專利名稱：共晶機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
共晶機
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種共晶機。
背景技木在現(xiàn)有技術(shù)中，LED芯片一般通過共晶的方式固定于基板上，使用共晶方式固定主要有兩種方法，采用第一種方法吋，首先在基板上點上膏狀共晶焊料，再把LED芯片放置在基板的對應(yīng)位置上，然后加溫基板，焊料溶解后即可將LED芯片焊接于基板上；共晶的另一種焊接方法是把基板加溫到固態(tài)焊料的溶點，然后在基板上溶上焊料，最后將LED芯片放 在基板上焊接；此外，還有少數(shù)情況下把共晶焊料預(yù)先鍍在芯片上，然后直接把整個芯片加溫至焊料溶點后放置在基板上。以上現(xiàn)有共晶技術(shù)均無法控制共晶材料的流動性及共晶層空洞的比率，從而影響
產(chǎn)品質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中無法控制共晶材料的流動性及共晶層空洞比率偏高之不足，提出的ー種新型共晶機。本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的所述共晶機包括進料裝置、傳送裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置；所述預(yù)加熱裝置及所述加熱裝置設(shè)置于所述進料裝置與所述出料裝置之間，所述進料裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置通過所述傳送裝置相連接；所述加熱裝置上還設(shè)有一真空密封裝置，所述傳送裝置上設(shè)有固定裝置。進ー步地，所述真空密封裝置包括上密封盒、下密封盒、進氣嘴及出氣嘴。進ー步地，所述進料裝置為ー進料盒，所述收料裝置為ー收料盒；所述傳送裝置為一傳送軌。進ー步地,所述固定裝置為ー壓板。進ー步地，所述預(yù)加熱裝置及所述加熱裝置為均板狀加熱塊。本實用新型的有益效果在于解決了共晶過程中焊料層因氣泡而引起的空洞問題，有效增進共晶焊料的流淌。從而保證了 LED芯片的可靠性，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

圖I為本實用新型分解結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標記1、進料盒；2、收料盒；3、傳送軌；4、真空裝置；5、壓板；6、預(yù)加熱裝置；
7、加熱裝置；401、上密封盒；402、下密封盒；403、進氣嘴；404、出氣嘴；
具體實施方式[0015]
以下結(jié)合附圖及具體實施方式
對本實用新型做進ー步描述如圖I及圖2所示，所述共晶機包括進料裝置、傳送裝置、預(yù)加熱裝置6、加熱裝置7及收料裝置；所述預(yù)加熱裝置6及所述加熱裝置7設(shè)置于所述進料裝置與所述出料裝置之間，所述進料裝置、預(yù)加熱裝置6、加熱裝置7及收料裝置通過所述傳送裝置相連接；所述加熱裝置7上還設(shè)有一真空密封裝置，所述傳送裝置上設(shè)有固定裝置。通過真空裝置4使焊接環(huán)境維持在真空狀態(tài)，從而解決了共晶過程中焊料層因氣泡而引起的空洞問題，有效增進共晶焊料的流淌。如圖I所示，在一優(yōu)選實施例中，所述真空密封裝置包括上密封盒401、下密封盒402、進氣嘴403及出氣嘴404。所述出氣嘴404可以外接真空器將對上下密封盒402內(nèi)抽真空，所述進氣嘴403可以用于在焊接完成后向上下密封盒402內(nèi)通入氮氣促進焊料冷卻固化。如圖I所示，在一優(yōu)選實施例中，所述進料裝置為ー進料盒1，所述收料裝置為ー 收料盒2 ;所述傳送裝置為ー傳送軌3。如圖I所示，在一優(yōu)選實施例中，所述固定裝置為ー壓板5。如圖I所示，在一優(yōu)選實施例中，所述預(yù)加熱裝置6及所述加熱裝置7為均板狀加熱塊。板狀加熱塊可以在同一平面上進行均勻加熱，有助于共晶效果。本實用新型使用方法如下(I)在基板上點上共晶焊料，再將若干LED芯片置于所述基板的設(shè)定位置上；(2)預(yù)加熱，對上述基板進行預(yù)加熱至設(shè)定溫度，所述設(shè)定溫度低于所述共晶焊料熔點；預(yù)加熱過的基板在之后的加熱過程中可以有效避免晶片翹起或焊料厚度分布不均的問題，提高產(chǎn)品質(zhì)量。(3)真空加熱焊接，將上述基板置于真空環(huán)境下進行加熱，加熱溫度應(yīng)當高于所述共晶焊料熔點，加熱完成后真空晶焊開始；加熱時可以先將加熱塊升溫至設(shè)定值，然后在真空環(huán)境形成后使所述加熱塊與基板接觸，提高生產(chǎn)效率；通過真空裝置使焊接環(huán)境維持在真空狀態(tài)，從而解決了共晶過程中焊料層因氣泡而引起的空洞問題，有效增進共晶焊料的流淌。在一優(yōu)選實施例中，步驟(2)中所述設(shè)定溫度一般為100攝氏度至150攝氏度；步驟(3)中所述加熱溫度一般為220攝氏度至300攝氏度。在一優(yōu)選實施例中，其特征在于步驟(3)中所述真空度可以為0. ImPa，所述真空晶焊時間約為10秒至100秒。在一優(yōu)選實施例中，所述共晶焊料主要是金錫合金、銀錫合金或錫銀銅合金。在一優(yōu)選實施例中，還可以包括如下步驟在步驟(3)完成之后向所述真空環(huán)境內(nèi)通入氮氣以促進共晶焊料的冷卻固化。氮氣相比空氣而言，主要剔除了氧氣成分，可以在促進冷卻固化的同時防止金屬被氧化。根據(jù)上述說明書的掲示和教導，本實用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實施方式進行適當?shù)淖兏托薷?。因此，本實用新型并不局限于上面掲示和描述?b>具體實施方式
，對本實用新型的ー些修改和變更也應(yīng)當落入本實用新型的權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了ー些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本實用新型構(gòu)成任何限制。
權(quán)利要求1.一種共晶機，其特征在于包括進料裝置、傳送裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置；所述預(yù)加熱裝置及所述加熱裝置設(shè)置于所述進料裝置與所述出料裝置之間，所述進料裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置通過所述傳送裝置相連接；所述加熱裝置上還設(shè)有一真空密封裝置，所述傳送裝置上設(shè)有固定裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共晶機，其特征在于所述真空密封裝置包括上密封盒、下密封盒、進氣嘴及出氣嘴。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共晶機，其特征在于所述進料裝置為ー進料盒，所述收料裝置為ー收料盒；所述傳送裝置為ー傳送軌。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共晶機，其特征在于所述固定裝置為ー壓板。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共晶機，其特征在于所述預(yù)加熱裝置及所述加熱裝置為均板狀加熱塊。
專利摘要本實用新型提供了一種共晶機，所述共晶機包括進料裝置、傳送裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置；所述預(yù)加熱裝置及所述加熱裝置設(shè)置于所述進料裝置與所述出料裝置之間，所述進料裝置、預(yù)加熱裝置、加熱裝置及收料裝置通過所述傳送裝置相連接；所述加熱裝置上還設(shè)有一真空密封裝置，所述傳送裝置上設(shè)有固定裝置。本實用新型的有益效果在于解決了共晶過程中焊料層因氣泡而引起的空洞問題，有效增進共晶焊料的流淌。從而保證了LED芯片的可靠性，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號H01L21/60GK202662572SQ20122031896
公開日2013年1月9日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者楊勇平, 何永基 申請人:楊勇平