專利名稱：一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
芯片封裝產(chǎn)品中，T0-264產(chǎn)品是專門用來放大電流的大體積晶體管，其輸出電流可達100安培，封裝業(yè)內(nèi)廣泛采用場應(yīng)晶體管(Power M0SFET)、雙極型功率晶體管(Bipolar Power Transistor)、絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor簡稱IGBT)進行芯片封裝，它們的特點是大電流、低功耗、電壓和電流范圍寬，產(chǎn)品主要用于功率轉(zhuǎn)換、功率放大、開關(guān)電源、電流控制、電壓控制、整流等基板中，并廣泛應(yīng)用于自動化控制、汽車電子、電動公交、高速鐵路等領(lǐng)域。同時由于人們對它的高度依賴，對其產(chǎn)品的質(zhì)量也提出了更高的要求。然而，在其封裝過程中，位于芯片上方的散熱片由于無定位結(jié)構(gòu)而經(jīng)常發(fā)生偏位，散熱片與芯片管腳的相對位置難以做到完全對稱，影響了最終產(chǎn)品的質(zhì)量，使產(chǎn)品的使用功能受到限制。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的芯片封裝過程中散熱片偏位問題，提供一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)。為此，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、塑封體、芯片管腳及散熱片，所述散熱片的兩側(cè)開設(shè)有定位缺口。所述塑封體相對散熱片兩側(cè)的位置開設(shè)有定位孔，所述定位孔與定位缺口相對應(yīng)。所述定位孔為錐形孔。本實用新型的有益效果在于封裝過程中封裝模具可通過加載定位針并與散熱片上的定位缺口相配合以此對散熱片進行定位、校正，保證散熱片與芯片管腳完全對稱，避免散熱片偏移造成的短路或散熱片側(cè)邊外露等問題，從而保證了封裝良品率，最終提高了產(chǎn)
品質(zhì)量。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I沿A-A線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型的封裝示意圖。
具體實施方式
[0013]如圖I和2所示，一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片I、塑封體2、芯片管腳3及散熱片4，其中，散熱片4的兩側(cè)開設(shè)有定位缺口 6，塑封體2相對散熱片4兩側(cè)的位置開設(shè)有定位孔5,定位孔5與定位缺口 6 相對應(yīng)；定位孔5優(yōu)選為錐形孔。如圖3所示，封裝過程中，模具7上的定位針8的錐形面先與散熱片4上的定位缺口 6接觸，對散熱片4進行定位導(dǎo)向。當散熱片4封裝位置確定后，定位針8的根部覆壓于散熱片4上，確保散熱片4不發(fā)生移位，然后開始塑封成型，成形后的塑封體2表面形成定位孔5,定位缺口 6和定位孔5可在產(chǎn)品裝于基板時起到良好的定位作用。
權(quán)利要求1.一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片(I)、塑封體(2)、芯片管腳(3)及散熱片(4)，其特征在于，所述散熱片(4)的兩側(cè)開設(shè)有定位缺口(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封體(2)相對散熱片(4)兩側(cè)的位置開設(shè)有定位孔(5)，所述定位孔(5)與定位缺口(6)相對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述定位孔(5)為錐形孔。
專利摘要本實用新型涉及一種可實現(xiàn)散熱片定位的芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、塑封體、芯片管腳及散熱片，所述散熱片的兩側(cè)開設(shè)有定位缺口；所述塑封體相對散熱片兩側(cè)的位置開設(shè)有定位孔，所述定位孔與定位缺口相對應(yīng)。封裝過程中封裝模具可通過加載定位針與散熱片上的定位缺口相配合以此對散熱片進行定位、校正，保證散熱片與芯片管腳完全對稱，避免散熱片偏移造成的短路或散熱片側(cè)邊外露等問題，從而保證了封裝良品率，最終提高了封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。
文檔編號H01L23/367GK202796909SQ201220490640
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者李明奐 申請人:天水華天微電子股份有限公司