專利名稱：具有反射電極的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，更為具體地，涉及一種具有反射性電極的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(英文為Light Emitting Diode，簡稱LED)是半導(dǎo)體二極管的一種，它能將電能轉(zhuǎn)化為光能，發(fā)出黃、綠、藍等各種顏色的可見光及紅外和紫外不可見光。與小白 熾燈泡及氖燈相比，它具有工作電壓和電流低、可靠性高、壽命長且可方便調(diào)節(jié)發(fā)光亮度等優(yōu)點。目前，氮化鎵基發(fā)光二色極管主要采用金電極。雖然，金屬的導(dǎo)電系數(shù)愈高，穿透深度愈淺，隨之反射率(reflectivity)就愈高。但當波長小于500nm時，金的反射率將大大的降低(低于40%)，這對于藍光LED來說是相當不利的。請參考附圖1，從LED發(fā)射到金屬電極上的藍光有很大一部分會被Au吸收,從而大大降低了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的即在于改進現(xiàn)有技術(shù)的上述局限，提供一種具有高反射性電極的發(fā)
光二極管。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種具有反射電極的發(fā)光二極管，包括發(fā)光外延層，其包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及夾在兩層之間的發(fā)光層，其特征在于還包括電極結(jié)構(gòu)，其由一金電極和一鎳反射層構(gòu)成，所述鎳反射層將所述整個金電極包裹起來。在本發(fā)明中，所述發(fā)光外延層為氮化鎵基半導(dǎo)體層，其發(fā)射的光波的波長小于500nm，所述鎳反射層的厚度為50飛000埃。在藍光段，鎳的反射率遠高于金(約在55%左右)。本發(fā)明使用化學鍍鎳的方式將整個金屬電極包裹起來，這樣發(fā)射到金屬電極上的光被吸收的部分將減少，而反射出的光將增加，從而增加出光。經(jīng)過實驗驗證，可以提高約5%的光強。圖二為化學鍍鎳Ni金屬電極可以增加出光的簡單示意圖。

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。圖I 一種具有傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的出光不意圖。圖2本發(fā)明實施的一種具有反射電極的發(fā)光二極管的出光示意圖。圖中部件符號說明100 :傳統(tǒng)發(fā)光二極管;110，210 :發(fā)光外延層;120，220 :金電極；130,230 :光線；200 :具有反射電極的發(fā)光二極管；240 :鎳反射層。
具體實施方式
以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。如圖2所不，一種具有反射電極的發(fā)光二極管200,包括發(fā)光外延層210,金電極220，鎳反射層240。發(fā)光外延層210可以通過外延生長(如M0CVD)沉積在生長襯底(附圖未示意出)上或通過覆晶技術(shù)粘結(jié)在散熱性基板上。發(fā)光外延層材料為氮化鎵基化合物，一 般包括n-GaN層、量子講發(fā)光層、p- GaN層。金電極220 —般可形成于發(fā)光外延層210上，用于連通外部電源，激發(fā)p-n發(fā)光。鎳反射層240將整個金電極220包裹起來，其厚度可為50^5000埃。采用化學鍍鎳的方式，利用鎳對藍光波段反射率比Au更高，可有效地提高藍光出光效率。很明顯地，本發(fā)明的說明不應(yīng)理解為僅僅限制在上述實施例，而是包括利用本發(fā)明構(gòu)思的全部實施方式。
權(quán)利要求1.一種具有反射電極的發(fā)光二極管，包括發(fā)光外延層，其包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及夾在兩層之間的發(fā)光層，其特征在于還包括電極結(jié)構(gòu)，其由一金電極和一鎳反射層構(gòu)成，所述鎳反射層將所述整個金電極包裹起來。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種具有反射電極的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光外延層為氮化鎵基半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種具有反射電極的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光二極管發(fā)光所發(fā)射的光線的波長小于500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種具有反射電極的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光二極管為藍光系發(fā)光二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種具有反射電極的發(fā)光二極管，其特征在于所述鎳反射層的厚度為50 5000埃。
專利摘要本實用新型公開了一種具有反射電極的發(fā)光二極管，其包括包括發(fā)光外延層，其包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及夾在兩層之間的發(fā)光層，其特征在于還包括電極結(jié)構(gòu)，其由一金電極和一鎳反射層構(gòu)成，所述鎳反射層將所述整個金電極包裹起來。本實用新型使用化學鍍鎳的方式將整個金屬電極包裹起來，這樣發(fā)射到金屬電極上的光被吸收的部分將減少，而反射出的光將增加，從而增加出光。經(jīng)過實驗驗證，可以提高約5%的光強。
文檔編號H01L33/40GK202585519SQ20122017226
公開日2012年12月5日 申請日期2012年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月23日
發(fā)明者莊家銘, 王振祖, 黃惠葵, 范慧麗, 王安平 申請人:安徽三安光電有限公司