半導(dǎo)體裝置、顯示裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(100)包括：基板(1)、柵極電極(11)、柵極絕緣膜(12)、氧化物半導(dǎo)體層(13)、源極電極(14)、漏極電極(15)和保護(hù)膜(16)。氧化物半導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面被源極電極、漏極電極和保護(hù)膜覆蓋，從基板面法線方向看時(shí)，從第一接觸區(qū)域(13s)的外緣至源極電極的外緣的最短距離和從第二接觸區(qū)域(13d)的外緣至漏極電極的外緣的最短距離分別為1.5μm以上4.5μm以下。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置、顯示裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及具備氧化物半導(dǎo)體TFT的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明還涉及具備這樣的半導(dǎo)體裝置的顯示裝置和這樣的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]用于液晶顯示裝置等的有源矩陣基板按每像素具備薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，以下，稱(chēng)為“TFT”)等開(kāi)關(guān)元件。作為這樣的開(kāi)關(guān)元件，歷來(lái)廣泛地使用以非晶硅膜為活性層的TFT(以下，稱(chēng)為“非晶硅TFT”)和以多晶硅膜為活性層的TFT(以下，稱(chēng)為“多晶硅TFT”)。
[0003]多晶硅膜中的電子和空穴的移動(dòng)度比非晶硅膜的移動(dòng)度高，因此關(guān)于多晶硅TFT，與非晶硅TFT相比導(dǎo)通電流高，能夠?qū)崿F(xiàn)高速動(dòng)作。因此，如果使用多晶硅TFT形成有源矩陣基板，則不僅能夠用作開(kāi)關(guān)元件而且還能夠在驅(qū)動(dòng)器等周邊電路中使用多晶硅TFT。因此獲得能夠?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)器等周邊電路的一部分或全部與顯示部一體形成于同一基板上的優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步，還能夠獲得以更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間對(duì)液晶顯示裝置等的像素電容進(jìn)行充電的優(yōu)勢(shì)。
[0004]但是，如果要制作多晶硅TFT，則除了進(jìn)行用于使非晶硅膜結(jié)晶化的利用激光或熱進(jìn)行的結(jié)晶化工序以外，還需要進(jìn)行熱退火工序等復(fù)雜的工序，存在基板的每單位面積的制造成本變高的問(wèn)題。因此，多晶硅TFT主要用于中型和小型的液晶顯示裝置。
[0005]另一方面，非晶硅膜與多晶硅膜相比更容易形成，因此具有傾向大面積化的趨勢(shì)。因此，非晶硅TFT優(yōu)選適用于需要大面積的裝置的非晶硅基板。盡管與多晶硅TFT相比具有更低的導(dǎo)通電流，在大多液晶電視的有源矩陣基板中仍然使用非晶硅TFT。
[0006]但是，如果使用非晶硅TFT，則因?yàn)榉蔷Ч枘さ囊苿?dòng)度低(具體而言為0.5cm2/Vs以下)，所以其高性能化存在界限。在液晶電視等液晶顯示裝置中，不僅要求大型化，而且強(qiáng)烈要求高畫(huà)質(zhì)化和低消耗電力化，利用非晶硅TFT，難以充分地響應(yīng)這樣的要求。此外，特別是近年來(lái)對(duì)于液晶顯示裝置被強(qiáng)烈要求為了實(shí)現(xiàn)窄邊框化和成本降低的驅(qū)動(dòng)器單片基板化、以及觸摸面板功能的內(nèi)置等高性能化，通過(guò)非晶硅TFT，難以充分地響應(yīng)這樣的要求。
[0007]因此，為了抑制制造工序數(shù)和制造成本并且實(shí)現(xiàn)更高性能的TFTJtS TFT的活性層的材料嘗試使用非晶硅和多晶硅以外的材料。
[0008]例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2中提案有使用氧化鋅等氧化物半導(dǎo)體膜形成TFT的活性層的技術(shù)。這樣的TFT被稱(chēng)為“氧化物半導(dǎo)體TFT”。氧化物半導(dǎo)體與非晶硅相比具有更高的移動(dòng)度(例如10cm2/Vs左右)。因此，氧化物半導(dǎo)體TFT與非晶硅TFT相比能夠以更高速度進(jìn)行動(dòng)作(工作)。此外，氧化物半導(dǎo)體膜與多晶硅膜相比通過(guò)更簡(jiǎn)便的工藝形成，因此還能夠應(yīng)用于需要大面積的裝置。
[0009]但是，根據(jù)氧化物半導(dǎo)體TFT的結(jié)構(gòu)，存在在制造工藝中氧化物半導(dǎo)體膜容易受到損害、晶體管特性劣化的問(wèn)題。例如，在具有底柵.頂接觸結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體TFT中，在通過(guò)進(jìn)行圖案化而形成源極.漏極電極時(shí)，一般進(jìn)行使用氟氣或氯氣等鹵素氣體的干蝕亥IJ。但是此時(shí)氧化物半導(dǎo)體膜被暴露于鹵素的等離子體，因此從氧化物半導(dǎo)體膜產(chǎn)生氧的脫離等，因此產(chǎn)生特性的劣化(例如由于溝道的低電阻化而導(dǎo)致的關(guān)斷特性的惡化)。
[0010]針對(duì)這樣的問(wèn)題，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2提案有在由氧化物半導(dǎo)體形成的活性層的溝道區(qū)域上形成發(fā)揮蝕刻阻擋功能的絕緣膜(溝道保護(hù)膜)。
[0011]在圖13表示具有溝道保護(hù)膜的現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體TFTlOA的截面結(jié)構(gòu)。氧化物半導(dǎo)體TFTlOA包括:基板1、在基板I上設(shè)置的柵極電極11、覆蓋柵極電極11的柵極絕緣膜12、在柵極絕緣膜12上形成的氧化物半導(dǎo)體層13、在氧化物半導(dǎo)體層13的溝道區(qū)域上形成的溝道保護(hù)膜16、在氧化物半導(dǎo)體層13上設(shè)置的源極電極14和漏極電極15。源極電極14和漏極電極15分別與氧化物半導(dǎo)體層13電連接。
[0012]在制造圖13所示的氧化物半導(dǎo)體TFTlOA的工藝中，在通過(guò)進(jìn)行圖案化將金屬膜形成源極電極14和漏極電極15時(shí)，氧化物半導(dǎo)體層13的溝道區(qū)域被溝道保護(hù)膜16保護(hù)。因此，能夠防止氧化物半導(dǎo)體層13的溝道區(qū)域受到損害。
[0013]但是，根據(jù)以下說(shuō)明的理由，僅設(shè)置專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2中公開(kāi)的那樣的溝道保護(hù)膜，不能充分地提高氧化物半導(dǎo)體TFT的可靠性。
[0014]氧化物半導(dǎo)體膜具有由于水分的吸附而膜中的載流子濃度變大的特性。因此，如果將氧化物半導(dǎo)體TFT放置于高溫高濕的環(huán)境，則由于水分?jǐn)U散至溝道區(qū)域而晶體管特性大幅地劣化。
[0015]在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中提案有抑制水分向氧化物半導(dǎo)體TFT的氧化物半導(dǎo)體層的吸附的技術(shù)。圖14(a)和(b)表示專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的氧化物半導(dǎo)體TFT10B。圖14(a)是示意地表示氧化物半導(dǎo)體TFTlOB的平面圖，圖14(b)是沿圖14(a)中的14B-14B’線的截面圖。
[0016]在氧化物半導(dǎo)體TFTlOB中，柵極絕緣膜12具有包括硅氮化物層12c和在硅氮化物層12c上形成的硅氧化物層12d的疊層結(jié)構(gòu)。但是，硅氧化物層12d僅在與氧化物半導(dǎo)體層13對(duì)應(yīng)的區(qū)域有選擇地形成。即，柵極絕緣膜12是僅在與氧化物半導(dǎo)體層13對(duì)應(yīng)的區(qū)域中為多層，在其它區(qū)域中為單層。
[0017]在柵極絕緣膜12的硅氮化物層12c上，氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面以及柵極絕緣膜12的硅氧化物層12d的側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和溝道保護(hù)膜16覆
至JHL ο
[0018]溝道保護(hù)膜16具有依次疊層的第一層16c、第二層16d和第三層16e而構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)。第一層16c、第二層16d和第三層16e分別為氧化招層、娃氮化物層和娃氧氮化物層，第二層16d和第三層16e中的至少I(mǎi)層為氧化鋁層或硅氮化物層。
[0019]在氧化物半導(dǎo)體TFTlOB中，在硅氮化物層12c上，氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面以及硅氧化物層12d的側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和溝道保護(hù)膜16覆蓋，由此抑制水分向氧化物半導(dǎo)體層13的吸附。此外，在氧化物半導(dǎo)體TFTlOB中，在與氧化物半導(dǎo)體層13對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有硅有機(jī)物層12d，由此在硅氧化物層12d與氧化物半導(dǎo)體層13之間形成良好的器件界面，能夠抑制在氧化物半導(dǎo)體層13的柵格缺陷的形成。
[0020]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0021]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0022]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-166716號(hào)公報(bào)
[0023]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007-258675號(hào)公報(bào)
[0024]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2010-182818號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0025]發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0026]但是，根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)明人的研究可知，如在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的技術(shù)那樣，僅單純地利用源極電極14、漏極電極15和溝道保護(hù)膜16覆蓋氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面，不能充分地抑制水分向氧化物半導(dǎo)體層13的吸附。
[0027]此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3的技術(shù)中，溝道保護(hù)膜16必須包括氧化鋁層或硅氮化物層。氧化鋁不易進(jìn)行加工，并且硅氮化物層自身容易成為固定電荷(是使晶體管特性劣化的主要原因之一)的原因。
[0028]進(jìn)一步，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3的技術(shù)中，使柵極絕緣膜12僅在與氧化物半導(dǎo)體層13對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)槎鄬?在其它區(qū)域?yàn)閱螌?，因此需要對(duì)硅氧化物層12d進(jìn)行蝕刻的多余的工序，制造成本增大。
[0029]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于以比較簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)提高具備氧化物半導(dǎo)體TFT的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0030]用于解決問(wèn)題的方式
[0031]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置包括:
[0032]基板；設(shè)置在上述基板上的柵極電極；形成在上述柵極電極上的柵極絕緣膜；島狀的氧化物半導(dǎo)體層，其形成在上述柵極絕緣膜上，具有溝道區(qū)域、和分別位于上述溝道區(qū)域的兩側(cè)的第一接觸區(qū)域和第二接觸區(qū)域；與上述第一接觸區(qū)域電連接的源極電極；與上述第二接觸區(qū)域電連接的漏極電極；和保護(hù)膜，其與上述氧化物半導(dǎo)體層相接觸地設(shè)置在該氧化物半導(dǎo)體層上，形成在上述氧化物半導(dǎo)體層與上述源極電極和上述漏極電極之間，上述氧化物半導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面被上述源極電極、上述漏極電極和上述保護(hù)膜覆蓋，從基板面法線方向看時(shí)，從上述第一接觸區(qū)域的外緣至上述源極電極的外緣的最短距離和從上述第二接觸區(qū)域的外緣至上述漏極電極的外緣的最短距離分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。
[0033]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，從基板面法線方向看時(shí)，沿溝道長(zhǎng)度方向規(guī)定的、從上述第一接觸區(qū)域的外緣至上述源極電極的外緣的距離和從上述第二接觸區(qū)域的外緣至上述漏極電極的外緣的距離，分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。
[0034]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，從基板面法線方向看時(shí)，沿溝道寬度方向規(guī)定的、從上述第一接觸區(qū)域的外緣至上述源極電極的外緣的距離和從上述第二接觸區(qū)域的外緣至上述漏極電極的外緣的距離，分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。
[0035]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，從基板面法線方向看時(shí)，從上述第一接觸區(qū)域的外緣至上述源極電極的外緣的最短距離和從上述第二接觸區(qū)域的外緣至上述漏極電極的外緣的最短距離分別為2.0 μ m以上3.5 μ m以下。
[0036]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，上述保護(hù)膜包括氧化物層。
[0037]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，上述保護(hù)膜包括硅氧化物層。
[0038]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，上述保護(hù)膜不包括氧化鋁層和硅氮化物層。
[0039]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，上述柵極絕緣膜為單層或在大致整體的范圍內(nèi)為多層。
[0040]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，還包括以覆蓋上述源極電極和上述漏極電極的方式形成的鈍化膜，上述鈍化膜包括硅氧化物層和在上述硅氧化物層上形成的硅氮化物層。
[0041]在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，上述的半導(dǎo)體裝置為有源矩陣基板。
[0042]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的顯示裝置包括上述的半導(dǎo)體裝置。
[0043]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:
[0044](A)在基板上形成柵極電極的工序；(B)以覆蓋上述柵極電極的方式形成柵極絕緣膜的工序；(C)在上述柵極絕緣膜上形成島狀的氧化物半導(dǎo)體層的工序；(D)在上述氧化物半導(dǎo)體層上形成具有第一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部的保護(hù)膜的工序；和(E)形成源極電極和漏極電極的工序，上述源極電極經(jīng)由上述第一開(kāi)口部與上述氧化物半導(dǎo)體層電連接，上述漏極電極經(jīng)由上述第二開(kāi)口部與上述氧化物半導(dǎo)體層電連接，執(zhí)行上述工序(D)和上述工序(E)，使得上述氧化物半導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面被上述源極電極、上述漏極電極和上述保護(hù)膜覆蓋，并且，執(zhí)行上述工序(E)，使得當(dāng)從基板面法線方向看時(shí)，從上述第一開(kāi)口部的外緣至上述源極電極的外緣的最短距離和從上述第二開(kāi)口部的外緣至上述漏極電極的外緣的最短距離分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。
[0045]發(fā)明的效果
[0046]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠以比較簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)提高具備氧化物半導(dǎo)體TFT的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1是示意地表示具備本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置(TFT基板)的薄膜晶體管10的平面圖。
[0048]圖2(a)和(b)是示意地表示薄膜晶體管10的圖，分別為沿圖1中的2A-2A’線和2B-2B’線的截面圖。
[0049]圖3(a)?(C)是用于說(shuō)明薄膜晶體管10的制造方法的工序截面圖。
[0050]圖4(a)?(C)是用于說(shuō)明薄膜晶體管10的制造方法的工序截面圖。
[0051]圖5(a)?(C)是與圖3和圖4所示的工序中的一部分工序?qū)?yīng)的平面圖。
[0052]圖6是示意地表示比較例的薄膜晶體管1C的平面圖。
[0053]圖7(a)和(b)是示意地表示薄膜晶體管1C的圖，分別為沿圖6中的7A-7A’線和7B-7B’線的截面圖。
[0054]圖8是表示對(duì)比較例的薄膜晶體管1C的耐濕性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果(在試驗(yàn)前后的Vg-1d特性)的圖表。
[0055]圖9是表示對(duì)實(shí)施例的薄膜晶體管10的耐濕性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果(在試驗(yàn)前后的Vg-1d特性)的圖表。
[0056]圖10是表示關(guān)于源極電極14和漏極電極15的重疊長(zhǎng)度與試驗(yàn)前后的閾值的變化量AVth的關(guān)系的圖表。
[0057]圖11(a)和(b)是示意地表示薄膜晶體管10的另一結(jié)構(gòu)的圖，分別為沿圖1中的2A-2A’線和2B-2B’線的截面圖。
[0058]圖12(a)和(b)是示意地表示薄膜晶體管10的又一結(jié)構(gòu)的圖，分別為沿圖1中的2A-2A’線和2B-2B’線的截面圖。
[0059]圖13示意地表示具有溝道保護(hù)膜的現(xiàn)有的氧化物半導(dǎo)體TFTlOA的截面圖。[0060]圖14(a)是示意地表示專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)的氧化物半導(dǎo)體TFTlOB的平面圖，(b)是沿(a)中的14B-14B’線的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0061]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括具有由氧化物半導(dǎo)體形成的活性層的薄膜晶體管(氧化物半導(dǎo)體TFT)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置既可以包括至少一個(gè)氧化物半導(dǎo)體TFT，也可以為具備這樣的TFT的各種基板、各種顯示裝置、各種電子設(shè)備。在以下的說(shuō)明中，以顯示裝置(例如液晶顯示裝置)用的有源矩陣基板(TFT基板)為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0062]參照?qǐng)D1和圖2，說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置(TFT基板)具備的薄膜晶體管10的結(jié)構(gòu)。圖1是示意地表示薄膜晶體管10的平面圖。圖2(a)和(b)分別是沿圖1中的2A-2A’線和2B-2B’線的截面圖。另外，在圖1中，省略一部分構(gòu)成要素。
[0063]薄膜晶體管10設(shè)置在半導(dǎo)體裝置的基板(典型的是透明基板)I上?；錓具有絕緣性，例如是玻璃基板。
[0064]薄膜晶體管10具有:在基板I上設(shè)置的柵極電極11、在柵極電極11上形成的柵極絕緣膜12、在柵極絕緣膜12上形成的島狀的氧化物半導(dǎo)體層13、與氧化物半導(dǎo)體層13電連接的源極電極14和漏極電極15。此外，薄膜晶體管10具有保護(hù)膜(溝道保護(hù)膜)16，該保護(hù)膜16在氧化物半導(dǎo)體層13上相接觸地設(shè)置，在氧化物半導(dǎo)體層13與源極電極14和漏極電極15之間形成。以覆蓋薄膜晶體管10的方式形成有鈍化膜17。
[0065]柵極絕緣膜12在圖2(a)和(b)所例示的結(jié)構(gòu)中具有疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)包括由相互不同的絕緣材料形成的第一絕緣層12a和第二絕緣層12b而構(gòu)成。
[0066]源極電極14和漏極電極15分別與氧化物半導(dǎo)體層13的上表面相接觸。氧化物半導(dǎo)體層13中與源極電極14相接觸的區(qū)域13s稱(chēng)為“第一接觸區(qū)域”或“源極區(qū)域”，與漏極電極15相接觸的區(qū)域13d稱(chēng)為“第二接觸區(qū)域”或“漏極區(qū)域”。此外，氧化物半導(dǎo)體層13中與柵極電極11重疊且位于源極區(qū)域13s與漏極區(qū)域13d之間的區(qū)域13c稱(chēng)為“溝道區(qū)域”。S卩，氧化物半導(dǎo)體層13具有溝道區(qū)域13c和分別位于溝道區(qū)域13c的兩側(cè)的第一接觸區(qū)域13s和第二接觸區(qū)域13d，源極電極14和漏極電極15分別與氧化物半導(dǎo)體層13的源極區(qū)域13s和漏極區(qū)域13d電連接。在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中，將在與基板I平行的面內(nèi)、與電流在溝道區(qū)域13c流動(dòng)的方向平行的方向DL稱(chēng)為“溝道長(zhǎng)度方向”，將與溝道長(zhǎng)度方向正交的方向DW稱(chēng)為“溝道寬度方向”。
[0067]在本實(shí)施方式中的薄膜晶體管10，如圖1、圖2(a)和(b)所示，氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和保護(hù)膜16覆蓋。另外，雖然在圖1中省略保護(hù)膜16，但是氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面中未被源極電極14和漏極電極15覆蓋的部分被保護(hù)膜16覆蓋。
[0068]此外，在本實(shí)施方式的薄膜晶體管10中，從基板面法線方向看時(shí)，從第一接觸區(qū)域13s的外緣至源極電極14的外緣的最短距離和從第二接觸區(qū)域13d的外緣至漏極電極15的外緣的最短距離被設(shè)定在規(guī)定的范圍內(nèi)。具體而言，這些最短距離分別為1.5 μ m以上
4.5 μ m以下。
[0069]因此，沿溝道長(zhǎng)度方向DL規(guī)定的、從第一接觸區(qū)域13s的外緣至源極電極14的外緣的距離(在以下的說(shuō)明中稱(chēng)為關(guān)于源極電極14的“在溝道長(zhǎng)度方向DL的重疊長(zhǎng)度”)OVLl為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。此外，沿溝道長(zhǎng)度方向DL規(guī)定的、從第二接觸區(qū)域13d的外緣至漏極電極15的外緣的距離(在以下的說(shuō)明中稱(chēng)為關(guān)于漏極電極15的“在溝道長(zhǎng)度方向DL的重疊長(zhǎng)度”)0VL2也為1.5μπι以上4.5μπι以下。
[0070]同樣，沿溝道寬度方向DW規(guī)定的、從第一接觸區(qū)域13s的外緣至源極電極14的外緣的距離(在以下的說(shuō)明中稱(chēng)為關(guān)于源極電極14的“在溝道寬度方向DW的重疊長(zhǎng)度”)OVffl為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。此外，沿溝道寬度方向DW規(guī)定的、從第二接觸區(qū)域13d的外緣至漏極電極15的外緣的距離(在以下的說(shuō)明中稱(chēng)為關(guān)于漏極電極15的“在溝道寬度方向DW的重疊長(zhǎng)度”)0VW2為1.5μπι以上4.5μπι以下。
[0071]如上所述，在本實(shí)施方式的薄膜晶體管10中，不僅氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和保護(hù)膜16覆蓋，而且源極電極14和漏極電極15以重疊長(zhǎng)度OVLl、0VL2、OVWl、0VW2成為1.5 μ m以上4.5 μ m以下的方式布局。由此，如之后驗(yàn)證結(jié)果所示那樣，能夠充分提高薄膜晶體管10的耐濕性，提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。從進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選重疊長(zhǎng)度OVLl、0VL2、OVWl、0VW2為2.0 μ m以上3.5μπι以下。即，優(yōu)選從基板面法線方向看時(shí)，從第一接觸區(qū)域13s的外緣至源極電極14的外緣的最短距離和從第二接觸區(qū)域13d的外緣至漏極電極15的外緣的最短距離分別為2.0ym以上3.5μπι以下。
[0072]此處，參照?qǐng)D3?圖5，對(duì)薄膜晶體管10的制造方法的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖3(a)?(C)和圖4(a)?(C)是用于說(shuō)明薄膜晶體管10的制造方法的工序截面圖。圖5(a)?(C)是與圖3和圖4所示的工序中一部分工序?qū)?yīng)的平面圖。
[0073]首先，如圖3(a)所示那樣在透明的基板I上形成柵極電極11。柵極電極11能夠通過(guò)在利用濺射法在基板I上沉積金屬膜(導(dǎo)電膜)之后、利用光刻對(duì)該金屬膜進(jìn)行圖案化而形成。作為成為柵極電極11的導(dǎo)電膜，此處形成厚度1nm?10nm的Ti層、厚度50nm?500nm的Al層和厚度50nm?300nm的Ti層依次疊層而形成的疊層膜。
[0074]接著，如圖3(b)所示那樣以覆蓋柵極電極11的方式形成柵極絕緣膜12。柵極絕緣膜12例如能夠使用CVD法形成。此處，作為柵極絕緣膜12的第一絕緣層12a形成厚度10nm?500nm的SiNx層，在其上作為第二絕緣層12b形成厚度1nm?10nm的S1x層。
[0075]接著，如圖3(c)和圖5(a)所示那樣在柵極絕緣膜12上形成島狀的氧化物半導(dǎo)體層13。作為氧化物半導(dǎo)體層13的材料，例如能夠使用In-Ga-Zn-O類(lèi)半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“IGZ0類(lèi)半導(dǎo)體”。)。此外，還能夠使用Zn-O類(lèi)半導(dǎo)體(ZnO)、In-Zn-O類(lèi)半導(dǎo)體(IZO)和Zn-T1-O類(lèi)半導(dǎo)體(ZTO)。此處，在使用濺射法、以20nm?200nm的厚度形成包括IGZO類(lèi)半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體膜之后，通過(guò)進(jìn)行圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層13。此處，IGZO類(lèi)半導(dǎo)體為In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)的三元氧化物，In、Ga和Zn的比例(組成比)并無(wú)特別限定，例如包括 In:Ga:Zn = 2:2:1、In:Ga:Zn = 1:1:1、In:Ga:Zn = 1: 1:2 等。IGZO 類(lèi)半導(dǎo)體既可以為非晶質(zhì)也可以為結(jié)晶質(zhì)。作為結(jié)晶質(zhì)IGZO類(lèi)半導(dǎo)體，優(yōu)選c軸與層面大致垂直地取向的結(jié)晶質(zhì)IGZO類(lèi)半導(dǎo)體。這樣的IGZO類(lèi)半導(dǎo)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)例如在日本特開(kāi)2012-134475號(hào)公報(bào)中被公開(kāi)。為了參考，在本說(shuō)明書(shū)中引用日本特開(kāi)2012-134475號(hào)公報(bào)的全部公開(kāi)內(nèi)容。
[0076]接著，如圖4(a)所示那樣，在氧化物半導(dǎo)體層13上形成發(fā)揮蝕刻阻擋功能的保護(hù)膜16。此處，首先，使用CVD法形成厚度30nm?200nm的氧化物層(具體而言為S1x層)。接著，利用光刻形成覆蓋S1x層的規(guī)定區(qū)域的抗蝕劑掩模。然后，利用蝕刻將S1x層中未被抗蝕劑掩模覆蓋的部分除去，之后，將抗蝕劑掩模剝離，由此得到保護(hù)膜16。
[0077]如圖4(a)所示，所得到的保護(hù)膜16具有使得位于氧化物半導(dǎo)體層13中成為溝道區(qū)域13c的區(qū)域的兩側(cè)的區(qū)域露出的第一開(kāi)口部16a和第二開(kāi)口部16b。另外，在圖5(b)也表不第一開(kāi)口部16a和第二開(kāi)口部16b的位置(在圖5(b)中未表不保護(hù)膜16自身)。第一開(kāi)口部16a與第二開(kāi)口部16b的距離(成為溝道長(zhǎng)度)L被設(shè)定為所期望的值(典型的是 6.0 μ m ?22.0 μ m)。
[0078]接著，如圖4(b)和圖5(c)所示那樣，形成經(jīng)第一開(kāi)口部16a與氧化物半導(dǎo)體層13電連接的源極電極14和經(jīng)第二開(kāi)口部16b與氧化物半導(dǎo)體層13電連接的漏極電極15。氧化物半導(dǎo)體層13中在第一開(kāi)口部16a內(nèi)與源極電極14相接觸的區(qū)域成為第一接觸區(qū)域13s，在第二開(kāi)口部16b內(nèi)與漏極電極15相接觸的區(qū)域成為第二接觸區(qū)域13d。源極電極14和漏極電極15例如能夠通過(guò)利用濺射法沉積金屬膜(導(dǎo)電膜)、并對(duì)該金屬膜進(jìn)行圖案化而形成。此處，作為成為源極電極14和漏極電極15的導(dǎo)電膜,形成厚度1nm?10nm的Ti層、厚度50nm?400nm的Al層和厚度50nm?300nm的Ti層依次疊層而得到的疊層膜。
[0079]形成上述保護(hù)膜16的工序與形成源極電極14和漏極電極15的工序以使得氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和保護(hù)膜16覆蓋的方式被執(zhí)行。
[0080]此外，形成源極電極14和漏極電極15的工序以使得從基板面法線方向看時(shí)、從第一開(kāi)口部16a的外緣至源極電極14的外緣的最短距離和從第二開(kāi)口部16b的外緣至漏極電極15的外緣的最短距離分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下的方式被執(zhí)行。即，該工序以使得上述已說(shuō)明的重疊長(zhǎng)度OVLl、0VL2、OVWl、0VW2成為1.5 μ m以上4.5 μ m以下的方式被執(zhí)行。
[0081]接著，如圖4 (C)所示那樣形成鈍化膜17，之后，進(jìn)行退火。此處，作為鈍化膜17，例如利用CVD法形成厚度10nm?500nm的S1x層，之后在大氣氣氛中在350°C進(jìn)行0.5?2小時(shí)的退火。這樣，得到薄膜晶體管10。
[0082]此處，實(shí)際制作了本實(shí)施方式中的薄膜晶體管10 (實(shí)施例)，說(shuō)明對(duì)此進(jìn)行耐濕性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果。在說(shuō)明時(shí)，一并表示對(duì)比較例的薄膜晶體管(當(dāng)然為氧化物半導(dǎo)體TFT)進(jìn)行耐濕性評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果。
[0083]作為比較例制作了圖6和圖7所示的薄膜晶體管10C。圖6是示意地表示比較例的薄膜晶體管1C的平面圖，圖7(a)和(b)分別是沿圖6中的7A-A’線和7B-B’線的截面圖。
[0084]比較例的薄膜晶體管1C的源極電極14和漏極電極15的布置與實(shí)施例的薄膜晶體管10不同。在實(shí)施例的薄膜晶體管10中，如圖1等所示，源極電極14和漏極電極15的沿溝道寬度方向DW的寬度比氧化物半導(dǎo)體層13的沿溝道寬度方向DW的寬度大，在溝道寬度方向DW，源極電極14和漏極電極15以比形成有氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域突出的方式被設(shè)置。與此相對(duì)，在比較例的薄膜晶體管1C中，源極電極14和漏極電極15的沿溝道寬度方向DW的寬度比氧化物半導(dǎo)體層13的沿溝道寬度方向DW的寬度小，在溝道寬度方向DW，源極電極14和漏極電極15以不從形成有氧化物半導(dǎo)體層13的區(qū)域突出的方式被設(shè)置。
[0085]此外，在比較例的薄膜晶體管1C中，從基板面法線方向看時(shí)，從第一接觸區(qū)域13s的外緣至源極電極14的外緣的最短距離和從第二接觸區(qū)域13d的外緣至漏極電極15的外緣的最短距離為0.3μπι。即，重疊長(zhǎng)度0VL1、0VL2、0VW1、0VW2為0.3 μ m。
[0086]另外，關(guān)于實(shí)施例的薄膜晶體管10和比較例的薄膜晶體管10C，源極電極14和漏極電極15的尺寸.布局以外的結(jié)構(gòu)(各層的材料、厚度、尺寸等)相同。
[0087]耐濕性評(píng)價(jià)試驗(yàn)通過(guò)以下方式進(jìn)行:將實(shí)施例的薄膜晶體管10和比較例的薄膜晶體管1C分別在134°C以3atm、RH100%放置18小時(shí)之后，在60°C以-30V進(jìn)行I小時(shí)的應(yīng)力施加，之后對(duì)柵極電壓-漏極電流(Vg-1d)特性進(jìn)行測(cè)定(當(dāng)然對(duì)初始狀態(tài)的Vg-1d特性也進(jìn)行了測(cè)定)。在圖8表示對(duì)比較例的薄膜晶體管1C的評(píng)價(jià)結(jié)果。此外，在圖9表示對(duì)實(shí)施例的薄膜晶體管10的評(píng)價(jià)結(jié)果。
[0088]如圖8所示，在比較例的薄膜晶體管1C中，試驗(yàn)后的Vg-1d特性與初始的Vg-1d特性相比向負(fù)方向大幅移動(dòng)。這被認(rèn)為是因?yàn)橛捎诒∧ぞw管1C被放置在高溫高濕環(huán)境、結(jié)果在氧化物半導(dǎo)體層13吸附了水分。與此相對(duì)，如圖9所示，在實(shí)施例的薄膜晶體管10中，在試驗(yàn)的前后Vg-1d特性幾乎不移動(dòng)。
[0089]此外，在圖10表示關(guān)于源極電極14和漏極電極15的重疊長(zhǎng)度(圖1等所示的距離0VL1、0VL2、0VW1、0VW2)與試驗(yàn)前后的閾值的變化量AVth的關(guān)系。
[0090]從圖10可知，在重疊長(zhǎng)度與閾值變化量Λ Vth之間存在相關(guān)關(guān)系，并且通過(guò)使重疊長(zhǎng)度為1.5 μ m以上4.5 μ m以下，能夠使閾值變化量AVth的絕對(duì)值充分地變小為3.0以下(即，能夠充分地提高可靠性)。此外，通過(guò)使重疊長(zhǎng)度為2.0 μ m以上3.5 μ m以下，能夠使閾值變化量AVth的絕對(duì)值進(jìn)一步變小(幾乎為零(0.3以下))。另外，圖9所示的評(píng)價(jià)結(jié)果是重疊長(zhǎng)度為3.0 μ m的情況下的結(jié)果。
[0091]這樣，關(guān)于重疊長(zhǎng)度，存在能夠?qū)崿F(xiàn)充分高的可靠性的優(yōu)選范圍。其理由如下。
[0092]圖8所示那樣的可靠性的降低被認(rèn)為是因?yàn)閿U(kuò)散至氧化物半導(dǎo)體層13而吸附在氧化物半導(dǎo)體層13的水分成為雜質(zhì)量(不純度)、固定電荷的原因。如果使源極電極14和漏極電極15變大，即如果使重疊長(zhǎng)度變大，則氧化物半導(dǎo)體層13的被源極電極14和漏極電極15覆蓋的部分增加，由此水分向氧化物半導(dǎo)體層13的擴(kuò)散被妨礙，水分的吸附量減少。此外，固定電荷的生成量由于被施加至變大了的源極電極14和漏極電極15的電位而減少。這些效果通過(guò)使重疊長(zhǎng)度為1.5 μ m以上而能夠充分地得到,通過(guò)為2.0 μ m以上而更顯著地得到。
[0093]但是，如果使重疊長(zhǎng)度過(guò)大，則水分吸附量減少，盡管如此，但是源極電極14和漏極電極15與柵極電極11重疊的面積變得過(guò)大，水分以外的因素導(dǎo)致的固定電荷增加，因此可靠性降低。為了抑制這樣的可靠性的降低，優(yōu)選重疊長(zhǎng)度為4.5μπι以下，更優(yōu)選為
3.5 μ m以下。
[0094]另外，當(dāng)重疊長(zhǎng)度變大時(shí)，TFT的寄生電容變大。因此，在一般的氧化物半導(dǎo)體TFT中，在確保源極電極和漏極電極與保護(hù)膜的圖案重疊邊緣(margin)的基礎(chǔ)上將重疊長(zhǎng)度盡量設(shè)定得小。具體而言，重疊長(zhǎng)度在0.5 μ m以上的范圍盡量設(shè)定得小(即小于1.5 μ m)。這樣，在本發(fā)明中，在與現(xiàn)有的技術(shù)常識(shí)不同的想法下設(shè)定重疊長(zhǎng)度，由此能夠獲得可靠性提聞的效果。[0095]如上所述，不僅氧化物半導(dǎo)體層13的上表面和側(cè)面被源極電極14、漏極電極15和保護(hù)膜16覆蓋，而且源極電極14和漏極電極15以重疊長(zhǎng)度0VL1、0VL2、OVffU 0VW2成為
1.5 μ m以上4.5 μ m以下的方式布局，由此能夠充分地提高薄膜晶體管10的耐濕性，提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0096]此外，在本實(shí)施方式的薄膜晶體管10中，不使用特別的材料、特別的工藝，僅通過(guò)改變?cè)礃O電極14和漏極電極15的布置能夠獲得耐濕性的提高效果，因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠以高成品率得到具有穩(wěn)定的晶體管特性的可靠性高的氧化物半導(dǎo)體TFT。此外，能夠不準(zhǔn)備和追加對(duì)應(yīng)特別的材料和特別的工藝的新裝置地進(jìn)行制造，因此在制造成本方面也有利。
[0097]另外，優(yōu)選保護(hù)膜16包括硅氧化物(S1x)層等氧化物層。通過(guò)使保護(hù)膜16包括氧化物層，在氧化物半導(dǎo)體層13發(fā)生氧缺損的情況下，能夠通過(guò)氧化物層中所含的氧使氧缺損恢復(fù)，因此能夠減少氧化物半導(dǎo)體層13的氧缺損。
[0098]此外，優(yōu)選保護(hù)膜16不包括氧化鋁層和硅氮化物層。這是因?yàn)檠趸X不易加工，并且硅氮化物層自身容易成為固定電荷的原因。
[0099]優(yōu)選保護(hù)膜16的厚度為50nm以上200nm以下。通過(guò)為50nm以上,在源極電極14和漏極電極15的圖案化工序等中，能夠更可靠地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體層13的表面。另一方面，如果超過(guò)200nm，則產(chǎn)生比源極電極14和漏極電極15大的臺(tái)階差，因此存在引起斷線等的問(wèn)題。
[0100]另外，在圖2等中例示的結(jié)構(gòu)中，柵極絕緣膜12具有疊層結(jié)構(gòu)，如圖11(a)和(b)所示，柵極絕緣膜12也可以為單層。在柵極絕緣膜12為單層的情況下，優(yōu)選柵極絕緣膜12為S1x層那樣的氧化物層。通過(guò)將氧化物層用作柵極絕緣膜12，能夠得到能夠減少氧化物半導(dǎo)體層13的氧缺損的優(yōu)點(diǎn)。此外，在柵極絕緣膜12具有圖2等所示那樣的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，使與氧化物半導(dǎo)體層13相接觸的絕緣層(在圖2等中例示的結(jié)構(gòu)中為第二絕緣層12b)為氧化物層，能夠得到相同的優(yōu)點(diǎn)。
[0101]此外，優(yōu)選柵極絕緣膜12或者如圖11所示那樣為單層，或者如圖2所示那樣在大致全體的范圍內(nèi)為多層。在圖14所示的氧化物半導(dǎo)體1C中，柵極絕緣膜12僅在與氧化物半導(dǎo)體層13對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)槎鄬?，在其它區(qū)域?yàn)閱螌印Ｔ摻Y(jié)構(gòu)通過(guò)對(duì)上層的硅氧化物層12d進(jìn)行蝕刻而形成。因此需要對(duì)硅氧化物層12d進(jìn)行蝕刻的多余的工序，導(dǎo)致制造成本的增大。此外，在對(duì)硅氧化物層12d進(jìn)行蝕刻時(shí)，硅氮化物層12c也被蝕刻導(dǎo)致臺(tái)階差變大。因此，成為源極電極和漏極電極的金屬膜的覆蓋性下降，容易產(chǎn)生斷線。通過(guò)使柵極絕緣膜12為單層或在大致全體的范圍內(nèi)為多層，能夠抑制這樣的問(wèn)題的發(fā)生。
[0102]另外，在圖2等中作為覆蓋源極電極14和漏極電極15等的鈍化膜17例示了單層的結(jié)構(gòu)，也可以如圖12(a)和(b)所示那樣設(shè)置多層的鈍化膜17。圖12(a)和(b)所示的鈍化膜17包括硅氧化物層17a和在硅氧化物層17a上形成的硅氮化物層17b。通過(guò)設(shè)置包括具有阻擋水分的效果的硅氮化物層17b的多層的鈍化膜17，能夠?qū)崿F(xiàn)耐濕性的進(jìn)一步提聞。
[0103]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0104]本發(fā)明的實(shí)施方式能夠在有源矩陣基板等的電路基板、液晶顯示裝置、有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置和無(wú)機(jī)電致發(fā)光顯示裝置等顯示裝置、圖像傳感裝置等攝像裝置、圖像輸入裝置和指紋讀取裝置等電子裝置等的具備薄膜晶體管的裝置中廣泛地應(yīng)用。特別能夠在大型液晶顯示裝置等中恰當(dāng)?shù)貞?yīng)用。
[0105]附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0106]I 基板
[0107]10薄膜晶體管(氧化物半導(dǎo)體TFT)
[0108]11柵極電極
[0109]12柵極絕緣膜
[0110]13氧化物半導(dǎo)體層
[0111]13s第一接觸區(qū)域
[0112]13d第二接觸區(qū)域
[0113]13c溝道區(qū)域
[0114]14源極電極
[0115]15漏極電極
[0116]16保護(hù)膜(溝道保護(hù)膜)
[0117]16a 第一開(kāi)口部
[0118]16b 第二開(kāi)口部
[0119]17鈍化膜
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: 基板； 設(shè)置在所述基板上的柵極電極； 形成在所述柵極電極上的柵極絕緣膜； 島狀的氧化物半導(dǎo)體層，其形成在所述柵極絕緣膜上，具有溝道區(qū)域、和分別位于所述溝道區(qū)域的兩側(cè)的第一接觸區(qū)域和第二接觸區(qū)域； 與所述第一接觸區(qū)域電連接的源極電極； 與所述第二接觸區(qū)域電連接的漏極電極；和 保護(hù)膜，其與所述氧化物半導(dǎo)體層相接觸地設(shè)置在該氧化物半導(dǎo)體層上，形成在所述氧化物半導(dǎo)體層與所述源極電極和所述漏極電極之間， 所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面被所述源極電極、所述漏極電極和所述保護(hù)膜覆蘭rm.， 從基板面法線方向看時(shí)，從所述第一接觸區(qū)域的外緣至所述源極電極的外緣的最短距離和從所述第二接觸區(qū)域的外緣至所述漏極電極的外緣的最短距離分別為1.5μπι以上4.5 μ m以下。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 從基板面法線方向看時(shí)，沿溝道長(zhǎng)度方向規(guī)定的、從所述第一接觸區(qū)域的外緣至所述源極電極的外緣的距離和從所述第二接觸區(qū)域的外緣至所述漏極電極的外緣的距離，分別為1.5μηι以上4.5μηι以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 從基板面法線方向看時(shí)，沿溝道寬度方向規(guī)定的、從所述第一接觸區(qū)域的外緣至所述源極電極的外緣的距離和從所述第二接觸區(qū)域的外緣至所述漏極電極的外緣的距離，分別為1.5μηι以上4.5μηι以下。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 從基板面法線方向看時(shí)，從所述第一接觸區(qū)域的外緣至所述源極電極的外緣的最短距離和從所述第二接觸區(qū)域的外緣至所述漏極電極的外緣的最短距離分別為2.0ym以上3.5 μ m以下。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述保護(hù)膜包括氧化物層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述保護(hù)膜包括硅氧化物層。
7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述保護(hù)膜不包括氧化鋁層和硅氮化物層。
8.如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述柵極絕緣膜為單層或者在大致整體的范圍內(nèi)為多層。
9.如權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 還包括以覆蓋所述源極電極和所述漏極電極的方式形成的鈍化膜， 所述鈍化膜包括硅氧化物層和在所述硅氧化物層上形成的硅氮化物層。
10.如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述半導(dǎo)體裝置為有源矩陣基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于: 所述顯示裝置包括權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置。
12.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: (A)在基板上形成柵極電極的工序； (B)以覆蓋所述柵極電極的方式形成柵極絕緣膜的工序； (C)在所述柵極絕緣膜上形成島狀的氧化物半導(dǎo)體層的工序； (D)在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成具有第一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部的保護(hù)膜的工序；和 (E)形成源極電極和漏極電極的工序，所述源極電極經(jīng)由所述第一開(kāi)口部與所述氧化物半導(dǎo)體層電連接，所述漏極電極經(jīng)由所述第二開(kāi)口部與所述氧化物半導(dǎo)體層電連接， 執(zhí)行所述工序(D)和所述工序(E)，使得所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面被所述源極電極、所述漏極電極和所述保護(hù)膜覆蓋， 并且，執(zhí)行所述工序(E)，使得當(dāng)從基板面法線方向看時(shí)，從所述第一開(kāi)口部的外緣至所述源極電極的外緣的最短距離和從所述第二開(kāi)口部的外緣至所述漏極電極的外緣的最短距離分別為1.5 μ m以上4.5 μ m以下。
【文檔編號(hào)】H01L29/417GK104040724SQ201280066838
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月11日
【發(fā)明者】織田明博 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社