專利名稱：選擇性發(fā)射極刻蝕工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝。
背景技術(shù)：
如圖I所示,現(xiàn)有的選擇性發(fā)射極(selective emitter/SE)刻蝕エ藝流程背面刻蝕一正面刻蝕一堿液去掩膜材料(蠟)一HF去磷硅玻璃(PSG)。其中，背面刻蝕采用滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)帶液方式在高濃HF+HN03混合液中去除擴(kuò)散片背面邊緣的PSG (即PN結(jié))。硅片正面的PSG層具有親水性，由于硅片邊緣和刻蝕液表面存在較強(qiáng)的固-液張力，硅片邊緣會被腐蝕出多孔硅，造成硅片邊緣最終刻蝕的方阻很高及PECVDエ藝后的白邊問題，嚴(yán)重影響硅片正面方阻的均勻性，甚至造成電池片的短路失效
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝，有效改善邊緣過刻的現(xiàn)象。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝，具有如下步驟a)硅片正面刻蝕在具有掩膜圖案的擴(kuò)散后的硅片正面刻蝕出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蝕硅片表面的PSG ；d)硅片背面刻蝕。進(jìn)ー步限定，步驟a中，將蠟印刷在重?fù)诫s的硅片表面的電極區(qū)，形成正電極的掩膜，通過正面刻蝕，腐蝕掉非電極區(qū)的硅以形成低摻雜擴(kuò)散區(qū)，電極區(qū)域?yàn)楦邠诫s擴(kuò)散區(qū)；步驟b中，通過KOH和ニこニ醇丁醚水溶液去除正面掩膜；步驟d中，通過滾輪齒輪帶液的方式對娃片的背面進(jìn)行拋光刻蝕。本發(fā)明的有益效果是擴(kuò)散后的硅片表面存在一層親水的PSG層，原有的選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝流程直接在具有親水性的PSG層硅片表面進(jìn)行背面刻蝕，硅片邊緣會造成過刻。改善后的エ藝流程中，去PSG層后的硅片整體呈疏水性，在進(jìn)行背面刻蝕時(shí)，可有效改善邊緣過刻的問題。同吋，由于改善后的エ藝首先對硅片進(jìn)行正面刻蝕，保證了刻蝕方阻整體的均勻性。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)ー步說明。圖I是原有的選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝流程；圖2是本發(fā)明的エ藝流程；
具體實(shí)施方式
如圖2所示，一種選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝，具有如下步驟a)硅片正面刻蝕通過模擬絲網(wǎng)印刷正電極的方式將蠟印刷在重?fù)诫s的硅片表面，形成具有正電極圖形的掩膜，通過正面刻蝕，腐蝕掉非電極區(qū)的硅以形成低摻雜擴(kuò)散區(qū)，電極區(qū)域?yàn)楦邠诫s擴(kuò)散區(qū)；b)去除正面掩膜通過KOH和BDG(ニこニ醇丁醚)水溶液去除正面掩膜材料蠟，K0H:BDG:H20=5L:10L:220L ；c)刻蝕硅片表面的PSG :PSG(磷硅玻璃)溶解于冊水溶液中，冊:!120=20し:220し；d)硅片背面刻蝕通過滾輪齒輪帶液的方式對硅片的背面進(jìn)行拋光刻蝕，刻蝕液采用高濃度 HF+HN03 水溶液，HF:HN03:H20=80L:270L:30L。
改善后的選擇性發(fā)射極刻蝕エ藝，由于沒有背刻槽高濃度酸腐蝕液對硅片邊緣的影響，不容易造成邊緣的過刻，進(jìn)而改善電池片的Rsh。改善后的エ藝效果實(shí)驗(yàn)方案相同片源的擴(kuò)散片，分成2批，一批采用正?？涛gエ藝流程，另外ー批
采用改進(jìn)后的本エ藝流程。電性能數(shù)據(jù)如下
權(quán)利要求
1.一種選擇性發(fā)射極刻蝕工藝，其特征是具有如下步驟 a)硅片正面刻蝕在具有掩膜圖案的擴(kuò)散后的硅片正面刻蝕出所需的方阻； b)去除正面掩膜； c)刻蝕硅片表面的PSG； d)硅片背面刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性發(fā)射極刻蝕工藝，其特征是步驟a中，將蠟印刷在重?fù)诫s的硅片表面的電極區(qū)，形成正電極的掩膜，通過正面刻蝕，腐蝕掉非電極區(qū)的硅以形成低摻雜擴(kuò)散區(qū)，電極區(qū)域?yàn)楦邠诫s擴(kuò)散區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性發(fā)射極刻蝕工藝，其特征是步驟b中，通過KOH和二乙二醇丁醚水溶液去除正面掩膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的選擇性發(fā)射極刻蝕工藝，其特征是步驟d中，通過滾輪齒輪帶液的方式對硅片的背面進(jìn)行拋光刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種選擇性發(fā)射極刻蝕工藝，具有如下步驟a)硅片正面刻蝕在具有掩膜圖案的擴(kuò)散后的硅片正面刻蝕出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蝕硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蝕。本發(fā)明的有益效果是擴(kuò)散后的硅片表面存在一層親水的PSG層，原有的選擇性發(fā)射極刻蝕工藝流程直接在具有親水性的PSG層硅片表面進(jìn)行背面刻蝕，硅片邊緣會造成過刻。改善后的工藝流程中，去PSG層后的硅片整體呈疏水性，在進(jìn)行背面刻蝕時(shí)，可有效改善邊緣過刻的問題。同時(shí)，由于改善后的工藝首先對硅片進(jìn)行正面刻蝕，保證了刻蝕方阻整體的均勻性。
文檔編號H01L31/18GK102709387SQ201210141800
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月8日
發(fā)明者丁曉春 申請人:常州天合光能有限公司