專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用提供在襯底上的非晶半導(dǎo)體膜的底柵型的薄膜晶體管(以下縮寫為TFT)、由TFT構(gòu)成的電路、具有由TFT構(gòu)成的電路的裝置、以及其制造方法。本發(fā)明特別涉及以液晶顯示器件為典型的電光裝置、以及可以適當(dāng)?shù)乩糜诎惭b有所述電光裝置的電子設(shè)備的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，直觀液晶顯示器件廣泛地應(yīng)用于電子設(shè)備如筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)或臺(tái)式計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、便攜式電話機(jī)、音樂(lè)再生裝置、電視機(jī)、便攜式終端、靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、專用閱覽圖像和動(dòng)畫的瀏覽器等，以便顯示圖像或文字信息。尤其是，與無(wú)源液晶顯示器件相比，有源矩陣液晶顯示器件可以獲得高精細(xì)的圖像，所以被廣泛應(yīng)用。有源矩陣液晶顯示器件，在成為顯示區(qū)域的像素部分中分別對(duì)應(yīng)于像素并以矩陣形狀配置有源元件(例如，薄膜晶體管)而構(gòu)成。TFT作為開(kāi)關(guān)元件在每個(gè)像素中分別控制施加給液晶的電壓，以進(jìn)行所希望的圖像顯示(參照專利文獻(xiàn)I)。在有源矩陣液晶顯示器件中，通過(guò)光刻技術(shù)使用多個(gè)光掩模，在襯底上形成TFT、布線、電極、絕緣膜中的接觸孔等。在使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)等的金屬形成布線或電極的情況下，可以通過(guò)進(jìn)行干式蝕刻(干蝕刻)和濕式蝕刻(濕蝕刻)中的任何ー種來(lái)形成所希望的圖形。此外，用于透過(guò)型液晶顯示器件的像素電極的材料等的透光導(dǎo)電膜(在本說(shuō)明書中也稱為“透明導(dǎo)電膜”)也可以通過(guò)進(jìn)行干式蝕刻(干蝕刻)和濕式蝕刻(濕蝕刻)中的任何ー種來(lái)形成所希望的圖形。作為這樣的透明導(dǎo)電膜，使用金屬氧化物諸如銦錫氧化物(以下也稱為“ΙΤ0”)、氧化鋅、氧化銦鋅(以下也稱為“ΙΖ0”)等或半導(dǎo)體氧化物。 尤其是，對(duì)于透明導(dǎo)電膜的蝕刻，濕蝕刻是主流。然而，與鋁(Al)等的金屬相比，上面舉例的透明導(dǎo)電膜具有容易產(chǎn)生殘?jiān)娜秉c(diǎn)。因此，在產(chǎn)生殘?jiān)以摎堅(jiān)罱K殘留在襯底上的情況下，有可能在像素電極之間導(dǎo)致漏電流。此外，與上述透明導(dǎo)電膜相同，氮化硅膜和氧化硅膜等的絕緣膜具有如下缺點(diǎn)，SP通過(guò)濕蝕刻而產(chǎn)生的殘?jiān)鼩埩粼趯?dǎo)電體之間的連接部分。因此，有可能導(dǎo)致連接不良和接觸電阻的增大等。此外，在使用傳統(tǒng)的TFT的液晶顯示器件中，形成由氮化硅膜、含氮的氧化硅膜或含氧的氮化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜(也稱為“鈍化膜”)來(lái)覆蓋成為開(kāi)關(guān)功能的核心的半導(dǎo)體膜或TFT整體，以便保護(hù)它們免受污染物的影響。這里所說(shuō)的污染物就是鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)等的堿金屬，該堿金屬具有使半導(dǎo)體的作為開(kāi)關(guān)的功能退化的效果。然而，在透過(guò)型液晶顯示器件或半透過(guò)型液晶顯示器件中，所述保護(hù)膜不僅形成在TFT的上部而且形成在縫隙，該縫隙使來(lái)自背燈的光透過(guò)而形成顯示圖像。來(lái)自背燈的光在縫隙也透過(guò)保護(hù)膜，但是，光在保護(hù)膜內(nèi)部受反射、折射或吸收等的影響，最終的透過(guò)光的強(qiáng)度會(huì)降低。因此，液晶顯示器件的亮度有可能成為對(duì)于背燈光源本身降低的值。再者，還有可能因?yàn)橄嗤睦碛赏高^(guò)保護(hù)膜之后的光的波長(zhǎng)從光源的波長(zhǎng)變化，實(shí)際上顯示的顔色與希望的顔色不一致。此外，現(xiàn)有的有源矩陣液晶顯示器件由矩陣形狀的像素構(gòu)成，其中采用通過(guò)線順序驅(qū)動(dòng)選擇掃描線(柵極布線)將圖像顯示在顯示區(qū)域(像素部分)的方式是主流。
以60Hz等的周期選擇各個(gè)掃描信號(hào)線，然而在從結(jié)束了向任意的行的寫入以后直到下一周期開(kāi)始寫入的期間，在各個(gè)像素中提供輔助電容器(Cs)，以便保持像素電極的電位。在現(xiàn)有的使用非晶半導(dǎo)體膜的有源矩陣液晶顯示器件中，作為形成輔助電容器的方法，可以提出以下兩個(gè)方法，即將使用相鄰的像素行的柵極布線(掃描線)或以與柵極布線相同的材料并在相同的層上形成的布線作為一方電極，并且將像素電極作為另一方電極，在兩個(gè)電極之間夾柵極絕緣膜和保護(hù)膜來(lái)形成輔助電容器的方法(以下稱為“第一方法”)；以及與柵極布線分別形成且將使用與柵極布線相同的材料并在相同的層上形成的輔助電容線作為一方電極，將電連接到像素電極且使用與漏電極相同的材料并在相同的層上形成的電極作為另一方電極，在兩個(gè)電極之間夾柵極絕緣膜來(lái)形成輔助電容器的方法(以下稱為“第二方法”)。圖2示出了現(xiàn)有的有源矩陣液晶顯示器件的像素的俯視圖。圖2所示的液晶顯示器件具有柵電極及柵極布線(將“柵極布線”也稱為“掃描線”)1002、TFT的半導(dǎo)體膜1003、源電極及源極布線(將“源極布線”也稱為“信號(hào)線”)1004、漏電極1005、像素電極1006、以及輔助電容器1007。輔助電容器1007由柵極布線1002、像素電極1006、以及形成在柵極布線1002和像素電極1006之間的絕緣膜(介電薄膜)形成。將參照?qǐng)D12A至12F以及圖13A至13E描述圖2所示的現(xiàn)有的有源矩陣液晶顯示器件的制造步驟。注意，圖12A至12F以及圖13A至13E對(duì)應(yīng)于沿圖2中的線B-B’的截面。首先在襯底1000上形成第一導(dǎo)電膜1021 (參照?qǐng)D12A)。接著，通過(guò)第一光刻步驟而形成抗蝕劑掩模，并且通過(guò)蝕刻去除第一導(dǎo)電膜1021的不必要的部分，以形成柵電極及柵極布線1002(參照?qǐng)D12B)。在襯底1000、柵電極及柵極布線1002上形成柵極絕緣膜1022、非晶半導(dǎo)體膜1023、以及包含賦予ー個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的非晶半導(dǎo)體膜1024 (參照?qǐng)D12C)。接著，通過(guò)第ニ光刻步驟而形成抗蝕劑掩模，并且通過(guò)蝕刻去除非晶半導(dǎo)體膜1023和包含賦予ー個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的非晶半導(dǎo)體膜1024的不必要的部分，以形成島狀半導(dǎo)體膜1025a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜1025b (參照?qǐng)D12D)。接下來(lái)，在柵極絕緣膜1022、島狀半導(dǎo)體膜1025a、以及含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜1025b上形成第二導(dǎo)電膜1026(參照?qǐng)D12E)。再者，通過(guò)進(jìn)行第三光刻步驟來(lái)形成抗蝕劑掩模，并且蝕刻第二導(dǎo)電膜1026的不必要的部分，以形成源電極及源極布線1004、漏電極1005(參照?qǐng)D 12F)。再者，以源電極及源極布線1004、漏電極1005作為掩摸，以自對(duì)準(zhǔn)的方式蝕刻島狀半導(dǎo)體膜1025a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜1025b。將含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜1025b分離成源極區(qū)域1003bs及漏極區(qū)域1003bd。此外，島狀半導(dǎo)體膜1025a也被蝕刻而成為島狀半導(dǎo)體膜1003a (參照?qǐng)D13A)。在源電極及源極布線1004、漏電極1005、源極區(qū)域1003bs、漏極區(qū)域1003bd、以及島狀半導(dǎo)體膜1003a上形成保護(hù)膜1027(參照?qǐng)D13B)。通過(guò)第四光刻步驟形成抗蝕劑掩模，并且蝕刻保護(hù)膜1027，以形成達(dá)到漏電極1005的接觸孔1001 (參照?qǐng)D13C)。再者，覆蓋保護(hù)膜1027及接觸孔1001地形成第三導(dǎo)電膜1029(參照?qǐng)D13D)。通過(guò)第五光刻步驟形成抗蝕劑掩模，并且蝕刻第三導(dǎo)電膜1029，以形成像素電極1006(參照 圖 13E)。像這樣，通過(guò)五次光刻步驟，使用五個(gè)光刻掩模形成圖2所示的現(xiàn)有的有源矩陣液晶顯示器件的像素。此外，圖2及11示出根據(jù)上述第一方法形成輔助電容器的例子。圖2為ー種液晶顯示器件的例子，其中將相鄰的像素行的柵極布線(掃描線)作為一方電極，而將像素電極作為另一方電極。在圖2中，符號(hào)1002為柵電極及柵極布線、1003為TFT的半導(dǎo)體膜、1004為源電極及源極布線、1005為漏電極、以及1006為像素電極。輔助電容器1007由柵極布線1002、像素電極1006、以及形成在柵極布線1002和像素電極1006之間的柵極絕緣膜和保護(hù)膜形成，該柵極絕緣膜和保護(hù)膜被用作介電薄膜。此外，圖11為ー種液晶顯示器件的例子，其中將以與柵極布線相同的材料并在相同的層上形成的柵極布線作為一方電極，而將像素電極作為另一方電極。在圖11中示出了柵電極及柵極布線1012、TFT的半導(dǎo)體膜1013、源電極及源極布線1014、漏電極1015、像素電極1016、輔助電容器1017、以及輔助電容線1018。漏電極1015和像素電極1016通過(guò)接觸孔1011彼此連接。輔助電容線1018以與柵電極及柵極布線1012相同的材料并在相同的層上形成。輔助電容器1017由輔助電容線1018、像素電極1016、以及形成在輔助電容線1018和像素電極1016之間的柵極絕緣膜和保護(hù)膜形成，該柵極絕緣膜和保護(hù)膜被用作介電薄膜。圖50示出根據(jù)第二方法形成輔助電容器的例子。在圖50中，符號(hào)1032為柵電極及柵極布線、1033為TFT的半導(dǎo)體膜、1034為源電極及源極布線、1035為漏電極、1036為像素電極、1037a及1037b為輔助電容器、1038為下層輔助電容線、以及1039a及1039b為上層輔助電容電極。漏電極1035通過(guò)接觸孔1031與像素電極1036連接。上層輔助電容電極1039a以與源電極及源極布線1034以及漏電極1035相同的材料并在相同的層上形成，并且通過(guò)兩個(gè)接觸孔與像素電極1036連接。將下層輔助電容線1038作為一方電極，將上層輔助電容電極1039a作為另一方電極，并且將柵極絕緣膜作為電極之間的電介質(zhì)來(lái)形成輔助電容器1037a。此外，上層輔助電容電極1039b也以與源電極及源極布線1034以及漏電極1035相同的材料且在相同的層上形成，并且通過(guò)ー個(gè)接觸孔與像素電極1036連接。將下層輔助電容線1038作為一方電極，將上層輔助電容電極1039b作為另一方電極，并且將柵極絕緣膜作為電極之間的電介質(zhì)來(lái)形成輔助電容器1037b。在第二方法中，由于兩個(gè)電極之間的介電薄膜可以相當(dāng)于ー層?xùn)艠O絕緣膜的厚度而可以使其膜厚度薄，由此，可以增加電容量。因此，與第一方法相比，第二方法為了形成輔助電容器不需要大面積。然而，與此相反，第二方法具有如下問(wèn)題由于作為一方電極不僅提供掃描線(柵極布線)而且提供輔助電容線而需要為了形成電極的面積，由此開(kāi)ロ率降低；由于作為另一方電極形成以與漏電極相同的材料并在相同的層上被形成的電極，由此成品率降低。與之對(duì)應(yīng)，第一方法由于使用柵極絕緣膜和保護(hù)膜的兩層作為介電薄膜，從而其電容量比第二方法的小，由此，為了形成電極需要更大的面積。因此，會(huì)發(fā)生如下問(wèn)題必須 將掃描線本身形成得寬；必須將重疊于像素電極和掃描線的部分設(shè)計(jì)得大等。再者，如圖2和11所示，在現(xiàn)有的有源液晶顯示器件中，連接到TFT的源電極或漏電極與像素電極通過(guò)圓形接觸孔1001或1011彼此連接，由此使TFT和像素電極電連接。然而，因?yàn)樵谌∠蚰は路降乃鼋佑|孔在取向膜產(chǎn)生凹部，所以不容易實(shí)現(xiàn)理想的摩擦。由此，存在有ー個(gè)缺點(diǎn)，即位于接觸孔上部附近的液晶會(huì)產(chǎn)生取向無(wú)序。因此，在接觸孔上部附近發(fā)生漏光，從而有顯示的質(zhì)量被損害的問(wèn)題。作為防止上述問(wèn)題，有這樣的方法在相對(duì)于形成有TFT的襯底的相對(duì)襯底ー側(cè)提供黑矩陣，以遮光位于接觸孔的區(qū)域和其附近。然而，這成為降低縫隙率的ー個(gè)原因。此外，可以通過(guò)保護(hù)膜材料的干蝕刻，形成具有預(yù)定的形狀的保護(hù)膜。此時(shí)，不需要的物質(zhì)，諸如通過(guò)蝕刻而產(chǎn)生的保護(hù)膜材料的一部分、用于形成保護(hù)膜的材料和蝕刻氣體成分的反應(yīng)生成物等，作為殘?jiān)鼩埩粼诒惶幚砻嫔?。例如，在所述殘?jiān)l(fā)生在像素電極和布線之間的情況下，該殘?jiān)锌赡艹蔀橄袼仉姌O和布線之間的接觸電阻的原因，或有可能妨礙像素電極和布線的電接觸，甚至損害作為液晶顯示器件的功能或損失該功能。由此，為了避免殘?jiān)鼩埩?，通過(guò)使用氫氟酸基化學(xué)溶液、堿性清洗剤、界面活性剤、浄化水或這些和超聲波清洗的組合物(以下稱為清洗剤)而清洗被處理面。在現(xiàn)有的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)中，對(duì)像素電極和漏電極的接觸部分采用了直徑小的圓形接觸孔，然而，有可能在清洗后從清洗劑將具有被處理面的襯底拉上時(shí)，清洗液殘留在圓形接觸孔的內(nèi)壁或底部。此外，若采用了這種現(xiàn)有的直徑小的接觸孔，則有可能像素電極和漏電極因?yàn)榕_(tái)階斷線，而導(dǎo)致連接不良。此外，液晶顯示器件有如下兩種使來(lái)自背燈的光透過(guò)來(lái)進(jìn)行顯示的透過(guò)型液晶顯示器件；使用提供在襯底中的反射電極反射外光來(lái)進(jìn)行顯示的反射型液晶顯示器件。透過(guò)型液晶顯示器件在室內(nèi)等的暗處也優(yōu)異于可見(jiàn)性，而反射型液晶顯示器件在室外的明處優(yōu)異于可見(jiàn)性。此外，像便攜式電話機(jī)那樣不管在室內(nèi)還是在室外被使用的顯示器件有如下液晶顯示器件并有透過(guò)和反射功能的半透過(guò)型(透過(guò)區(qū)域和反射區(qū)域以大致相同的比率形成)液晶顯示器件；微反射型(反射區(qū)域小于透過(guò)區(qū)域)液晶顯示器件。[專利文獻(xiàn)I]特開(kāi)2002-116712號(hào)公報(bào)為了將包括如上所述的液晶顯示器件的產(chǎn)品供給到市場(chǎng)，需要同時(shí)推薦生產(chǎn)率的提聞、低成本化、以及聞可Φ性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在以有源矩陣液晶顯示器件為典型的電光裝置及半導(dǎo)體器件中解決上述問(wèn)題，其目的在于提供ー種液晶顯示器件及其制造方法，所述液晶顯示器件實(shí)現(xiàn)成品率高的大量生產(chǎn)步驟且其亮度和開(kāi)ロ率高。在本發(fā)明中，通過(guò)同時(shí)去除在像素的縫隙中的保護(hù)膜以及柵極布線上的保護(hù)膜，解決上述課題而達(dá)成上述目的。本發(fā)明具有絕緣襯底、提供在比所述絕緣襯底上的薄膜晶體管(TFT)、提供在比所述絕緣襯底上方的柵極布線、提供在比所述絕緣襯底上方的源極布線、提供在比所述絕緣襯底上方的輔助電容器、以及連接到所述薄膜晶體管的像素電極，其中所述薄膜晶體管及所述源極布線被包含絕緣材料的保護(hù)膜覆蓋，所述保護(hù)膜具有開(kāi)ロ部分，并且所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。注意，本說(shuō)明書中將“源極布線”及“源極線”也稱為“信號(hào)線”。此外，在本說(shuō)明書 中，為方便起見(jiàn)，將薄膜晶體管的一對(duì)雜質(zhì)區(qū)域作為源極區(qū)域及漏極區(qū)域。然而，根據(jù)從信號(hào)線輸入的信號(hào)，源極區(qū)域和漏極區(qū)域會(huì)分別起到相反的作用。這對(duì)于源電極及漏電極也是同樣的。進(jìn)行TFT的開(kāi)關(guān)功能的核心是半導(dǎo)體膜。在很多情況下，將硅用于半導(dǎo)體膜。此夕卜，根據(jù)半導(dǎo)體膜的狀態(tài)可以將液晶顯示器件大致分成兩個(gè)種類。即，使用了非晶半導(dǎo)體膜的液晶顯示器件，其中半導(dǎo)體膜的狀態(tài)為非晶(非晶狀態(tài))、以及使用了結(jié)晶半導(dǎo)體膜的液晶顯示器件，其中半導(dǎo)體膜的結(jié)晶狀態(tài)為結(jié)晶(多結(jié)晶狀態(tài))。使用了結(jié)晶半導(dǎo)體膜的液晶顯示器件由于半導(dǎo)體膜中的載流子的遷移率高等的理由，可以在顯示區(qū)域周圍使用TFT來(lái)形成驅(qū)動(dòng)電路。然而，與此相反，由于制造步驟的復(fù)雜化導(dǎo)致的成品率的下降或制造成本的増大等成為問(wèn)題。此外，當(dāng)制造結(jié)晶半導(dǎo)體膜時(shí)，在一般情況下，為了晶體化將ー種使用氣體如XeCl或KrF等的氣體激光的受激準(zhǔn)分子激光加工成線狀的激光束，使它掃描在非晶半導(dǎo)體膜上。然而，在現(xiàn)在的情況下，對(duì)線狀激光束的長(zhǎng)度有限，所以存在有上述方法不能對(duì)應(yīng)于有利于減少成本的大型玻璃襯底等的問(wèn)題。另ー方面，與使用結(jié)晶半導(dǎo)體膜的液晶顯示器件相比，使用非晶半導(dǎo)體膜的液晶顯示器件的制造步驟簡(jiǎn)便，所以有制造成本降低的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、柵極絕緣膜、以及柵電極的薄膜晶體管；連接到所述源極區(qū)域的源極布線；連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；以及覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線且與所述像素電極的周圍部分重疊的保護(hù)膜，其中，所述保護(hù)膜具有開(kāi)ロ部分，所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且包括ー對(duì)ー個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域和溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管；與所述ー對(duì)ー個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域的一方電連接的第一布線；與所述ー對(duì)ー個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)域的另一方電連接的第ー電極；與所述第一電極連接的像素電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；以及覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線的保護(hù)膜，其中，所述保護(hù)膜具有開(kāi)ロ部分，并且所述像素電極及所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有柵極布線、柵極絕緣膜、溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域的的薄膜晶體管；提供在所述襯底上且連接到所述源極區(qū)域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分；形成在所述薄膜晶體管、所述像素電極、以及所述保護(hù)膜上的第一取向膜；相對(duì)于所述襯底的相對(duì)襯底；形成在所述相對(duì)襯底上的相對(duì)電極；形成在所述相對(duì)電極上的第二取向膜；以及保持在所述襯底和所述相對(duì)襯底之間的液晶，其中，所述輔助電容器存在于形成有開(kāi)ロ部分的區(qū)域。 此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有柵極布線、柵極絕緣膜、溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域的薄膜晶體管；提供在所述襯底上且連接到所述源極區(qū)域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分，其中，所述輔助電容器存在于形成有開(kāi)ロ部分的區(qū)域，所述像素電極為透明電極，并且與所述像素電極的一部分重疊地形成反射電極。在本發(fā)明中，所述反射電極可以含有鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)中的任何ー種。此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有柵極布線、柵極絕緣膜、溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域的薄膜晶體管；提供在所述襯底上且連接到所述源極區(qū)域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分；形成在所述襯底上且以與所述柵極布線相同的材料并在相同的層上形成的共同布線；形成在所述襯底上且以與所述像素電極相同的材料并在相同的層上形成的多個(gè)共同電極，該多個(gè)共同電極連接到所述共同布線；相對(duì)于所述襯底的相對(duì)襯底；以及保持在所述襯底和所述相對(duì)襯底之間的液晶，其中，所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底、提供在所述襯底上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有柵極布線、柵極絕緣膜、溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域；提供在所述襯底上且連接到所述源極區(qū)域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分；提供在所述像素電極的多個(gè)槽；形成在所述薄膜晶體管、所述像素電極、以及所述保護(hù)膜上的第一取向膜；相對(duì)于所述襯底的相對(duì)襯底；形成在所述相對(duì)襯底上的相對(duì)電極；提供在所述相對(duì)電極上的多個(gè)突起物；形成在所述相對(duì)電極及所述多個(gè)突起物上的第二取向膜；以及保持在所述襯底和所述相對(duì)襯底之間的液晶，其中，所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。
此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有柵極布線、柵極絕緣膜、溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域的薄膜晶體管；提供在所述襯底上且連接到所述源極區(qū)域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述漏極區(qū)域的漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述漏電極的像素電極；覆蓋所述薄膜晶體管及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分；提供在所述像素電極的多個(gè)第一槽；形成在所述薄膜晶體管、所述像素電極、以及所述保護(hù)膜上的第一取向膜；相對(duì)于所述襯底的相對(duì)襯底；形成在所述相對(duì)襯底上的相對(duì)電極；提供在所述相對(duì)電極的多個(gè)第二槽；形成在所述相對(duì)電極及所述多個(gè)第二槽上的第二取向膜；以及保持在所述襯底和所述相對(duì)襯底之間的液晶，其中，所述輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域，并且所述第一槽和所述第二槽沒(méi)有重疊地配置。此外，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其中具有襯底；提供在所述襯底上且具有第一柵極布線、柵極絕緣膜、第一溝道形成區(qū)域、第一源極區(qū)域和第一漏極區(qū)域的第一薄膜晶體管以及具有第二柵極布線、所述柵極絕緣膜、第二溝道形成區(qū)域、第二源極區(qū)域和第二漏極區(qū)域的第二薄膜晶體管；提供在所述襯底上且連接到所述第一源極區(qū)域及所述第二源極區(qū) 域的源極布線；提供在所述襯底上且連接到所述第一漏極區(qū)域的第一漏電極；提供在所述襯底上且連接到所述第二漏極區(qū)域的第二漏電極；提供在所述襯底上的輔助電容器；連接到所述第一漏電極的第一像素電極；連接到所述第二漏電極的第二像素電極；以與所述第ー柵極布線及所述第二柵極布線相同的材料并在相同的層上形成的輔助電容線；覆蓋所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、以及所述源極布線地形成的保護(hù)膜；形成在所述保護(hù)膜中的開(kāi)ロ部分；形成在所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第一像素電極、所述第二像素電極、以及所述保護(hù)膜上的第一取向膜；相對(duì)于所述襯底的相對(duì)襯底；形成在所述相對(duì)襯底上的相對(duì)電極；形成在所述相對(duì)電極上的第二取向膜；以及保持在所述襯底和所述相對(duì)襯底之間的液晶，其中，第一輔助電容其形成在所述第一像素電極的一部分和所述輔助電容線重疊的區(qū)域中，第二輔助電容器形成在所述第二像素電極的一部分和所述輔助電容線重疊的區(qū)域中，并且所述第一輔助電容器及所述第二輔助電容器存在于形成有所述開(kāi)ロ部分的區(qū)域。在本發(fā)明中，所述第一像素電極和所述第二像素電極的面積是相同的。在本發(fā)明中，所述第一像素電極和所述第二像素電極的面積是不同的。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中包括如下步驟在襯底上形成柵極布線；在所述柵極布線上形成柵極絕緣膜；在所述柵極布線上中間夾著所述柵極絕緣膜形成島狀半導(dǎo)體膜及含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜；在所述柵極絕緣膜、所述島狀半導(dǎo)體膜、以及所述含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜上形成源極布線及漏電極；以所述源極布線及所述漏電極作為掩模，蝕刻所述島狀半導(dǎo)體膜及所述含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜，以由所述含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜形成源極區(qū)域及漏極區(qū)域，并且由所述島狀半導(dǎo)體膜形成溝道形成區(qū)域；在所述源極布線、所述漏電極、所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域、以及所述溝道形成區(qū)域上形成絕緣膜；去除所述絕緣膜的一部分，使所述漏電極的一部分區(qū)域露出；以及與所述漏電極的露出了的區(qū)域接觸地形成像素電極，其中，所述源極布線、所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域、以及所述溝道形成區(qū)域上的絕緣膜沒(méi)有被去除，所述沒(méi)有被去除的絕緣膜用作保護(hù)膜。在本發(fā)明中，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
在本發(fā)明中，所述薄膜晶體管為反交錯(cuò)型薄膜晶體管。在本發(fā)明中，所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域、以及所述溝道形成區(qū)域各個(gè)是使用非晶半導(dǎo)體膜來(lái)形成的。在本發(fā)明中，所述漏電極具有上層漏電極和下層漏電極，在所述開(kāi)口部分中去除所述上層漏電極，并且所述像素電極僅僅與所述下層漏電極接觸。在本發(fā)明中，所述漏電極具有上層漏電極、中層漏電極、以及下層漏電極，所述像素電極僅僅與所述上層漏電極接觸。在本發(fā)明中，輔助電容器由所述柵極布線的一部分、所述柵極絕緣膜、以及所述像素電極的一部分形成。在本發(fā)明中，所述輔助電容器由以與所述柵極布線相同的材料形成的輔助電容 器、所述柵極絕緣膜、以及以與電連接到所述像素電極的漏電極相同的材料形成的導(dǎo)電膜的一部分形成。在本發(fā)明中，所述島狀半導(dǎo)體膜及含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜各個(gè)是使用非晶半導(dǎo)體膜來(lái)形成的。在本發(fā)明中，所述像素電極為透明電極，并且與所述像素電極的一部分重疊地形成反射電極。在本發(fā)明中，所述反射電極含有鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)中的任何一種。在本發(fā)明中，所述保護(hù)膜為氮化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、氧化硅膜、組合它們的疊層膜中的一種。在本發(fā)明中，所述襯底為絕緣襯底。在本發(fā)明中，所述襯底為玻璃襯底或石英襯底。在本發(fā)明中，所述像素電極含有氧化銦、銦錫氧化物、氧化銦-氧化鋅合金中的任何一種。在本發(fā)明中，所述保護(hù)膜和所述柵極絕緣膜的材料可以互相不同。在本發(fā)明中，所述半導(dǎo)體器件為電視接收機(jī)、便攜式電話機(jī)、液晶顯示器、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、圖像重放裝置、攝像機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音樂(lè)再生裝置、以及靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)中的一種。注意，在本說(shuō)明書中，半導(dǎo)體器件是指通過(guò)利用半導(dǎo)體而工作的所有元件及裝置，將上述包括液晶顯示器件的電光裝置及安裝有其電光裝置的電子設(shè)備包括在其范圍內(nèi)。此外，在本說(shuō)明書中，透明導(dǎo)電膜、透明電極、以及透明導(dǎo)電材料只要分別為具有透光性的導(dǎo)電膜、具有透光性的電極、具有透光性的導(dǎo)電材料、以及具有透光性的電極即可，如果有點(diǎn)兒朦朧或有顏色也行。只要具有為了透光充分的透明度，就在本說(shuō)明書中認(rèn)為是透明。在本發(fā)明中，通過(guò)形成保護(hù)膜并且在所述保護(hù)膜中形成向與源極布線平行的方向延伸存在的開(kāi)口部分，可以降低當(dāng)蝕刻形成保護(hù)膜的絕緣膜時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)?，而可以抑制由于殘?jiān)鼘?dǎo)致的像素電極和漏電極的接觸不良。與此同樣，可以降低當(dāng)在蝕刻用于形成像素電極時(shí)的透明導(dǎo)電材料時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)?，而可以降低由于殘?jiān)鼘?dǎo)致的漏電流和導(dǎo)通。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以消除常規(guī)上發(fā)生的在接觸孔上部附近的液晶的取向無(wú)序(也稱為向錯(cuò)(disclination))，該取向無(wú)序是由于保護(hù)膜的接觸孔的形狀導(dǎo)致的。
再者，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)增大像素電極和漏電極的接觸面積，而可以降低接觸電阻。此外，在保護(hù)膜的開(kāi)口部分中可以獲得來(lái)自光源的光的高透過(guò)率。此外，本發(fā)明可以不使光掩模的數(shù)量為比現(xiàn)有技術(shù)多，所以可以制造質(zhì)量好的液晶顯示器件，而不增加制造步驟和制造成本。根據(jù)本發(fā)明，可以提供聞可罪性、聞成品率、聞売度、且聞縫隙率的液晶顯不器件。


圖IA和IB為本發(fā)明的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖2為現(xiàn)有的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖3為本發(fā)明的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖4A和4B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖5A和5B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖6A和6B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖7A至7F為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖8為本發(fā)明的液晶顯示器件的截面圖；圖9為本發(fā)明的液晶顯不器件的俯視圖；圖IOA至IOD為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖11為現(xiàn)有的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖12A至12F為示出現(xiàn)有的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖13A至13E為示出現(xiàn)有的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖14A至14D為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖15A和15B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖16A至16D為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖17A至17D為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖18A和18B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖19A和19B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖20A至20E為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖21A至21E為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖22A和22B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖23A和23B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖24A和24B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖25A至25E為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖26A至26C為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖27為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的俯視圖；圖28為本發(fā)明的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖29A至29C為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖30為本發(fā)明的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖31A和31B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖32A和32B為表示本發(fā)明的液晶顯示器件的液晶分子的工作的圖；圖33為液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖34A和34B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖35A和35B為表不本發(fā)明的液晶顯不器件的液晶分子的工作的圖；圖36為本發(fā)明的液晶顯示器件的像素的俯視圖；圖37A和37B為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖； 圖38為示出本發(fā)明的液晶顯示器件的制造方法的截面圖；圖39A至39D為示出使用本發(fā)明的液晶滴落法的液晶顯示器件的制造步驟的圖；圖40A和40B為示出使用本發(fā)明的液晶滴落法的液晶顯示器件的制造步驟的圖；圖41A和41B為示出使用本發(fā)明的液晶滴落法的液晶顯示器件的制造步驟的圖；圖42A和42B為示出使用本發(fā)明的液晶滴落法的液晶顯示器件的制造步驟的圖；圖43為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖44為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖45A和45B為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖46A和46B為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖47為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖48A至48E為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖49A和49B為不出應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖50為現(xiàn)有的液晶顯示器件的像素的俯視圖。本發(fā)明的選擇圖為圖I。
具體實(shí)施例方式在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)DIA和1B、圖3、圖4A和4B、圖5A和5B、圖6A和6B、圖7A至7F、圖8、圖9、以及圖IOA至IOD描述本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不同的方式來(lái)實(shí)施，其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以被改變。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。關(guān)于本實(shí)施方式的液晶顯示器件，圖IA和IB以及圖3示出形成在襯底上的透過(guò)型的像素部分的概要。在像素部分形成有多個(gè)像素，并且在各個(gè)像素中形成有作為有源元件的像素TFT。圖3為像素的實(shí)際上的俯視圖，而圖IB為從圖3去掉保護(hù)膜109的圖。圖IA為明確顯示開(kāi)口部分101的位置的圖。在本實(shí)施方式中，作為像素TFT 201形成底柵型TFT例如反交錯(cuò)型TFT。像素TFT201具有柵電極102、島狀半導(dǎo)體膜103、源電極104、以及漏電極105。此外，還形成有連接到像素TFT 201的輔助電容器(也稱為存儲(chǔ)電容器)107、以及連接像素電極106和漏電極105的接觸孔即開(kāi)口部分101。開(kāi)口部分101被提供在源極布線104之間的區(qū)域中。這里，圖4A和4B、圖5A和圖5B、以及圖6A和6B為一種俯視圖，其中示出了本實(shí)施方式的液晶顯示器件的像素的制造步驟的過(guò)程。此外，圖7A、7B、7C、7D、7E和7F示出沿圖4A、4B、5A、5B、6A和6B中的線A-A’的截面圖。
如在圖4A的俯視圖及其截面圖的圖7A所示，在襯底100上形成柵電極及柵極布線102。將絕緣襯底用作襯底100，例如作為襯底，可以使用以康寧公司(Corning)的#7059、#1737、以及EAGLE 2000等為典型的鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、以及鋁硅酸鹽玻璃等的具有透光性的玻璃襯底。另外，還可以使用具有透光性的石英襯底等。柵電極及柵極布線(掃描線)102優(yōu)選由鋁(Al)等低電阻導(dǎo)電材料形成，然而，當(dāng)僅采用鋁單質(zhì)時(shí)耐熱性很低且有容易腐蝕等問(wèn)題，所以優(yōu)選與耐熱性導(dǎo)電材料組合來(lái)形成疊層膜。耐熱性導(dǎo)電材料由選自鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、以及鉻(Cr)中的元素、以上述元素為成分的合金膜、或以上述元素為成分的氮化物形成。或者，也可以僅僅組合這樣的耐熱性導(dǎo)電材料來(lái)形成。此外，除了純鋁以外，含有0.01至5atomic%的鈧(Sc)、鈦(Ti)、硅(Si)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、或鑰(Mo)等的鋁也可以用于這里使用的鋁(Al)。若添加質(zhì)量大于鋁的原子，就有抑制鋁原子當(dāng)進(jìn)行熱處理時(shí)移動(dòng)而防止產(chǎn)生小丘的效果。 作為上述的鋁和耐熱性導(dǎo)電材料的組合實(shí)例，可以使用包含鉻(Cr)的膜及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鉻(Cr)的膜及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含鋁(Al)的膜以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含鋁(Al)的膜以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜等。如上述那樣通過(guò)濺射法在襯底100的整個(gè)表面上形成疊層膜，進(jìn)行第一光刻步驟形成第一抗蝕劑掩模，并且通過(guò)蝕刻去除不必要的部分，以形成柵電極及柵極布線102。此時(shí)，如圖7A所示，柵電極102的端部被形成為錐形地進(jìn)行蝕刻。通過(guò)提供錐形的柵電極102，可以在柵電極102的端部提高柵極絕緣膜108的覆蓋性，以改善柵極絕緣膜108的耐壓。此外，通過(guò)提供錐形的柵電極102，可以緩和由柵電極102施加到島狀半導(dǎo)體膜103的電場(chǎng)。柵電極及柵極布線102的膜厚度優(yōu)選為40至400nm。但是，不言而喻，柵電極及柵極布線102的膜厚度是根據(jù)液晶顯示器件的襯底尺寸和用于布線的材料性質(zhì)來(lái)決定的，所以可以根據(jù)需要改變膜厚度。像這樣，在形成柵電極及柵極布線(掃描線)102之后，形成柵極絕緣膜108。通過(guò)等離子體CVD法或?yàn)R射法以350至450nm的膜厚度形成柵極絕緣膜108。柵極絕緣膜108還可以使用氮化硅膜、氧化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜等的絕緣膜，還可以以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成由上述材料構(gòu)成的膜。例如，在層疊200nm的氮化硅膜作為柵極絕緣膜108之后，還可以加上層疊200nm的氮化硅膜。若形成兩層氮化硅膜以形成柵極絕緣膜108，因?yàn)橥ㄟ^(guò)形成上層的氮化硅膜使針孔的生長(zhǎng)斷，所以即使在下層的氮化硅膜中產(chǎn)生針孔，也可以獲得能夠提高TFT的絕緣耐壓的效果。此外，通過(guò)由兩層氮化硅膜形成柵極絕緣膜108，可以獲得這樣的效果，S卩，防止發(fā)生在CVD等的裝置內(nèi)壁的由不需要的生成物構(gòu)成的變異(freak)混入到柵極絕緣膜108本身或其他膜中。而且，通過(guò)改變生成氣體的組成比率等的成膜條件，可以選擇與下述的膜的密著性良好的膜質(zhì)量的效果，所述膜為與柵極絕緣膜108的上部接觸的膜和與柵極絕緣膜108的下部接觸的膜，例如與柵極絕緣膜108的上部接觸的非晶半導(dǎo)體膜。此外，在后面描述，當(dāng)之后步驟中進(jìn)行的保護(hù)膜(鈍化膜)109的蝕刻時(shí)，為了防止柵極絕緣膜108被蝕刻，具有致密的質(zhì)量地形成絕緣膜而作為柵極絕緣膜108，以使成為保護(hù)膜109的蝕刻停止層即可。此外，在作為柵極絕緣膜108選擇上述氮化硅膜的情況下，可以防止包含在玻璃襯底的鋰(Li)、鈉(Na)或鉀(K)等的堿金屬的侵入。此外，在將氧化硅膜和氮化硅膜的疊層膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜用作柵極絕緣膜108的情況下也有同樣的效果。特別在這些膜中含有氟(F)等的鹵素元件的情況下，由F固定堿金屬，從而可以使堿金屬失去可動(dòng)性。 接下來(lái)，通過(guò)等離子體CVD法或?yàn)R射法等的方法將具有非晶結(jié)構(gòu)的非晶半導(dǎo)體膜以100至200nm的厚度形成在柵極絕緣膜108上。非晶結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子線衍射分析來(lái)確認(rèn)。典型的說(shuō)，通過(guò)等離子體CVD法以IOOnm的厚度形成氫化非晶半導(dǎo)體膜(a-Si:H膜)。此外，作為具有非晶的半導(dǎo)體膜，可以應(yīng)用非晶硅鍺(SixGey)膜等的具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。此外，還可以形成微晶半導(dǎo)體膜(半晶半導(dǎo)體膜)而代替非晶半導(dǎo)體膜。以半晶硅半導(dǎo)體膜為典型的半晶半導(dǎo)體膜就是這樣的膜，即，包括非晶半導(dǎo)體和具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體(包括單晶和多晶)的中間的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體(半晶半導(dǎo)體)。半晶半導(dǎo)體膜是具有自由能方面很穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體，并且具有短程序且具有晶格畸變的結(jié)晶，可以使它以其粒徑為0.5至20nm分散在非單晶半導(dǎo)體中而存在。半晶半導(dǎo)體的拉曼光譜偏移到比520CHT1低的頻率一側(cè)，此外，通過(guò)X線衍射可以觀察到來(lái)源于Si晶格的(111)、(220)的衍射高峰。此外，使在半晶半導(dǎo)體中包含至少I原子％或更多的氫或鹵素，以便終止懸掛鍵。這里，為方便起見(jiàn)，將這種半導(dǎo)體稱作半晶半導(dǎo)體(SAS)。再者，通過(guò)使該半導(dǎo)體包含氦、氬、氣、氣等的稀有氣體，進(jìn)一步助長(zhǎng)其晶格崎變，而增加穩(wěn)定性，由此，可以獲得良好的半晶半導(dǎo)體。此外，SAS可以通過(guò)對(duì)含硅的氣體進(jìn)行輝光放電分解來(lái)獲得。作為典型的含硅的氣體為SiH4，還可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。此外，通過(guò)使用氫或氫中添加了選自氦、U、氪、氖中的一中的稀有氣體兀素的氣體稀釋上述含娃的氣體來(lái)使用，可以容易形成SAS。優(yōu)選以稀釋比率為2至1000倍的范圍稀釋含硅的氣體。再者，作為含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜，以20至SOnm的厚度形成n型半導(dǎo)體膜。例如，形成n型的氫化非晶硅膜即可。當(dāng)形成n型的氫化非晶硅膜時(shí)，以對(duì)硅烷(SiH4)O. I至5%的濃度添加磷化氫(PH3)即可。由此磷(P)被包含在氫化非晶硅膜中。此外，在使用p型半導(dǎo)體膜作為含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜的情況下，若對(duì)硅烷(SiH4)添加乙硼烷(B2H6),就可以獲得含有p型雜質(zhì)元素的硼⑶的氫化非晶娃膜。上述的柵極絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及含有一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜都可以通過(guò)等離子體CVD或?yàn)R射法來(lái)制造。而且，這些膜當(dāng)采用等離子體CVD法時(shí)，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)厍袚Q反應(yīng)氣體來(lái)連續(xù)淀積，而當(dāng)采用濺射法時(shí)，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)厍袚Q濺射氣體來(lái)連續(xù)淀積。亦即，通過(guò)在等離子CVD裝置或?yàn)R射裝置中使用同一反應(yīng)室或多個(gè)反應(yīng)室(所謂的多室)，可以連續(xù)層疊上述膜，而不使它們暴露于大氣中。通過(guò)利用連續(xù)淀積，因?yàn)椴粫?huì)暴露于大氣中，所以顯著減少污染源混入的可能性，并且有縮短制造步驟所需要的時(shí)間等的大效果。然后，像這樣層疊而形成半導(dǎo)體膜。通過(guò)第二光刻步驟形成第二抗蝕劑掩模，如俯視圖4B及截面圖7B所示那樣與柵電極102重疊地形成島狀半導(dǎo)體膜103。如圖7B所示，島狀半導(dǎo)體膜103由島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有n型雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b的疊層構(gòu)成。、
接著，通過(guò)濺射法、真空氣相沉積法、或MOCVD法(有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng)法)等形成導(dǎo)電膜，通過(guò)第三光刻步驟形成第三抗蝕劑掩模，進(jìn)行蝕刻處理，如圖7C所示那樣形成源電極及源極布線(將“源極布線”也稱作“數(shù)據(jù)信號(hào)線”或“信號(hào)線”)104、漏電極105。在本實(shí)施方式中，使用金屬膜作為形成源電極及源極布線104以及漏電極105的導(dǎo)電膜。具體而言，使用層疊了鑰(Mo)、鋁(Al)、以及鑰(Mo)的疊層膜形成源電極及源極布線104以及漏電極105。首先，以20至80nm的厚度形成鑰(Mo)膜，使它與含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b形成歐姆接觸，在所述鑰(Mo)膜上以150至300nm的厚度重疊形成鋁(Al)膜，而且在其上以40至120nm的厚度形成鑰(Mo)膜。作為這里使用的金屬層，除了舉例的包含鑰的層、包含鋁的層、以及包含鑰的層的疊層膜之外，還可以同樣使用如下膜柵電極及柵極布線102 ;包含選自鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、以及鉻(Cr)中的元素的膜；包含以上述元素為成分的合金的膜；包含以上述元素為成分的氮化物的膜；或者包含鉻(Cr)的膜及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鉻(Cr)的膜及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含鋁(Al)的膜以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含含有釹的鋁(Al)的膜以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含鋁(Al)的膜以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜等。以源電極104及漏電極105作為掩模，如俯視圖5A及截面圖7D所示那樣通過(guò)干蝕刻去除島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b的一部分，以將島狀雜質(zhì)半導(dǎo)體膜103b分離成源極區(qū)域204和漏極區(qū)域205。此外，通過(guò)該蝕刻，島狀非晶半導(dǎo)體膜103a以自對(duì)準(zhǔn)的方式被蝕刻，而成為具有溝道形成區(qū)域206的島狀半導(dǎo)體膜203。如上那樣，本實(shí)施方式的底柵型TFT 201被形成。注意，本實(shí)施方式雖然制造了溝道蝕刻型的底柵型TFT，但是，如果可能，也可以制造溝道停止型的底柵型TFT。之后，在島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、漏極區(qū)域205、源電極及源極布線104、以及漏電極105上形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜。由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜由氮化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、氧化硅膜、或組合了它們的疊層膜形成，并且其厚度設(shè)為200至450nm。在本實(shí)施方式中，通過(guò)CVD法以SiH4和NH3作為原料氣體形成氮化硅膜。之后，通過(guò)第四光刻步驟形成第四抗蝕劑掩模，并且對(duì)由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行干蝕刻，以形成保護(hù)膜109 (俯視圖5B及截面圖7E)。保護(hù)膜109雖然覆蓋TFT，然而在像素部分的開(kāi)口部分101中通過(guò)干蝕刻步驟去除由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜，所以漏電極105等被露出。通過(guò)形成保護(hù)膜109，可以保護(hù)TFT 201免受來(lái)自外部的污染的影響。尤其是，通過(guò)與島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、以及漏極區(qū)域205接觸地形成保護(hù)膜109，可以防止污染源進(jìn)入到用作開(kāi)關(guān)功能的核心的島狀半導(dǎo)體膜203中。此外，如圖5B及圖7E所示，在所述柵極布線102中沒(méi)有形成保護(hù)膜109而露出的區(qū)域中由之后形成的像素電極106的一部分和柵極布線102形成輔助電容器107。此外，由于由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜去除并沒(méi)有形成保護(hù)膜109，所以從TFT201延長(zhǎng)存在的漏電極大部分露出。注意，在實(shí)施方式中，在第四光刻步驟中當(dāng)形成預(yù)定形狀的抗蝕劑掩模時(shí)，通過(guò)使用半色曝光技術(shù)形成包括臺(tái)階部分的抗蝕劑掩模。此外，如圖I及圖5B所示，通過(guò)使開(kāi)口部分101向與源極布線104平行的方向延伸存在，可以減少通過(guò)所述第四干蝕刻步驟而產(chǎn)生的保護(hù)膜109的殘?jiān)约爱?dāng)形成后面要描述的像素電極106時(shí)產(chǎn)生的透明導(dǎo)電材料的殘?jiān)?。使開(kāi)口部分101向與源極布線104平行的方向延伸存在就是開(kāi)口部分中間夾著源極布線104與相鄰的開(kāi)口部分鄰接。以氮化硅膜為典型的保護(hù)膜材料如上所述那樣通過(guò)使用干蝕刻法蝕刻預(yù)定的地點(diǎn)而被去除。此時(shí)通過(guò)蝕刻而產(chǎn)生的不需要的物質(zhì)，諸如保護(hù)膜材料的一部分、保護(hù)膜材料和蝕刻氣體成分的反應(yīng)生成物等，作為殘?jiān)鼩埩粼诒惶幚砻嫔?。例如，在所述殘?jiān)l(fā)生在之后與像素電極106連接的布線上的情況下，該殘?jiān)锌赡芷鸬较袼仉姌O106和布線的接觸電阻的功能，或有可能妨礙像素電極106和布線的電接觸，甚至顯著損害作為液晶顯示器件的功能或損失該功能。為了避免殘?jiān)鼩埩簦ㄟ^(guò)使用氫氟酸基化學(xué)溶液、堿性清洗劑、界面活性劑、凈化水或組合這些和超聲波清洗的組合物(以下稱為清洗劑)而清洗被處理面。然而，在現(xiàn)有的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)中，對(duì)像素電極和漏電極的接觸部分采用了圓形接觸孔1001 (例如直徑為5至10 i! m)(參照?qǐng)D2)。當(dāng)采用這種圓形接觸孔1001時(shí)，有可能在清洗后從清洗劑將具有被處理面的襯底拉上時(shí)，清洗液殘留在圓形接觸孔的內(nèi)壁或底部。通過(guò)使用本發(fā)明的開(kāi)口部分而代替現(xiàn)有的接觸孔1001，可以防止殘?jiān)臍埩?，并且?dāng)從清洗劑將具有被處理面的襯底拉上時(shí)，將向與信號(hào)線平行的方向延伸存在的開(kāi)口部分101利用作為清洗劑流落的通路，而可以特別防止殘?jiān)鼩埩粼谂_(tái)階部分。此外，在上述清洗或使用氣體的吹風(fēng)等的清洗步驟中也可以利用所述通路。然后，通過(guò)濺射法、真空氣相沉積法、噴霧法、浸潰法或CVD法以30至120nm的厚度形成透明導(dǎo)電膜，通過(guò)第五光刻步驟形成第五抗蝕劑掩模，如俯視圖6A及截面圖7F所示那樣形成像素電極106。此外，圖6B為示出圖6A中的開(kāi)口部分101的圖。像素電極106在開(kāi)口部分101與漏電極105連接。在本發(fā)明中，在將圖2所示的現(xiàn)有的液晶顯示器件的接觸孔1001進(jìn)一步擴(kuò)大的接觸孔101中，漏電極105和像素電極106彼此連接。因此，與現(xiàn)有的液晶顯示器件相比，漏電極105和像素電極106彼此連接的區(qū)域飛躍增大。由此，不僅抑制常規(guī)上發(fā)生的接觸不良，而且可以獲得降低接觸電阻的效果。作為透明導(dǎo)電膜的材料，通過(guò)濺射法或真空氣相沉積法等形成氧化銦(In2O3)、氧化銦錫合金(也稱作銦錫氧化物，縮寫為In203-Sn02、IT0)、氧化銦鋅合金(In2O3-ZnO)等。此外，因?yàn)殂煴旧砗芟∩?，所以還可以使用氧化錫(SnO)等不包含銦的透明導(dǎo)電膜材料。透明導(dǎo)電膜一般被鹽酸、硝酸、氯化鐵、高純氯化鐵、溴化氫、或組合這些而構(gòu)成的氧化性酸水溶液蝕刻。此時(shí)通過(guò)蝕刻產(chǎn)生的透明導(dǎo)電膜材料的一部分成為殘洛，有時(shí)候殘留在被處理面。例如，通過(guò)連接形成有所述殘?jiān)南袼仉姌O，導(dǎo)致小規(guī)模的漏電流或?qū)?，有引起圖像質(zhì)量的降低或不容易顯示等的可能性。在本發(fā)明中，為了防止上述問(wèn)題，通過(guò)使用開(kāi)口部分101而代替連接漏電極105和 像素電極106的接觸孔，可以防止殘?jiān)臍埩?，并且?dāng)從清洗劑將具有被處理面的襯底拉上時(shí)，將向與信號(hào)線平行的方向延長(zhǎng)存在的開(kāi)口部分101利用作清洗劑流落的通路，而可以特別防止殘?jiān)鼩埩粼谂_(tái)階部分。像這樣，通過(guò)五次光刻步驟，使用五塊光刻掩模而可以完成底柵型TFT201、輔助電容器107、以及具有開(kāi)口部分的像素。通過(guò)構(gòu)成以矩陣形狀配置這些各個(gè)像素的圖像顯示部分，可以使成為用于有源矩陣液晶顯示器件的一方襯底，所述有源矩陣液晶顯示器件使用作為能動(dòng)元件的TFT。在本說(shuō)明書中，為方便起見(jiàn)，將這種襯底稱作TFT襯底。在根據(jù)本實(shí)施方式制造的TFT襯底上，像素部分的輔助電容器107可以由柵極布線102、像素電極106、以及僅僅夾在它們之間的柵極絕緣膜108構(gòu)成，所述柵極絕緣膜108用作介電薄膜。該結(jié)構(gòu)是通過(guò)形成向與源極布線104平行的列方向延伸存在的開(kāi)口部分101而實(shí)現(xiàn)的。在“背景技術(shù)”所描述的第二方法中，在輔助電容器中柵極絕緣膜及保護(hù)膜為介電薄膜。另一方面，本實(shí)施方式的輔助電容器107因?yàn)榭梢詢H僅由柵極絕緣膜108構(gòu)成，從而可以實(shí)質(zhì)上使介電薄膜薄膜化，因此，可以增大輔助電容器107的電容量。此外，與此相反，因?yàn)殡娙萘吭龃?，所以不需要如常?guī)那樣將像素電極和柵極布線的重疊部分設(shè)計(jì)得寬。因此，可以將柵極布線102的寬度設(shè)計(jì)得細(xì)。由此，有增大縫隙率的效果。然而，將柵極布線102的寬度設(shè)計(jì)得細(xì)也會(huì)導(dǎo)致布線本身的電阻的增大，所以需要恰當(dāng)?shù)剡x擇柵極布線102的寬度。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，不需要另行提供“背景技術(shù)”描述的第一方法中說(shuō)明的電極而作為電容電極，所述電極與像素電極連接且以與漏電極相同的材料并在相同的層上形成。因此，可以消除成為導(dǎo)致降低成品率的要素的憂慮。此外，與圖2所示的現(xiàn)有的接觸孔1001相比，在根據(jù)本實(shí)施方式制造的TFT襯底上的漏電極105和像素電極106彼此連接的開(kāi)口部分101充分大。因此，常規(guī)上發(fā)生的在接觸孔上方及其附近的液晶的取向無(wú)序(也稱為向錯(cuò))不發(fā)生。即，可以減小為了防止由于常規(guī)上的向錯(cuò)導(dǎo)致的漏光所需要的黑矩陣的面積，從而可以提聞開(kāi)口率。
此外，在根據(jù)本實(shí)施方式制造的TFT襯底中，使用開(kāi)口部分101而代替常規(guī)上形成的接觸孔1001。開(kāi)口部分101是使從背燈光源發(fā)出的光透過(guò)而且使它通過(guò)提供在上部的液晶形成像素的部分。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖13E所示那樣在開(kāi)口部分101中也形成有保護(hù)膜1027，然而，在本發(fā)明中保護(hù)膜具有開(kāi)口部分101。亦即，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于在開(kāi)口部分101中也形成保護(hù)膜1027而導(dǎo)致光的反射、光的散亂，從而光強(qiáng)度降低，然而，本發(fā)明可以通過(guò)去除開(kāi)口部分的保護(hù)膜，獲得在開(kāi)口部分提高來(lái)自光源的光的透過(guò)率的效果。在下文中將參照?qǐng)D8、圖9、以及圖IOA至IOD描述在制造TFT襯底之后直到完成液晶顯示器件的制造步驟。覆蓋TFT襯底上的保護(hù)膜109及像素電極106地形成取向膜208。注意，通過(guò)使用液滴噴出法或平版印刷法來(lái)形成取向膜208即可。之后，對(duì)取向膜208的表面進(jìn)行摩擦處 理。在相對(duì)襯底211上，提供由著色層212、遮光層(黑矩陣)213、以及外罩層214構(gòu)成的彩色濾光片，并且形成由透明電極構(gòu)成的相對(duì)電極215，在其上形成取向膜216 (參照?qǐng)D8)。通過(guò)由透明電極形成相對(duì)電極215，本液晶顯示器件成為透過(guò)型液晶顯示器件。注意，若由反射電極形成相對(duì)電極215，則本實(shí)施方式的液晶顯示器件成為反射型液晶顯示器件。然后使用分配器描畫具有封閉圖形的密封劑221，使其包圍與像素部分231重疊的區(qū)域。此處，為了滴下液晶218，示出了描畫具有封閉圖形的密封劑，然而，還可以使用浸涂法(汲取法)，該方法在提供具有開(kāi)口部分的密封圖形并貼合了 TFT襯底之后，利用毛細(xì)現(xiàn)象來(lái)注入液晶(參照?qǐng)D10A)。其次，在減壓下不使氣泡進(jìn)入地滴落液晶218 (參照?qǐng)D10B)，并且將襯底100及相對(duì)襯底211貼合在一起(參照?qǐng)D10C)。在閉環(huán)的密封圖形內(nèi)一次或多次滴落液晶218。在很多情況下，使用TN模式作為液晶218的取向模式，其中，液晶分子的排列從其入口到出口以90度扭轉(zhuǎn)取向。在制造TN模式的液晶顯示器件的情況下，使襯底的摩擦方向正交地貼合襯底和相對(duì)襯底。注意，通過(guò)散布球狀間隔物、形成由樹(shù)脂構(gòu)成的柱狀間隔物或?qū)⑻盍习诿芊鈩?21中來(lái)維持一對(duì)襯底之間的間隔，即可。上述柱狀間隔物是以丙烯、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、環(huán)氧中的至少一個(gè)為主要成分的有機(jī)樹(shù)脂材料；氧化硅、氮化硅、含氮的氧化硅中的任何一種的材料；或由這些的疊層膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)材料。接著，進(jìn)行襯底的分?jǐn)?。在由一個(gè)襯底制造多個(gè)面板的情況下，將各個(gè)面板彼此分?jǐn)?。此外，在由一個(gè)襯底制造一個(gè)面板的情況下，通過(guò)將預(yù)先分?jǐn)嗔说南鄬?duì)襯底貼合在襯底上，還可以省略分?jǐn)嗖襟E(參照?qǐng)D10D)。然后，中間夾著各向異性導(dǎo)電體層，通過(guò)使用已知的技術(shù)貼合FPC(柔性印刷電路)222(參照?qǐng)D9)。通過(guò)上述步驟來(lái)完成液晶顯示器件。此外，如果需要，貼合光學(xué)薄膜。在形成透過(guò)型液晶顯示器件的情況下，將偏振片貼合在有源矩陣襯底和相對(duì)襯底雙方上。通過(guò)上述步驟制造本發(fā)明的液晶顯示器件。如上所述，通過(guò)本發(fā)明，在形成保護(hù)膜(鈍化膜)的步驟中可以防止當(dāng)蝕刻絕緣膜時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)臍埩簦梢越档拖袼仉姌O106和漏電極105之間的接觸不良。此外，通過(guò)本發(fā)明，在形成像素電極106的步驟中，可以防止當(dāng)蝕刻透明導(dǎo)電膜材料時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)臍埩?。因此，可以防止像素電極之間的導(dǎo)通。此外，通過(guò)本發(fā)明，可以使像素電極106和漏電極105的接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)增大得多。因此，可以降低像素電極106和漏電極105的接觸電阻。再者，在本發(fā)明中，可以減少在現(xiàn)有的液晶顯示器件中能看到的液晶的取向無(wú)序(向錯(cuò))，所述液晶的取向無(wú)序是由于提供在像素電極內(nèi)的接觸孔的形狀導(dǎo)致的。此外，本發(fā)明因?yàn)閮H僅由柵極絕緣膜10 8構(gòu)成輔助電容器107的介電薄膜，所以可以實(shí)質(zhì)上使介電薄膜薄膜化，因此，可以增大輔助電容器107的電容量。此外，由于增大輔助電容器107的電容量，而可以將柵極布線102的寬度設(shè)計(jì)得細(xì)，由此，可以 減小輔助電容器107的面積。此外，通過(guò)去除由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜，并使擴(kuò)大至開(kāi)口部分101的整體區(qū)域，在開(kāi)口部分101的來(lái)自光源的光的透過(guò)率提高，從而亮度增大。此外，本發(fā)明可以不使在光刻步驟中使用的光掩模的數(shù)量為比現(xiàn)有技術(shù)多，所以可以制造質(zhì)量好的液晶顯示器件，而不增加制造步驟和制造成本。實(shí)施例I在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D14A至14D、圖15A和15B、以及圖18A和18B描述利用抗蝕劑掩模蝕刻半導(dǎo)體膜，以形成島狀半導(dǎo)體膜的例子，所述抗蝕劑掩模是當(dāng)形成源電極及源極布線以及漏電極時(shí)使用的。注意，在本實(shí)施例中對(duì)沒(méi)有說(shuō)明的部分援引實(shí)施方式的記載。首先在襯底300上形成柵電極及柵極布線302 (圖14A)。作為襯底300，使用與實(shí)施方式的襯底100相同的襯底即可。此外，柵電極及柵極布線302以與實(shí)施方式的柵電極及柵極布線102相同的材料及同樣的制造步驟來(lái)形成即可。接著，在襯底300以及柵電極及柵極布線302上形成柵極絕緣膜308、非晶半導(dǎo)體膜321、含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜322、以及導(dǎo)電膜323 (參照?qǐng)D14B)。柵極絕緣膜308以與實(shí)施方式的柵極絕緣膜108相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成即可。此外，非晶半導(dǎo)體膜321以與用于形成島狀半導(dǎo)體膜103的非晶半導(dǎo)體膜相同的材料及步驟來(lái)形成即可。此外，含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜322以與用于形成源極區(qū)域204及漏極區(qū)域205的半導(dǎo)體膜相同的材料以及步驟來(lái)形成即可。與實(shí)施方式所述相同，作為導(dǎo)電膜323，通過(guò)濺射法、真空氣相沉積法、MOCVD法(有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng)法)等形成金屬膜即可。作為金屬膜，可以使用包含選自鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)的元素的膜；包含以上述元素為成分的合金的膜；或包含以上述元素為成分的氮化物的膜；或者包含鉻(Cr)的膜以及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鉻(Cr)以及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含鋁(Al)的膜、以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鈦(Ti)的膜、包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜、以及包含鈦(Ti)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含鋁(Al)的膜、以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜、包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜、以及包含鑰(Mo)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜以及包含鋁(Al)的膜的疊層膜；包含鑰(Mo)的膜以及包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜的疊層膜等。
接著，使用與實(shí)施方式的第三光刻步驟相同的步驟形成抗蝕劑掩模317(參照?qǐng)D14C)。使用抗蝕劑掩模317通過(guò)濕蝕刻來(lái)蝕刻導(dǎo)電膜323，以形成源電極及源極布線304、以及漏電極305。不去除抗蝕劑掩模317，而將該抗蝕劑掩模再利用作為蝕刻非晶半導(dǎo)體膜321及含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜322的掩模。通過(guò)干蝕刻來(lái)蝕刻非晶半導(dǎo)體膜321及含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜322，將含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜322分離成源極區(qū)域314及漏極區(qū)域315，并且從非晶半導(dǎo)體膜321形成具有溝道形成區(qū)域的島狀半導(dǎo)體膜303 (參照?qǐng)D14D)。接下來(lái)，保護(hù)膜309以與保護(hù)膜109相同的材料及步驟來(lái)形成。如實(shí)施方式所述，通過(guò)第四光刻步驟蝕刻由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜，以形成保護(hù)膜309 (參照?qǐng)D15A)。保護(hù)膜309的端部形成得比漏電極305的端部更內(nèi)側(cè)，由此，漏電極305露出。
接下來(lái)，在保護(hù)膜309、漏電極305的露出部分、以及柵極絕緣膜308上形成像素電極306 (參照?qǐng)D15B)。由于保護(hù)膜309的端部和漏電極305的端部不在相同的位置，而在不同的位置分離存在，所以像素電極306的覆蓋性為好，很少發(fā)生斷線。圖18A和18B示出如上所述那樣形成的液晶顯示器件的像素的俯視圖。圖18A中的線C-C’所表示的截面圖相當(dāng)于圖15B。圖18A為像素的實(shí)際上的俯視圖，而圖18B為強(qiáng)調(diào)開(kāi)口部分301的位置而表示的圖。輔助電容器307由柵電極及柵極布線302、像素電極306、以及形成在它們之間的柵極絕緣膜308形成。在開(kāi)口部分中，因?yàn)橛杀Ｗo(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜被去除，而沒(méi)有形成保護(hù)膜309，從而可以僅僅使用柵極絕緣膜308作為輔助電容器307的介電薄膜。因此，可以制造電容量更大的輔助電容器307。通過(guò)如實(shí)施方式相同地將現(xiàn)有的接觸孔1001擴(kuò)大至像素的開(kāi)口部分整體，本實(shí)施例的液晶顯示器件也可以獲得下面的效果。S卩，通過(guò)本實(shí)施例，在形成保護(hù)膜309的步驟中，可以防止當(dāng)蝕刻絕緣模時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)臍埩?，而可以減少像素電極306和漏電極305之間的接觸不良。此外，通過(guò)本實(shí)施例，在形成像素電極306的步驟中，可以防止當(dāng)蝕刻透明導(dǎo)電膜材料時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)臍埩?。由此，可以防止像素電極之間的導(dǎo)通。 此外，通過(guò)本實(shí)施例，可以使像素電極306和漏電極305的接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)增大得多。因此,可以降低像素電極306和漏電極305的接觸電阻。再者，在本實(shí)施例中，由于保護(hù)膜309的端部在漏電極305的端部的更內(nèi)側(cè)，所以像素電極306的覆蓋性為好，而可以防止像素電極306的斷線。此外，在本實(shí)施例中，可以減少在現(xiàn)有的液晶顯示器件中能看到的液晶的取向無(wú)序(向錯(cuò))，所述液晶的取向無(wú)序是由于提供在像素電極內(nèi)的接觸孔的形狀導(dǎo)致的。此外，在本發(fā)明中，由于輔助電容器307的介電薄膜幾乎僅僅由柵極絕緣膜308構(gòu)成，從而可以實(shí)質(zhì)上使介電薄膜薄膜化，因此，可以增大輔助電容器307的電容量。此外，由于增大輔助電容器307的電容量，而可以將柵極布線302的寬度設(shè)計(jì)得細(xì)，由此，可以減小輔助電容器307的面積。此外，形成保護(hù)膜309并且通過(guò)去除由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜來(lái)形成開(kāi)口部分301，而在開(kāi)口部分301中的來(lái)自光源的光的透過(guò)率提高，從而亮度增大。
此外，本發(fā)明可以不使在光刻步驟中使用的光掩模的數(shù)量為比現(xiàn)有技術(shù)多，所以可以制造質(zhì)量好的液晶顯示器件，而不增加制造步驟和制造成本。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D16A至16D、17A至17D、以及19A和19B描述利用當(dāng)形成源電極及源極布線、以及漏電極時(shí)使用的抗蝕劑掩模蝕刻半導(dǎo)體膜，以形成島狀半導(dǎo)體膜的方法，該方法與實(shí)施例I不同。注意，在本實(shí)施例中對(duì)沒(méi)有特別說(shuō)明的部分援引實(shí)施方式及實(shí)施例I的記載。首先，通過(guò)與實(shí)施方式或?qū)嵤├齀相同的步驟在襯底330上形成柵電極及柵極布線332 (參照?qǐng)D16A)，并且在其上形成柵極絕緣膜338、非晶半導(dǎo)體膜341、以及含有賦予一 個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜342(參照?qǐng)D16B)。接下來(lái)，進(jìn)行光刻步驟形成抗蝕劑掩模，蝕刻非晶半導(dǎo)體膜341及含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜342，將含有賦予一個(gè)導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜342分離成源極區(qū)域344及漏極區(qū)域345，并且從非晶半導(dǎo)體膜341形成包括溝道形成區(qū)域的島狀半導(dǎo)體膜333 (參照?qǐng)D16C)。接下來(lái)，在柵極絕緣膜338、島狀半導(dǎo)體膜333、源極區(qū)域344、以及漏極區(qū)域345上形成導(dǎo)電膜346(參照?qǐng)D16D)。與用于形成源電極及源極布線104以及漏電極105的導(dǎo)電膜、以及導(dǎo)電膜323相同地形成導(dǎo)電膜346即可。接下來(lái)，進(jìn)行光刻步驟形成抗蝕劑掩模337，并且蝕刻導(dǎo)電膜346(參照?qǐng)D17A)。通過(guò)該蝕刻步驟從導(dǎo)電膜346形成源電極及源極布線334、以及漏電極335 (參照?qǐng)D17B)。在圖17B中，源電極及源極布線334的端部形成得比源極區(qū)域344的端部更內(nèi)側(cè)。此外，漏電極335的端部形成得比漏極區(qū)域345的端部更內(nèi)側(cè)。尤其是，通過(guò)將漏極區(qū)域345的端部形成為比漏電極335的端部突出于開(kāi)口部分內(nèi)部的形狀，在下面描述的像素電極336的制造步驟中可以減去臺(tái)階，所以很有用。再者，保護(hù)膜339以與保護(hù)膜109或保護(hù)膜309相同的材料及步驟來(lái)形成。如實(shí)施方式或?qū)嵤├齀所述，通過(guò)光刻步驟蝕刻由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜，以形成保護(hù)膜339 (參照?qǐng)D17C)。保護(hù)膜339的端部被形成得比漏電極335的端部更內(nèi)側(cè)，由此漏電極335露出。接下來(lái)，在保護(hù)膜339、漏電極335的露出的區(qū)域、以及柵極絕緣膜338上形成像素電極336 (參照?qǐng)D17D)。由于保護(hù)膜339的端部、漏電極335的端部、以及漏極區(qū)域345不在相同的位置，而在不同的位置分離存在，所以像素電極336的臺(tái)階被減去，其覆蓋性為好，很少發(fā)生斷線。圖19A和19B示出如上所述那樣形成的液晶顯示器件的像素的俯視圖。圖19A中的線D-D’所表示的截面圖相當(dāng)于圖17D。圖19A為像素的實(shí)際上的俯視圖，而圖19B為強(qiáng)調(diào)開(kāi)口部分331的位置而表示的圖。在本實(shí)施例中，除了實(shí)施例I所記載的效果之外，還可以防止像素電極336的斷線。這是因?yàn)樵诒Ｗo(hù)膜339的端部、漏電極335的端部、以及漏極區(qū)域345分離存在于不同的位置，所以像素電極336的臺(tái)階被減去而其覆蓋性為好的緣故。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式及實(shí)施例I的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D20A至20E、以及圖21A至21E描述通過(guò)由疊層膜形成漏電極，當(dāng)蝕刻由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜以形成保護(hù)模時(shí)防止漏電極受損傷的例子。在實(shí)施方式中，通過(guò)第四光刻步驟使用干蝕刻法蝕刻由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜。根據(jù)用于干蝕刻的蝕刻氣體的種類、反應(yīng)壓力、襯底溫度或高頻率等的制造條件，有可能當(dāng)形成在絕緣膜下的漏電極105露出時(shí)受很大的損傷。若漏電極105受損傷，則出現(xiàn)對(duì)漏電極105和像素電極106之間的電連接給不好影響的憂慮。 因此，本實(shí)施例通過(guò)由疊層膜形成漏電極來(lái)防止對(duì)漏電極的損傷，所述疊層膜由多個(gè)層構(gòu)成。 首先，基于實(shí)施方式的記載制造帶圖7B所示的結(jié)構(gòu)。注意，在本實(shí)施例中，對(duì)沒(méi)有特別說(shuō)明的部分援引實(shí)施方式、實(shí)施例I、以及實(shí)施例2的記載。接下來(lái)，在柵極絕緣膜108、以及由島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b構(gòu)成的島狀半導(dǎo)體膜103上形成第一導(dǎo)電膜，并且在其上形成第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合，可以舉出包含鉻(Cr)的膜和包含鋁(Al)的膜的疊層膜、包含鉻(Cr)的膜和包含含有釹的鋁(Al-Nd)的膜等的疊層膜等。接下來(lái)，進(jìn)行光刻步驟形成抗蝕劑掩模，并且對(duì)第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕亥IJ，以將第一導(dǎo)電膜形成為下層源電極及源極布線401、以及下層漏電極402，而將第二導(dǎo)電膜形成為上層源電極及源極布線403、以及電極404 (參照?qǐng)D20A)。接下來(lái)，與實(shí)施方式相同，以下層源電極及源極布線401、上層源電極及源極布線403、下層漏電極402以及電極404作為掩模通過(guò)干蝕刻去除島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b的一部分，以將含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b分離成源極區(qū)域204和漏極區(qū)域205。此外，通過(guò)該蝕刻步驟島狀非晶半導(dǎo)體膜103a以自對(duì)準(zhǔn)的方式被蝕刻，而成為具有溝道形成區(qū)域206的島狀半導(dǎo)體膜203 (參照?qǐng)D20B)。接下來(lái)，覆蓋襯底的整個(gè)表面地形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜406(參照?qǐng)D20C)。由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜406由氮化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、氧化硅膜、或組合了它們的疊層膜形成，其厚度為200至450nm。在本實(shí)施例中，通過(guò)等離子體CVD法以SiH4、NH3為原料氣體，而形成氮化硅膜。之后，通過(guò)光刻步驟形成抗蝕劑掩模，對(duì)由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜406進(jìn)行干蝕亥IJ，以形成保護(hù)膜407。保護(hù)膜407雖然覆蓋TFT，但是在像素部分的開(kāi)口部分411中，通過(guò)干蝕刻步驟去除由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜，所以該部分露出(參照?qǐng)D20D)。這里，當(dāng)干蝕刻絕緣膜406時(shí)，通過(guò)將形成在下層漏電極402上部的電極404故意地與絕緣膜406 —起蝕刻來(lái)去除，在開(kāi)口部分411中使下層漏電極402露出。此外，電極404被分離成上層漏電極408和電極409。因此，源電極及源極布線414由下層源電極及源極布線401、以及上層源電極及源極布線403構(gòu)成，而漏電極415由下層漏電極402以及上層漏電極408構(gòu)成。接下來(lái)，將透明導(dǎo)電膜形成在保護(hù)膜407以及在開(kāi)口部分411中露出的下層漏電極402上，并且進(jìn)行蝕刻以形成像素電極416 (參照?qǐng)D20E)。當(dāng)透明導(dǎo)電膜由銦錫氧化物(HO)等的氧化物形成時(shí)，因?yàn)檠趸锖卸嗔垦鯕猓匀襞c含鋁的膜接觸，則有可能引起與鋁(Al)的電連接性或物理連接性的退化，或引起在形成后的由電蝕導(dǎo)致的可靠性的退化。因?yàn)橛糜谛纬上聦勇╇姌O402的第二導(dǎo)電膜由鋁膜或含鋁的膜構(gòu)成，所以通過(guò)當(dāng)蝕刻用于形成保護(hù)膜407的絕緣膜406時(shí)一起蝕刻成為上層漏電極408的電極404，而可以避免鋁(Al)和透明導(dǎo)電膜連接。圖21A至21E示出漏電極由三層疊層膜形成的例子。首先基于實(shí)施方式形成到圖7B所示的結(jié)構(gòu)。接著，在柵極絕緣膜108以及由島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b構(gòu)成的島狀半導(dǎo)體膜103上依次層疊第三導(dǎo)電膜、第四導(dǎo)電膜、以及第五導(dǎo)電膜而形成膜。作為第三導(dǎo)電膜和第五導(dǎo)電膜的例子有鑰(Mo)等的耐熱性導(dǎo)電材料膜，而作為 第四導(dǎo)電膜的例子有純鋁膜(Al)或含釹的鋁(Al-Nd)膜等含有其他元素的鋁(Al)膜。接著進(jìn)行光刻步驟，形成抗蝕劑掩模，并且對(duì)第三導(dǎo)電膜、第四導(dǎo)電膜、以及第五導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻。將第三導(dǎo)電膜成為下層源電極及源極布線431以及下層漏電極432。將第四導(dǎo)電膜成為中層源電極及源極布線433以及中層漏電極434。并且從第五導(dǎo)電膜形成上層源電極及源極布線435以及上層漏電極436 (參照?qǐng)D21A)。注意，下層源電極及源極布線431、中層源電極及源極布線433、以及上層源電極及源極布線435構(gòu)成源電極及源極布線454，而下層漏電極432、中層漏電極434、以及上層漏電極436構(gòu)成漏電極455。接著，與實(shí)施方式同樣，以源電極及源極布線454以及漏電極455作為掩模，通過(guò)干蝕刻去除島狀非晶半導(dǎo)體膜103a和含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b的一部分，以將含有雜質(zhì)的島狀半導(dǎo)體膜103b分離成源極區(qū)域204和漏極區(qū)域205。此外，通過(guò)該蝕刻島狀非晶半導(dǎo)體膜103a以自對(duì)準(zhǔn)的方式被蝕刻，而成為具有溝道形成區(qū)域206的島狀半導(dǎo)體膜203 (參照?qǐng)D21B)。接著，覆蓋襯底的整個(gè)表面地形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜439 (參照?qǐng)D21C)。注意，絕緣膜439以與絕緣膜406相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成即可。之后，通過(guò)光刻步驟形成抗蝕劑掩模，并且干蝕刻由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜439，以形成保護(hù)膜437。雖然保護(hù)膜437覆蓋TFT，但在像素部分的開(kāi)口部分441中，通過(guò)干蝕刻步驟去除由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜，所以該部分露出(參照?qǐng)D21D)。當(dāng)蝕刻絕緣膜439時(shí)，有漏電極455受損傷的憂慮。然而，因?yàn)榇嬖谟猩蠈勇╇姌O436以及中層漏電極434，所以有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即由耐熱性導(dǎo)電材料構(gòu)成的下層漏電極432不受損傷。就是說(shuō)，通過(guò)以三層結(jié)構(gòu)形成漏電極，可以抑制受由于蝕刻而引起的膜厚度的減少導(dǎo)致的影響。接著，將透明導(dǎo)電膜形成在保護(hù)膜437以及在開(kāi)口部分441中露出的上層漏電極436上，并且蝕刻它而形成像素電極446 (參照?qǐng)D21E)。在圖21E中，即使像素電極包含銦錫氧化物(ITO)等的氧化物，也可以避免鋁(Al)和透明導(dǎo)電膜連接，因?yàn)樵诤X的中層漏電極434上存在有由耐熱性導(dǎo)電材料膜構(gòu)成的上層漏電極436。在本實(shí)施例中，除了實(shí)施例I所記載的效果之外還具有這樣的效果，即當(dāng)蝕刻由保護(hù)膜材料構(gòu)成的絕緣膜時(shí)，可以抑制漏電極受損傷。
注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I和2中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例4在實(shí)施方式以及實(shí)施例I至3雖然說(shuō)明了透過(guò)型液晶顯示器件及其制造方法，但是在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D22A和22B以及圖23A和23B說(shuō)明半透過(guò)型液晶顯示器件和微透過(guò)型液晶顯示器件。在制造半透過(guò)型液晶顯示器件和微透過(guò)型液晶顯示器件中的任何一種的情況下，都在制造實(shí)施方式及實(shí)施例I至3中所述的透過(guò)型TFT襯底之后使用鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)等反射率高的金屬膜形成反射電極，以使它的至少一部分在透明像素電極上重疊并電連接。制造了反射電極的部分成為反射區(qū)域，而其他開(kāi)口部分成為透過(guò)區(qū)域。通過(guò)使反射區(qū)域和透過(guò)區(qū)域的面積比率成為大致等價(jià)，液晶顯示器件成為半透過(guò)型，而可以通過(guò)使反射區(qū)域的面積小于透過(guò)區(qū)域的面積，制造微透過(guò)型液晶顯示器件。若將實(shí)施方式及實(shí)施例I至3中所述的透過(guò)型液晶顯示器件假設(shè)為全透過(guò)型液晶顯示器件，全透過(guò)型液晶顯示器件通過(guò)使背燈的光透過(guò)來(lái)顯示圖像。另一方面，微透過(guò)型液晶顯示器件和半透過(guò)型液晶顯示器件具有反射電極，從而可以利用外光，以可以抑制耗電量。圖22A示出實(shí)施方式的圖IB中形成反射電極501的液晶顯示器件。注意，在此省略了保護(hù)膜109，以便使附圖簡(jiǎn)化。反射電極501的面積比作為透明電極的像素電極106的面積小得多，從而反射區(qū)域比透過(guò)區(qū)域小得多。因此，具有圖22A的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器件成為微透過(guò)型液晶顯示器件。此外，圖22B示出實(shí)施方式的圖IB中形成反射電極502的液晶顯示器件，其中反射電極502的面積比像素電極106的面積小得多，從而該液晶顯示器件成為微透過(guò)型液晶顯示器件。將沿圖22A的液晶顯示器件的像素的線J-J’的截面圖示出于圖24A，并且將沿圖22B的液晶顯示器件的像素的線K-K’的截面圖示出于圖24B。圖22A中的反射電極501的端部位于比像素電極106的端部更內(nèi)部地被形成。另一方面，在圖22B的液晶顯示器件中，反射電極502的端部形成為與像素電極106的端部一致。圖23A也示出實(shí)施方式的圖IB中形成反射電極503的液晶顯示器件，然而，反射電極503形成為其面積大致成為作為透明電極的像素電極106的面積的一半兒。亦即，反射部分的面積和透過(guò)部分的面積幾乎相等，所以具有圖23A的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器件成為半透過(guò)型液晶顯示器件。圖23B示出半透過(guò)型液晶顯示器件的另一個(gè)例子。反射電極504沿像素電極106的邊緣，包圍像素電極106的外周地被形成。在該形狀中，透過(guò)區(qū)域和反射區(qū)域的面積相等，所以可以獲得顯示更明顯的液晶顯示器件。就是說(shuō)，本實(shí)施例除了實(shí)施例I中所記載的效果以外，還具有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即可以利用外光而可以抑制耗電量。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式及實(shí)施例I至3中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例5在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D25A至25E、圖26A至26C、以及圖27說(shuō)明在像素部分以外的區(qū)域如周圍部分連接由柵極布線材料構(gòu)成的布線和由源極布線材料構(gòu)成的布線的方法。注意，對(duì)沒(méi)有特別說(shuō)明的部分援引實(shí)施方式的記載。圖27為以俯視圖示出了由柵極布線材料構(gòu)成的布線和由源極布線材料構(gòu)成的布線的連接結(jié)構(gòu)的圖。圖25A至25E以及圖26A至26C為示出了為了形成圖27的俯視圖所示的連接結(jié)構(gòu)的順序的截面圖。圖26C為沿圖27中的線P-P’所表示的部分的截面圖。在圖27中，由柵極布線材料構(gòu)成的布線512與由源極布線材料構(gòu)成的布線514分別通過(guò)由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜523彼此連接。首先，如圖25A所示，根據(jù)實(shí)施方式所記載的方法，在襯底511上形成由柵極布線、材料構(gòu)成的布線512。之后，如圖25B所示，在襯底511的整個(gè)表面上形成柵極絕緣膜513。接著，如圖25B所示，根據(jù)實(shí)施方式所述的方法形成由源極布線材料構(gòu)成的布線514。而且，如圖2 所示，在柵極絕緣膜513及布線514上形成保護(hù)膜515。接著，在實(shí)施方式所述的第四光刻步驟中，通過(guò)使用半色調(diào)掩模的半色調(diào)曝光技術(shù)形成臺(tái)階狀的抗蝕劑掩模516(參照?qǐng)D25E)。通過(guò)使用抗蝕劑掩模516進(jìn)行蝕刻，如圖26A所示那樣直接在由柵極布線材料構(gòu)成的布線512上的絕緣膜中形成接觸孔525。但是，接觸孔525被形成的絕緣膜優(yōu)選僅僅是保護(hù)膜515，使柵極絕緣膜513殘存地進(jìn)行蝕刻。通過(guò)該蝕刻，保護(hù)膜515成為形成有接觸孔525的保護(hù)膜517。接著,如圖26A所示,使用基態(tài)(radical state)的氧氣等進(jìn)行灰化處理,去除抗蝕劑掩模516的一部分，將抗蝕劑掩模516的形狀變成像抗蝕劑掩模518的形狀。使用使變形了的抗蝕劑掩模518再次蝕刻保護(hù)膜517，而成為保護(hù)膜521。如圖26B所示，通過(guò)該蝕刻，在由柵極布線材料構(gòu)成的布線512上的接觸孔525被形成，并且形成開(kāi)口部分526，該開(kāi)口部分包括在由柵極布線材料構(gòu)成的布線512上的接觸孔525和由源極布線材料構(gòu)成的布線514的一部分。在本實(shí)施例中，接觸孔525的寬度被形成得比由柵極布線材料構(gòu)成的布線512小，然而還可以形成寬度大的接觸孔，該接觸孔包括由柵極布線材料構(gòu)成的布線512的兩端。接著，如圖26C所示，通過(guò)將由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜523形成在接觸孔525及開(kāi)口部分526上，可以通過(guò)由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜523連接由柵極布線材料構(gòu)成的布線512和由源極布線材料構(gòu)成的布線514。在上述的周圍部分的由柵極布線材料構(gòu)成的布線512的結(jié)構(gòu)和材料是與實(shí)施方式中所述的像素部分中的柵電極及柵極布線102相同的。此外，柵極絕緣膜513的結(jié)構(gòu)和材料是與像素部分中的柵極絕緣膜108相同的。此外，由源極布線材料構(gòu)成的布線514的結(jié)構(gòu)和材料是與像素部分中的源電極及源極布線104以及漏電極105相同的。此外，保護(hù)膜521以及由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜523的結(jié)構(gòu)和材料分別是與像素部分中的保護(hù)膜109以及像素電極106相同的。因此，周圍部分的布線也可以以與像素部分相同的方法且與像素部分同時(shí)形成。由此，可以不增加掩模數(shù)量地制造TFT襯底。本實(shí)施例可以獲得一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即具有實(shí)施方式所述的效果，并且可以不增加掩模數(shù)量地形成周圍的布線。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至4中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例6在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D28以及圖29A至29C說(shuō)明IPS (In-PlaneSwitching ;平面切換)模式的液晶顯示器件。圖28為在本實(shí)施例的IPS模式的液晶顯示器件中的任一個(gè)像素的俯視圖。此外，圖29A、29B、以及29C分別為沿圖28中的線L-L’、線M-M’、以及線N-N’的截面圖。在圖28以及圖29A至29C中，在襯底600上形成有柵極布線601及共同布線602。柵極布線601及共同布線602以相同的材料、相同的層、以及相同的步驟來(lái)形成。在柵極布線601及共同布線602上形成有柵極絕緣膜614。 注意，對(duì)襯底600使用與實(shí)施方式所述的襯底100相同的材料即可。此外，柵極布線601及共同布線602以與實(shí)施方式的柵電極及柵極布線102相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。而且，柵極絕緣膜614以與實(shí)施方式的柵極絕緣膜108相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。成為像素的開(kāi)關(guān)元件的TFT具有柵極布線601、柵極絕緣膜614、島狀半導(dǎo)體膜607、源極區(qū)域621、漏極區(qū)域622、源電極608、以及漏電極606 (參照?qǐng)D29A)。注意，TFT的島狀半導(dǎo)體膜607、源極區(qū)域621、以及漏極區(qū)域622分別根據(jù)實(shí)施方式的島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、以及漏極區(qū)域205的形成方法來(lái)形成即可。為方便起見(jiàn)，將源電極608和源極布線605分別示出，然而，它們由相同的導(dǎo)電膜形成且彼此連接。此外，漏電極606也以與源電極608和源極布線605相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成。保護(hù)膜615以與實(shí)施方式所述的保護(hù)膜109相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。此外，保護(hù)膜615在雙點(diǎn)劃線所示的開(kāi)口部分604中被去除，從而形成在開(kāi)口部分604中的絕緣膜僅僅有柵極絕緣膜614。漏電極606和像素電極611通過(guò)在開(kāi)口部分604中接觸而電連接(參照?qǐng)D29B)。源電極608以及源極布線605以與實(shí)施方式的源電極及源極布線104相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，而漏電極606以與實(shí)施方式的漏電極105相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，即可。像素電極611和多個(gè)共同電極612以相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成。共同電極612通過(guò)在柵極絕緣膜614中的接觸孔603電連接到共同布線602 (參照?qǐng)D29C)。注意，像素電極611及共同電極612以與實(shí)施方式所述的像素電極106相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。在像素電極611和共同電極612之間產(chǎn)生與襯底600平行的橫向電場(chǎng)，而控制液晶。IPS模式的液晶顯示器件因?yàn)橐壕Х肿硬粫?huì)在斜向起立，所以取決于觀察的角度的光學(xué)特性的變化很少，從而可以獲得光視野特性。本實(shí)施例除了實(shí)施例I所記載的效果以外，還具有能夠獲得光視野特性的優(yōu)點(diǎn)。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至5的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例7在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D30、圖31A和31B、以及圖32A和32B說(shuō)明MVA (多像限垂直配向；Multi-domain Vertically Aligned)模式的液晶顯示器件。圖30為本實(shí)施例的MVA模式的液晶顯示器件中的任一個(gè)像素的俯視圖。此外，圖31A及31B分別為沿圖30中的線P-P’及線Q-Q’的截面圖。在圖30以及圖3IA和3IB中，在襯底630上形成有柵極布線631，并且在柵極布線631上形成有柵極絕緣膜632。
注意，對(duì)襯底630使用與實(shí)施方式所述的襯底100相同的材料即可。此外，柵極布線631以與實(shí)施方式的柵電極及柵極布線102相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。而且，柵極絕緣膜632以與實(shí)施方式的柵極絕緣膜108相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。用作像素的開(kāi)關(guān)元件的TFT具有柵極布線631、柵極絕緣膜632、島狀半導(dǎo)體膜633、源極區(qū)域634、漏極區(qū)域635、源電極637、以及漏電極636 (參照?qǐng)D31A)。注意，TFT的島狀半導(dǎo)體膜633、源極區(qū)域634、以及漏極區(qū)域635分別根據(jù)實(shí)施方式的島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、以及漏極區(qū)域205的形成方法來(lái)形成即可。 為方便起見(jiàn)，將源電極637和源極布線638分別示出，然而，它們由相同的導(dǎo)電膜形成且彼此連接。此外，漏電極636也以與源電極637和源極布線638相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成。保護(hù)膜651以與實(shí)施方式所述的保護(hù)膜109相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。此外，保護(hù)膜651在雙點(diǎn)劃線所示的開(kāi)口部分657中被去除，從而在開(kāi)口部分657中可以僅僅形成有柵極絕緣膜632而作為絕緣膜。源電極637及源極布線638以與實(shí)施方式的源電極及源極布線104相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，而漏電極636以與實(shí)施方式的漏電極105相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，即可。注意，像素電極639以與實(shí)施方式所述的像素電極106相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。在像素電極639中，形成有多個(gè)槽653。此外，在柵極布線631和像素電極639重疊的區(qū)域中，以柵極絕緣膜632作為介電體而形成輔助電容器665。在保護(hù)膜651及像素電極639上形成取向膜652。取向膜652通過(guò)液滴噴出法、絲網(wǎng)印刷法或平版印刷法來(lái)形成即可。此外，在相對(duì)襯底641上提供由著色層642、遮光層(黑矩陣)643、以及外罩層644構(gòu)成的彩色濾光片，還提供由透明電極構(gòu)成的相對(duì)電極645，并且在其上形成有取向膜646。在相對(duì)電極645上形成有多個(gè)突起物(也稱作肋拱(rib))655。突起物655由丙烯等的樹(shù)脂形成即可。突起物655的形狀為左右對(duì)稱形，優(yōu)選為四面體，即可。根據(jù)實(shí)施方式的記載,在襯底630及相對(duì)襯底641之間形成液晶648。圖32A和32B為示出了在圖31B中的液晶分子661的動(dòng)作的圖。
在MVA模式中，使液晶648中的液晶分子661對(duì)突起物655以左右對(duì)稱傾斜地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。由此，可以抑制從左右方向看的顏色的差別。若在像素內(nèi)改變液晶分子661的傾斜方向，則從任何視點(diǎn)也沒(méi)有顏色的不均勻。圖32A示出沒(méi)有施加外加電壓的狀態(tài)，S卩外加電壓為OV時(shí)的圖。當(dāng)外加電壓為OV時(shí)，液晶分子661對(duì)襯底630及641垂直地取向。由此，從提供在襯底630或襯底641上的偏振光片入射的光直接透過(guò)液晶分子661,從而輸出一側(cè)的透過(guò)軸和入射光的振動(dòng)面正交。因此，光沒(méi)有被輸出，而處于暗狀態(tài)。圖32B示出施加外加電壓的狀態(tài)的圖。當(dāng)施加外加電壓時(shí)，如圖32B那樣產(chǎn)生電場(chǎng)663,而液晶分子661向突起物655的傾斜方向傾斜。由此，液晶分子661的長(zhǎng)軸與偏振光片的吸收軸相交，從而光透過(guò)輸出一側(cè)的偏振光片，而處于明狀態(tài)。通過(guò)提供突起物655，使液晶分子661向與突起物655的傾斜面垂直的方向傾斜地驅(qū)動(dòng)，而可以獲得具有對(duì)稱性且視角特性好的顯示。 此外，在MVA模式中，可以沒(méi)有對(duì)取向膜646及652進(jìn)行摩擦，從而可以減少制造步驟。此外，因?yàn)闆](méi)有摩擦步驟，所以可以消除通過(guò)摩擦而產(chǎn)生的對(duì)液晶648的混入物。由此，可以抑制取向不良和顯示品位的降低。通過(guò)上述步驟，本實(shí)施例的MVA模式的液晶顯示器件除了實(shí)施例I所記載的效果以外，還可以獲得具有對(duì)稱性且視角特性好的顯示。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至6中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例8在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D33、圖34A和34B、以及圖35A和35B說(shuō)明PVA (垂直取向構(gòu)型！Patterned Vertical Alignment)模式的液晶顯示器件。圖33為本實(shí)施例的PVA模式的液晶顯示器件中的任一個(gè)像素的俯視圖。此外，圖34A和34B分別為沿圖33中的線S-S，和線T-T，的截面圖。在圖33以及圖34A和34B中，在襯底700上形成有柵極布線701，并且在柵極布線701上形成有柵極絕緣膜702。注意，對(duì)襯底700使用與實(shí)施方式所述的襯底100相同的材料即可。此外，柵極布線701以與實(shí)施方式的柵電極及柵極布線102相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。而且，柵極絕緣膜702以與實(shí)施方式的柵極絕緣膜108相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。成為像素的開(kāi)關(guān)元件的TFT具有柵極布線701、柵極絕緣膜702、島狀半導(dǎo)體膜703、源極區(qū)域704、漏極區(qū)域705、源電極707、以及漏電極706 (參照?qǐng)D34A)。注意，TFT的島狀半導(dǎo)體膜703、源極區(qū)域704、以及漏極區(qū)域705分別根據(jù)實(shí)施方式的島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、以及漏極區(qū)域205的形成方法來(lái)形成即可。為方便起見(jiàn)，將源電極707和源極布線708分別示出，然而它們由相同的導(dǎo)電膜形成且彼此連接。此外，漏電極706也以與源電極707和源極布線708相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成。保護(hù)膜731以與實(shí)施方式所述的保護(hù)膜109相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。此外，保護(hù)膜731在由雙點(diǎn)劃線所示的開(kāi)口部分737中被去除，從而在開(kāi)口部分737中僅僅形成有柵極絕緣膜702而作為絕緣膜。源電極707及源極布線708以與實(shí)施方式的源電極及源極布線104相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，而漏電極706以與實(shí)施方式的漏電極105相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，即可。注意，像素電極709以與實(shí)施方式所述的像素電極106相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。在像素電極709中形成有多個(gè)槽739。此外，在像素電極709和柵極布線701重疊的區(qū)域中，中間夾著柵極絕緣膜702而形成輔助電容器744。
在保護(hù)膜731及像素電極709上形成取向膜732。取向膜732通過(guò)液滴噴出法、絲網(wǎng)印刷法或平版印刷法來(lái)形成即可。此外，在相對(duì)襯底711上提供由著色層712、遮光層(黑矩陣)713、以及外罩層714構(gòu)成的彩色濾光器，還形成由透明電極構(gòu)成的相對(duì)電極715，并且在其上形成有取向膜716。在相對(duì)電極715上形成有多個(gè)槽717。與像素電極709的槽739沒(méi)有重疊地配置相對(duì)電極715的槽717 (參照?qǐng)D33)。根據(jù)實(shí)施方式的記載在襯底700及相對(duì)襯底711之間形成液晶718。圖35A和35B為示出在圖34B中的液晶分子741的動(dòng)作的圖。在PVA模式中使相對(duì)電極715的槽717和像素電極709的槽739彼此沒(méi)有重疊地配置它們，液晶718中的液晶分子741向彼此沒(méi)有重疊的槽717及739取向，從而光透過(guò)。圖35A示出沒(méi)有施加外加電壓的狀態(tài)，即當(dāng)外加電壓為OV時(shí)的圖。當(dāng)外加電壓為OV時(shí)，由于液晶分子741對(duì)襯底700垂直地取向，所以從提供在襯底700或襯底711的偏振光片入射的光直接透過(guò)液晶分子741,并且入射光的振動(dòng)方向和輸出一側(cè)的偏振光片的透過(guò)軸正交。因此，光沒(méi)有被輸出，而處于暗狀態(tài)。圖35B示出施加外加電壓的狀態(tài)的圖。當(dāng)施加外加電壓時(shí)，如圖35B所示那樣對(duì)傾斜方向產(chǎn)生電場(chǎng)742，而液晶分子741向傾斜方向傾斜。因此，液晶分子741的長(zhǎng)軸與偏振光片的吸收軸相交，光透過(guò)輸出一側(cè)的偏振光片，而處于明狀態(tài)。通過(guò)在相對(duì)電極715提供槽717以及在像素電極709提供槽739，由向槽717及739的傾斜電場(chǎng)742使傾斜地驅(qū)動(dòng)液晶分子741，從而除了上下方向和左右方向以外，還可以獲得對(duì)傾斜方向也有對(duì)稱性且視角特性好的顯示。此外，在PVA模式中，也可以沒(méi)有對(duì)取向膜716及732進(jìn)行摩擦，所以可以減少制造步驟。此外，由于沒(méi)有摩擦步驟，所以可以消除通過(guò)摩擦而產(chǎn)生的對(duì)液晶718的混入物。因此，可以抑制取向不良和顯示品位的降低。通過(guò)上述步驟，本實(shí)施例的PVA模式的液晶顯示器件除了實(shí)施例I所記載的效果以外，還可以獲得具有對(duì)稱性且視角特性好的顯示。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至7中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例9在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D36、圖37A和37B、以及圖38說(shuō)明子像素分割驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示器件。在子像素分割驅(qū)動(dòng)方式中，將一個(gè)像素分割成多個(gè)子像素來(lái)驅(qū)動(dòng)。圖36為在本實(shí)施例的子像素分割驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示器件中的任一個(gè)像素的俯視圖。此外，圖37A、37B、以及圖38分別為沿圖36中的線U-U’、線V-V’、以及線W-W’的截面圖。在圖36、圖37A和37B、以及圖38中，在襯底800上形成有柵極布線801a及801b，并且在柵極布線801上形成有柵極絕緣膜802。注意，對(duì)襯底800使用與實(shí)施方式所述的襯底100相同的材料即可。此外，柵極布線801a及801b以與實(shí)施方式的柵電極及柵極布線102相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。再者，柵極絕緣膜802以與實(shí)施方式的柵極絕緣膜108相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。在采用了子像素分割驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示器件中，在每一個(gè)像素中形成有作為開(kāi)關(guān)元件的多個(gè)像素TFT。在本實(shí)施例中，在一個(gè)像素中形成有兩個(gè)作為像素TFT的TFT 821a和 TFT 821b。TFT 821a具有柵極布線801a、柵極絕緣膜802、島狀半導(dǎo)體膜803a、源極區(qū)域804a、漏極區(qū)域805a、源電極807a、以及漏電極806a (參照?qǐng)D37A)。注意，TFT 821b的結(jié)構(gòu)與TFT 821a相同，其中具有柵極布線801b、柵極絕緣膜802、島狀半導(dǎo)體膜803b、源極區(qū)域804b (未圖示)、漏極區(qū)域805b (未圖示)、源電極807b、以及漏電極806b。注意，TFT 821a的島狀半導(dǎo)體膜803a及TFT 821b的島狀半導(dǎo)體膜803b、源極區(qū)域804a及804b、以及漏極區(qū)域805a及805b分別根據(jù)實(shí)施方式的島狀半導(dǎo)體膜203、源極區(qū)域204、以及漏極區(qū)域205的形成方法來(lái)形成即可。為方便起見(jiàn)，將源電極807a及807b、以及源極布線808分別示出，然而，它們由相同的導(dǎo)電膜形成且彼此連接。此外，漏電極806a及806b也以與源電極807a及807b、以及源極布線808相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成。保護(hù)膜831以與實(shí)施方式所述的保護(hù)膜109相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。此外，保護(hù)膜831在雙點(diǎn)劃線所示的開(kāi)口部分835中被去除，從而形成在開(kāi)口部分835中的絕緣膜僅僅有柵極絕緣膜802。源電極807a及807b、以及源極布線808以與實(shí)施方式的源電極及源極布線104相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，而漏電極806a及806b以與實(shí)施方式的漏電極105相同的材料以及相同的步驟來(lái)形成，即可。在TFT 821a上提供有像素電極809a，在開(kāi)口部分835中像素電極809a直接連接到漏電極806a。與此同樣，在TFT 821b上提供有像素電極809b，在開(kāi)口部分835中像素電極809b直接連接到漏電極806b。注意，像素電極809a及809b以與實(shí)施方式所述的像素電極106相同的材料以及相同的制造步驟來(lái)形成即可。像素電極809a和像素電極809b的面積可以彼此相同，也可以不同。像素電極809a和像素電極809b的面積比率，根據(jù)需要適當(dāng)?shù)馗淖兗纯伞＠?，可以將像素電極809a和像素電極809b的面積比率設(shè)為5 : 5、1 : 9、3 : 7、6 : 4或8 : 2等。此外，在像素電極809a和輔助電容線837重疊的區(qū)域中，中間夾著柵極絕緣膜802而形成輔助電容器839a。與此同樣，在像素電極809b和輔助電容線837重疊的區(qū)域中，中間夾著柵極絕緣膜802而形成輔助電容器839b。輔助電容線837以與柵電極及柵極布線801a及801b相同的材料并在相同的層上形成即可。在保護(hù)膜831以及像素電極809a及809b上形成取向膜832。取向膜832通過(guò)液滴噴出法、絲網(wǎng)印刷法或平版印刷法來(lái)形成即可。此外，在相對(duì)襯底811上形成有由著色層812、遮光層(黑矩陣)813、以及外罩層814構(gòu)成的彩色過(guò)濾器，還形成由透明電極構(gòu)成的相對(duì)電極815，并且在其上形成有取向膜816。根據(jù)實(shí)施方式的記載，將液晶818形成在襯底800及相對(duì)襯底811之間。
如本實(shí)施例所示，通過(guò)將一個(gè)像素分割成多個(gè)子像素，可以提高灰度顯示。通過(guò)上述步驟，在采用了本實(shí)施例的子像素分割方式的液晶顯示器件中，除了實(shí)施例I所記載的效果以外，還可以獲得提高了灰度顯示的液晶顯示器件。注意，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至8中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例10本實(shí)施例描述一種利用液滴噴出法來(lái)滴落液晶的例子。在本實(shí)施例中，將參照?qǐng)D39A至39D、圖40A和40B、圖41A和41B、以及圖42A和42B描述從大面積襯底獲得四塊面板的例子。圖39A表示通過(guò)分配器(或噴墨)形成液晶層的途中的截面圖，其中從液滴噴出裝置906的噴嘴908噴出、噴射或滴落液晶材料904，以覆蓋由密封劑902包圍的像素部分901。液滴噴出裝置906向圖39A中的由箭頭表示的移動(dòng)方向903移動(dòng)。注意，這里雖然示出了移動(dòng)噴嘴908的例子，然而，還可以固定噴嘴而移動(dòng)襯底900以形成液晶層。圖39B表示的是透視圖。其中示出了僅僅在由密封劑902包圍的區(qū)域選擇性地噴出、噴射或滴下液晶材料904，滴下面905移動(dòng)得與噴嘴掃描方向903 —致。圖39C和39D為放大了圖39A中的虛線包圍的部分909的截面圖。當(dāng)液晶材料904具有高粘度時(shí)，該液晶材料被連續(xù)地噴出，如圖39C所示那樣以彼此結(jié)合的方式粘附。另一方面，當(dāng)液晶材料904具有低粘度時(shí)，該液晶材料被間歇地噴出，液滴如圖39D所示那樣以點(diǎn)狀被滴落。在圖39C和39D中，符號(hào)900為襯底，910為TFT，911為像素電極。像素部分901由排列成矩陣形狀的像素電極911、與像素電極911連接的開(kāi)關(guān)元件、以及存儲(chǔ)電容器構(gòu)成，在這里所述開(kāi)關(guān)元件為根據(jù)實(shí)施方式及實(shí)施例I的記載而制造的TFT 910。這里，下面將參照?qǐng)D40A和40B以及圖41A和41B描述面板的制造流程。首先，準(zhǔn)備在絕緣表面上形成有像素部分901的第一襯底900。對(duì)第一襯底900預(yù)先進(jìn)行以下步驟，如形成取向膜、進(jìn)行摩擦處理、分散球狀間隔物或形成柱狀間隔物、或者形成彩色濾光片等。然后，如圖40A所示，在惰性氣體的氣氛中或減壓下，在第一襯底900上使用分配裝置或噴墨裝置將密封劑902形成在包圍像素部分901的位置。將含有填料(直徑為6至24ii m)并且粘度為40至400Pa s的材料用作半透明密封劑902。注意，優(yōu)選選擇這樣的密封劑，即，不溶解于之后接觸的液晶中。作為密封劑，使用丙烯基光固化樹(shù)脂或丙烯基熱固化樹(shù)脂即可。密封劑902還可以通過(guò)印刷法來(lái)形成，因?yàn)橐纬傻氖呛?jiǎn)單的密封圖形。接下來(lái)，通過(guò)噴墨法將液晶材料904滴落到由密封劑902包圍的區(qū)域中(圖40B)。作為液晶材料904，使用具有能夠通過(guò)噴墨法噴出的粘度的已知液晶材料即可。此外，由于液晶材料904的粘度可以通過(guò)調(diào)節(jié)溫度來(lái)設(shè)定，所以適合于噴墨法。通過(guò)噴墨法，可以將所需要的量的液晶材料904不浪費(fèi)地保持在由密封劑902包圍的區(qū)域中。接著，在減壓下將提供有像素部分901的第一襯底900以及提供有相對(duì)電極和取向膜的第二襯底921貼合在一起，以使氣泡不進(jìn)入這兩塊襯底之間(圖41A)。這里，在貼合的同時(shí)進(jìn)行紫外線輻射或熱處理，以使密封劑902固化。 此外，圖42A和42B示出可以在貼合時(shí)或貼合之后進(jìn)行紫外線輻射或熱處理的貼合裝置的例子。在圖42A和42B中，符號(hào)931表示第一襯底支撐臺(tái)，932表示第二襯底支撐臺(tái)，934表示窗口，938表示下底板，以及939表示光源。注意，圖42A和42B中，與圖39A至39D、圖40A和40B、以及圖41A和41B對(duì)應(yīng)的部件使用相同的符號(hào)來(lái)表示。下底板938安裝有加熱器，使密封劑902固化。此外，第二襯底支撐臺(tái)932提供有窗口 934，使來(lái)自光源939的紫外光等的光通過(guò)。這里盡管未圖示，但襯底的對(duì)準(zhǔn)是通過(guò)窗口 934來(lái)實(shí)現(xiàn)的。此外，成為相對(duì)襯底的第二襯底921預(yù)先切割成所要求的大小并通過(guò)真空吸盤等固定在第二襯底支撐臺(tái)932上。圖42A表示貼合之前的狀態(tài)。在貼合時(shí)，將第一襯底支撐臺(tái)931和第二襯底支撐臺(tái)932向下移動(dòng)，然后施加壓力使第一襯底900和第二襯底921貼合在一起，并且在該狀態(tài)下用紫外光輻射使它們固化。圖42B表示貼合之后的狀態(tài)。接著，使用切割裝置例如劃線器(scriber)、斷路器(breaker)、滾式切割器等來(lái)切割第一襯底900(參照?qǐng)D41B)。像這樣，可以從一塊襯底制造出四塊面板。然后通過(guò)已知的技術(shù)貼合FPC。通過(guò)上述步驟，可以制造使用大面積襯底的液晶顯示器件。此外，如果需要，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至9的所有的結(jié)構(gòu)或其一部分自由地組合來(lái)實(shí)施。實(shí)施例11作為應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備，可以舉出電視機(jī)、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等、眼鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再生裝置(汽車音響組件等)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、便攜式電話機(jī)、便攜式游戲機(jī)或電子書籍等)、以及具有記錄媒體的圖像重放裝置(具體地說(shuō)，能夠再生數(shù)字通用光盤(DVD)等的記錄媒體并具有能夠顯示該再生圖像的顯示器的裝置)等。將這種電子設(shè)備的具體實(shí)例示出于圖43、圖44、圖45A和45B、圖46A和46B、圖47、圖48A至48E、以及圖49A和49B。圖43示出組合了液晶顯示面板2001和電路襯底2011的液晶模塊。在電路襯底2011上形成有控制電路2012、信號(hào)分路電路2013等，并且該電路襯底2011通過(guò)連接布線2014與使用本發(fā)明而形成的液晶顯示面板2001電連接。所述液晶顯示面板2001具有提供了多個(gè)像素的像素部分2002、掃描線驅(qū)動(dòng)電路2003、以及向選擇的像素供應(yīng)視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路2004。液晶顯示面板2001根據(jù)實(shí)施方式以及實(shí)施例I至10來(lái)制造即可。通過(guò)采用圖43所示的液晶模塊，可以完成液晶電視接收機(jī)。圖44為示出液晶電視接收機(jī)的主要結(jié)構(gòu)的方塊圖。調(diào)諧器2101接收?qǐng)D像信號(hào)和音頻信號(hào)。由圖像信號(hào)放大器電路2102、圖像信號(hào)處理電路2103、以及控制電路2102處理圖像信號(hào)，其中圖像信號(hào)處理電路2103將從圖像信號(hào)放大器電路2102輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)每個(gè)顏色的彩色信號(hào)，控制電路2102將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)器IC的輸入規(guī)格?？刂齐娐?102將信號(hào)輸出至掃描線一側(cè)和信號(hào)線一側(cè)。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，將信號(hào)分路電路2013設(shè)置在信號(hào)線一側(cè)，從而將輸入數(shù)字信號(hào)分割成m個(gè)。將由調(diào)諧器2101接收的信號(hào)中的音頻信號(hào)發(fā)送給音頻信號(hào)放大器電路2105，將輸出通過(guò)音頻信號(hào)處理電路2106提供給揚(yáng)聲器2107?？刂齐娐?108從輸入部分2109接 收接收站(接收頻率)或者音量的控制數(shù)據(jù)，并且將信號(hào)發(fā)送到調(diào)諧器2101和音頻信號(hào)處理電路2106。如圖45A所示，通過(guò)將液晶模塊嵌入到框體2201中，從而完成電視接收機(jī)。使用液晶模塊來(lái)形成顯示屏幕2202。此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置揚(yáng)聲器2203、操作開(kāi)關(guān)2204等。另外，在圖45B中，示出以無(wú)線方式只將顯示器可以移動(dòng)的電視接收機(jī)。在框體2212中內(nèi)裝有電池及信號(hào)接收器，由該電池驅(qū)動(dòng)顯示部分2213及揚(yáng)聲器部分2217。電池可以由充電器2210重復(fù)充電。另外，充電器2210可以收發(fā)圖像信號(hào)，并且可以將該圖像信號(hào)發(fā)送到顯示器的信號(hào)接收器。框體2212由操作鍵2216控制。另外，圖45(B)所示的裝置，由于也可以通過(guò)對(duì)操作鍵2216進(jìn)行操作，從框體2212將信號(hào)發(fā)送到充電器2210，所以也可以稱為圖像聲音雙向通信裝置。另外，通過(guò)對(duì)操作鍵2216進(jìn)行操作，可以將信號(hào)從框體2212發(fā)送到充電器2210，并且通過(guò)由其他電子設(shè)備接收充電器2210可以發(fā)送的信號(hào)，也可以控制其他電子設(shè)備的通信，也可以說(shuō)是通用遙控裝置。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2213。通過(guò)在圖43、圖44、以及圖45A和45B所示的電視接收機(jī)中使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的電視接收機(jī)。當(dāng)然，本發(fā)明不局限于電視接收機(jī)，并且可以應(yīng)用于各種各樣的用途，如個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、尤其是大面積的顯示媒體如火車站或機(jī)場(chǎng)的信息顯示板或者街頭的廣告顯示板等。圖46A示出了通過(guò)組合液晶顯示面板2301和印刷線路板2302而形成的模塊，所述液晶顯示面板2301和印刷線路板2302是使用本發(fā)明而形成的。液晶顯示面板2301具有提供有多個(gè)像素的像素部分2303、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路2304、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路2305、以及向被選擇了的像素供應(yīng)視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路2306。在印刷線路板2302上配置有控制器2307、中央處理裝置(CPU) 2308、存儲(chǔ)器2309、電源電路2310、聲音處理電路2311、以及收發(fā)電路2312等。印刷線路板2302和液晶顯示面板2301通過(guò)柔性印刷線路板(FPC) 2313連接。印刷線路板2313還可以具有如下結(jié)構(gòu)，即，設(shè)置電容元件和緩沖電路等，以防止噪音對(duì)電源電壓或信號(hào)的干擾或使信號(hào)的啟動(dòng)延遲。另外，可以通過(guò)COG(玻璃上載芯片)方式在液晶顯示面板2301上安裝控制器2307、聲音處理電路2311、存儲(chǔ)器2309、CPU 2308、電源電路2310等。通過(guò)COG方式，可以縮小印刷線路板2302的規(guī)模。
通過(guò)提供在印刷線路板2302上的接口(I/F) 2314進(jìn)行各種控制信號(hào)的輸入輸出。另外，在印刷線路板2302上提供有天線用端口 2315，該天線用端口被用于進(jìn)行與天線之間的信號(hào)的收發(fā)。圖46(B)示出圖46(A)所示的模塊的方塊圖。該模塊包括VRAM 2316,DRAM 2317、以及閃存2318等作為存儲(chǔ)器2309。在VRAM 2316中存儲(chǔ)有顯示在顯示板上的圖像的數(shù)據(jù)，在DRAM 2317中存儲(chǔ)有圖像數(shù)據(jù)或聲音數(shù)據(jù)，而在閃存中存儲(chǔ)有各種程序。電源電路2310供應(yīng)使液晶顯示面板2301、控制器2307、CPU 2308、聲音處理電路2311、存儲(chǔ)器2309、以及收發(fā)電路2312工作的電功率。另外，根據(jù)顯示板的規(guī)格，也有在電源電路2310中設(shè)置電流源的情況。 CPU 2308具有控制信號(hào)生成電路2320、譯碼器2321、寄存器2322、運(yùn)算電路2323、RAM 2324、以及用于CPU 2308的接口 2319等。經(jīng)過(guò)接口 2319輸入到CPU 2308的各種信號(hào)，在臨時(shí)保持于寄存器2322之后，輸入到運(yùn)算電路2323及譯碼器2321等。在運(yùn)算電路2323中基于被輸入的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算，并且指定發(fā)送各種指令的地點(diǎn)。另一方面，輸入到譯碼器2321中的信號(hào)被譯碼，并且該被譯碼的信號(hào)輸入到控制信號(hào)生成電路2320?？刂菩盘?hào)生成電路2320基于被輸入的信號(hào)而生成包含各種指令的信號(hào)，并且將它發(fā)送到在運(yùn)算電路2323中指定的地點(diǎn)，具體說(shuō)是存儲(chǔ)器2309、收發(fā)電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器2307 等。存儲(chǔ)器2309、收發(fā)電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器2307分別按照接收到的指令工作。下面對(duì)其工作進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。從輸入單元2325輸入的信號(hào)，經(jīng)過(guò)接口 2314發(fā)送到安裝在印刷線路板2302上的CPU 2308?？刂菩盘?hào)生成電路2320按照從點(diǎn)擊設(shè)備或鍵盤等輸入單元2325發(fā)送來(lái)的信號(hào)，將存儲(chǔ)于VRAM 2316中的圖像數(shù)據(jù)變換為預(yù)定的格式，并且將該變換了的圖像數(shù)據(jù)送交到控制器2307?？刂破?307根據(jù)面板的規(guī)格對(duì)從CPU 2308發(fā)送來(lái)的包含圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)實(shí)施數(shù)據(jù)處理，并且將該信號(hào)提供給液晶顯示面板2301。此外，控制器2307，基于從電源電路2310輸入的電源電壓及從CPU 2308輸入的各種信號(hào)，生成Hsync信號(hào)、Vsync信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)CLK、交流電壓(AC Cont)、以及切換信號(hào)L/R，并且將它們供給到液晶顯示面板2301。在收發(fā)電路2312中，在天線2328中作為電波被收發(fā)的信號(hào)被處理，具體言之，包括隔離器、帶通濾波器、VC0(電壓控制振蕩器；Voltage Controlled Oscillator)、LPF(低通濾波器；Low Pass Filter)、耦合器、平衡不平衡轉(zhuǎn)換器等的高頻電路。在收發(fā)電路2312中被收發(fā)的信號(hào)中包含聲音信息的信號(hào)，按照來(lái)自CPU 2308的指令而發(fā)送到聲音處理電路 2311。按照CPU 2308的指令發(fā)送來(lái)的包含聲音信息的信號(hào)在聲音處理電路2311中被解調(diào)為聲音信號(hào)，然后被發(fā)送到揚(yáng)聲器2327。此外,從麥克風(fēng)2326發(fā)送來(lái)的聲音信號(hào),在聲音處理電路2311中被調(diào)制，按照CPU 2308的指令，發(fā)送到收發(fā)電路2312?？刂破?307、CPU 2308、電源電路2310、聲音處理電路2311、以及存儲(chǔ)器2309等可以作為本實(shí)施例的封裝進(jìn)行安裝。除了高頻電路，例如隔離器、帶通濾波器、VC0、LPF、耦合器或平衡不平衡轉(zhuǎn)換器等以外，本實(shí)施例還可以應(yīng)用于任何電路。圖47示出包括圖46A和46B所示的模塊的便攜式電話機(jī)的一種方式。液晶顯示面板2301，以可自由裝卸的方式被組合到外殼2330中。外殼2330可按照液晶顯示面板2301的大小適當(dāng)?shù)馗淖兤湫螤詈统叽?。固定液晶顯示面板2301的外殼2330被嵌裝在印刷襯底2331中，而被組裝為模塊。液晶顯示面板2301通過(guò)FPC 2313連接到印刷襯底2331。在印刷襯底2331上形成揚(yáng)聲器2332、麥克風(fēng)2333、收發(fā)電路2334、以及包括CPU及控制器等的信號(hào)處理電路2335。這種模塊與輸入單元2336、電池2337和天線2340組合，然后將其收容于框體2339中。液晶顯示面板2301所包括的像素部分被布置成使其從礦體2339中提供的開(kāi)孔窗口可見(jiàn)。本實(shí)施例的便攜式電話機(jī)根據(jù)其功能和用途可以被改變?yōu)楦鞣N方式。例如，若采用具有多個(gè)顯示面板的結(jié)構(gòu)，或?qū)⒖蝮w適當(dāng)?shù)胤指畛啥鄠€(gè)并使用鉸鏈而成為開(kāi)閉式的結(jié)構(gòu)，也可以獲得上述的作用和效果。
通過(guò)在圖46A和46B、以及圖47所示的便攜式電話機(jī)中使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的便攜式電話。圖48A是液晶顯示器，由框體2401、支撐臺(tái)2402、顯示部分2403等構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2403。通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的液晶顯示器。圖48B是計(jì)算機(jī)，包括主體2501、框體2502、顯示部分2503、鍵盤2504、外部連接端口 2505、以及點(diǎn)擊鼠標(biāo)2506等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2503。通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的計(jì)算機(jī)。圖48C是便攜式計(jì)算機(jī)，包括主體2601、顯示部分2602、開(kāi)關(guān)2603、操作鍵2604、以及紅外線端口 2605等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2602。通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的計(jì)算機(jī)。圖48D是便攜式游戲機(jī)，包含框體2701、顯示部分2702、揚(yáng)聲器部分2703、操作鍵2704、以及記錄媒體插入部分2705等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2702。通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得質(zhì)量好的顯示器件的游戲機(jī)。圖48E是具有記錄媒體的便攜式圖像重放裝置(具體說(shuō)是DVD重放裝置)，包括主體2801、框體2802、顯示部分A 2803、顯示部分B 2804、記錄媒體(DVD等)讀取部分2805、操作鍵2806、以及揚(yáng)聲器部分2807等。顯示部分A 2803主要顯示圖像信息，顯示部分B2804主要顯示文字信息。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分A 2803、顯示部分B 2804以及控制用電路部分等。注意，具有記錄媒體的圖像重放裝置中也可以包括家用游戲機(jī)等。通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的圖像重放裝置。圖49A和49B示出了將本發(fā)明的液晶顯示器件安裝在照相機(jī)中例如數(shù)碼相機(jī)中的實(shí)例。圖49A是當(dāng)從正面看時(shí)的數(shù)碼相機(jī)的透視圖，而圖49B是當(dāng)從背面看時(shí)的數(shù)碼相機(jī)的透視圖。圖49A中，該數(shù)碼相機(jī)具有釋放按鈕2901、主開(kāi)關(guān)2902、取景器窗口 2903、閃光部分2904、透鏡2905、照相機(jī)鏡筒2906、以及框體2907。此外，圖49B中，提供取景器目鏡窗口 2911、監(jiān)視器2912以及操作按鈕2913。當(dāng)釋放按鈕2901按到一半位置時(shí)，聚焦機(jī)制和曝光機(jī)制工作，當(dāng)釋放按鈕按到最低位置時(shí)，快門開(kāi)啟。通過(guò)按下主開(kāi)關(guān)2902或使主開(kāi)關(guān)2902旋轉(zhuǎn)，來(lái)切換數(shù)碼相機(jī)的電源的0N/0FF。取景器窗口 2903放置在數(shù)碼相機(jī)的前透鏡2905的上部，它是用于從圖49B所示的取景器目鏡窗口 2911識(shí)別照相范圍或焦點(diǎn)位置的裝置。閃光部分2904放置在數(shù)碼相機(jī)的前表面的上部，當(dāng)目標(biāo)亮度低時(shí)，通過(guò)按下釋放按鈕2901，在快門開(kāi)啟的同時(shí)發(fā)射輔助光。透鏡2905放置在數(shù)碼相機(jī)的正面。透鏡由聚焦透鏡、變焦透鏡等構(gòu)成，并與未圖示的快門和光圈一起構(gòu)成照相光學(xué)系統(tǒng)。此外，在透鏡的后面提供圖像攝取元件，例如CCD (電荷I禹合裝置；Charge Couoled Device)等。照相機(jī)鏡筒2906移動(dòng)透鏡位置以調(diào)節(jié)聚焦透鏡、變焦透鏡等的焦點(diǎn)。當(dāng)攝影時(shí)，通過(guò)將照相機(jī)鏡筒滑出，使透鏡2905向前移動(dòng)。此外，當(dāng)攜帶時(shí)，將透鏡2905向后移動(dòng)成緊縮狀態(tài)。注意，本實(shí)施例中采用一種結(jié)構(gòu)，其中可以通過(guò)滑出照相機(jī)鏡筒縮放拍攝目標(biāo)，然而，結(jié)構(gòu)不限于此，可以使用數(shù)碼相機(jī)，其中通過(guò)框體2907內(nèi)部的照相光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，不滑出照相機(jī)鏡筒也可以縮放拍攝。取景器目鏡窗口 2911提供在數(shù)碼相機(jī)背面的上部，該取景器目鏡窗口是為了當(dāng)檢查拍攝范圍或焦點(diǎn)時(shí)通過(guò)它進(jìn)行查看而提供的窗口。操作按鈕2913是提供在數(shù)碼相機(jī)的背面的各種功能按鈕，由調(diào)整按鈕、菜單按鈕、顯示按鈕、功能按鈕、以及選擇按鈕等構(gòu)成。本發(fā)明的液晶顯示器件可以安裝到圖49A和49B所示的照相機(jī)的監(jiān)視器2912中。因此，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的數(shù)碼相機(jī)。注意，本實(shí)施例所示的例子僅僅是一個(gè)例子，其用途不局限于此。此外，本實(shí)施例可以與實(shí)施方式以及實(shí)施例I至10中的所有結(jié)構(gòu)或其一部分自由地組合來(lái)實(shí)施。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)盡量與開(kāi)口部分沒(méi)有重疊地形成保護(hù)膜，可以獲得開(kāi)口部分增大了的顯示器件。再者，本發(fā)明通過(guò)使開(kāi)口部分延長(zhǎng)在與源極布線平行的列方向延長(zhǎng)存在，可以降低當(dāng)蝕刻用于形成保護(hù)膜的絕緣膜時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)梢越档陀捎跉堅(jiān)鼘?dǎo)致的像素電極和漏電極之間的接觸不良。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示器件的電子設(shè)備。本說(shuō)明書根據(jù)2005年12月26日在日本專利局受理的日本專利申請(qǐng)編號(hào)2005-372586而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括 襯底； 設(shè)置在上述襯底上的薄膜晶體管，包括溝道形成區(qū)域、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、柵極絕緣膜、以及柵電極； 連接到上述柵電極的柵極布線； 連接到上述源極區(qū)域的源極布線； 連接到上述漏極區(qū)域的漏電極； 設(shè)置在上述襯底上的輔助電容； 連接到上述漏電極的像素電極；以及 覆蓋上述薄膜晶體管及上述源極布線的絕緣膜， 其中，上述絕緣膜包括ー個(gè)開(kāi)ロ部分，并且 上述像素電極和上述輔助電容存在于形成有上述一個(gè)開(kāi)ロ部分的區(qū)域。
2.—種半導(dǎo)體器件，包括 襯底； 設(shè)置在上述襯底上的薄膜晶體管，包括一對(duì)分別包括雜質(zhì)的半導(dǎo)體層；以及溝道形成區(qū)域； 電連接到上述一對(duì)半導(dǎo)體層中的ー個(gè)的第一布線； 電連接到上述一對(duì)半導(dǎo)體層中的另ー個(gè)的第一電極； 連接到上述第一電極的像素電極； 設(shè)置在上述襯底上的輔助電容；以及 覆蓋上述薄膜晶體管及上述第一布線的絕緣膜， 其中，上述絕緣膜具有ー個(gè)開(kāi)ロ部分，并且 上述像素電極和上述輔助電容存在于形成有上述一個(gè)開(kāi)ロ部分的區(qū)域。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括 襯底； 設(shè)置在上述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管， 其中，上述第一薄膜晶體管包括第一柵電極、柵極絕緣膜、第一溝道形成區(qū)域、第一源極區(qū)域、以及第一漏極區(qū)域， 上述第二薄膜晶體管包括第二柵電極、上述柵極絕緣膜、第二溝道形成區(qū)域、第二源極區(qū)域、以及第二漏極區(qū)域； 連接到上述第一柵電極的第一柵極布線； 連接到上述第二柵電極的第二柵極布線； 設(shè)置在上述襯底上且連接到上述第一源極區(qū)域和上述第二源極區(qū)域的源極布線； 設(shè)置在上述襯底上且連接到上述第一漏極區(qū)域的第一漏電極； 設(shè)置在上述襯底上且連接到上述第二漏極區(qū)域的第二漏電極； 設(shè)置在上述襯底上的第一輔助電容和第二輔助電容； 連接到上述第一漏電極的第一像素電極； 連接到上述第二漏電極的第二像素電極；以及 使用與上述第一柵極布線和上述第二柵極布線相同的材料并在相同的層中形成的輔助電容線， 其中，第一輔助電容形成在上述第一像素電極的一部分和上述輔助電容線彼此重疊的區(qū)域中， 第二輔助電容形成在上述第二像素電極的一部分和上述輔助電容線彼此重疊的區(qū)域中； 形成在上述第一薄膜晶體管、上述第二薄膜晶體管、以及上述源極布線上的絕緣膜； 形成在上述絕緣膜中的一個(gè)開(kāi)ロ部分， 其中，上述第一薄膜晶體管、上述第二薄膜晶體管、以及上述源極布線被上述絕緣膜覆至rm.， 上述第一輔助電容和上述第二輔助電容存在于形成有上述ー個(gè)開(kāi)ロ部分的區(qū)域； 形成在上述第一薄膜晶體管、上述第二薄膜晶體管、上述第一像素電極、上述第二像素電極、以及上述絕緣膜上的第一取向膜； 在上述襯底上的相對(duì)襯底； 形成在上述相對(duì)襯底下的相對(duì)電極； 形成在上述相對(duì)電極下的第二取向膜；以及 在上述第一取向膜和上述第二取向膜之間的液晶。
4.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，還包括 形成在上述薄膜晶體管、上述像素電極、以及上述絕緣膜上的第一取向膜； 設(shè)置在上述襯底上的相對(duì)襯底； 形成在上述相對(duì)襯底下的相對(duì)電極； 形成在上述相對(duì)電極下的第二取向膜；以及 在上述第一取向膜和上述第二取向膜之間的液晶。
5.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件， 其中，上述像素電極為透明電極，并且 與上述像素電極的一部分重疊地形成反射電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中，上述反射電極包括鋁、銀、鉻中的任何ー種。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，還包括 在上述襯底上的共用布線；以及 在上述襯底上且連接到上述共用布線的多個(gè)共用電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中，上述共用布線使用與上述柵極布線相同的材料并在相同的層中形成。
9.的材料并在相同的層中形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，還包括 設(shè)置在上述像素電極上的多個(gè)槽；以及 設(shè)置在上述相對(duì)電極上的多個(gè)突起。
11.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，還包括 設(shè)置在上述像素電極上的多個(gè)第一槽；以及 設(shè)置在上述相對(duì)電極上的多個(gè)第二槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中，上述第一槽未與上述第二槽重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，上述輔助電容由上述柵極布線的一部分、上述柵極絕緣膜、以及上述像素電極的一部分形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，上述輔助電容由使用與上述柵極布線相同的材料形成的輔助電容線、上述柵極絕緣膜、以及使用與電連接到上述像素電極的漏電極相同的材料形成的導(dǎo)電膜的一部分形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中，上述第一像素電極的面積和上述第二像素電極的面積是相同的。
16.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中，上述第一像素電極的面積和上述第二像素電極的面積是不同的。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，其中，上述絕緣膜為氮化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、氧化硅膜、或由它們組合而成的疊層膜中的ー種。
18.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，上述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件， 其中，上述漏電極包括上層漏電極和下層漏電極，并且 上述像素電極與上述下層漏電極接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，上述漏電極包括上層漏電極、中層漏電極、以及下層漏電極，并且 上述像素電極與上述上層漏電極接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求I的半導(dǎo)體器件，其中，上述像素電極包括氧化銦、銦錫氧化物、以及氧化銦-氧化鋅合金中的任何ー種。
22.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件為電視接收機(jī)、手機(jī)、液晶顯示器、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、圖像再現(xiàn)裝置、攝像機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置、以及數(shù)碼相機(jī)中的ー個(gè)。
23.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟 在襯底上形成柵極布線； 在上述柵極布線上形成柵極絕緣膜； 在上述柵極布線上中間夾著上述柵極絕緣膜形成半導(dǎo)體膜及含有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜； 在上述柵極絕緣膜、上述半導(dǎo)體膜、以及上述含有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜上形成源極布線及漏電極； 使用上述源極布線及上述漏電極作為掩模來(lái)蝕刻上述半導(dǎo)體膜及上述含有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜，從而由上述含有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜形成源極區(qū)域及漏極區(qū)域，并且由上述半導(dǎo)體膜形成溝道形成區(qū)域； 在上述源極布線、上述漏電極、上述源極區(qū)域、上述漏極區(qū)域、以及上述溝道形成區(qū)域上形成絕緣膜； 去除上述絕緣膜的一部分而使上述漏電極的至少一部分露出；以及 與上述漏電極接觸地形成像素電極， 其中，在上述源極布線、上述源極區(qū)域、上述漏極區(qū)域、以及上述溝道形成區(qū)域上的絕緣膜的一部分沒(méi)有被去除。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，上述絕緣膜為氮化硅膜、含氧的氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、氧化硅膜、以及由它們組合而成的疊層膜中的ー種。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，上述半導(dǎo)體膜及含有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜各個(gè)是使用非晶半導(dǎo)體膜來(lái)形成的。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中，上述像素電極為透明電極，并且 與上述像素電極的一部分重疊地形成反射電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明的課題在于降低接觸不良，抑制接觸電阻的增大，并且提高開(kāi)口率。本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，其具有襯底；設(shè)置在上述襯底上且具有柵極布線、柵極絕緣膜、島狀半導(dǎo)體膜、源極區(qū)域、以及漏極區(qū)域的薄膜晶體管；設(shè)置在上述襯底上且連接到上述源極區(qū)域的源極布線；設(shè)置在上述襯底上且連接到上述漏極區(qū)域的漏電極；設(shè)置在上述襯底上的輔助電容；連接到上述漏電極的像素電極；以及覆蓋著上述薄膜晶體管及上述源極布線而形成的保護(hù)膜，其中，上述保護(hù)膜具有開(kāi)口部分，并且上述輔助電容存在于形成有開(kāi)口部分的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102683421SQ20121012729
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2006年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日
發(fā)明者細(xì)谷邦雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所