139可以包括娃、玻璃、陶瓷、塑料或聚合物。第一載體基板119和第二載體基板139可以包括相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。
[0039]參照圖10，去除第一載體基板119和第一粘結(jié)部件118。并且，進行翻轉(zhuǎn)以使導(dǎo)電部件111的平面部112朝上側(cè)。
[0040]參照圖11，去除密封部件130的一部分和導(dǎo)電部件111的平面部112而使導(dǎo)電部件111的突出部113從密封部件130露出。所述露出的導(dǎo)電部件111的突出部113形成穿過布線110。穿過布線110可以為娃通孔(through silicon via,TSV)或基板通孔(throughsubstrate via,TSV)。穿過布線110可以包括銅、銅合金、招或招合金。所述去除工序可以利用拋光、回蝕或機械化學(xué)拋光(mechanical chemical polishing, CMP)來實施。在形成穿過布線110之后，為了去除不需要的殘留物，還可以實施清洗工序。
[0041]參照圖12至圖14，在穿過布線110上形成再布線圖案層140。
[0042]參照圖12，在密封部件130和露出的穿過布線110上形成第一絕緣層142。接著，去除第一絕緣層142的一部分，形成使穿過布線110露出的第一開口部141。第一絕緣層142可以包括絕緣物，例如可以包括氧化物、氮化物或環(huán)氧模塑化合物等。
[0043]參照圖13，在第一絕緣層142上形成與穿過布線110電連接的再布線圖案144。再布線圖案144能夠填充第一開口部141。再布線圖案144可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬，可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。再布線圖案144可以利用蒸鍍、鍍金等各種方法來形成。再布線圖案144能夠?qū)Υ┻^布線110進行再布線。
[0044]參照圖14，在再布線圖案144上形成第二絕緣層146。接著，去除第二絕緣層146的一部分而形成使重新布再布線圖案144的一部分露出的第二開口部143。第二絕緣層146可以包括絕緣物，例如可以包括氧化物、氮化物或環(huán)氧模塑化合物等。第一絕緣層142和第二絕緣層146可以包括相同的物質(zhì)，或者包括不同的物質(zhì)。第一絕緣層142、再布線圖案144及第二絕緣層146能夠構(gòu)成再布線圖案層140。
[0045]并且，再布線圖案層140可以由預(yù)先制造的結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)體通過壓接、粘結(jié)、回流等方式粘結(jié)在密封部件130的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0046]參照圖15，去除第二載體基板139和第二粘結(jié)部件138。由此能夠使穿過布線110露出。具體而言，能夠使位于再布線圖案層140的相反側(cè)的穿過布線110的表面露出。
[0047]參照圖16，在再布線圖案層140上粘合第三載體基板149。例如，第三載體基板149能夠利用第三粘結(jié)部件148粘合在再布線圖案層140上。第三載體基板149可以包括硅、玻璃、陶瓷、塑料或聚合物。第三粘結(jié)部件148可以為液態(tài)粘結(jié)劑或粘結(jié)膠帶。第三載體基板149可以包括與第一載體基板119和/或第二載體基板139相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。第三粘結(jié)部件148可以包括與第一粘結(jié)部件118和/或第二粘結(jié)部件138相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。
[0048]圖15和圖16中示出的工序可以以相反的順序?qū)嵤?。例如，可以在再布線圖案層140上粘合第三載體基板149之后，去除第二載體基板139和第二粘結(jié)部件138。
[0049]參照圖17，去除露出的穿過布線110的一部分而形成具有與密封部件130的表面135相比凹陷的表面115的穿過布線110。去除所述穿過布線110的一部分的步驟可以利用濕法蝕刻來實施。通過所述濕法蝕刻，能夠?qū)Υ┻^布線110的表面進行清洗。
[0050]參照圖18，去除第三載體基板149和第三粘結(jié)部件148。由此能夠使再布線圖案層140的再布線圖案144露出。并且通過第二開口部143使再布線圖案144露出。結(jié)果，能夠構(gòu)成包括穿過布線110和再布線圖案層140的獨立的結(jié)構(gòu)體150。再布線圖案層140的再布線圖案144在結(jié)構(gòu)體150的一側(cè)露出，并且該一側(cè)可以具有安裝與再布線圖案層140電連接的半導(dǎo)體芯片120(參照圖19)的區(qū)域。穿過布線110在與所述一側(cè)相反的另一側(cè)從密封部件130露出，并且該另一側(cè)可以具有粘合與穿過布線110電連接的外部連接部件170(參照圖22)的區(qū)域。這種結(jié)構(gòu)體150能夠作為插入體(0曰呈刃)發(fā)揮作用。
[0051]參照圖19，在結(jié)構(gòu)體150上安裝半導(dǎo)體芯片120。例如，在再布線圖案層140上安裝半導(dǎo)體芯片120。半導(dǎo)體芯片120可以為存儲器芯片或邏輯芯片。半導(dǎo)體芯片120可以包括一個半導(dǎo)體芯片，或者包括多個半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片120包括半導(dǎo)體芯片焊盤122。半導(dǎo)體芯片焊盤122上可以粘合如焊錫凸塊的半導(dǎo)體芯片連接部件124。半導(dǎo)體芯片連接部件124能夠與通過第二開口部143露出的再布線圖案144接觸而相互電連接。這種情況下，還可以實施回流工序?qū)雽?dǎo)體芯片連接部件124粘合在再布線圖案144。作為代替方案，在通過第二開口部143露出的再布線圖案144形成半導(dǎo)體芯片連接部件124之后，可以以半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122和半導(dǎo)體芯片連接部件124電連接的方式，將半導(dǎo)體芯片120安裝在結(jié)構(gòu)體150上。
[0052]半導(dǎo)體芯片120可以通過再布線圖案層140的再布線圖案144進行再布線。由此，再布線圖案144能夠?qū)雽?dǎo)體芯片120的輸出、輸入端子微細(xì)化，并且，能夠增加所述輸出、輸入端子的數(shù)量。并且，通過再布線圖案144，半導(dǎo)體組件100能夠具有扇出式結(jié)構(gòu)。
[0053]參照圖20，示出通過圖19的工序在結(jié)構(gòu)體150上安裝有半導(dǎo)體芯片120的最終結(jié)構(gòu)體。通過半導(dǎo)體芯片連接部件124的高度，半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140分開。作為代替方案，第二開口部143的深度和半導(dǎo)體芯片連接部件124的高度相同而使半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140接觸的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0054]參照圖21，在半導(dǎo)體芯片120的下側(cè)形成底部填充(underfill)層160。底部填充層160填充半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140之間的空間。底部填充層160可以具有適當(dāng)?shù)恼扯?，以便填充半?dǎo)體芯片連接部件124之間。底部填充層160可以包括絕緣物，例如可以為環(huán)氧模塑化合物、二氧化硅、樹脂、玻璃質(zhì)物質(zhì)或聚合物等?？梢岳靡簯B(tài)底部填充物質(zhì)填充半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140之間的空間之后，進行加熱或干燥而使所述液態(tài)底部填充物質(zhì)固態(tài)化，從而形成底部填充層160。
[0055]參照圖22，形成與穿過布線110電連接的外部連接部件170。外部連接部件170可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬。外部連接部件170可以為錫球?？梢酝ㄟ^回流工序，在穿過布線110上粘合外部連接部件170。由此，完成半導(dǎo)體組件100。
[0056]圖23是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件200的剖視圖。本實施例的半導(dǎo)體組件200是變更上述實施例的半導(dǎo)體組件中的一部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件，因此，省略重復(fù)說明。
[0057]參照圖23，半導(dǎo)體組件200包括穿過密封部件130的穿過布線110，位于穿過布線110上且與其電連接的再布線圖案層140，位于再布線圖案層140上且與其電連接的第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b，填充第一半導(dǎo)體芯片220a與再布線圖案層140之間的空間和第二半導(dǎo)體芯片220b與再布線圖案層140之間的空間以便將第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b固定在再布線圖案層140的底部填充層160，以及在再布線圖案層140的相反位置上與穿過布線110電連接的外部連接部件170。
[0058]第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b能夠與圖1的半導(dǎo)體芯片120類似地與再布線圖案層140電連接。第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b可以具有相同的大小，或者具有互不相同的大小。第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b可以為存儲器芯片或邏輯芯片。并且，第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b可以為具有相同的功能的同種產(chǎn)品，或者是具有互不相同的功能的異種產(chǎn)品。例如，第一半導(dǎo)體芯片220a可以為邏輯芯片，第二半導(dǎo)體芯片220b為存儲器芯片，或者也可以與此相反。半導(dǎo)體組件200能夠構(gòu)成系統(tǒng)芯片(system on chip, S0C)或系統(tǒng)級封裝(system in package,SIP)。并且，第一半導(dǎo)體芯片220a和/或第二半導(dǎo)體芯片220b分別是層疊有多個半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)體的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0059]圖23中示出第一半導(dǎo)體芯片220a和第二半導(dǎo)體芯片220b平面排列的情況，但垂直層疊的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0060]圖24是表示本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體組件300的剖視圖。本實施例的半導(dǎo)體組件300是變更上述實施例的半導(dǎo)體組件中的一部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件，因此，省略重復(fù)說明。
[0061]參照圖24，半導(dǎo)體組件300包括穿過密封部件130的穿過布線110，位于穿過布線110上且與其電連接的再布線圖案層140，位于再布線圖案層140上且與其電連接的半導(dǎo)體芯片120，填充半導(dǎo)體芯片120與再布線圖案層140之間的空間以便將半導(dǎo)體芯片120固定于再布線圖案層140的底部填充層160，以及在與再布線圖案層140相反的位置上與穿過布線110電連接的外部連接部件170。并且，還包括位于再布線圖案層140上，密封半導(dǎo)體芯片120的外部密封部件380。外部密封部件380可以包括絕緣物，例如可以包括環(huán)氧模塑化合物。外部密封部件380能夠?qū)嵤耐獠勘Ｗo半導(dǎo)體芯片120的功能和/或向外部排出由半導(dǎo)體芯片120產(chǎn)生的熱量的功能。外部密封部件380可以包括與密封部件130相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。并且，外部密封部件380可以包括與底部填充層160相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。
[0062]并且，在圖24的半導(dǎo)體組件300上融合圖23的半導(dǎo)體組件200的技術(shù)特征的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0063]以上說明的本發(fā)明的技術(shù)思想并不限定于前述的實施例和附圖，對于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員能夠明確，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以實施各種替換、變形及變更。
[0064]工業(yè)實用性
[0065]利用本發(fā)明，能夠在半導(dǎo)體組件中制造出一種精密且工序缺陷低的穿過布線。
【權(quán)利要求】
1.一種制造半導(dǎo)體組件的方法，其包括如下步驟: 準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟； 去除所述導(dǎo)電部件的一部分形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟； 形成密封所述導(dǎo)電部件的密封部件的步驟； 去除所述密封部件的一部分使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出來形成穿過布線的步驟； 在所述穿過布線上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案層的步驟； 在所述再布線圖案層上安裝半導(dǎo)體芯片的步驟；以及 形成與所述穿過布線電連接的外部連接部件的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實施安裝所述半導(dǎo)體芯片的步驟之后，還包括形成填充所述半導(dǎo)體芯片與再布線圖案層之間的空間的底部填充層的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實施形成所述再布線圖案層的步驟之后，還包括去除所述穿過布線的一部分形成具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面的穿過布線的步驟， 所述外部連接部件粘合在所述穿過布線的所述凹陷的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成具有所述凹陷的表面的穿過布線的步驟利用濕法蝕刻來實施。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實施形成所述突出部的步驟之后，還包括為了在所述導(dǎo)電部件上去除不需要的殘留物，對形成有所述突出部的所述導(dǎo)電部件進行清洗的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述穿過布線的步驟包括利用拋光、回蝕或機械化學(xué)拋光來去除所述密封部件的一部分和所述導(dǎo)電部件的所述平面部的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述穿過布線的步驟在實施利用拋光、回蝕或機械化學(xué)拋光來去除所述密封部件的一部分和所述導(dǎo)電部件的所述平面部的步驟之后， 還包括為了去除不需要的殘留物，對所述穿過布線進行清洗的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實施形成所述密封部件的步驟之前，還包括將所述導(dǎo)電部件粘合在第一載體基板上的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 使所述突出部露出形成所述穿過布線的步驟還包括如下步驟: 在所述露出的突出部上粘合第二載體基板的步驟；以及 去除所述第一載體基板的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實施形成所述再布線圖案層的步驟之后，還包括如下步驟: 去除所述第二載體基板的步驟；以及 在所述再布線圖案層上粘合第三載體基板的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述再布線圖案層的步驟包括如下步驟: 在所述穿過布線上形成使所述穿過布線露出的第一絕緣層的步驟； 在所述第一絕緣層上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案的步驟；以及 在所述再布線圖案上形成使所述再布線圖案的一部分露出的第二絕緣層的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述突出部的步驟包括利用光刻和蝕刻工序去除所述導(dǎo)電部件的一部分形成所述突出部的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述突出部的步驟包括沖壓加工所述導(dǎo)電部件來形成所述突出部的步驟。
14.一種半導(dǎo)體組件，其包括: 穿過布線，用去除導(dǎo)電部件的一部分形成的突出部來形成； 再布線圖案層，位于所述穿過布線上，并且與所述穿過布線電連接； 半導(dǎo)體芯片，位于所述再布線圖案層上，并且與所述再布線圖案層電連接；以及 外部連接部件，與所述穿過布線電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體組件還包括填充所述半導(dǎo)體芯片與再布線圖案層之間的空間的底部填充層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片包括多個半導(dǎo)體芯片。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體組件還包括外部密封部件，所述外部密封部件位于所述再布線圖案層上，并且密封所述半導(dǎo)體芯片。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面， 所述外部連接部件粘合在所述穿過布線的所述凹陷的表面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線包括銅、銅合金、鋁、鋁合金。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述密封部件包括環(huán)氧模塑化合物。
【文檔編號】H01L21/60GK104205327SQ201280072193
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】蘇賽賢, 蕭元甄, 王傳偉, 蘇孝文, 陳浩洋 申請人:Nepes 株式會社