銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜、制備方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其化學(xué)式為SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的可見光透過率達(dá)95%，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明還提供該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法及其應(yīng)用。
【專利說明】銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜、制備方法及其應(yīng)用
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的薄膜，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，仍未見報(bào)道。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜、其制備方法該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，
0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0005]在優(yōu)選實(shí)施例中，所述銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為30nm~200nm。
[0006]一種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0007]根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體,經(jīng)過混合后，在 900°C ~1300°C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ^ y ^ 0.08 ；
[0008]將襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為
1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；
[0009]調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜。
[0010]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮?dú)狻?br> [0011]在優(yōu)選的實(shí)施例中，基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20SCCm，工作壓強(qiáng)為10Pa，脈沖激光能量為150W;
[0012]一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，所述陽(yáng)極層的材料為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為 SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ^ x ^ 0.15，0.005 ^ y ^ 0.08。
[0013]一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0014]提供透明的玻璃襯底；
[0015]在所述襯底上形成陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+,其中，0.005 < X < 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08;[0016]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述陽(yáng)極層的制備包括以下步驟:
[0017]根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體，經(jīng)過混合后，在 900°C ~1300°C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ^ y ^ 0.08 ；
[0018]將襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；
[0019]調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜。
[0020]在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光層，在所述發(fā)光層上形成陰極。
[0021]上述銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜(SnO2:xSb5+, yBi5+)的透過率測(cè)試曲線中，在可見光470nnT790nm波長(zhǎng)范圍平均透過率達(dá)95%，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0022]圖1為一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為實(shí)施例1制備的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的透過率測(cè)試曲線；
[0024]圖3為實(shí)施例1制備的銻鉍共摻雜氧化錫納米線透明導(dǎo)電薄膜的電鏡掃描圖。
[0025]圖4為實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件與對(duì)比例比較的亮度與電壓關(guān)系圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0026]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜、其制備方法和薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步闡明。
[0027]一實(shí)施方式的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其化學(xué)式為SnO2:XSb5+，yBi5+，其中，
0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ≤y ≤0.08。
[0028]優(yōu)選的，銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，納米線直徑為30nm~200nm。
[0029]上述銻鉍共摻雜氧化錫納米線透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0030]步驟SI 1、根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體，經(jīng)過混合后，在900 V~1300 °C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，
0.005 ≤y ≤0.08 ；
[0031]將襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為
1.0X10_3Pa~1.0X10_5Pa。
[0032]在本實(shí)施方式中，襯底為透明的玻璃；襯底先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入反應(yīng)室；
[0033]優(yōu)選的，在1250°C下燒結(jié)得到靶材；反應(yīng)室的真空度為5.0X 10_4Pa。
[0034]步驟S13、調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250°C ^750°C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜；
[0035]在優(yōu)選的實(shí)施例中,工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮?dú)狻?br> [0036]在優(yōu)選的實(shí)施例中，基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20sCCm，工作壓強(qiáng)為lOPa，脈沖激光能量為150W。
[0037]該方法是采用激光燒蝕靶材，靶材中的氧化錫，氧化銻和氧化鉍等材料被燒蝕成原子或離子團(tuán)的粒子，粒子在基底上沉積的過程中，通過通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個(gè)成核點(diǎn)垂直生長(zhǎng)，形成柱狀的納米線。
[0038]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件100，該薄膜電致發(fā)光器件100包括依次層疊的襯底1、陽(yáng)極2、發(fā)光層3以及陰極4。
[0039]襯底I為透明的玻璃襯底。陽(yáng)極2的材料為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+,其中，0.005 < X < 0.15，
0.005 ^ y ^ 0.08。發(fā)光層3為有機(jī)發(fā)光層，如Alq3,陰極4的材質(zhì)為銀(Ag)。
[0040]上述薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0041]步驟S21、在襯底I上形成陽(yáng)層2。
[0042]本實(shí)施方式中，襯底I為玻璃襯底,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗并用氮?dú)獯蹈?，?yáng)極2為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為 SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ^ x ^ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0043]本實(shí)施方式中，陽(yáng)極層2由以下步驟制得:
[0044]首先，根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體,經(jīng)過混合后，在900°C~1300°C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005≤y≤0.08 ；
[0045]將襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為10 X IO-3Pa^lO X IO^5Pa,
[0046]再則、調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250°C~750°C，工作氣體的流量為lOsccmlOsccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其中，0.005 ^ x ^ 0.15，
0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0047]在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20SCCm，工作壓強(qiáng)為lOPa，脈沖激光能量為150W;
[0048]步驟S22、在陽(yáng)極2上形成發(fā)光層3，發(fā)光層3的材料為有機(jī)發(fā)光層，如Alq3 ;在發(fā)光層3上形成陰極4。
[0049]本實(shí)施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。
[0050]下面為具體實(shí)施例。
[0051]實(shí)施例1
[0052]將0.86mol SnO2,0.05mol Sb2O5和 0.02mol Bi2O5粉體經(jīng)過均勻混合后，在 1250°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材是圓餅的形狀，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將透明玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈?，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60_，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至5.0X10_4Pa ;采用氬氣作為工作氣流，工作氣流量為20sCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為lOPa，襯底溫度為500°C，脈沖激光能量150W，開始在透明玻璃襯底上進(jìn)行薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:
0.1Sb5+0.04Bi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。
[0053]本實(shí)施例中得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.1Sb5+0.04Bi5+。
[0054]測(cè)試結(jié)果為:
[0055]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為10Ω/ 口。
[0056]請(qǐng)參閱圖2，圖2所示為得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的的透過率測(cè)試曲線。由圖2可以看出，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)范圍平均透過率達(dá)88%，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。
[0057]請(qǐng)參閱圖3，圖3為實(shí)施例1制備的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的電鏡掃描圖，從圖3中可以看出納米線的直徑以3(T200nm為主。
[0058]請(qǐng)參閱圖4，圖4為實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件與對(duì)比例的電壓與亮度關(guān)系圖，在附圖4中曲線I是實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件電壓與亮度關(guān)系曲線，曲線2是對(duì)比例制備的薄膜電致發(fā)光器件電壓與亮度關(guān)系曲線，可看出:可看出納米線狀樣品使器件的啟動(dòng)電壓降低從4.8到4.3V，亮度提高從820至980cd/m2。
[0059]實(shí)施例2
[0060]將0.9ImoI SnO2,0.005mol Sb2O5 和 0.04mol Bi2O5 粉體經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈煞湃胝婵涨惑w。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X10_5Pa ;采用氖氣作為工作氣流，工作氣流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為250 V，脈沖激光能量300W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.01Sb5+, 0.08Bi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。
[0061]測(cè)試結(jié)果為:
[0062]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為15Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)透光率為88%。
[0063]實(shí)施例3
[0064]將0.84mol SnO2,0.075mol Sb2O5 和 0.005mol Bi2O5 粉體經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈煞湃胝婵涨惑w。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95_，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X 10_3Pa ;采用氪氣作為工作氣流，工作氣流量為40SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為30Pa，襯底溫度為750 V，脈沖激光能量80W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至230nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.15Sb5+，0.0IBi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。
[0065]測(cè)試結(jié)果為:
[0066]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為38Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)透光率為94%。
[0067]實(shí)施例4
[0068]將0.95mol SnO2,0.01mol Sb2O5 和 0.015mol Bi2O5 粉體經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈?，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95_，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X 10_5Pa ;采用氬氣作為工作氣流，工作氣流量為30SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為25Pa，襯底溫度為500°C，脈沖激光能量120W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至180nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.02Sb5+，0.03Bi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。測(cè)試結(jié)果為:[0069]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為56Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)透光率為92%。
[0070]實(shí)施例5
[0071]將0.88mol SnO2,0.04mol Sb2O5和 0.02mol Bi2O5粉體經(jīng)過均勻混合后，在 1300°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈桑湃胝婵涨惑w。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95_，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X 10_5Pa ;采用氪氣作為工作氣流，工作氣流量為30SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為10Pa，襯底溫度為450°C，脈沖激光能量90W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至160nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.0SSb5+, 0.04Bi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。測(cè)試結(jié)果為:
[0072]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為40Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)透光率為89%。
[0073]實(shí)施例6
[0074]將0.87mol SnO2,0.05mol Sb2O5 和 0.015mol Bi2O5 粉體經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對(duì)其進(jìn)行氮?dú)獯蹈?，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95_，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_5Pa ;采用氙氣作為工作氣流，工作氣流量為25SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為lOPa，襯底溫度為450°C，脈沖激光能量110W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至130nm，取出樣品得到的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為SnO2:0.1Sb5+, 0.03Bi5+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機(jī)發(fā)光層和陰極銀層，制備成有機(jī)發(fā)光器件。測(cè)試結(jié)果為:
[0075]采用四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得方塊電阻為45Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長(zhǎng)透光率為91%。
[0076]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其特征在于，其化學(xué)式為SnO2:XSb5+，yBi5+，其中，0.005 ≤ X ≤ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為30nm~200nmo
3.—種銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體，經(jīng)過混合后，在9000C ~1300°C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ≤ X ≤ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08 ； 將襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0XlO-3Pa≤l.0XlO≤5Pa ； 調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮?dú)狻?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20sCCm，工作壓強(qiáng)為10Pa，脈沖激光能量為150W。
6.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述陽(yáng)極層的材料為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為 SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ≤ x ≤ 0.15,0.005 ≤ y ≤ 0.08。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽(yáng)極層具有納米線結(jié)構(gòu)，所述納米線直徑為30nm~200nm。
8.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供透明的玻璃襯底； 在所述襯底上形成陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層為銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜，該銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的化學(xué)式為 SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ≤ x ≤ 0.15,0.005 ≤ y ≤ 0.08;在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光層，在所述發(fā)光層上形成陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽(yáng)極層的制備包括以下步驟: 根據(jù)SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化學(xué)計(jì)量比將SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉體，經(jīng)過混合后，在9000C ~1300°C下燒結(jié)得到靶材，其中，0.005 ≤ X ≤ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08 ； 將所述襯底裝入脈沖激光沉積設(shè)備的反應(yīng)室，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0XlO-3Pa≤l.0XlO≤5Pa ； 調(diào)芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強(qiáng)為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進(jìn)行脈沖激光沉積得到化學(xué)式為SnO2:xSb5+, yBi5+的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的銻鉍共摻雜氧化錫導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20sCCm，工作壓強(qiáng)為10Pa，脈沖激光能量為150W。`
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103668084SQ201210350684
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 馮小明 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司