發(fā)光二極管芯片的鍍膜治具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種發(fā)光二極管芯片的鍍膜治具。
【背景技術(shù)】
[0002]由于發(fā)光二極管芯片(Light Emitting D1de，簡稱LED)是一種具有節(jié)能、環(huán)保、和壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體元器件，所以目前階段，其已經(jīng)成為國內(nèi)外最受重視的光源技術(shù)之一。LED芯片通常的制作方法，是采用金屬有機(jī)化合物的化學(xué)氣相沉積，從而在襯底上生長外延層，然后再通過一系列的芯片制程制作而成。
[0003]在LED芯片的制作當(dāng)中，分布式布拉格反射鏡(簡稱DBR)鍍膜是一個關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。鍍膜過程中，需將LED芯片穩(wěn)定的放置在鍍膜治具之上。然而在這一過程當(dāng)中，鍍膜治具與LED芯片必須相接觸，往往會造成的芯片邊緣芯粒被污染，導(dǎo)致部分芯粒因此報廢。需要說明的是，LED芯片上的有效芯粒數(shù)量，是衡量LED芯片質(zhì)量的一項重要指標(biāo)，芯片上有效芯粒的數(shù)量會直接影響成品率。所以鍍膜導(dǎo)致的芯粒報廢，是應(yīng)該盡量減少的。
[0004]參見圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜治具。鍍膜過程中，圓形的LED芯片將放置在圓環(huán)形狀的鍍膜治具上；能夠看出，對于圖1所示的鍍膜治具，LED芯片的邊緣與鍍膜治具完全接觸；或者說二者有接觸的長度，基本等于芯片的周長。
[0005]LED芯片的邊緣與鍍膜治具接觸越多，便越容易造成芯片的污染，所以LED芯片邊緣上報廢的芯粒數(shù)量也就越多。所以現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜治具，存在的缺點(diǎn)在于，鍍膜治具與LED芯片接觸過多，使得芯片芯粒的報廢率較高；直接導(dǎo)致LED芯片生產(chǎn)的低成品率和高成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片的鍍膜治具，通過減少LED芯片邊緣與鍍膜治具的接觸距離，以解決上述問題。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本申請有如下技術(shù)方案:
[0008]—種發(fā)光二極管芯片的鍍膜治具，
[0009]所述鍍膜治具包括一個圓形邊框；
[0010]所述圓形邊框的直徑大于發(fā)光二極管芯片的直徑；
[0011]所述圓形邊框的內(nèi)側(cè)，設(shè)有至少3個支撐角；
[0012]所述支撐角的上表面為平面；
[0013]所述支撐角的內(nèi)邊緣，到所述圓形邊框圓心的距離，不大于所述發(fā)光二極管芯片的半徑；
[0014]所述支撐角的尺寸，不大于預(yù)設(shè)的第一閾值。
[0015]所述各支撐角尺寸相同，且等距分布于所述圓形邊框的內(nèi)側(cè)。
[0016]所述支撐角的數(shù)量為4個或6個。
[0017]所述第一閾值具體為1mm，則所述支撐角的尺寸，不大于預(yù)設(shè)的第一閾值具體為:
[0018]所述支撐角為邊長不超過Imm的立方體。
[0019]所述圓形邊框的直徑為5cm、10cm、15cm或20cm。
[0020]所述支撐角的材質(zhì)為:
[0021]鋼材或合金。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的，達(dá)到了如下效果:
[0023](I)、通過在圓形邊框的內(nèi)側(cè)設(shè)置支撐角，使得LED芯片僅僅需要在支撐角處與鍍膜治具相接觸；由此在保證LED芯片放置的穩(wěn)定性的前提下，大幅度的縮小了 LED芯片邊緣與鍍膜治具相接觸的長度。
[0024](2)、明顯的降低了鍍膜治具對LED芯片邊緣的污染，減少了因鍍膜報廢的芯片芯粒數(shù)量，提高了 LED芯片的成品率，也縮減了 LED芯片的生產(chǎn)成本。
[0025](3)、通過優(yōu)化支撐角的數(shù)量和尺寸，增加了 LED芯片放置在鍍膜治具上的穩(wěn)定性和安全性，同時有效的限制了 LED芯片邊緣與鍍膜治具接觸的長度。
[0026]當(dāng)然，實(shí)施本申請的任一產(chǎn)品必不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0027]此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中鍍膜治具的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為為本申請實(shí)施例中鍍膜治具的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本申請另一實(shí)施例中鍍膜治具的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本申請又一實(shí)施例中鍍膜治具的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的誤差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電性耦接于所述第二裝置，或通過其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
[0033]參見圖2所示，為本申請實(shí)施例所述LED芯片鍍膜卡環(huán)(治具)的結(jié)構(gòu)示意圖。一般而言，LED芯片為圓形，所以在本實(shí)施例中，所述鍍膜卡環(huán)(治具)同樣為圓形。本實(shí)施例中，不再使LED芯片的邊緣與鍍膜卡環(huán)(治具)完全接觸，而是僅僅在所述鍍膜卡環(huán)(治具)上設(shè)置若干個支撐角，如此，所述LED芯片邊緣僅僅在支撐角處與鍍膜卡環(huán)(治具)相接觸，由此便顯著的減少了 LED芯片邊緣與鍍膜卡環(huán)(治具)接觸的長度。
[0034]圖2所示鍍膜卡環(huán)(治具)具體結(jié)構(gòu)如下:
[0035]所述鍍膜卡環(huán)(治具)包括一個圓形邊框。所述圓形邊框構(gòu)成所述鍍膜卡環(huán)(治具)的主體。在鍍膜過程進(jìn)行時，LED芯片需放置在所述圓形邊框當(dāng)中。不過，為了減少LED芯片與鍍膜卡環(huán)(治具)的接觸面積，所述LED芯片的邊緣不再直接的與圓形邊框相接觸。為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，本實(shí)施例中必須令所述圓形邊框的直徑大于發(fā)光二極管芯片的直徑。
[0036]所述圓形邊框的內(nèi)側(cè)，設(shè)有若干支撐角。所述支撐角為直接與LED芯片邊緣接觸的部分。這樣一來，LED芯片邊緣與鍍膜卡環(huán)(治具)的接觸便僅限于有限的幾個支撐點(diǎn)處，相比如圖1所示的完全接觸而言，如此設(shè)計使得二者接觸長度大幅度降低。
[0037]所述支撐角的作用是支撐LED芯片，使其能夠穩(wěn)定的放置在圓形邊框中，以便于進(jìn)行鍍膜。根據(jù)三角形穩(wěn)定原理，所述支撐角的數(shù)量不能夠少于三個。圖2所示，即存在3個支撐角的具體實(shí)施例。并且為了避免LED芯片掉落，所述支撐角的內(nèi)邊緣，到所述圓形邊框圓心的距離，不大于所述發(fā)光二極管芯片的半徑。
[0038]另外，為了進(jìn)一步的保證LED芯片放置在鍍膜卡環(huán)(治具)之后的穩(wěn)定性和安全性，本實(shí)施例中設(shè)計所述支撐角的上表面為平面。同時為了盡可能減少LED芯片與鍍膜卡環(huán)(治具)的接觸，本實(shí)施例中設(shè)置支撐角的尺寸不能夠大于預(yù)設(shè)的第一閾值，以免所述支撐角過大，增加接觸的長度。
[0039]通過以上技術(shù)方案可知，本實(shí)施例存在的有益效果是:通過在圓形邊框的內(nèi)側(cè)設(shè)置支撐角，使得LED芯片僅僅需要在支撐角處與鍍膜卡環(huán)(治具)相接觸；由此在保證LED芯片放置的穩(wěn)定性的前提下，大幅度的縮小了 LED芯片邊緣與鍍膜卡環(huán)(治具)相接觸的長度；進(jìn)而明顯的降低了鍍膜卡環(huán)(治具)對LED芯片邊緣的污染，減少了因鍍膜報廢的芯片芯粒數(shù)量，提高了 LED芯片的成品率，也縮減了 LED芯片的