半導(dǎo)體襯底的形成方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體襯底的形成方法，包括：提供硅襯底，所述硅襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；對所述硅襯底進(jìn)行離子注入，在硅襯底表面形成離子注入層；在所述離子注入層表面形成掩膜層，所述硅襯底的第一區(qū)域上方的掩膜層中形成有開口；以所述掩膜層為掩模，沿開口刻蝕所述離子注入層和硅襯底，形成凹槽；去除所述掩膜層；沿所述凹槽的底部和側(cè)壁刻蝕硅襯底的第一區(qū)域，形成空腔；在所述空腔內(nèi)填充滿氧化層。本發(fā)明半導(dǎo)體襯底的形成方法工藝簡單，制造成本低。
【專利說明】半導(dǎo)體襯底的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體襯底的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣體上娃(SOI, Silicon On Insulator)襯底是一種用于集成電路制造的襯底。與目前大量應(yīng)用的體硅襯底相比，SOI襯底具有很多優(yōu)勢:采用半導(dǎo)體襯底制成的集成電路的寄生電容小、集成密度高、短溝道效應(yīng)小、速度快，并且還可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，消除了體硅集成電路中的寄生閂鎖效應(yīng)。
[0003]目前常用的SOI襯底的形成工藝主要有兩種，其中，一種是注氧隔離(SIM0X，Separation by Implanted Oxygen)工藝，通過對娃片進(jìn)行氧離子注入，在娃片中一定深度處形成氧的富集區(qū)域，再經(jīng)過超過1300攝氏度高溫退火后，在硅片內(nèi)形成二氧化硅氧化層，受到氧離子注入能量和注入劑量的限制，硅片內(nèi)氧化層以及頂層硅的厚度可調(diào)節(jié)的范圍有限，很不靈活，另外，由于退火的溫度較高、導(dǎo)致形成大面積的SOI襯底比較困難；另一種是娃片鍵合(Wafer Bonding)工藝,是將一片表面帶有氧化層的娃片和另一片娃片鍵合，再將所述硅片的背面減薄到所需要的厚度而形成絕緣體上硅的一種技術(shù)。但是，受硅片減薄技術(shù)的制約，導(dǎo)致所形成SOI襯底表面的形態(tài)較差，而且，硅片鍵合工藝需用兩片硅片制成一片SOI襯底，成本較高。
[0004]更多關(guān)于SOI襯底的形成方法請參考
【發(fā)明者】劉佳磊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司