有機(jī)發(fā)光器件和用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法
【專利摘要】在不同的實(shí)施例中,提供一種有機(jī)發(fā)光器件(200)。有機(jī)發(fā)光器件(200)能夠具有:半透明的第一電極(204);在第一電極(204)上或其上方的產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206);在產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206)上或其上方的半透明的第二電極(212);在第二電極(212)上或其上方的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214);以及在光學(xué)半透明的層(214)上或其上方的鏡層結(jié)構(gòu)(216),其中鏡層結(jié)構(gòu)(216)在鏡層結(jié)構(gòu)(216)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)(218)。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光器件和用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件和一種用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在例如有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光器件中,將由所述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管產(chǎn)生的光部分地直接從有機(jī)發(fā)光二級(jí)管中耦合輸出。剩余的光分布到不同的損失通道中,如在圖1中的常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管100的視圖中示出的。圖1示出具有玻璃襯底102和設(shè)置在其上的由銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成的半透明的第一電極層104的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管100。在第一電極層104上設(shè)置有第一有機(jī)層106,在所述第一有機(jī)層上設(shè)置有發(fā)射體層108。在發(fā)射體層108上設(shè)置有第二有機(jī)層110。直觀地,產(chǎn)生光的有機(jī)層堆能夠設(shè)有至少一個(gè)發(fā)射體層和附加的傳輸層、注入層以及可選地其他的有機(jī)功能層。此外,在第二有機(jī)層110上設(shè)置有由金屬構(gòu)成的第二電極層112。供電裝置114耦聯(lián)到第一電極層104上和第二電極層112上,使得為了產(chǎn)生光將電流引導(dǎo)穿過設(shè)置在電極層104、112之間的層結(jié)構(gòu)。第一箭頭116表示在第二電極層112中在等離子體激元處所產(chǎn)生的光子的損失。另外的損失通道能夠在光發(fā)射路徑中的吸收損失中觀察到(借助第二箭頭118表示)。由于在玻璃襯底102與空氣的分界面上的全反射(借助第三箭頭122表示),光的一部分保持在襯底下側(cè)和第二電極112之間引導(dǎo)并且沒有被放射。類似地,所產(chǎn)生的光的一部分在第一電極層104和玻璃襯底102之間的分界面上反射(借助于第四箭頭124表示)并且在所述分界面和第二電極112之間引導(dǎo)。所產(chǎn)生的光的從玻璃襯底102中耦合輸出的部分在圖1中借助于第五箭頭120表示。因此,直觀地,例如存在下述損失通道:在玻璃襯底102中的光損失;在有機(jī)層和半透明的第一電極106、110中的光損失;以及在金屬陰極(第二電極層112)上產(chǎn)生的表面等離子體激元。所述光份額不能夠容易地從有機(jī)發(fā)光二級(jí)管100中耦合輸出。
[0003]為了I禹合輸出襯底模量,將所謂的I禹合輸出薄膜以常規(guī)的方式施加在有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的襯底的下側(cè)上(在背離產(chǎn)生光的有機(jī)層的那一側(cè)上),所述耦合輸出薄膜能夠借助于光散射或借助于微透鏡將光從襯底中耦合輸出。然而,這導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的貴重的玻璃表面的損失。這也導(dǎo)致在制造有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的情況下的附加的工藝步驟。
[0004]還已知的是,直接地結(jié)構(gòu)化或粗化襯底的下表面。然而借助這樣的方法顯著地影響有機(jī)發(fā)光二極管的外觀。因?yàn)橛纱说玫揭r底的乳白色的表面。
[0005]還已知的是,將散射層施加到襯底下側(cè)上。在此也顯著地影響有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的外觀。因?yàn)橛纱说玫揭r底的乳白色的表面。此外,這還導(dǎo)致在制造有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的情況下的附加的工藝步驟。
[0006]為了在有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的有機(jī)層中耦合輸出光,目前存在不同的方案,然而這些方案還沒有達(dá)到生產(chǎn)成熟。
[0007]這些方案包括:
[0008].將周期結(jié)構(gòu)引入到有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(光子晶體)的有源層中。然而,所述周期結(jié)構(gòu)具有極其強(qiáng)的波長(zhǎng)相關(guān)性,因?yàn)楣庾泳w僅能夠耦合輸出特定的波長(zhǎng)。[0009]?使用高折射率的襯底來將有機(jī)層的光直接耦合輸入到襯底中。該方案由于高折射率的襯底的高的成本而是極其昂貴的,并且高折射率的襯底也指定需要呈微透鏡、散射薄膜(分別具有高的折射率)或表面結(jié)構(gòu)化部形式的另外的耦合輸出輔助。
[0010]此外,從M.Horii 等所著的 “White Mult1-Photon Emission OLED withoutoptical interference”,Proc.1nt.Disp.Workshops -第 11 卷,1293 至 1296 頁(yè)(2004 年)中已知一種有機(jī)發(fā)光二級(jí)管,其設(shè)有半透明的陰極和施加在后側(cè)的鏡(也稱作遠(yuǎn)程腔,英語(yǔ)為Remote Cavity)。已知的是,這種方案能夠引起色角的視角相關(guān)性的改進(jìn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]在不同的實(shí)施例中,提供有機(jī)發(fā)光器件。有機(jī)發(fā)光器件能夠具有:第一電極;在第一電極上或上方的產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu);在產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)上或上方的半透明的第二電極;在第二電極上或上方的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu);在光學(xué)半透明的層上或上方的鏡層結(jié)構(gòu),其中,鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)和具有散射光的結(jié)構(gòu)的鏡層結(jié)構(gòu)連同半透明的第二電極一起形成漫射腔。漫射腔的施加例如在將電極和產(chǎn)生光的層施加在襯底上之后進(jìn)行。因此,在不同的實(shí)施例中,施加具有散射光的特性的漫射體腔。
[0012]在不同的實(shí)施例中,提供有機(jī)發(fā)光器件。有機(jī)發(fā)光器件能夠具有:鏡層結(jié)構(gòu);在鏡層結(jié)構(gòu)上或上方的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu);在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)上或上方的半透明的第一電極;在第一電極上或上方的產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu);以及在產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)上或上方的(例如在如頂部發(fā)射體的情況下為半透明的或者在如底部發(fā)射體的情況下為鏡面的)第二電極。鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)和具有散射光的結(jié)構(gòu)的鏡層結(jié)構(gòu)連同半透明的第二電極一起形成漫射腔。漫射腔在不同的實(shí)施例中用作為用于施加半透明的電極和產(chǎn)生光的有機(jī)層的襯底。
[0013]在不同的實(shí)施例中,直觀地將漫射腔設(shè)為襯底。
[0014]在不同的實(shí)施例中,與常規(guī)的有機(jī)發(fā)光器件相比,在制造有機(jī)發(fā)光器件的情況下,在改進(jìn)有機(jī)發(fā)光器件、例如有機(jī)發(fā)光二極管的有效功率的同時(shí)能夠節(jié)省工藝步驟。在常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管中,將覆蓋玻璃粘貼到通常非半透明的陰極上。根據(jù)不同的實(shí)施例,所述覆蓋玻璃能夠通過漫射腔(直觀地例如通過結(jié)構(gòu)化的鏡)來取代,進(jìn)而不必在用于制造有機(jī)發(fā)光器件的整個(gè)工藝順序中引入另外的工藝步驟。
[0015]術(shù)語(yǔ)“半透明”或者“半透明層”在不同的實(shí)施例中能夠理解為:層對(duì)于光是可穿透的,例如對(duì)于由有機(jī)發(fā)光器件產(chǎn)生的、如一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)范圍的、例如對(duì)于可見光波長(zhǎng)范圍中的(例如至少在380nm至780nm波長(zhǎng)范圍的局部范圍中的)光是透明的。例如,術(shù)語(yǔ)“半透明層”在不同的實(shí)施例中能夠理解為:基本上全部耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光量也能夠從結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出,其中光的一部分在此能夠被散射。
[0016]術(shù)語(yǔ)“透明”或“透明層”在不同的實(shí)施例中能夠理解為:層對(duì)于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm波長(zhǎng)范圍的局部范圍中),其中耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光基本上在沒有散射或光轉(zhuǎn)換的情況下也從結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出。因此,“透明”能夠視作為“半透明”的特殊情況。[0017]對(duì)于例如應(yīng)當(dāng)提供發(fā)射光的單色的或發(fā)射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是:光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)對(duì)于至少在期望的單色光的波長(zhǎng)范圍的局部范圍中的輻射或者對(duì)于受限的發(fā)射光譜是半透明的。
[0018]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中,第二電極能夠設(shè)立為,使得光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)與產(chǎn)生光的有機(jī)層機(jī)構(gòu)光學(xué)f禹合。
[0019]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)能夠具有至少Iym的層厚度。
[0020]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有散射光的表面結(jié)構(gòu)。
[0021]在另一設(shè)計(jì)方案中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的折射率能夠基本上匹配于產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)的折射率。以這種方式,進(jìn)一步改進(jìn)有機(jī)發(fā)光器件的有效功率。
[0022]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠設(shè)立為,使得散射光份額大于或等于20%,換言之具有20%的光學(xué)濁度。
[0023]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有帶有粗化的金屬表面的金屬。
[0024]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)微透鏡。
[0025]在另一設(shè)計(jì)方案中,鏡層結(jié)構(gòu)能夠具有金屬鏡結(jié)構(gòu);其中,多個(gè)微透鏡中的一個(gè)或多個(gè)被設(shè)置在金屬鏡結(jié)構(gòu)上或其上方。
[0026]在另一設(shè)計(jì)方案中,鏡層結(jié)構(gòu)能夠具有帶有散射中心的介電的鏡結(jié)構(gòu)。
[0027]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)周期結(jié)構(gòu)。
[0028]在另一設(shè)計(jì)方案中,漫射體腔能夠具有至少1*10_3W/K的橫向?qū)嶂怠T诓煌膶?shí)施例中,層的橫向?qū)嶂道斫鉃閷硬牧系谋葻釋?dǎo)率(SpezifiScherlWjirmeleitilhigkeit)和層厚度的乘積。如果鏡層結(jié)構(gòu)由多個(gè)層組成,那么在不同的實(shí)施例中,橫向?qū)嶂凳歉鱾€(gè)橫向?qū)嶂档目偤汀?br>
[0029]在另一設(shè)計(jì)方案中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)能夠具有粘結(jié)材料,其中粘結(jié)材料能夠具有散射光的顆粒。
[0030]在另外的設(shè)計(jì)方案中,能夠在半透明的電極和漫射腔之間例如借助于一個(gè)或多個(gè)“阻擋薄層”或者一個(gè)或多個(gè)“阻擋薄膜”插入用于電絕緣和用于封裝的附加的層。
[0031]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”在本申請(qǐng)的范圍中例如能夠理解為下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu),所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對(duì)于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對(duì)于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之,阻擋薄層構(gòu)成為,使得其不能夠或至多極其少的部分被損壞OLED的材料例如水、氧氣或溶劑穿過。
[0032]阻擋薄層的適宜的設(shè)計(jì)方案例如能夠在專利申請(qǐng)DE102009014543A1、DE102008031405AUDE102008048472A1 和 DE2008019900A1 中得出。
[0033]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠構(gòu)成為單獨(dú)的層(換言之,構(gòu)成為單層)。
[0034]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠具有多個(gè)彼此重疊構(gòu)成的子層。換言之,根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠構(gòu)成為層堆(堆)。
[0035]阻擋薄層或阻擋薄層的一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適宜的沉積方法形成,例如借助于根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案的原子層沉積方法(Atomic layer Deposition (ALD))來形成、例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic layer Deposition(PEALD))或無(wú)等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic layer Deposition(PLALD)),或借助于根據(jù)另一設(shè)計(jì)方案的化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Depostion(CVD))來形成,例如為等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical VaporDepostion (PECVD))或無(wú)等離子的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma-less Chemical VaporDepostion (PLCVD)),或者替選地借助于另外的適宜的沉積方法來形成。
[0036]通過應(yīng)用原子層沉積方法(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地,能夠沉積層厚度位于原子層范圍中的層。
[0037]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,在具有多個(gè)子層的阻擋薄層中,能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也稱作“納米疊層”。
[0038]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案,在具有多個(gè)子層的阻擋薄層中,能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層中的一個(gè)或多個(gè)子層,例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0039]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠具有大約0.1nm (原子層)至大約IOOOnm的層厚度,例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約IOnm至大約IOOnm的層厚度、例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0040]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,其中阻擋薄層具有多個(gè)子層,全部子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層的各個(gè)子層能夠具有不同的層厚度。換言之,子層中的至少一層能夠具有不同于子層中的一個(gè)或多個(gè)其他的層的層厚度。
[0041]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層或阻擋薄層的各個(gè)子層能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的層。換言之,阻擋薄層(或阻擋薄層的各個(gè)子層)由透明的或半透明的材料(或透明的或半透明的材料組合)構(gòu)成。
[0042]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或多種或由下述材料中的一種或多種制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化銦錫、氧化銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。
[0043]在不同的實(shí)施例中,提供用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。所述方法能夠包括:形成第一電極;在第一電極上或上方形成產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu);在產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二電極;在第二電極上或上方形成光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu);以及在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)上或上方形成鏡層結(jié)構(gòu),其中鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。
[0044]在不同的實(shí)施例中,提供用于制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。所述方法包括:形成鏡層結(jié)構(gòu);在鏡層結(jié)構(gòu)上或上方形成光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu);在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)上或上方形成第一電極;在第一電極上或上方形成產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu);以及在產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二電極;其中鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。
[0045]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中,能夠形成具有至少Iym層厚度的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)。
[0046]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有散射光的表面結(jié)構(gòu)。
[0047]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠設(shè)立為,使得散射光份額大于或等于20%,換言之具有大于或等于20%的光學(xué)濁度。
[0048]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有帶有粗化的金屬表面的金屬。
[0049]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)微透鏡。[0050]在另一設(shè)計(jì)方案中,鏡層結(jié)構(gòu)能夠具有金屬鏡結(jié)構(gòu);其中多個(gè)微透鏡中的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)成在金屬鏡結(jié)構(gòu)上或上方。
[0051]在另一設(shè)計(jì)方案中,鏡層結(jié)構(gòu)能夠具有帶有散射中心的介電的鏡結(jié)構(gòu)。
[0052]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)周期結(jié)構(gòu)。
[0053]在另一設(shè)計(jì)方案中,散射光的結(jié)構(gòu)能夠具有至少1*10_3W/K的橫向?qū)嶂怠?br>
[0054]在另一設(shè)計(jì)方案中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)能夠具有粘結(jié)材料,其中粘結(jié)材料能夠包含散射光的顆粒。
[0055]在另一設(shè)計(jì)方案中,有機(jī)發(fā)光器件能夠設(shè)立為或者已設(shè)立為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管或有機(jī)發(fā)光晶體管。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0056]在附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施例并且在下面詳細(xì)地闡明。
[0057]附圖示出:
[0058]圖1示出常規(guī)的有機(jī)發(fā)光二極管的橫截面圖,在所述橫截面圖中示出光損失通道;
[0059]圖2示出根據(jù)不同的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的橫截面圖;
[0060]圖3示出根據(jù)不同的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的橫截面圖;
[0061]圖4A至4F示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的不同時(shí)間點(diǎn)處的根據(jù)不同的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件;
[0062]圖5示出流程圖,其中示出用于制造根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的方法;以及
[0063]圖6示出流程圖,其中示出用于制造根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的方法?!揪唧w實(shí)施方式】
[0064]在下面詳細(xì)的描述中參考附圖,所述附圖形成所述描述的一部分,并且其中為了圖解說明示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實(shí)施形式。在此方面,相關(guān)于所描述的附圖的定向而應(yīng)用方向術(shù)語(yǔ)例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因?yàn)閷?shí)施形式的組成部分能夠以多個(gè)不同的定向來定位,所以方向術(shù)語(yǔ)用于圖解說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是,能夠使用其他的實(shí)施形式并且能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或邏輯上的改變,而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。不言而喻,除非另作特別說明,在此描述的不同的示例的實(shí)施形式的特征能夠互相組合。因此,下面詳細(xì)的描述不應(yīng)解釋為受限制的,并且本發(fā)明的保護(hù)范圍不由所附的權(quán)利要求來限定。
[0065]在本說明書的范圍內(nèi),術(shù)語(yǔ)“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中,只要是適宜的,相同的或類似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0066]在不同的實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(organiclight emitting diode, OLED)、或者構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光晶體管(organic light emittingtransistor,OLET)例如構(gòu)成為有機(jī)薄膜晶體管。在不同的實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光器件能夠是集成電路的一部分。此外,能夠設(shè)有多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件,所述有機(jī)發(fā)光器件例如安裝在共同的殼體中。
[0067]圖2示出作為根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管200。
[0068]呈有機(jī)發(fā)光二極管200形式的有機(jī)發(fā)光器件200能夠具有襯底202。襯底202例如能夠用作為用于電子元件或?qū)?、例如有機(jī)發(fā)光元件的承載元件。例如,襯底202能夠具有玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或任意其他適合的材料或由所述材料形成。此外,襯底202能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個(gè)或多個(gè)塑料薄膜的疊層或由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其形成。此外,塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其形成。此外,襯底202例如能夠具有金屬薄膜,例如鋁薄膜、不銹鋼薄膜、銅薄膜或其組合或?qū)Υ说膶佣?。襯底202能夠具有一種或多種上述材料。襯底202能夠構(gòu)成為是半透明的、例如透明的、部分半透明的、例如部分透明的、或也能夠構(gòu)成為是不透明的。
[0069]在不同的實(shí)施例中,有機(jī)發(fā)光二極管能夠設(shè)立為所謂的頂部發(fā)射體和/或所謂的底部發(fā)射體。頂部發(fā)射體在不同的實(shí)施例中能夠理解為下述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管,其中光從有機(jī)發(fā)光二級(jí)管穿過覆蓋層或與襯底相對(duì)置的那一側(cè)、例如穿過第二電極放射。底部發(fā)射體在不同的實(shí)施例中能夠理解為下述有機(jī)發(fā)光二級(jí)管,其中光從有機(jī)發(fā)光二級(jí)管向下例如穿過襯底和第一電極放射。
[0070]第一電極204 (下面也稱為底部電極204)能夠由導(dǎo)電材料形成或者是導(dǎo)電材料,例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同的或不同的金屬的和/或相同的或不同的TCO的多個(gè)層的層堆來形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料,例如金屬氧化物,例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物、例如ZnO、SnO2或In2O3以外,三元的金屬氧化物,例如AlZnO、Zn2SnO4> CdSnO3> ZnSnO3> Mgln204、Galn03、Zn2In2O5 或 In4Sn3O12 或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族。此外,TCO非強(qiáng)制性地符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0071]在不同的實(shí)施例中,第一電極204能夠具有金屬;例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0072]在不同的實(shí)施例中,能夠由在TCO層上的金屬的層的組合的層堆形成半透明的第一電極204,或者反之亦然。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或 ITO-Ag-1TO 復(fù)層。
[0073]在不同的實(shí)施例中,替選于或除了上述材料之外,第一電極能夠設(shè)有下述材料中的一種或多種:由金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)、例如由Ag制成;由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò);石墨微粒和石墨層;由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0074]此外,所述電極能夠具有導(dǎo)電聚合物或過渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br>
[0075]對(duì)于發(fā)光器件200放射穿過襯底的光的情況而言,第一電極204和襯底202能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的。在該情況下,對(duì)于第一電極204由金屬形成的情況而言,第一電極204例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外,第一電極204例如能夠具有大于或等于大約IOnm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中,第一電極204能夠具有在大約IOnm至大約25nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOnm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0076]此外,對(duì)于透明的或半透明的第一電極204的情況而言以及對(duì)于第一電極204由導(dǎo)電透明氧化物(TCO)形成的情況而言,第一電極204例如能夠具有在大約50nm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOOnm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0077]此外,對(duì)于透明的或半透明的第一電極204的情況而言以及對(duì)于第一電極204由例如由如Ag制成的例如能夠與導(dǎo)電聚合物組合的金屬納米線制成的網(wǎng)絡(luò)形成、由例如由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)或者由石墨層和復(fù)合材料形成的情況而言,第一電極204例如能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOnm至大約400nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0078]對(duì)于有機(jī)發(fā)光器件200僅向上放射光的情況而言,第一電極204也能夠設(shè)立為是不透明的或反射的。對(duì)于第一電極204是反射的并且由金屬構(gòu)成的情況而言,第一電極204能夠具有大于或等于大約40nm的層厚度、例如大于或等于大約50nm的層厚度。
[0079]第一電極204能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為空穴注入的電極,或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0080]第一電極204能夠具有第一電接口,第一電勢(shì)(由能量源(未不出)提供)(例如電流源或電壓源)能夠施加到所述第一電接口上。替選地,第一電勢(shì)能夠已施加或施加到襯底202上并且然后經(jīng)由此間接地已輸送或輸送給第一電極204。第一電勢(shì)例如能夠是接地電勢(shì)或者不同地預(yù)設(shè)的參考電勢(shì)。
[0081]此外,有機(jī)發(fā)光器件200能夠具有產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206,所述有機(jī)層結(jié)構(gòu)施加或已施加在半透明的第一電極204上或上方。
[0082]產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206能夠包含例如具有發(fā)突光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層208以及一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層210。替選地或附加地,在不同的實(shí)施例中,能夠設(shè)有電子傳導(dǎo)層(未不出)。
[0083]能夠使用在根據(jù)發(fā)射體層208的不同的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件中的發(fā)射體材料的示例包括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物,如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-對(duì)-亞苯基亞乙烯基);以及金屬絡(luò)合物,例如銥絡(luò)合物,如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic (雙(3,5-二氟-2- (2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-銥III)、發(fā)綠色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)_聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)、以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi (4, 4-雙[4-(二-對(duì)-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)綠色熒光的TTPA(9,10-雙[N,N-二-(對(duì)-甲苯基)-氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2 (4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發(fā)射體。這種非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍沉積。此外,能夠使用聚合物發(fā)射體,所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂來沉積。
[0084]發(fā)射體材料能夠以適合的方式嵌入到基體材料中。
[0085]需要指出的是,在另外的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適宜的發(fā)射體材料。[0086]有機(jī)發(fā)光器件200的發(fā)射體層208的發(fā)射體材料例如能夠選擇為,使得有機(jī)發(fā)光器件200發(fā)射白光。發(fā)射體層208能夠具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)的發(fā)射體材料,替選地發(fā)射體材料208也能夠由多個(gè)子層構(gòu)成,如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層208或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射體層208、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層208和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層208。通過不同顏色的混合,能夠得到具有白色的色彩印象的光的發(fā)射。替選地,也能夠提出,在通過所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料,所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射,并且發(fā)射其他波長(zhǎng)的次級(jí)輻射,使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過將初級(jí)輻射和次級(jí)輻射組合得到白色的色彩印象。
[0087]產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206通常能夠具有一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生光的層。一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生光的層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的、非聚合物的分子(“小分子(small molecules)")或上述材料的組合。例如,產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206能夠具有構(gòu)成為空穴傳輸層210的一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生光的層,使得例如在OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將空穴有效地注入到電致發(fā)光的層中或電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地,在不同的實(shí)施例中,有機(jī)的電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)功能層,所述功能層構(gòu)成為電子傳輸層206,使得例如在OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將電子有效地注入到電致發(fā)光的層中或電致發(fā)光的區(qū)域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層210的材料。在不同的實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生光的層能夠構(gòu)成為電致發(fā)光的層。
[0088]在不同的實(shí)施例中,空穴傳輸層210能夠施加、例如沉積在第一電極204上或上方,并且發(fā)射體層208能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層210上或上方。
[0089]在不同的實(shí)施例中,產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206(即例如空穴傳輸層210和發(fā)射體層208的厚度的總和)具有最大為大約1.5 μ m的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中,產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206例如能夠具有多個(gè)直接彼此相疊地設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆,其中每個(gè)OLED例如能夠具有最大為大約1.5 μ m的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中,產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206例如能夠具有三個(gè)或四個(gè)直接彼此相疊地設(shè)置的OLED的堆,在此情況下,產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206例如能夠具有最大為大約3 U m的層厚度。
[0090]有機(jī)發(fā)光器件200可選地通常能夠具有另外的有機(jī)功能層,其例如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層208上或其上方,所述有機(jī)功能層用于進(jìn)一步改進(jìn)有機(jī)發(fā)光器件200的功能性進(jìn)而進(jìn)一步改進(jìn)其效率。
[0091]在產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206上或上方或者在必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能層上或上方能夠施加有半透明的第二電極212 (例如呈第二電極層212形式)。
[0092]在不同的實(shí)施例中,半透明的第二電極212能夠具有與第一電極204相同的材料或者由其形成,其中在不同的實(shí)施例中金屬是尤其適宜的。
[0093]在不同的實(shí)施例中,半透明的第二電極212例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約45nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約40nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約35nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約30nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約25nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約20nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約15nm的層厚度的金屬、例如小于或等于大約IOnm的層厚度的金屬。
[0094]第二電極212通常能夠以與第一電極104類似或不同的方式構(gòu)成或已構(gòu)成。第二電極112在不同的實(shí)施例中能夠由一種或多種材料構(gòu)成并且具有相應(yīng)的層厚度(根據(jù)第二電極是否應(yīng)當(dāng)構(gòu)成為是反射的、半透明的或透明的),如這在上面結(jié)合第一電極104來描述。
[0095]在不同的實(shí)施例中,第二電極212 (也能夠稱作覆蓋接觸部212)構(gòu)成為是半透光的或半透明的。
[0096]第二電極212能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為空穴注入的電極,或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0097]在所述電極厚度的情況下,在下面還更詳細(xì)闡明的附加的微腔能夠與由一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生光的層結(jié)構(gòu)形成的微腔光學(xué)耦聯(lián)。
[0098]然而,在不同的實(shí)施例中,第二電極212能夠具有任意更大的層厚度,例如至少Iym的層厚度。
[0099]第二電極212能夠具有第二電接口,由能量源提供的第二電勢(shì)(與第一電勢(shì)不同)能夠施加到所述第二電接口上。第二電勢(shì)例如能夠具有下述數(shù)值:所述數(shù)值使得與第一電勢(shì)的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約5V至大約IOV范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0100]在第二電極212上或其上方能夠設(shè)有光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214。光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214能夠可選地具有附加的散射光的顆粒。
[0101]光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214原則上能夠由任意的材料已形成或者形成,例如介電材料,例如有機(jī)材料,所述有機(jī)材料例如形成有機(jī)基體。
[0102]在不同的實(shí)施例中,在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214上或其上方施加有鏡層結(jié)構(gòu)216。光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214和鏡層結(jié)構(gòu)216直觀地共同形成光學(xué)耦聯(lián)到發(fā)光器件200、例如OLED的電致發(fā)光的微腔上的(直觀地即外部的)光致發(fā)光的腔、例如微腔,其具有一種或多種光學(xué)活性的介質(zhì)。
[0103]在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214對(duì)于至少在380nm至780nm波長(zhǎng)范圍的局部范圍中的輻射而言是透明的或半透明的。
[0104]“外部的”漫射體腔的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214為此例如在該實(shí)施例中與OLED微腔的(半透明的或半透光的)第二電極212接觸。“外部的”腔不參與或僅不顯著地參與經(jīng)過有機(jī)發(fā)光構(gòu)件的電流運(yùn)輸,換言之,沒有或者只有可忽略的小的電流經(jīng)過“外部的”漫射體腔進(jìn)而經(jīng)過光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214和鏡層結(jié)構(gòu)216。
[0105]如上面已經(jīng)說明,“外部的”漫射體腔以及在此尤其是光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214在不同的實(shí)施例中能夠用適宜的有機(jī)基體“填充”或者由這樣的有機(jī)基體形成。“外部的”漫射體腔能夠具有兩個(gè)鏡或鏡層結(jié)構(gòu)216,所述兩個(gè)鏡或鏡層結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)是光學(xué)半透明的或半透光的。光學(xué)半透明的或半透光的鏡(或者光學(xué)半透明的或半透光的鏡層結(jié)構(gòu))能夠與OLED微腔的光學(xué)半透明的或半透光的第二電極212相同(所述實(shí)施例在附圖中示出;然而在替選的實(shí)施例中還能夠在第二電極212和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之間設(shè)有附加的光學(xué)半透明的或半透光的鏡層結(jié)構(gòu))。
[0106]在不同的實(shí)施例中,能夠?qū)⒌头肿佑袡C(jī)化合物(“小”分子、“small molecules”)設(shè)置作為有機(jī)基體的材料,如例如alpha-NPD或1-TNATA,所述有機(jī)化合物例如能夠借助于在真空中蒸鍍來施加。在替選的實(shí)施例中,有機(jī)基體能夠由聚合物材料形成或構(gòu)成,所述聚合物材料例如形成光學(xué)半透明的聚合物基體(環(huán)氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、PMMA、EVA、聚酯、聚氨酯等),所述聚合物基體能夠借助于濕法化學(xué)方法(例如旋涂或壓印)來施加。在不同的實(shí)施例中,例如能夠?yàn)橛袡C(jī)基體應(yīng)用每種有機(jī)材料,如所述有機(jī)材料能夠應(yīng)用在發(fā)射光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206中。此外,在替選的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214能夠具有無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料、例如SiN、SiO2, GaN等或由其形成,所述無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料例如借助于低溫沉積方法(例如從氣相)(即例如在小于或等于大約100°C的溫度的情況下)形成。在不同的實(shí)施例中,OLED功能層206、208、210和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214的折射率能夠盡可能地彼此匹配,其中光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214也能夠具有高折射率的聚合物,例如具有直至n=l.7折射率的聚酰胺或直至n=l.74折射率的聚氨酯。
[0107]在不同的實(shí)施例中,能夠在聚合物中設(shè)有添加劑。因此,高折射率的聚合物基體直觀地能夠通過將適宜的添加劑混入正常折射率的聚合物基體中來實(shí)現(xiàn)。適宜的添加劑例如為氧化鈦-或氧化鋯-納米顆?;?yàn)榫哂醒趸伝蜓趸喌幕衔铩?br>
[0108]在不同的實(shí)施例中,在半透明的第二電極212和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)216之間還能夠已施加或施加有電絕緣層,例如SiN,例如具有在大約30nm至大約1.5μπι范圍中的層厚度、例如具有在大約200nm至大約I μ m范圍中的層厚度,以便例如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)非穩(wěn)定的材料。
[0109]在不同的實(shí)施例中,可選地還能夠形成阻擋薄層/薄層封裝部。
[0110]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”在本申請(qǐng)的范圍中例如能夠理解為下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu),所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對(duì)于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對(duì)于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之,阻擋薄層構(gòu)成為,使得其不能夠或至多極其少的部分能夠被損壞OLED的物質(zhì)、例如水、氧氣或溶劑穿過。阻擋薄層的適宜的設(shè)計(jì)方案例如能夠在專利申請(qǐng)DE102009014543、DE102008031405、DE102008048472 和 DE2008019900 中得出。
[0111]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠構(gòu)成單獨(dú)的層(換言之,構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠具有多個(gè)彼此重疊構(gòu)成的子層。換言之,根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層或阻擋薄層的一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適宜的沉積方法來形成,例如借助于根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案的原子層沉積方法(Atomic layer Deposition (ALD))來形成、例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(PlasmaEnhanced Atomic layer Deposition(PEALD))或無(wú)等離子的原子層沉積方法(Plasma-lessAtomic layer Deposition (PLALD)),或借助于根據(jù)另一設(shè)計(jì)方案的化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Depostion (CVD))來形成,例如為等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion (PECVD))或無(wú)等離子的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Depostion (PLCVD)),或者替選地借助于另外適宜的沉積方法形成。
[0112]通過應(yīng)用原子層沉積(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地,能夠沉積層厚度位于原子層范圍內(nèi)的層。[0113]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,在具有多個(gè)子層的阻擋薄層中,能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也稱作“納米疊層(Nanolaminat)”。
[0114]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案,在具有多個(gè)子層的阻擋薄層中,能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層中的一個(gè)或多個(gè)子層,例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0115]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層能夠具有大約0.1nm (原子層)至大約IOOOnm的層厚度,例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約IOnm至大約IOOnm的層厚度、例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0116]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,其中阻擋薄層具有多個(gè)子層,全部子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層的各個(gè)子層能夠具有不同的層厚度。換言之,子層中的至少一層能夠具有不同于子層中的一個(gè)或多個(gè)其他的層的層厚度。
[0117]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層或阻擋薄層的各個(gè)子層能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的層。換言之,阻擋薄層(或阻擋薄層的各個(gè)子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合物)制成。
[0118]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案,阻擋薄層或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或多種或由下述材料中的一種或多種制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化銦錫、氧化銦鋅、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。
[0119]在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)216能夠具有在大約IOnm至大約200 μ m范圍中的層厚度、例如具有在大約IOOnm至大約IOOym范圍中的層厚度、例如具有在大約500nm至大約50 μ m范圍中的層厚度、具有例如在I μ m至25 μ m范圍中的層厚度。
[0120]在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214還能夠具有粘結(jié)劑或由其形成,其中粘結(jié)劑可選地還能夠包含附加的散射光的顆粒。在不同的實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214 (例如由粘結(jié)劑構(gòu)成的層)能夠具有大于Iym的層的厚度、例如若干μ m的層厚度。
[0121]在不同的實(shí)施例中,在第二電極212和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之間還能夠已施加或施加有電絕緣層,例如為SiN、例如具有在大約300nm至大約1.5 μ m范圍中的層厚度,例如具有在大約200nm至大約I μ m范圍中的層厚度,以便例如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)非穩(wěn)定的材料。
[0122]在不同的實(shí)施例中還在前段制程工藝中形成“外部的”漫射體腔的這種設(shè)置方式相對(duì)于借助于后段制程工藝在外部施加在本身已制成的有機(jī)發(fā)光構(gòu)件上的腔能夠具有的可能的優(yōu)點(diǎn)是:光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214強(qiáng)烈地光耦合到OLED底部接觸部(例如第一電極204)中的或OLED覆蓋接觸部(例如第二電極212)中的等離子體激元上。
[0123]在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216(或者必要時(shí)能夠在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之下設(shè)置在第二電極212上或之上的鏡層結(jié)構(gòu))對(duì)于期望的透射率高的情況而言能夠具有一個(gè)或多個(gè)薄的金屬薄膜(例如Ag、Mg、Sm、Ca、以及所述材料的合金和多重層)。所述一個(gè)或多個(gè)金屬薄膜能夠(分別)具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約IOnm的層厚度。[0124]對(duì)于這種情況能夠?yàn)殓R層結(jié)構(gòu)216 (或者必要時(shí)能夠在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之下設(shè)置在第二電極212上或之上的鏡層結(jié)構(gòu))應(yīng)用如上面針對(duì)第二電極212所詳述的所有材料。因此,例如也能夠設(shè)有如ITO、IZO或AZO的摻雜的金屬氧化物的化合物,所述化合物能夠借助于低損害的沉積工藝來沉積,例如借助于“面IE ?賤射(f ac i a I targetsputtering)”來沉積。要注意的是,在應(yīng)用摻雜的金屬氧化物的化合物時(shí)能夠不同地選擇層厚度。
[0125]在不同的實(shí)施例中,根據(jù)有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200是否構(gòu)成為頂部發(fā)射體和/或底部發(fā)射體,鏡層結(jié)構(gòu)216 (或者必要時(shí)能夠在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之下設(shè)置在第二電極212上或之上的鏡層結(jié)構(gòu))能夠是反射的或半透明的或透明的或半透光的。材料能夠選自如在上面針對(duì)第一電極所詳述的材料。根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管200的期望的構(gòu)造,層厚度也能夠在如其針對(duì)第一電極在上面描述的范圍中來選擇。替選地或附加地,鏡層結(jié)構(gòu)216(或者必要時(shí)能夠在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之下設(shè)置在第二電極212上或之上的鏡層結(jié)構(gòu))能夠具有一個(gè)或多個(gè)介電鏡。
[0126]鏡層結(jié)構(gòu)216能夠由與第一電極212相同的材料形成,其中層厚度能夠選擇成,使得對(duì)于有機(jī)發(fā)光器件200設(shè)立為頂部發(fā)射體的情況而言,鏡層結(jié)構(gòu)216例如能夠具有層厚度小于或等于大約25nm的金屬、例如層厚度小于或等于大約20nm的金屬、例如層厚度小于或等于大約18nm的金屬。在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216能夠具有層厚度在大約IOnm至大約25nm范圍內(nèi)的金屬、例如具有層厚度在大約IOnm至大約18nm范圍內(nèi)的金屬、例如具有層厚度在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的金屬。
[0127]對(duì)于有機(jī)發(fā)光 器件200設(shè)立為底部發(fā)射體的情況而言,因此,鏡層結(jié)構(gòu)216例如能夠設(shè)立為是具有大于或等于大約40nm層厚度的金屬、例如大于或等于大約50nm層厚度的金屬。
[0128]鏡層結(jié)構(gòu)216能夠具有一個(gè)或多個(gè)鏡。如果鏡層結(jié)構(gòu)216具有多個(gè)鏡,那么相應(yīng)的鏡借助于相應(yīng)的介電層來彼此分開。
[0129]此外,在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216能夠具有一個(gè)或多個(gè)(薄的)介電鏡,所述介電鏡能夠形成層堆。具有一個(gè)或多個(gè)(薄的)介電鏡的鏡層結(jié)構(gòu)216能夠形成為或已形成使得在分界面上發(fā)生反射,例如發(fā)生連貫的多重反射。以該方式,能夠極其簡(jiǎn)單地調(diào)節(jié)鏡層結(jié)構(gòu)216的透射或反射。介電鏡能夠具有下述材料中的一種或多種:例如氟化物(MgF2、CeF3' NaF、LiF、CaF2' Na3> AlF6' AlF3' ThF4);氧化物(A1203、Ti02、Si02、Zr02、Hf02, MgO,Y203、La203、Ce02、Zn0);硫化物(ZnS、CdS);以及化合物,如ZnSe、ZnSe。在不同的實(shí)施例中,能夠?yàn)榻殡姳隅R設(shè)有任意多的薄層(以唯一的層開始)構(gòu)成的層序列,所述薄層以交替的折射率(高-低-高-低)施加。由此,能夠?qū)崿F(xiàn)在可見光譜范圍中的高的反射率。
[0130]在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216在鏡層結(jié)構(gòu)216的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214上具有散射光的結(jié)構(gòu)218。
[0131]因此,散射光的結(jié)構(gòu)218直觀地設(shè)置在鏡層結(jié)構(gòu)216和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214之間的界面處。散射光的結(jié)構(gòu)218設(shè)立為,使得改進(jìn)從有機(jī)發(fā)光器件200中的光稱合輸出。
[0132]散射光的結(jié)構(gòu)218能夠在不同的實(shí)施例中具有不同的設(shè)計(jì)方案。因此,散射光的結(jié)構(gòu)218例如能夠通過對(duì)朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214的表面上的鏡層結(jié)構(gòu)216進(jìn)行結(jié)構(gòu)化、例如粗化來形成或已形成。替選地或附加地,散射光的結(jié)構(gòu)218能夠由附加設(shè)置的粗化的金屬薄膜(例如具有粗化的金屬表面的壓印的金屬鏡)形成或已形成。此外,替選地或附加地,散射光的結(jié)構(gòu)218能夠由(例如由微透鏡形成的)透鏡結(jié)構(gòu)形成,在所述透鏡結(jié)構(gòu)上施加有剩余的鏡結(jié)構(gòu)、例如金屬鏡。在該情況下,能夠?qū)⒗缤哥R結(jié)構(gòu)或例如金屬鏡蒸鍍到光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214的空出的表面上。
[0133]在不同的實(shí)施例中,散射光的結(jié)構(gòu)218因此能夠具有散射光的表面結(jié)構(gòu)。散射光的結(jié)構(gòu)218 (例如鏡層結(jié)構(gòu)216的表面)能夠設(shè)立為,使得散射光份額大于或等于20%。換言之其能夠具有至少20%的光學(xué)濁度。
[0134]此外,有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200還能夠具有例如能夠在后段制程工藝的范圍中施加的封裝層,其中需要指出的是,在不同的實(shí)施例中,還在前段制程工藝的情況下形成外部的腔。
[0135]有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200能夠構(gòu)成為底部發(fā)射體或構(gòu)成為頂部發(fā)射體或者已構(gòu)成或構(gòu)成為頂部和底部發(fā)射體。
[0136]此外,在鏡層結(jié)構(gòu)216上或其上方可選地能夠施加或已施加有覆蓋層220、例如玻璃 220。
[0137]圖3示出作為根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管300。
[0138]根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300在多個(gè)方面中與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200相同,因此下面僅更詳細(xì)闡明根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200的區(qū)別;關(guān)于根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300的剩余的元件參考根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200的上述實(shí)施方案。
[0139]與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管200不同的是,在根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300中,不在第二電極212上或其上方、而是在第一電極204之下形成具有散射光的結(jié)構(gòu)304的鏡層結(jié)構(gòu)302和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)。
[0140]在所述實(shí)施例中,能量源聯(lián)接到第一電極204的第一電接口處并且連接到第二電極212的第二電接口處。
[0141]根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300能夠構(gòu)成為底部發(fā)射體或構(gòu)成為頂部發(fā)射體或者已構(gòu)成或構(gòu)成為頂部和底部發(fā)射體。
[0142]在不同的實(shí)施例中,設(shè)有散射光的結(jié)構(gòu)304的鏡層結(jié)構(gòu)302用作為襯底(在不同的替選的實(shí)施例中也能夠附加地設(shè)有襯底,在所述襯底上能夠施加有鏡層結(jié)構(gòu)302)。根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管300的鏡層結(jié)構(gòu)302的散射光的結(jié)構(gòu)304和鏡層結(jié)構(gòu)302能夠以與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200的設(shè)有散射光的結(jié)構(gòu)218的鏡層結(jié)構(gòu)216相同的方式構(gòu)成。
[0143]因此,直觀地,在所述實(shí)施例中,光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)306 (所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)能夠與根據(jù)圖2的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214相同地構(gòu)成)設(shè)置在鏡層結(jié)構(gòu)302上或其上方,其中散射光的結(jié)構(gòu)304設(shè)置在鏡層結(jié)構(gòu)302和光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)306的界面處。因此直觀地,“外部的腔”設(shè)置在第一電極212之下。在光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)306上或其上方設(shè)置有第一電極212。
[0144]根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光器件300的剩余的層堆類似于根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光器件200。
[0145]換言之,具有例如一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層208和一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層210的產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206設(shè)置在第一電極204上或其上方。第二電極212設(shè)置在產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)206上或其上方并且必要時(shí)將覆蓋層220、例如玻璃220設(shè)置在第二電極212上或其上方。
[0146]圖4A至圖4F示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的不同時(shí)間點(diǎn)處的根據(jù)不同的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件。以相應(yīng)的方式制造另外的有機(jī)發(fā)光器件300。
[0147]圖4A示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第一時(shí)間點(diǎn)400處的有機(jī)發(fā)光器件100。
[0148]在該時(shí)間點(diǎn)處,將第一電極204施加到、例如沉積到襯底202上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition 化學(xué)氣相沉積法)或借助于 PVD 法(physical vapordeposition物理氣相沉積法PVD,例如派射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂。
[0149]在不同的實(shí)施例中,等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(plasma enhancedchemicalvapor deposition, PE-CVD)能夠用作CVD法。在此,在上面應(yīng)施加要施加的層的元件上方和/或周圍,在一定體積中能夠產(chǎn)生等離子,其中將至少兩種氣相的初始化合物輸送給所述體積,所述初始化合物在等離子中離子化并且進(jìn)行誘導(dǎo)以用于相互反應(yīng)。通過產(chǎn)生等離子能夠?qū)崿F(xiàn)的是,與無(wú)等離子的CVD法相比能夠降低元件表面所要加熱到的溫度,以便能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)生例如介電層。例如,當(dāng)元件、例如待形成的發(fā)射光的電子器件在溫度高于最高溫度的情況下被損害時(shí),上述方式能夠是有利的。在根據(jù)不同實(shí)施例的待形成的發(fā)射光的電子器件中,最大溫度例如能夠大約是120°C,使得例如施加介電層的溫度能夠小于或等于120°C,并且例如小于或等于80°C。
[0150]圖4B示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第二時(shí)間點(diǎn)402處的有機(jī)發(fā)光器件。
[0151]在該時(shí)間點(diǎn)處,將一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層210施加、例如沉積到第一電極204上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化學(xué)氣相沉積法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理氣相沉積法PVD,例如派射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂。
[0152]圖4C示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第三時(shí)間點(diǎn)404處的有機(jī)發(fā)光器件。
[0153]在該時(shí)間點(diǎn)處,將一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層208施加、例如沉積到一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層210上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化學(xué)氣相沉積法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理氣相沉積法PVD,例如派射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂。
[0154]圖4D示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第四時(shí)間點(diǎn)406處的有機(jī)發(fā)光器件。
[0155]在該時(shí)間點(diǎn)處,將第二電極212施加、例如沉積到一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能層(如果存在的話)上或者施加到一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層208上,例如借助于CVD法(chemicalvapor deposition 化學(xué)氣相沉積法)或借助于 PVD 法(physical vapor deposition 物理氣相沉積法PVD,例如濺射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂。
[0156]圖4E示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第五時(shí)間點(diǎn)408處的有機(jī)發(fā)光器件。
[0157]在該時(shí)間點(diǎn)處,將光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214施加到、例如沉積到第二電極212上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化學(xué)氣相沉積法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理氣相沉積法PVD,例如派射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂。[0158]圖4F示出在有機(jī)發(fā)光器件制造期間的第六時(shí)間點(diǎn)410處的有機(jī)發(fā)光器件。
[0159]在該時(shí)間點(diǎn)處,將具有朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214定向的粗化的或結(jié)構(gòu)化的表面(通常具有散射光的結(jié)構(gòu)218)的鏡層結(jié)構(gòu)216施加到光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214上,根據(jù)散射光的結(jié)構(gòu)218的類型例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化學(xué)氣相沉積法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理氣相沉積法PVD,例如派射、離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍法);替選地借助于電鍍法;浸潰沉積法、旋涂法(spin coating);印刷;刮涂或噴涂來施加。
[0160]然后還可選地施加覆蓋層220,由此制成根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光器件200。
[0161]圖5示出流程圖,其中示出用于制造根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的方法。
[0162]在不同的實(shí)施例中,在502中例如在襯底上或其上方形成第一電極。此外,在504中,在第一電極上或其上方形成產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu),并且在506中在產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)上或其上方形成第二電極。此外,在508中,在第二電極上或其上方形成光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)。最后,在不同的實(shí)施例中,在510中在光學(xué)半透明的層上或上方形成鏡層結(jié)構(gòu),其中,鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。
[0163]圖6示出流程圖,其中示出用于制造根據(jù)不同實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的方法。
[0164]在不同的實(shí)施例中,在602中形成鏡層結(jié)構(gòu)并且在604中在鏡層結(jié)構(gòu)上或其上方形成第一電極。此外,在606中,在第一電極上或其上方形成產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu),并且在608中在產(chǎn)生光的有機(jī)層結(jié)構(gòu)上或其上方形成第二電極。在610中,在第二電極上或其上方形成光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)。鏡層結(jié)構(gòu)在鏡層結(jié)構(gòu)的位于朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)。
[0165]在不同的實(shí)施例中,在設(shè)計(jì)例如有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的有機(jī)發(fā)光器件時(shí),覆蓋接觸部、例如第二電極214能夠構(gòu)造為是半透光的,因此由有機(jī)發(fā)光器件、例如有機(jī)發(fā)光二級(jí)管產(chǎn)生的光的一部分也能夠朝向后側(cè)耦合輸出。當(dāng)在該頂部接觸部后方施加或設(shè)置有結(jié)構(gòu)化的鏡(例如Alanod公司的MIRO系列鏡)時(shí),在所述鏡上改變光的路程,這改進(jìn)光的耦合輸出和發(fā)射顏色的視角相關(guān)性。
[0166]結(jié)構(gòu)化的鏡能夠如上面描述那樣借助于粘結(jié)劑(作為粘結(jié)材料的實(shí)施方案)施加到例如薄膜封裝的半透明的覆蓋接觸部上。粘結(jié)劑材料(其能夠具有若干Pm的層厚度并且直觀地形成“外部的”腔的部件、即光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu))能夠附加地具有散射光的顆粒(例如具有Al2O3和/或TiO2或由其構(gòu)成)。散射光的顆粒能夠是已覆層的或是未覆層的。借助于散射光的顆粒還能夠增強(qiáng)散射光的結(jié)構(gòu)的光偏轉(zhuǎn)效果。例如粘結(jié)材料的折射系數(shù)越高,該效果就越好(例如直至大約n=l.8的折射率)。對(duì)于具有盡可能高透射率的半透明的覆蓋接觸部而言,能夠應(yīng)用薄的金屬薄膜(例如由上述材料中的一種構(gòu)成、例如由Ag、Mg、Sm、Au、Ca以及由所述材料構(gòu)成的多個(gè)這樣的層構(gòu)成,和/或由所述材料的一種或多種合金構(gòu)成,其中所述層形成層堆,)。此外,在不同的實(shí)施例中,能夠設(shè)有摻雜的金屬氧化物的化合物、例如ITO、IZO或AZO或者一種或多種薄的金屬層和摻雜的金屬氧化物的化合物(例如ITO層和Ag層)的組合,例如結(jié)合低損害的沉積工藝、例如面靶濺射(FTS)。
[0167]在不同的實(shí)施例中,鏡、通常例如鏡層結(jié)構(gòu)216能夠具有盡可能高的總反射率并且能夠由不同的材料、例如不同的金屬(鋁、銀、金等)或其合金(例如Mg:Ag、Ca:Ag等)形成。在不同的實(shí)施例中,鏡或鏡層結(jié)構(gòu)216的總反射率能夠借助于附加設(shè)置的一個(gè)或多個(gè)介電層來進(jìn)一步地提高。
[0168]在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216的或散射光的結(jié)構(gòu)218的表面結(jié)構(gòu)(朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214)具有隨機(jī)的結(jié)構(gòu)化部進(jìn)而具有隨機(jī)的特性。替選地或附加地,鏡層結(jié)構(gòu)216的或散射光的結(jié)構(gòu)218的表面結(jié)構(gòu)(朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214)具有一個(gè)或多個(gè)周期結(jié)構(gòu)。鏡層結(jié)構(gòu)216的或散射光的結(jié)構(gòu)218的(朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214的)表面結(jié)構(gòu)的粗糙度能夠在不同的實(shí)施例中位于微米范圍中。此外,在不同的實(shí)施例中,鏡層結(jié)構(gòu)216的或散射光的結(jié)構(gòu)218的(朝向光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)214的)表面結(jié)構(gòu)能夠具有拋物線結(jié)構(gòu),所述拋物線結(jié)構(gòu)能夠趨向于向前偏轉(zhuǎn)光進(jìn)而也能夠影響例如有機(jī)發(fā)光二極管的放射輪廓。
[0169]在不同的實(shí)施例中,金屬鏡既能夠沉積在玻璃板上也能夠完全由金屬制成,例如以一個(gè)或多個(gè)金屬帶或一個(gè)或多個(gè)金屬板的形式制成。此外,通過應(yīng)用一個(gè)或多個(gè)金屬帶和/或一個(gè)或多個(gè)金屬板能夠?qū)崿F(xiàn)OLED片(OLED-Kachel)上的熱分布的改進(jìn),所述改進(jìn)能夠?qū)\(yùn)行壽命起到正面的影響。
[0170]在不同的實(shí)施例中還能夠提出,反向地沉積有機(jī)發(fā)光器件200的在圖2中示出的結(jié)構(gòu),由此形成有機(jī)發(fā)光器件300的在圖32中示出的結(jié)構(gòu)。在此,例如結(jié)構(gòu)化的鏡用作為襯底并且借助具有盡可能高折射率的層來平坦化。在此基礎(chǔ)上例如能夠沉積底部接觸部、例如由上述材料形成的第一電極204。覆蓋接觸部、即例如第二電極212能夠在這種情況下同樣已構(gòu)成或構(gòu)成為是半透光的。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光器件(200),具有: ?第一電極(204); ?在所述第一電極(204)上或其上方的產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206); ?在所述產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206)上或其上方的半透明的第二電極(212); ?在所述第二電極(212)上或其上方的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214);以及 ?在所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214)上或其上方的鏡層結(jié)構(gòu)(216), 其中,所述鏡層結(jié)構(gòu)(216)在所述鏡層結(jié)構(gòu)(216)的位于朝向所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)(218 )。
2.一種有機(jī)發(fā)光器件(300),具有: ?鏡層結(jié)構(gòu)(302); ?在所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)上或其上方的光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306); ?在所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306)上或其上方的半透明的第一電極(204); ?在所述第一電極(204)上或其上方的產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206);以及 ?在所述產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206)上或其上方的第二電極(212), ?其中,所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)在所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)的位于朝向所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)(304)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214,306)和所述鏡層結(jié)構(gòu)(216,302)形成漫射體腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214,306)具有至少Iym的層厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304)具有散射光的表面結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304)設(shè)立為,使得散射光份額大于或等于20%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304)具有帶有粗化的金屬表面的金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304)具有一個(gè)或多個(gè)微透鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300), ?其中所述鏡層結(jié)構(gòu)(216,302)具有金屬鏡結(jié)構(gòu); ?其中多個(gè)微透鏡中的一個(gè)或多個(gè)被設(shè)置在所述金屬鏡結(jié)構(gòu)上或其上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200, 300 ),其中所述鏡層結(jié)構(gòu)(216,302 )具有帶有散射中心的介電的鏡結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200, 300 ),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304 )具有一個(gè)或多個(gè)周期結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200, 300),其中所述散射光的結(jié)構(gòu)(218,304)具有至少1*10_3W/K的橫向?qū)嶂怠?br>
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214,306)具有一種粘結(jié)劑或多種粘結(jié)劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光器件(200,300),其中所述一種粘結(jié)劑或所述多種粘結(jié)劑具有散射光的顆粒。
15.一種用于制造有機(jī)發(fā)光器件(200)的方法(500),所述方法(500)包括: ?形成(502)第一電極(204); ?在所述第一電極(204)上或其上方形成(504)產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206); ?在所述產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206)上或其上方形成(506)半透明的第二電極(212); ?在所述第二電極(212)上或其上方形成(508)光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214);以及 ?在所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214)上或其上方形成(510)鏡層結(jié)構(gòu)(216), 其中所述鏡層結(jié)構(gòu)(216)在所述鏡層結(jié)構(gòu)(216)的位于朝向所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(214)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)(218)。
16.一種用于制造有機(jī)發(fā)光器件(300)的方法(600),所述方法(600)包括: ?形成(602)鏡層結(jié)構(gòu)(302); ?在所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)上或其上方形成(604)光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306); ?在所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306)上或其上方形成(606)半透明的第一電極(204); ?在所述第一電極(204)上或其上方形成(608)產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206);以及 ?在所述產(chǎn)生光的有機(jī)的層結(jié)構(gòu)(206)上或其上方形成(610)第二電極(612), ?其中,所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)在所述鏡層結(jié)構(gòu)(302)的位于朝向所述光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)(306)的那一側(cè)上具有散射光的結(jié)構(gòu)(304)。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103650196SQ201280034779
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月12日
【發(fā)明者】托馬斯·多貝廷, 埃爾溫·蘭, 蒂洛·羅伊施, 丹尼爾·斯特芬·塞茨 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司