摻雜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種摻雜方法，特別是涉及一種用于背接觸電池的摻雜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體摻雜工藝中，常常需要實(shí)現(xiàn)局部的摻雜，例如太陽(yáng)能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)(需要形成局部重?fù)诫s)、背接觸電池的結(jié)構(gòu)(PN結(jié)均形成于電池片的背面)，或者M(jìn)OS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管中也會(huì)需要形成局部摻雜的結(jié)構(gòu)。通常，為了形成局部的摻雜，需要用到掩膜(mask)，將需要摻雜的位置暴露出來(lái)，將無(wú)需摻雜的區(qū)域覆蓋起來(lái)。常用的掩膜例如光刻膠，例如采用光刻將需要摻雜的位置暴露出來(lái)以便后續(xù)的摻雜。
[0003]也就是說(shuō)，在現(xiàn)有需要實(shí)現(xiàn)局部摻雜的工藝中，無(wú)可避免地會(huì)有一道形成掩膜的步驟，而掩膜的好壞、掩膜的精度也會(huì)從一定程度上影響后續(xù)工藝，尤其對(duì)于集成電路領(lǐng)域的摻雜來(lái)說(shuō)，掩膜的形成常常采用光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)，而光刻的工藝無(wú)疑會(huì)從一定程度上增加成本以及增加工藝的復(fù)雜度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中需要形成局部摻雜的場(chǎng)合下無(wú)可避免會(huì)有一道形成掩膜的工序、從而增加了工藝的復(fù)雜度的缺陷，提供一種具有高度連貫性的摻雜方法，其利用了擴(kuò)散工藝本身的特點(diǎn)形成掩膜，避免了額外的掩膜工序，簡(jiǎn)化了工藝流程，步驟之間的連貫性更強(qiáng)。
[0005]本發(fā)明是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的:
[0006]一種摻雜方法，其特點(diǎn)在于，其包括以下步驟:
[0007]S1:在第一導(dǎo)電類型襯底的背面擴(kuò)散摻雜形成第二導(dǎo)電類型摻雜層，并且在擴(kuò)散摻雜的過(guò)程中在該第二導(dǎo)電類型摻雜層的背面形成氧化層；
[0008]S2:蝕刻預(yù)定區(qū)域的氧化層直至暴露出該第一導(dǎo)電類型襯底并由此在該第一導(dǎo)電類型襯底的背面中形成凹槽；
[0009]S3:向該凹槽中注入第一導(dǎo)電類型離子以形成第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)域；
[0010]S4:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面形成第一導(dǎo)電類型摻雜層。
[0011]在該技術(shù)方案中，利用了熱擴(kuò)散工藝中形成的氧化層(例如BSG(硼硅玻璃)或者PSG (磷硅玻璃))作為掩膜，來(lái)實(shí)現(xiàn)后續(xù)離子注入的局部摻雜，由此，無(wú)需額外形成掩膜，整體工藝極為簡(jiǎn)單，連貫性很強(qiáng)。
[0012]優(yōu)選地，步驟SI之前包括步驟SO:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面和背面形成絨面。
[0013]優(yōu)選地，步驟S3之后、步驟S4之前包括:
[0014]SPl:在該氧化層上形成保護(hù)層；
[0015]SP2:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面形成絨面。
[0016]優(yōu)選地，步驟S4包括:
[0017]S41:在該氧化層上形成保護(hù)層；
[0018]S42:通過(guò)熱擴(kuò)散形成該第一導(dǎo)電類型摻雜層，同時(shí)修復(fù)離子注入的損傷；
[0019]S43:去除該保護(hù)層和該氧化層。
[0020]優(yōu)選地，步驟S2中通過(guò)激光或者蝕刻漿料來(lái)蝕刻預(yù)定區(qū)域的氧化層。
[0021]優(yōu)選地，該氧化層為第二導(dǎo)電類型摻雜硅玻璃。
[0022]本發(fā)明還提供一種摻雜方法，其特點(diǎn)在于，其包括以下步驟:
[0023]Rl:在第一導(dǎo)電類型襯底的正面和背面形成絨面，并在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面形成第一導(dǎo)電類型摻雜層；
[0024]R2:在該第一導(dǎo)電類型襯底的背面擴(kuò)散摻雜形成第二導(dǎo)電類型摻雜層，并且在擴(kuò)散摻雜的過(guò)程中在該第二導(dǎo)電類型摻雜層的背面形成氧化層；
[0025]R3:蝕刻預(yù)定區(qū)域的氧化層直至暴露出該第一導(dǎo)電類型襯底并由此在該第一導(dǎo)電類型襯底的背面中形成凹槽；
[0026]R4:向該凹槽中注入第一導(dǎo)電類型離子以形成第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)域。
[0027]優(yōu)選地，步驟R3中通過(guò)激光或者蝕刻漿料來(lái)蝕刻預(yù)定區(qū)域的氧化層。
[0028]優(yōu)選地，該氧化層為第二導(dǎo)電類型摻雜硅玻璃，和/或，
[0029]步驟R4之后還包括:
[0030]R5:去除該氧化層。
[0031]本發(fā)明還提供一種摻雜方法，其特點(diǎn)在于，其包括以下步驟:
[0032]Tl:在第一導(dǎo)電類型襯底的背面設(shè)置第二導(dǎo)電類型摻雜板，利用熱擴(kuò)散工藝使得該第二導(dǎo)電類型摻雜板中的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)擴(kuò)散至該第一導(dǎo)電類型襯底的背面以在該第一導(dǎo)電類型襯底的背面形成第二導(dǎo)電類型摻雜層；
[0033]T2:蝕刻預(yù)定區(qū)域的第二導(dǎo)電類型摻雜板直至暴露出該第一導(dǎo)電類型襯底并由此在該第一導(dǎo)電類型襯底的背面中形成凹槽；
[0034]T3:向該凹槽中注入第一導(dǎo)電類型離子以形成第一導(dǎo)電類型摻雜區(qū)域；
[0035]T4:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面形成第一導(dǎo)電類型摻雜層。
[0036]本發(fā)明利用了用于實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散摻雜的摻雜板(例如BSG(硼硅玻璃)或者PSG(磷硅玻璃))作為掩膜，來(lái)實(shí)現(xiàn)后續(xù)離子注入的局部摻雜，由此，無(wú)需額外形成掩膜，整體工藝極為簡(jiǎn)單，連貫性很強(qiáng)。
[0037]優(yōu)選地，步驟Tl之前包括步驟TO:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面和背面形成絨面。
[0038]優(yōu)選地，步驟T3之后、步驟T4之前包括:
[0039]TPl:在該第二導(dǎo)電類型摻雜板上形成保護(hù)層；
[0040]TP2:在該第一導(dǎo)電類型襯底的正面形成絨面。
[0041 ] 優(yōu)選地，步驟T4包括:
[0042]T41:在該第二導(dǎo)電類型摻雜板上形成保護(hù)層；
[0043]T42:通過(guò)熱擴(kuò)散形成該第一導(dǎo)電類型摻雜層，同時(shí)修復(fù)離子注入的損傷；
[0044]T43:去除該保護(hù)層和該第二導(dǎo)電類型摻雜板。
[0045]優(yōu)選地，步驟T2中通過(guò)激光或者蝕刻漿料來(lái)蝕刻預(yù)定區(qū)域的氧化層。
[0046]優(yōu)選地,該第二導(dǎo)電類型摻雜板為第二導(dǎo)電類型摻雜娃玻璃。
[0047]在符合本領(lǐng)域常識(shí)的基礎(chǔ)上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本發(fā)明各較佳實(shí)例。
[0048]本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于:
[0049]1、本發(fā)明利用了熱擴(kuò)散工藝中形成的氧化層或者用于實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散摻雜的摻雜板(例如BSG (硼硅玻璃)或者PSG (磷硅玻璃))作為掩膜，來(lái)實(shí)現(xiàn)后續(xù)離子注入的局部摻雜，由此，省去了額外的形成掩膜的工藝，由此各個(gè)步驟之間的連貫性更強(qiáng)。
[0050]2、采用熱擴(kuò)散工藝形成襯底正面的摻雜層，同時(shí)也可作為離子注入后的退火步驟，以修復(fù)離子注入的損傷，一道工序中完成了兩道工藝，使得整體工藝的集成度更高。
【附圖說(shuō)明】
[0051]圖1-5為本發(fā)明實(shí)施例1的工藝流程圖。
[0052]圖6-10為本發(fā)明實(shí)施例2的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]下面通過(guò)實(shí)施例的方式進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。下列實(shí)施例中未注明具體條件的實(shí)驗(yàn)方法，按照常規(guī)方法和條件，或按照商品說(shuō)明書(shū)選擇。
[0054]實(shí)施例1
[0055]參考圖1-圖5，以N型襯底為例，介紹本實(shí)施例的工藝流程。參考附圖，以上方表示襯底的正面，下方表示襯底的背面，這僅僅是為了描述上的簡(jiǎn)便，并不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0056]如圖1所示，先在N型襯底I的正面和背面制絨，由此形成正面的絨面和背面的絨面，以提高光的利用率。
[0057]參考圖2，采用熱擴(kuò)散的方式在背面形成P型摻雜層2，同時(shí)在擴(kuò)散摻雜的過(guò)程中會(huì)在N型襯底I的背面形成一層BSG(硼娃玻璃)3。
[0058]參考圖3，采用激光消融(laser ablat1n)去除預(yù)定區(qū)域的BSG3、P型摻雜層2以及N型襯底1，直至暴露出N型襯底1，并且在N型襯底I的背面中形成凹槽4。未經(jīng)蝕刻的P型摻雜層2和BSG3依然采用原有的附圖標(biāo)記表示，凹槽4可以視作N型襯底I背面打開(kāi)的窗口，用于后續(xù)的離子注入。
[0059]參考圖4，采用離子注入的方式將N型離子注入自至凹槽中以形成N型摻雜區(qū)域5，可以看出，未被BSG3覆蓋的區(qū)域可以實(shí)現(xiàn)離子注入，而被BSG3覆蓋的區(qū)域(即對(duì)應(yīng)于P區(qū))則被保護(hù)，也就是說(shuō)，在摻雜過(guò)程中形成的BSG作為離子注入的掩膜，從而實(shí)現(xiàn)了局部摻雜。
[0060]參考圖5，在該N型襯底I的背面設(shè)置擴(kuò)散保護(hù)層(圖中未示出)，以保護(hù)背面已經(jīng)形成的PN