專(zhuān)利名稱(chēng)：電子元件基片電極燒滲夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電子元件基片電極燒滲夾具。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，由于NTC熱敏芯片作為核心部件，采取不同封裝形式構(gòu)成的熱敏電阻和溫度傳感器廣泛應(yīng)用于各種溫度探測(cè)、溫度補(bǔ)償、溫度控制電路，其在電路中起到將溫度的變量轉(zhuǎn)化成所需的電子信號(hào)的核心作用。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，各種電子進(jìn)一步多功能化和智能化，NTC熱敏芯片在各種需 要對(duì)溫度進(jìn)行探測(cè)、控制、補(bǔ)償?shù)葓?chǎng)合的應(yīng)用日益增加。由于探測(cè)溫度的靈敏性要求，對(duì)NTC熱敏芯片的可靠性和性能精度提出了越來(lái)越高的要求，而基片電極燒滲作為NTC熱敏電阻的電極燒滲，這便要求NTC熱敏電阻必須匹配好的基片電極燒滲夾具。目前NTC熱敏電阻采取的電極燒滲方法是(I)如圖1所示，將基片電極燒滲夾具I’(不銹鋼鎳網(wǎng))清潔干凈；(2)將待燒電子元件基片2’平躺擺放在基片電極燒滲夾具I’中；(3)將已放置好電子元件基片2’的基片電極燒滲夾具I’ 一起放入燒結(jié)爐中燒結(jié)(如圖2所示)。上述燒滲后的電極燒滲基片2’存在以下質(zhì)量等問(wèn)題(I)電極燒滲后電子元件基片2’表面凹凸不平及存在一些刮傷痕跡，降低了銀電極和瓷體之間的拉力；(2)電子元件基片2’劃片后芯片產(chǎn)品±1%的合格率較低。(3)上述制作方法每次燒滲的電子元件基片2’數(shù)量有限，生產(chǎn)效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，公開(kāi)了一種電子元件基片電極燒滲夾具，該夾具在大批量生產(chǎn)工藝中應(yīng)用非常靈活，生產(chǎn)效率高，還能滿(mǎn)足不同種厚度基片的電極燒滲需求，此外，能確保電極燒滲后基片表面平整光潔，沒(méi)有凹凸不平現(xiàn)象以及沒(méi)有任何刮傷痕跡，大大的提高了銀電極和瓷體之間的拉力，使基片劃片后芯片產(chǎn)品±1%合格率達(dá)到 85%。為了克服上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型是按以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型所述的電子元件基片電極燒滲夾具，包括上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)，以及用于連接上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)的連接柱，所述上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)上均對(duì)應(yīng)若干設(shè)有供電子元件基片插入的插入槽。作為上述技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)均為圓盤(pán)形結(jié)構(gòu)，所述下支撐盤(pán)的直徑大于上支撐盤(pán)。[0017]在本實(shí)用新型中，所述上支撐盤(pán)的插入槽和下支撐盤(pán)的插入槽均對(duì)應(yīng)的設(shè)置于圓盤(pán)的邊緣，且以圓形為中心成圓形陣列排布。[0018]在本實(shí)用新型中，相鄰的兩插入槽之間的間距范圍是為O. 8 1. 50mm，插入槽槽寬范圍是O. 008 O. 015mm，插入槽槽寬最好是O. 01mm。[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是[0020](I)通過(guò)本實(shí)用新型的電子元件基片電極燒滲夾具，使得電極燒滲后的基片表面平整光潔沒(méi)有凹凸不平的現(xiàn)象；[0021](2)提聞基片劃成小芯片后的合格率；[0022](3)提高銀層(電極)和瓷體的拉力；[0023](4)提高芯片的性能可靠性；[0024](5)大批量生產(chǎn)工藝中應(yīng)用非常靈活，此夾具多種厚度不同基片都可以用其電極燒滲。


[0025]
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)的說(shuō)明[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中基片電極燒滲夾具結(jié)構(gòu)示意圖；[0027]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中將電子元件基片置于夾具中進(jìn)行燒滲的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型所述的電子元件基片電極燒滲夾具結(jié)構(gòu)示意圖；[0029]圖4是將電子元件基片置于本實(shí)用新型的夾具中進(jìn)行燒滲的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0030]如圖3、圖4所示，本實(shí)用新型所述的電子元件基片電極燒滲夾具I，包括上支撐盤(pán) 11和下支撐盤(pán)12，以及用于連接上支撐盤(pán)11和下支撐盤(pán)12的連接柱13，所述上支撐盤(pán)11 和下支撐盤(pán)12上均對(duì)應(yīng)若干設(shè)有供電子元件基片插入的插入槽111、121。[0031]如圖1可知，所述上支撐盤(pán)11和下支撐盤(pán)12均為圓盤(pán)形結(jié)構(gòu)，且所述下支撐盤(pán)12 的直徑大于上支撐盤(pán)11。[0032]此外，所述上支撐盤(pán)11的插入槽111和下支撐盤(pán)12的插入槽121均對(duì)應(yīng)的設(shè)置于圓盤(pán)的邊緣，且以圓形為中心成圓形陣列排布，且相鄰的兩插入槽111或121)之間的間距范圍是為1. 0mm，插入槽111、121的槽寬是O. 015mm。[0033]采用本實(shí)用新型電子元件基片電極燒滲夾具的制造工藝具體過(guò)程為[0034](I)電子元件基片電極燒滲夾具I的擺放將加工好的電子元件基片電極燒滲夾具I放入燒銀缽3的正中間；[0035](2)將待燒滲的電子元件基片2 (即基片)整齊插放在對(duì)應(yīng)的插入槽111、121中， 上下槽必須一一對(duì)應(yīng)放置，不允許錯(cuò)位。[0036]以下通過(guò)具體實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行說(shuō)明，使用本實(shí)用新型的電子元件基片電極燒滲夾具與現(xiàn)有夾具的區(qū)別[0037]使用現(xiàn)有技術(shù)的電子元件基片電極燒滲夾具燒滲出的的10ΚΩ-3435Β的產(chǎn)品合格率:±1%:35%[0038]
權(quán)利要求1.電子元件基片電極燒滲夾具，其特征在于包括上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)，以及用于連接上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)的連接柱，所述上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)上均對(duì)應(yīng)若干設(shè)有供電子元件基片插入的插入槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件基片電極燒滲夾具，其特征在于所述上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)均為圓盤(pán)形結(jié)構(gòu)，所述下支撐盤(pán)的直徑大于上支撐盤(pán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件基片電極燒滲夾具，其特征在于所述上支撐盤(pán)的插入槽和下支撐盤(pán)的插入槽均對(duì)應(yīng)的設(shè)置于圓盤(pán)的邊緣，且以圓形為中心成圓形陣列排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件基片電極燒滲夾具，其特征在于相鄰的兩插入槽之間的間距范圍是為O. 8 1. 50mm，插入槽槽寬是O. 01mm。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型屬于電子元件制造技術(shù)領(lǐng)域。具體公開(kāi)一種電子元件基片電極燒滲夾具，包括上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)，以及用于連接上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)的連接柱，所述上支撐盤(pán)和下支撐盤(pán)上均對(duì)應(yīng)若干設(shè)有供電子元件基片插入的插入槽。該夾具在大批量生產(chǎn)工藝中應(yīng)用非常靈活，生產(chǎn)效率高，還能滿(mǎn)足不同種厚度基片的電極燒滲需求，此外，能確保電極燒滲后基片表面平整光潔，沒(méi)有凹凸不平現(xiàn)象以及沒(méi)有任何刮傷痕跡，大大地提高了銀電極和瓷體之間的拉力，使基片劃片后芯片產(chǎn)品±1%合格率達(dá)到85%。
文檔編號(hào)H01C7/04GK202855462SQ20122037004
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者陳劉鑫, 段兆祥, 楊俊 , 柏琪星, 唐黎民 申請(qǐng)人:肇慶愛(ài)晟電子科技有限公司