專利名稱：氣浴裝置、真空抽排裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及精密儀器設(shè)備領(lǐng)域，更具體地，本實(shí)用新型涉及ー種用于提高半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)部的局部區(qū)域潔凈度的氣浴裝置及真空抽排裝置。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension)也越來(lái)越小。關(guān)鍵尺寸的減小要求半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)部的腔室具備較高的潔凈度，以避免灰塵或其他雜質(zhì)顆粒污染半導(dǎo)體晶圓，從而影響產(chǎn)品良率與可靠性。為了提高半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)部腔室的潔凈度，半導(dǎo)體設(shè)備中通常采用了風(fēng)機(jī)濾器機(jī)組 (Fan Filter Units)。風(fēng)機(jī)濾器機(jī)組將風(fēng)機(jī)和過(guò)濾器，例如高效過(guò)濾器(HEPA)或超高效過(guò)濾器(ULPA)，組合在一起構(gòu)成自身提供動(dòng)カ的末端浄化設(shè)備。其中，風(fēng)機(jī)從機(jī)組頂部將空氣吸入并經(jīng)過(guò)濾器過(guò)濾。過(guò)濾后的潔凈空氣在整個(gè)出風(fēng)面以一定的風(fēng)速均勻送出，從而達(dá)到?jīng)坊雽?dǎo)體設(shè)備內(nèi)部腔室的作用。然而，這種風(fēng)機(jī)濾器機(jī)組只能夠降低設(shè)備內(nèi)部腔室的全局潔凈度，對(duì)于腔室內(nèi)的某些局部區(qū)域，由于各種因素，例如由于半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)的部件遮擋，這些局部區(qū)域無(wú)法有效潔凈，從而導(dǎo)致局部區(qū)域的潔凈度較低，難以滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容可見，需要提供ー種能夠提高局部區(qū)域潔凈度的裝置。為了解決上述問(wèn)題，在根據(jù)本實(shí)用新型ー個(gè)方面的實(shí)施例中，提供了ー種用于提高局部區(qū)域潔凈度的氣浴裝置，包括潔凈氣源；氣浴板，其通過(guò)調(diào)壓閥與所述潔凈氣源流體地連通，并排出來(lái)自所述潔凈氣源的氣體，其中，所述氣浴板包括進(jìn)氣ロ，其通過(guò)所述調(diào)壓閥耦接到所述潔凈氣源；第一穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述進(jìn)氣ロ輸入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及氣浴孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向被潔凈區(qū)域，以將所述氣體由所述第一穩(wěn)壓腔排向所述被潔凈區(qū)域，并在所述被潔凈區(qū)域形成層流。在一個(gè)實(shí)施例中，所述氣浴板包括多個(gè)進(jìn)氣ロ，所述多個(gè)進(jìn)氣ロ被均勻地設(shè)置在所述第一穩(wěn)壓腔的ー側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述氣浴裝置還包括抽氣模塊，被設(shè)置在所述被潔凈區(qū)域遠(yuǎn)離所述氣浴板的ー側(cè)，用于抽取由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，所述抽氣模塊包括真空源；真空板，其與所述真空源流體地連通，用于將由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體引向所述真空源，其中，所述真空板包括真空孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向所述被潔凈區(qū)域，以抽入由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體；第二穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及抽氣ロ，其耦接到所述真空源。在一個(gè)實(shí)施例中，所述抽氣模塊還包括真空過(guò)濾器，其設(shè)置在所述真空板與所述真空源之間。[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，所述真空板包括多個(gè)抽氣ロ，所述多個(gè)抽氣ロ被均勻地設(shè)置在所述第二穩(wěn)壓腔的ー側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述真空板的開孔與所述氣浴板的開孔對(duì)稱地分布在所述被潔凈區(qū)域的兩側(cè)。在根據(jù)本實(shí)用新型另ー個(gè)方面的實(shí)施例中，還提供了ー種用于提高局部區(qū)域潔凈度的真空抽排裝置，包括真空源；真空板，其與所述真空源流體地連通，用于將被潔凈區(qū)域的氣體弓I向所述真空源，其中，所述真空板包括真空孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向所述被潔凈區(qū)域，以抽入所述被潔凈區(qū)域的氣體，并在所述被潔凈區(qū)域形成層流；第ニ穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及抽氣ロ，其耦接到所述真空源。在一個(gè)實(shí)施例中，所述真空抽排裝置還包括真空過(guò)濾器，其設(shè)置在所述真空板與所述真空源之間?！ぴ谝粋€(gè)實(shí)施例中，所述真空板包括多個(gè)抽氣ロ，所述多個(gè)抽氣ロ被均勻地設(shè)置在所述第二穩(wěn)壓腔的ー側(cè)。在根據(jù)本實(shí)用新型又一方面的實(shí)施例中，還提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括用于容納半導(dǎo)體晶圓的腔室，以及根據(jù)前述實(shí)施例中任一實(shí)施例所述的氣浴裝置或真空抽排裝置，其中所述氣浴板和/或真空板被設(shè)置在所述腔室內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體設(shè)備是光學(xué)薄膜和關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，被潔凈區(qū)域的表面能夠形成穩(wěn)定的層流，該層流能夠帶動(dòng)被潔凈區(qū)域的雜質(zhì)顆粒離開被潔凈區(qū)域，從而提高了被潔凈區(qū)域的潔凈度。此外，本實(shí)用新型中的氣浴裝置或真空抽排裝置能夠根據(jù)被潔凈區(qū)域表面形貌的不同而針對(duì)地設(shè)置其結(jié)構(gòu)，因此，這種裝置可以有效減少紊流的出現(xiàn)，因而特別適用于提高設(shè)備內(nèi)部腔室的局部潔凈度。本實(shí)用新型的以上特性及其他特性將在下文中的實(shí)施例部分進(jìn)行明確地闡述。
通過(guò)參照附圖閱讀以下所作的對(duì)非限制性實(shí)施例的詳細(xì)描述，能夠更容易地理解本實(shí)用新型的特征、目的和優(yōu)點(diǎn)。其中，相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的裝置。圖Ia與圖Ib示出了根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的氣浴裝置100 ；圖Ic示出了圖Ia與圖Ib中的氣浴孔板111的結(jié)構(gòu)；圖2a與圖2b示出了根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的氣浴裝置200 ；圖3a與圖3b示出了根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的真空抽排裝置300 ；圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備400。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)討論實(shí)施例的實(shí)施和使用。然而，應(yīng)當(dāng)理解，所討論的具體實(shí)施例僅僅示范性地說(shuō)明實(shí)施和使用本實(shí)用新型的特定方式，而非限制本實(shí)用新型的范圍。圖Ia與圖Ib示出了根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例的氣浴裝置100。其中，圖Ia是該氣浴裝置100的俯視示意圖，圖Ib是該氣浴裝置100的側(cè)面示意圖。[0028]如圖Ia與圖Ib所示，該氣浴裝置100包括潔凈氣源101 ；氣浴板103，其通過(guò)調(diào)壓閥105與潔凈氣源101流體地連通，并排出來(lái)自潔凈氣源101的氣體，其中，該氣浴板103包括進(jìn)氣ロ 107，其通過(guò)調(diào)壓閥105耦接到潔凈氣源101 ；第一穩(wěn)壓腔109，其用于穩(wěn)定由進(jìn)氣ロ 107輸入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及氣浴孔板111，其具有多個(gè)開孔113，該多個(gè)開孔113面向被潔凈區(qū)域115，以將氣體由第一穩(wěn)壓腔109排向被潔凈區(qū)域115，并在被潔凈區(qū)域115形成層流。具體地，潔凈氣源101用于提供具有預(yù)定壓強(qiáng)與預(yù)定潔凈度的氣體。例如，潔凈氣 源101是容納例如氮?dú)?、惰性氣體或空氣等的容器罐，或者潔凈氣源101是能夠穩(wěn)定地提供潔凈氣體的氣體管道。由潔凈氣源101提供的氣體應(yīng)具有較高的壓強(qiáng)，以使得其能夠具有足夠的能量來(lái)形成穩(wěn)定的氣流。在圖Ia與圖Ib所示的氣浴裝置100中，潔凈氣源101通過(guò)調(diào)壓閥105來(lái)將氣體提供給氣浴板105，該調(diào)壓閥105用于將潔凈氣源101提供的氣體的壓強(qiáng)降低到Ibar以上。因此，潔凈氣源101所提供的氣體具有的預(yù)定壓強(qiáng)大于lbar，例如為I. 5bar、2bar、3bar、5bar或更高?？梢岳斫?，在一些例子中，調(diào)壓閥105可以與潔凈氣源101集成在一起。由于氣浴裝置100被用于對(duì)預(yù)定區(qū)域115進(jìn)行氣浴，以提高該預(yù)定區(qū)域115的潔凈度。因此，由潔凈氣源101提供的氣體的潔凈度應(yīng)至少等于或高于被潔凈區(qū)域115所要求的潔凈度。例如，被潔凈區(qū)域115所要求的潔凈度為100級(jí)(FED STD 209E標(biāo)準(zhǔn))，即每立方英尺空氣中直徑大于或等于O. 5微米的雜質(zhì)顆粒的數(shù)量小于100 ;則潔凈氣源101所提供的氣體的潔凈度要等于或小于100級(jí)，例如為小于50級(jí)，或者優(yōu)選地，小于10級(jí)。氣浴板103的外殼限定第一穩(wěn)壓腔109的形狀。第一穩(wěn)壓腔109的形狀不同，其對(duì)氣體壓強(qiáng)以及流速的穩(wěn)定效果也不同。可以理解，通常而言，第一穩(wěn)壓腔109的容積越大，則其中的氣體越容易均勻混合，從而使得流入的氣體具有較為穩(wěn)定的流速與壓強(qiáng)。在ー個(gè)實(shí)施例中，第一穩(wěn)壓腔109的形狀為長(zhǎng)方體。在其他的實(shí)施例中，第一穩(wěn)壓腔109的形狀還可以為球形、橢球形、長(zhǎng)管狀或其他適合的形狀。進(jìn)氣ロ 107與氣浴孔板111分別地位于第一穩(wěn)壓腔109的兩側(cè)。這樣，由潔凈氣源101提供的氣體在由進(jìn)氣ロ 107進(jìn)入氣浴板103后，能夠流過(guò)第一穩(wěn)壓腔109，并進(jìn)而由氣浴孔板111的開孔113排出。氣浴板103的外殼還限定了進(jìn)氣ロ 107的形狀與數(shù)量。根據(jù)實(shí)施例的不同，氣浴板103上可以具有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣ロ 107，這些進(jìn)氣ロ 107通過(guò)不同的管道連接到調(diào)壓閥105上。在一個(gè)實(shí)施例中，氣浴板103具有多個(gè)進(jìn)氣ロ 107，這些進(jìn)氣ロ 107被均勻地設(shè)置在第一穩(wěn)壓腔109的ー側(cè)。均勻設(shè)置的多個(gè)進(jìn)氣ロ 107可以更均勻地將氣體引入第一穩(wěn)壓腔109中，從而進(jìn)一步提高第一穩(wěn)壓腔109對(duì)氣體壓強(qiáng)與流速的穩(wěn)定效果；這特別適用于較長(zhǎng)的氣浴板103。氣浴孔板111位于第一穩(wěn)壓腔109的另ー側(cè)，其上具有多個(gè)面向被潔凈區(qū)域115設(shè)置的開孔113。這些開孔113的排布方式?jīng)Q定了在被潔凈區(qū)域115上形成的層流。在圖Ia與圖Ib所示的實(shí)施例中，氣浴孔板111具有一行或多行均勻分布的開孔113，其中每ー行的多個(gè)開孔113基本上沿被潔凈區(qū)域115表面的切線方向排布。這樣，由氣浴板103排出的氣體基本上沿被潔凈區(qū)域115表面的切線方向流動(dòng)，從而在被潔凈區(qū)域115表面形成層流，并避免或至少減少在被潔凈區(qū)域115形成紊流。所形成的層流能夠帶動(dòng)被潔凈區(qū)域115，特別是表面上的雜質(zhì)顆粒，離開被潔凈區(qū)域115，從而達(dá)到提高該被潔凈區(qū)域115的局部潔凈度的效果。在實(shí)際應(yīng)用中，可以通過(guò)調(diào)壓閥105來(lái)調(diào)節(jié)氣體壓強(qiáng)。通常而言，在不影響被潔凈區(qū)域115性能的情況下，氣體壓強(qiáng)越高，由氣浴板103排出到被潔凈區(qū)域115中的氣體流速越快，因而潔凈效果也越好。圖Ic示出了圖Ia與圖Ib中的氣浴孔板111的結(jié)構(gòu)。如圖Ic所示，該氣浴孔板111上均勻布滿多 行圓形的開孔113，均勻分布的開孔113有利于提高氣體流出時(shí)的均勻性?？梢岳斫?，根據(jù)具體實(shí)施例的不同，氣浴孔板111上開孔113的數(shù)量以及形狀均可以有所變化，例如可以采用橢圓形、多邊形形狀的開孔。圖2a與圖2b示出了根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施例的氣浴裝置200。其中，圖2a是該氣浴裝置200的俯視示意圖，圖2b是該氣浴裝置200的側(cè)面示意圖。類似于氣浴裝置100，氣浴裝置200包括潔凈氣源201、氣浴板203以及調(diào)壓閥205。此外，氣浴裝置200還包括抽氣模塊220，該抽氣模塊220被設(shè)置在被潔凈區(qū)域215遠(yuǎn)離氣浴板203的ー側(cè)，用于抽取由氣浴板203排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域215的氣體(即被潔凈區(qū)域215處原有的氣體)。如圖2a與圖2b所示，該抽氣模塊220包括真空源221 ；真空板223，其與真空源221流體地連通，用于將由氣浴板203排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域215的氣體引向真空源221，其中，真空板223包括真空孔板231，其具有多個(gè)開孔233，這些多個(gè)開孔233面向被潔凈區(qū)域215，以抽入由氣浴板203排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域215的氣體；第二穩(wěn)壓腔229，其用于穩(wěn)定由真空孔板231抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及抽氣ロ 227，其耦接到真空源221。具體地，真空源221的壓強(qiáng)小于50kPa，例如為25kPa、lOkPa、lkPa、IOOPa或更小。真空源221的壓強(qiáng)越小，由真空孔板231抽入的氣體的流速越高，即在被潔凈區(qū)域215形成的層流的流速也越高。在一個(gè)實(shí)施例中，真空源221是真空泵。真空板223的外殼限定抽氣ロ 227、第二穩(wěn)壓腔229以及真空孔板231的形狀。其中，抽氣ロ 227與真空孔板231位于第二穩(wěn)壓腔229的兩側(cè)，從而使得被真空孔板231抽入的氣體能夠通過(guò)第二穩(wěn)壓腔229而流向抽氣ロ 227。被抽入的氣體在進(jìn)入第二穩(wěn)壓腔229后，其流速會(huì)相應(yīng)降低。類似于第一穩(wěn)壓腔209，第二穩(wěn)壓腔229的形狀不同，其對(duì)氣體壓強(qiáng)以及流速的穩(wěn)定效果也不同。在一個(gè)實(shí)施例中，第二穩(wěn)壓腔229的形狀為長(zhǎng)方體。在其他的實(shí)施例中，第二穩(wěn)壓腔229的形狀還可以為球形、橢球形、長(zhǎng)管狀或其他適合的形狀。在一個(gè)實(shí)施例中，真空板223具有多個(gè)抽氣ロ 227，這些抽氣ロ 227均勻地設(shè)置在第二穩(wěn)壓腔229的ー側(cè)。均勻設(shè)置的多個(gè)抽氣ロ 227可以更均勻地將氣體引入第二穩(wěn)壓腔229中，從而進(jìn)一步提高第二穩(wěn)壓腔229對(duì)氣體壓強(qiáng)與流速的穩(wěn)定效果。在一個(gè)實(shí)施例中，抽氣模塊220還包括真空過(guò)濾器(圖中未示出)，其被設(shè)置在真空板223與真空源221之間，用于濾除真空板223所抽入的氣體中的雜質(zhì)顆粒，以保護(hù)真空源 221。相比于圖Ia與圖Ib中所示的氣浴裝置100，由于氣浴裝置200具有設(shè)置在被潔凈區(qū)域215兩側(cè)的兩部分，這使得由潔凈氣源201提供的氣體能夠通過(guò)氣源裝置200的各個(gè)模塊而流入真空源221，從而形成完整的氣流通路。這種配置特別有利于在被潔凈區(qū)域215形成流速較為穩(wěn)定的層流，并避免紊流的形成，從而可以更有效地提高被潔凈區(qū)域215的局部的潔凈度。在一個(gè)實(shí)施例中，真空板223的開孔233與氣浴板203的開孔213對(duì)稱地分布在被潔凈區(qū)域215的兩側(cè)。這可以提高被潔凈區(qū)域215處所形成的層流的穩(wěn)定性。圖3a與圖3b示出了根據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例的真空抽排裝置300。其中，圖3a是該真空抽排裝置300的俯視不意圖，圖3b是該真空抽排裝置300的側(cè)面不意圖。如圖3a與圖3b所示，該真空抽排裝置300包括真空源321 ；真空板323，其與真空源321流體地連通，用于將由氣浴板303排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域315的氣體引向真空源321，其中，真空板323包括真空孔板331，其具有多個(gè)開孔333，這些多個(gè)開孔333面向被潔凈區(qū)域315，以抽入被潔凈區(qū)域315的氣體，并在被潔凈區(qū)域315形成層流；第二穩(wěn)壓腔329，其用于穩(wěn)定由真空孔板331抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及抽氣ロ 327，其耦接到真空源321。具體地，真空源321具有低于被潔凈區(qū)域315壓強(qiáng)的壓強(qiáng)，例如為25kPa、lOkPa、lkPa、IOOPa或更小。真空源321處的真空使得被潔凈區(qū)域315處的氣體經(jīng)由真空板331流向真空321。真空孔板331具有多個(gè)面向被潔凈區(qū)域315設(shè)置的開孔333。這些開孔333的排布方式?jīng)Q定了在被潔凈區(qū)域315上形成的層流。在圖3a與圖3b所示的實(shí)施例中，真空孔板331具有一行或多行均勻分布的開孔333，其中每一行的多個(gè)開孔333基本上沿被潔凈區(qū)域315表面的切線方向排布。這樣，由真空板333抽入的氣體基本上沿被潔凈區(qū)域315表面的切線方向流動(dòng)，從而在被潔凈區(qū)域315表面形成層流，并避免或至少減少在被潔凈區(qū)域315形成紊流。所形成的層流能夠帶動(dòng)被潔凈區(qū)域315，特別是其表面上的雜質(zhì)顆粒，離開被潔凈區(qū)域315，從而達(dá)到提高該被潔凈區(qū)域315的局部潔凈度的效果。在實(shí)際應(yīng)用中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)真空源321的壓強(qiáng)來(lái)調(diào)節(jié)所形成的氣體層流的流速。一般而言，真空源321的壓強(qiáng)越小，氣體層流的流速越高，被潔凈區(qū)域315的潔凈度越高。真空板323的外殼限定抽氣ロ 327、第二穩(wěn)壓腔329以及真空孔板331的形狀。其中，抽氣ロ 327與真空孔板331位于第二穩(wěn)壓腔329的兩側(cè)，從而使得被真空孔板331抽入的氣體能夠通過(guò)第二穩(wěn)壓腔329而流向抽氣ロ 327。被抽入的氣體在進(jìn)入第二穩(wěn)壓腔329后，其流速會(huì)相應(yīng)降低，這有利于穩(wěn)定被潔凈區(qū)域315處的層流。在一個(gè)實(shí)施例中，第二穩(wěn)壓腔329的形狀為長(zhǎng)方體。在其他的實(shí)施例中，第二穩(wěn)壓腔329的形狀還可以為球形、橢球形、長(zhǎng)管狀或其他適合的形狀。在一個(gè)實(shí)施例中，真空板323具有多個(gè)抽氣ロ 327，這些抽氣ロ 327被均勻地設(shè)置在第二穩(wěn)壓腔329的ー側(cè)。均勻設(shè)置的多個(gè)抽氣ロ 327可以更均勻地將氣體引入第二穩(wěn)壓腔329中，從而進(jìn)一步提高第二穩(wěn)壓腔329對(duì)氣體壓強(qiáng)與流速的穩(wěn)定效果。在圖3a與圖3b所示的實(shí)施例中，該真空抽排裝置300還包括真空過(guò)濾器325，其被設(shè)置在真空板323與真空源321之間，用于濾除真空板323所抽入的氣體中的雜質(zhì)顆粒，以保護(hù)真空源321。圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型第四實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備400。如圖4所示，該半導(dǎo)體設(shè)備400包括用于容納半導(dǎo)體晶圓441的腔室443，以及潔凈裝置450。其中該氣浴裝置450是前述實(shí)施例中所示的氣浴裝置200。可以理解，在其他的實(shí)施例中，氣浴裝置450還可以采用前述實(shí)施例中所示的氣浴裝置100或真空抽排裝置300。具體地，半導(dǎo)體晶圓441被承載在基臺(tái)445上，并被容納在腔室443內(nèi)。氣浴裝置450被設(shè)置在半導(dǎo)體晶圓441周圍，即氣源401、調(diào)壓閥405以及氣浴板403被設(shè)置在半導(dǎo)體晶圓441的一側(cè)，而真空源421、真空板423則被設(shè)置在半導(dǎo)體晶圓441的另一側(cè)；并且，氣浴板403的出風(fēng)面(即氣浴孔板)與真空板423的進(jìn)風(fēng)面(即真空孔板)相互平行，均面對(duì)半導(dǎo)體晶圓441設(shè)置。這樣，由氣浴板403排出的氣體能夠被真空板423吸入，并在半導(dǎo)體晶圓441表面形成穩(wěn)定的層流。所形成的層流可以帶走半導(dǎo)體晶圓441表面的雜質(zhì)顆 粒，從而提高半導(dǎo)體晶圓441表面的潔凈度。在圖4所示的實(shí)施例中，由于該氣浴裝置450主要用于提高腔室443內(nèi)部局部區(qū)域(即基臺(tái)445承載面附近)的潔凈度，因此氣浴板403以及真空板423可以設(shè)置在靠近該局部區(qū)域的位置，例如設(shè)置在腔室443內(nèi)。在其他的實(shí)施例中，氣浴板403與真空板423還可以設(shè)置在例如腔室443的壁上?？梢岳斫?，由于氣浴板403與真空板423的位置往往需要針對(duì)被潔凈區(qū)域形狀的不同來(lái)設(shè)置，因此，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，氣浴板403與真空板423還可以固定在基臺(tái)445上，并且可以隨基臺(tái)445的承載面移動(dòng)而移動(dòng)，這可以更有效地在被潔凈區(qū)域上形成層流?？梢岳斫?，半導(dǎo)體設(shè)備400可以是各種用于半導(dǎo)體制造、測(cè)試、封裝或其他需要具有較高潔凈度的設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體設(shè)備400是光學(xué)薄膜和關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備。盡管在附圖和前述的描述中詳細(xì)闡明和描述了本實(shí)用新型，應(yīng)認(rèn)為該闡明和描述是說(shuō)明性的和示例性的，而不是限制性的；本實(shí)用新型不限于所上述實(shí)施方式。那些本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以通過(guò)研究說(shuō)明書、公開的內(nèi)容及附圖和所附的權(quán)利要求書，理解和實(shí)施對(duì)披露的實(shí)施方式的其他改變。在權(quán)利要求中，措詞“包括”不排除其他的元素和步驟，并且措辭“一個(gè)”不排除復(fù)數(shù)。在實(shí)用新型的實(shí)際應(yīng)用中，ー個(gè)零件可能執(zhí)行權(quán)利要求中所引用的多個(gè)技術(shù)特征的功能。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)理解為對(duì)范圍的限制。
權(quán)利要求1.一種用于提高局部區(qū)域潔凈度的氣浴裝置，其特征在于，包括 潔凈氣源； 氣浴板，其通過(guò)調(diào)壓閥與所述潔凈氣源流體地連通，并排出來(lái)自所述潔凈氣源的氣體，其中，所述氣浴板包括 進(jìn)氣口，其通過(guò)所述調(diào)壓閥耦接到所述潔凈氣源； 第一穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述進(jìn)氣口輸入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及氣浴孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向被潔凈區(qū)域，以將所述氣體由所述第一穩(wěn)壓腔排向所述被潔凈區(qū)域，并在所述被潔凈區(qū)域形成層流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣浴裝置，其特征在于，所述氣浴板包括多個(gè)進(jìn)氣口，所述多個(gè)進(jìn)氣口被均勻地設(shè)置在所述第一穩(wěn)壓腔的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣浴裝置，其特征在于，還包括抽氣模塊，被設(shè)置在所述被潔凈區(qū)域遠(yuǎn)離所述氣浴板的一側(cè)，用于抽取由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣浴裝置，其特征在于，所述抽氣模塊包括 真空源； 真空板，其與所述真空源流體地連通，用于將由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體引向所述真空源，其中，所述真空板包括 真空孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向所述被潔凈區(qū)域，以抽入由所述氣浴板排出的氣體和/或被潔凈區(qū)域的氣體； 第二穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及 抽氣口，其耦接到所述真空源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣浴裝置，其特征在于，所述抽氣模塊還包括真空過(guò)濾器，其設(shè)置在所述真空板與所述真空源之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣浴裝置，其特征在于，所述真空板包括多個(gè)抽氣口，所述多個(gè)抽氣口被均勻地設(shè)置在所述第二穩(wěn)壓腔的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣浴裝置，其特征在于，所述真空板的開孔與所述氣浴板的開孔對(duì)稱地分布在所述被潔凈區(qū)域的兩側(cè)。
8.一種用于提高局部區(qū)域潔凈度的真空抽排裝置，其特征在于，包括 真空源； 真空板，其與所述真空源流體地連通，用于將被潔凈區(qū)域的氣體引向所述真空源，其中，所述真空板包括 真空孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向所述被潔凈區(qū)域，以抽入所述被潔凈區(qū)域的氣體，并在所述被潔凈區(qū)域形成層流； 第二穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述真空孔板抽入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及 抽氣口，其耦接到所述真空源。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空抽排裝置，其特征在于，所述真空抽排裝置還包括真空過(guò)濾器，其設(shè)置在所述真空板與所述真空源之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空抽排裝置，其特征在于，所述真空板包括多個(gè)抽氣口，所述多個(gè)抽氣口被均勻地設(shè)置在所述第二穩(wěn)壓腔的一側(cè)。
11.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括用于容納半導(dǎo)體晶圓的腔室，以及根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的氣浴裝置或根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的真空抽排裝置，其中所述氣浴板和/或真空板被設(shè)置在所述腔室內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備是光學(xué)薄膜和關(guān)鍵尺寸測(cè)量設(shè)備。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種氣浴裝置、真空抽排裝置以及半導(dǎo)體設(shè)備。該氣浴裝置包括潔凈氣源；氣浴板，其通過(guò)調(diào)壓閥與所述潔凈氣源流體地連通，并排出來(lái)自所述潔凈氣源的氣體，其中，所述氣浴板包括進(jìn)氣口，其通過(guò)所述調(diào)壓閥耦接到所述潔凈氣源；第一穩(wěn)壓腔，其用于穩(wěn)定由所述進(jìn)氣口輸入的氣體的流速和壓強(qiáng)；以及氣浴孔板，其具有多個(gè)開孔，所述多個(gè)開孔面向被潔凈區(qū)域，以將所述氣體由所述第一穩(wěn)壓腔排向所述被潔凈區(qū)域，并在所述被潔凈區(qū)域形成層流。
文檔編號(hào)H01L21/67GK202585358SQ20122005607
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月20日
發(fā)明者周善淮, 王英, 畢昕 申請(qǐng)人:睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司