專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，詳言之，關(guān)于一種制造方法中半導(dǎo)體晶圓的處理(Handling)及輸送(Transport)。
背景技術(shù)：
在工藝中間狀態(tài)的半導(dǎo)體晶圓從一個(gè)工作站移到另一個(gè)工作站時(shí)必須非常小心的處理，以防止該晶圓受到損壞。通常，晶圓夾頭(Wafer Chuck)安裝在晶圓或載體的表面。然而，此種方式會(huì)損壞晶圓，尤其是該夾頭從該晶圓拆卸下來(lái)時(shí)。由于減少該半導(dǎo)體晶圓厚度的努力一直在持續(xù)中，改良的半導(dǎo)體晶圓的處理及輸送技術(shù)將會(huì)變得越來(lái)越重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一半導(dǎo)體兀件，其包括一晶粒、一上半導(dǎo)體兀件及一第一封膠材料。該晶粒包括一半導(dǎo)體基板、一布線層、一鈍化層、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)導(dǎo)電元件。該半導(dǎo)體基板具有一第一表面、一第二表面及二側(cè)邊缺口，這些側(cè)邊缺口位于該第二表面的二側(cè)邊。該布線層位于該半導(dǎo)體基板的第一表面。該鈍化層鄰接該半導(dǎo)體基板的第二表面。這些導(dǎo)通柱貫穿該半導(dǎo)體基板，電性連接至該布線層且凸出于該鈍化層的外。這些導(dǎo)電元件鄰接于該布線層。該上半導(dǎo)體元件鄰接于該半導(dǎo)體基板的第二表面，且電性連接至這些導(dǎo)通柱。該第一封膠材料包覆該上半導(dǎo)體元件及該鈍化層，且更位于這些側(cè)邊缺口內(nèi)。本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其包括以下步驟(a)提供一半導(dǎo)體晶圓及一第一載體，該半導(dǎo)體晶圓包括數(shù)個(gè)條切割道及數(shù)個(gè)晶粒，這些切割道定義出這些晶粒；(b)利用一黏膠將該半導(dǎo)體晶圓黏附至該第一載體，其中該黏膠包括數(shù)個(gè)條黏膠線段以定義出數(shù)個(gè)容置空間，這些黏膠線段對(duì)應(yīng)這些切割道，且這些容置空間對(duì)應(yīng)這些晶粒；(C)附著數(shù)個(gè)上半導(dǎo)體元件至該半導(dǎo)體晶圓上，其中這些上半導(dǎo)體元件電性連接至這些晶粒；(d)附著一第二載體于這些上半導(dǎo)體元件；(e)沿著這些切割道切割該半導(dǎo)體晶圓及該第一載體，以分別形成數(shù)個(gè)晶粒及數(shù)個(gè)第一載體單體；及(f)移除這些第一載體單體及該第二載體。在本實(shí)施例中，由于該黏膠可在切割工藝中完全被移除，而可不必再進(jìn)行習(xí)知浸泡溶劑以去除該黏膠的步驟；或者，少量的黏膠在切割工藝后殘留，僅需簡(jiǎn)短的浸泡溶劑時(shí)間即可去除，因此可節(jié)省制造時(shí)間及成本。


圖I顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的一實(shí)施例的示意圖；圖2至圖12顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的一實(shí)施例的示意圖；圖13顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的示意圖；圖14至圖16顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖；圖17顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖18顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖；及圖19顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖1，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的一實(shí)施例的示意圖。該半導(dǎo)體元件I包括一晶粒16、一上半導(dǎo)體兀件4及一第一封膠材料42。該晶粒16包括一半導(dǎo)體基板11、一布線層 12、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱(Conductive Via) 13、數(shù)個(gè)阻絕層(Liner) 131、一鈍化層(PassivationLayer) 18、數(shù)個(gè)導(dǎo)電元件14及數(shù)個(gè)保護(hù)蓋(Protection Cap)3。該半導(dǎo)體基板11具有一第一表面111及一第二表面112。在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體基板11為一娃基材。該布線層12位于該半導(dǎo)體基板11的第一表面111。該布線層12包括至少一介電層(未繪示)及至少一導(dǎo)線(未繪示)。該導(dǎo)線位于該介電層內(nèi)。該導(dǎo)線可為銅、銅合金或其他導(dǎo)電金屬所制成，且可使用廣為人知的鑲嵌工藝(Damascene Process)制成。此外，該布線層12可包括俗稱(chēng)的層間介電層(Inter-layer Dielectric, ILD)及金屬間介電層(Inter-metal Dielectric, IMD)。該鈍化層18鄰接該半導(dǎo)體基板11的第二表面112，且這些導(dǎo)通柱13及這些阻絕層131凸出于該鈍化層18之外。在本實(shí)施例中，這些導(dǎo)通柱13的頂面與這些阻絕層131的頂面共平面。該鈍化層18的材質(zhì)為非感光性高分子聚合物，例如苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚酰亞胺(polyimide, PI)或環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)。這些導(dǎo)通柱13貫穿該半導(dǎo)體基板11，且電性連接至該布線層12。在本實(shí)施例中，這些導(dǎo)通柱13接觸該布線層12。這些阻絕層131圍繞這些導(dǎo)通柱13。較佳地，這些阻絕層131包括一層或多層的氮化硅、氧化物、高分子或相似物，且這些導(dǎo)通柱13包括銅、鎢、鋁、銀及其組合物或相似物。其他材料，包括導(dǎo)電擴(kuò)散阻隔層，例如氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢化鈷或相似物，亦可被使用。這些保護(hù)蓋3覆蓋這些導(dǎo)通柱13的頂面及這些阻絕層131的凸出部分。如果僅有這些導(dǎo)通柱13凸出于該鈍化層18之外，則該保護(hù)蓋3直接覆蓋該導(dǎo)通柱13的凸出部分。在本實(shí)施例中，每一這些保護(hù)蓋3包括一晶種層31及一球下金屬層(Under Ball Metal,UBM)32。該晶種層31覆蓋該凸出的導(dǎo)通柱13及阻絕層131以及部分該鈍化層18。該球下金屬層32位于該晶種層31上。在本實(shí)施例中，該晶種層31的材質(zhì)為鈦銅(TiCu)，該球下金屬層32包括一第一層33、一第二層34、一第三層35及一第四層36。該第一層33位于該晶種層31上，該第二層34位于該第一層33上，該第三層35位于該第二層34上，且該第四層36位于該第三層35上。該第一層33為銅，該第二層34為鎳，該第三層35為鈀，且該第四層36為金。然而，在其他實(shí)施例中，該球下金屬層32包括一第一層、一第二層及一第三層。該第一層為銅，該第二層為鎳，且該第三層為錫/銀合金或金。這些導(dǎo)電元件14鄰接于該布線層12，且電性連至該布線層12。在本實(shí)施例中，每一這些導(dǎo)電元件14包括一金屬柱(Metal Pillar) 141及一焊料(Solder) 142,該金屬柱141連接至該布線層12，且該焊料142位于該金屬柱141上。在其他實(shí)施例中，每一這些導(dǎo)電元件14為一突塊(Bump)。該上半導(dǎo)體元件4鄰接于該半導(dǎo)體基板11的第二表面112，且電性連接至這些導(dǎo)通柱13。在本實(shí)施例中，該上半導(dǎo)體元件4接觸這些保護(hù)蓋3。
該第一封膠材料42包覆該上半導(dǎo)體元件4、這些保護(hù)蓋3及該鈍化層18。參考圖2至圖12，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的一實(shí)施例的示意圖。參考圖2及圖2a，其中圖2a為圖2的局部剖視圖，提供一半導(dǎo)體晶圓10。該半導(dǎo)體晶圓10包括一半導(dǎo)體基板11、一布線層12、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱(Conductive Via) 13、數(shù)個(gè)阻絕層(Liner) 131、數(shù)個(gè)導(dǎo)電元件14、數(shù)個(gè)條切割道15及數(shù)個(gè)晶粒16。該半導(dǎo)體基板11具有一第一表面111及一第二表面112。該布線層12位于該半導(dǎo) 體基板11的第一表面111。該布線層12包括至少一介電層(未繪示)及至少一導(dǎo)線(未繪示)。該導(dǎo)線位于該介電層內(nèi)。該導(dǎo)線可為銅、銅合金或其他導(dǎo)電金屬所制成，且可使用廣為人知的鑲嵌工藝(Damascene Process)制成。此外，該布線層12可包括俗稱(chēng)的層間介電層(Inter-layer Dielectric, ILD)及金屬間介電層(Inter-metal Dielectric, IMD)。這些導(dǎo)通柱13位于該半導(dǎo)體基板11內(nèi)，且電性連接至該布線層12。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)通柱13接觸該布線層12。該阻絕層131圍繞該導(dǎo)通柱13。該導(dǎo)通柱13及該阻絕層131可以任何適當(dāng)?shù)姆椒ㄐ纬?。例如，在形成該布線層12之前或之后，經(jīng)由，例如，一次或多次的蝕刻工藝、銑削(Milling)、激光技術(shù)或其他相似方法形成開(kāi)口，使其延伸至該半導(dǎo)體基板11內(nèi)。較佳地，該阻絕層131包括一層或多層的氮化硅、氧化物、高分子或相似物，且該導(dǎo)通柱13包括銅、鎢、鋁、銀及其組合物或相似物。其他材料，包括導(dǎo)電擴(kuò)散阻隔層，例如氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢化鈷或相似物，亦可被使用。這些導(dǎo)電元件14鄰接于該布線層12，且電性連至該布線層12。在本實(shí)施例中，每一這些導(dǎo)電元件14包括一金屬柱(Metal Pillar) 141及一焊料(Solder) 142,該金屬柱141連接至該布線層42，且該焊料142位于該金屬柱141上。在其他實(shí)施例中，每一這些導(dǎo)電元件14為一突塊(Bump)。每一這些導(dǎo)電元件14具有一高度H1。這些切割道15定義出這些晶粒16的位置。在本實(shí)施例中，這些切割道15為數(shù)個(gè)條互相交錯(cuò)的水平線及垂直線，因此這些晶粒16為矩形。每一這些切割道15具有一寬度
W1O參考圖3及圖3a，其中圖3a為圖3的局部剖視圖，提供第一載體20。在本實(shí)施例中，該第一載體20為透明材質(zhì),例如玻璃。接著，以點(diǎn)膠(Dispensing)、網(wǎng)版印刷(ScreenPrinting)或鍍覆(Coating)形成一黏膠22于該第一載體20上。該黏膠22為一熱固化膠或光固化膠，例如UV膠或環(huán)氧樹(shù)脂(；Epoxy)。該黏膠22包括數(shù)個(gè)條黏膠線段221以定義出數(shù)個(gè)容置空間24。亦即，該黏膠22并未完全布滿(mǎn)該第一載體20整個(gè)表面。這些黏膠線段221對(duì)應(yīng)這些切割道15，且這些容置空間24對(duì)應(yīng)這些晶粒16。在本實(shí)施例中，這些黏膠線段221為數(shù)個(gè)條互相交錯(cuò)的水平線及垂直線，因此這些容置空間24為矩形。每一這些黏膠線段221具有一寬度W2及一高度H2。在本實(shí)施例中，這些黏膠線段221的高度H2應(yīng)至少為這些導(dǎo)電元件14的高度H1,即至少該金屬柱141及該焊料142的總高度H1，亦即H2 ^氏。在其他實(shí)施例中，這些黏膠線段221的高度H2應(yīng)至少為這些導(dǎo)電元件14的高度氏+3 u m,即至少該金屬柱141及該焊料142的總高度氏+3 u m,即H2彡氏+3 u m。此外，為避免因膠量過(guò)多而導(dǎo)致過(guò)多殘膠，這些黏膠線段221的高度H2應(yīng)控制在這些導(dǎo)電元件14的高度氏+5 u m,亦即H2彡氏+5 y m。此夕卜，這些黏膠線段221的寬度W2為這些切割道15的寬度WiiSilm?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，該黏膠22也可以形成于該半導(dǎo)體晶圓10上，且這些黏膠線段221沿著這些切割道15。參考圖4，利用該黏膠22將該半導(dǎo)體晶圓10黏附至該第一載體20，其中該半導(dǎo)體基板11的第一表面111面對(duì)該第一載體20，使得這些導(dǎo)電元件14位于這些容置空間24中。接著，以加熱或照UV光方式固化該黏膠22。參考圖5，從該半導(dǎo)體基板11的第二表面112薄化該半導(dǎo)體基板11，以顯露出這些導(dǎo)通柱13的頂端。該薄化工藝包括一研磨或化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical MechanicalPolishing, CMP)的步驟及/或一接續(xù)的蝕刻步驟。應(yīng)注意的是，在該薄化工藝中，僅移除該阻絕層131的頂部，因此這些導(dǎo)通柱13的一頂面被顯露，且大致與該阻絕層131的剩余部分的一頂面共平面。參考圖6, 一鈍化層18,例如，苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚苯惡唑(Polybenzoxazole, PB0)或環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy),形成于該第二表面112上，且覆蓋該導(dǎo)通柱13及該阻絕層131的顯露部分。參考圖7，移除(例如，經(jīng)由顯影或蝕刻)部分該鈍化層18，因此該導(dǎo)通柱13及該阻絕層131的末端部分凸出于該鈍化層18之外。應(yīng)注意的是，該阻絕層131的末端部分并未被移除，且該導(dǎo)通柱13的頂面大致與該阻絕層131的頂面共平面。參考圖8，形成數(shù)個(gè)保護(hù)蓋3于該導(dǎo)通柱13的頂面及該阻絕層131的凸出部分上。在本實(shí)施例中，該保護(hù)蓋3包括一晶種層31及一球下金屬層(Under Ball Metal，UBM) 32。該球下金屬層32包括一銅層33、一鎳層34、一鈕層35及一金層36,其中該銅層33位于該晶種層31上，該鎳層34位于該銅層33上，該鈀層35位于該鎳層34上，該金層36位于該鈀層35上。參考圖9，附著數(shù)個(gè)上半導(dǎo)體元件4至該半導(dǎo)體晶圓10上，其中每一這些上半導(dǎo)體元件4接觸這些保護(hù)蓋3，以電性連接至這些導(dǎo)通柱13。在另一實(shí)施例，亦可于數(shù)個(gè)上半導(dǎo)體元件4附著至該半導(dǎo)體晶圓10上之前先覆蓋一層非導(dǎo)電膠(non-conductive paste,NCP)(未繪示)于這些保護(hù)蓋3及該鈍化層18上。參考圖10，形成一第一封膠材料42于該半導(dǎo)體晶圓10上，其中該第一封膠材料42位于這些上半導(dǎo)體元件4間的間隙且位于該鈍化層18上，以包覆且保護(hù)這些保護(hù)蓋3及這些上半導(dǎo)體元件4。參考圖11，附著一第二載體5于這些上半導(dǎo)體兀件4及該第一封膠材料42上。在本實(shí)施例中，該第二載體5為一膠帶。參考圖12，沿著這些切割道15切割該半導(dǎo)體晶圓10、該第一封膠材料42及該第一載體20，且完全移除該黏膠22。此時(shí)，該半導(dǎo)體晶圓10被切割成數(shù)個(gè)晶粒16，且該第一載體20被切割成數(shù)個(gè)第一載體單體201。接著，移除這些第一載體單體201及該第二載體5，以制得如圖I所示的半導(dǎo)體元件I。 在本實(shí)施例中，由于大部分該黏膠22可在切割工藝中被移除，因此可節(jié)省習(xí)知浸泡溶劑以去除該黏膠22的時(shí)間及成本。參考圖13，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的另一實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體元件Ia與圖I所示的半導(dǎo)體元件I大致相同，其不同處在于，本實(shí)施例的該半導(dǎo)體元件Ia的半導(dǎo)體基板11更具有二側(cè)邊缺口 191，這些側(cè)邊缺口 191位于該半導(dǎo)體基板11的第二表面112的二側(cè)邊。此外，該第一封膠材料42更位于這些側(cè)邊缺口 191內(nèi)，藉此，可增加該第一封膠材料42與該半導(dǎo)體基板11間的附著力。 參考圖14至圖16，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，「前半段」工藝與圖2至圖9的制造方法中相同。本實(shí)施例的制造方法接續(xù)圖9的步驟。參考圖14，沿著這些切割道15切割該半導(dǎo)體晶圓10，以形成數(shù)個(gè)溝槽19。要注意的是，這些溝槽19的寬度大于這些切割道15的寬度，且該半導(dǎo)體晶圓10并未被切斷，亦即，這些溝槽19的深度小于該半導(dǎo)體基板11的厚度。參考圖15，形成一第一封膠材料42于該半導(dǎo)體晶圓10上，其中該第一封膠材料42位于這些上半導(dǎo)體元件4間的間隙及這些溝槽19內(nèi)。參考圖16,附著一第二載體5于這些上半導(dǎo)體兀件4及該第一封膠材料42上。在本實(shí)施例中，該第二載體5為一膠帶。接著，沿著這些切割道15切割該半導(dǎo)體晶圓10、第一封膠材料42及該第一載體20，且移除該黏膠22。此時(shí)，該半導(dǎo)體晶圓10被切割成數(shù)個(gè)晶粒16，且該第一載體20被切割成數(shù)個(gè)第一載體單體201。由于這些切割道15經(jīng)過(guò)這些溝槽19，因此，每一這些溝槽19被切割后會(huì)在每一晶粒16的側(cè)邊上形成一側(cè)邊缺口 191。接著，移除這些第一載體單體201及該第二載體5，以制得如圖13所示的半導(dǎo)體元件la。參考圖17，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，「前半段」工藝與圖2至圖10的制造方法中相同。本實(shí)施例的制造方法接續(xù)圖10的步驟。參考圖17，沿著這些切割道15切割該半導(dǎo)體晶圓10及該第一封膠材料42。此時(shí)，該半導(dǎo)體晶圓10被切割成數(shù)個(gè)晶粒16。要注意的是，該黏膠22并未被移除，使得這些晶粒16仍黏附在該該第一載體20上。接著，附著一第二載體5 (參考圖11)于這些上半導(dǎo)體元件4及該第一封膠材料42上。接著，沿著這些切割道15切割該第一載體20，且完全移除該黏膠22。此時(shí)，該第一載體20被切割成數(shù)個(gè)第一載體單體201 (參考圖12)。接著，移除這些第一載體單體201及該第二載體5，以制得如圖I所示的半導(dǎo)體元件I。參考圖18，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制造方法的另一實(shí)施例的示意圖。在本實(shí)施例中，「前半段」工藝與圖2至圖11的制造方法中相同。本實(shí)施例的制造方法接續(xù)圖11的步驟。參考圖18，沿著這些切割道15切割該半導(dǎo)體晶圓10、該第一封膠材料42及該第一載體20。此時(shí)，該半導(dǎo)體晶圓10被切割成數(shù)個(gè)晶粒16，且該第一載體20被切割成數(shù)個(gè)第一載體單體201。在本實(shí)施例中，這些切割道15的寬度小于這些黏膠線段221的寬度，因此，切割后，部分該黏膠22殘留在這些晶粒16及這些第一載體單體201之間。接著，將這些晶粒16及這些第一載體單體201浸泡一溶劑，以移除這些第一載體單體201。接著，移除該第二載體5，以制得如圖I所示的半導(dǎo)體元件I。由于殘留的黏膠22的數(shù)量并不大，因此，與習(xí)知技術(shù)相比，可有效地減少浸泡溶劑的時(shí)間。參考圖19，顯示本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的示意圖。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6包括一下基板61、一半導(dǎo)體兀件I、一底膠62、一第二封膠材料63及數(shù)個(gè)焊球64。該下基板61為，例如，一有機(jī)基板。該半導(dǎo)體元件I與圖I的半導(dǎo)體元件I相同，且位于該下基板61上。該半導(dǎo)體元件I利用這些導(dǎo)電元件14 (該金屬柱141及該焊料142)電性連接至該下基板41。該底膠62位于該下基板61及該半導(dǎo)體元件I之間，以保護(hù)這些導(dǎo)電元件14(該金屬柱141及該焊料142)。該第二封膠材料63包覆該下基板61、該半導(dǎo)體元件I及該上半導(dǎo)體元件4。這些焊球64位于該下基板61的底面?？梢岳斫獾氖?，圖19的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)6中的半導(dǎo)體元件I可以被圖13所示的半導(dǎo)體元件Ia所取代。
惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，習(xí)于此技術(shù)的人士對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括以下步驟 (a)提供一半導(dǎo)體晶圓及一第一載體，該半導(dǎo)體晶圓包括數(shù)個(gè)條切割道及數(shù)個(gè)晶粒，所述切割道定義出所述晶粒； (b)利用一黏膠將該半導(dǎo)體晶圓黏附至該第一載體，其中該黏膠包括數(shù)個(gè)條黏膠線段以定義出數(shù)個(gè)容置空間，所述黏膠線段對(duì)應(yīng)所述切割道，且所述容置空間對(duì)應(yīng)所述晶粒； (C)附著數(shù)個(gè)上半導(dǎo)體元件至該半導(dǎo)體晶圓上，其中所述上半導(dǎo)體元件電性連接至所述晶粒； (d)附著一第二載體于所述上半導(dǎo)體元件； (e)沿著所述切割道切割該半導(dǎo)體晶圓及該第一載體，以分別形成數(shù)個(gè)晶粒及數(shù)個(gè)第一載體單體；及 (f)移除所述第一載體單體及該第二載體。
2.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(a)中，該半導(dǎo)體晶圓更包括一半導(dǎo)體基板、一布線層、數(shù)個(gè)導(dǎo)通柱及數(shù)個(gè)導(dǎo)電元件，該半導(dǎo)體基板具有一第一表面及一第二表面，該布線層位于該半導(dǎo)體基板的第一表面，所述導(dǎo)通柱位于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且電性連接至該布線層，所述導(dǎo)電元件鄰接于該布線層。
3.如權(quán)利要求2的制造方法，其中該步驟(b)中，所述導(dǎo)電元件位于所述容置空間中。
4.如權(quán)利要求2的制造方法，其中該步驟(b)中，所述黏膠線段的高度至少為所述導(dǎo)電元件的高度，且所述黏膠線段的寬度為所述切割道的寬度±5 y m。
5.如權(quán)利要求2的制造方法，其中該步驟(b)之后更包括 (bl)從該半導(dǎo)體基板的第二表面薄化該半導(dǎo)體基板，以顯露出所述導(dǎo)通柱； (b2)形成一鈍化層位于該半導(dǎo)體基板的第二表面，以覆蓋所述導(dǎo)通柱； (b3)移除部分該鈍化層，使得所述導(dǎo)通柱凸出于該鈍化層 '及 (b4)形成數(shù)個(gè)保護(hù)蓋以覆蓋所述導(dǎo)通柱的凸出部分； 其中，該步驟(c)中，所述上半導(dǎo)體元件電性連接至所述導(dǎo)通柱。
6.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(a)的該第一載體為透明材質(zhì)，且該步驟(d)的該第二載體為一膠帶。
7.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(b)形成一黏膠于該半導(dǎo)體晶圓上或該第一載體上，且利用該黏膠將該半導(dǎo)體晶圓黏附至該第一載體。
8.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(b)之后更包括一固化該黏膠的步驟。
9.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(c)之后更包括 (Cl)沿著所述切割道切割該半導(dǎo)體晶圓，以形成數(shù)個(gè)溝槽，其中該半導(dǎo)體晶圓未被切斷；及 (c2)形成一第一封膠材料于該半導(dǎo)體晶圓上，其中該第一封膠材料位于所述上半導(dǎo)體元件間的間隙及所述溝槽內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9的制造方法，其中所述溝槽的寬度大于所述切割道的寬度，且該步驟(e)中，所述切割道經(jīng)過(guò)所述溝槽而在每一晶粒的側(cè)邊上形成側(cè)邊缺口。
11.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(C)之后更包括一形成一第一封膠材料于該半導(dǎo)體晶圓上的步驟，其中該第一封膠材料位于所述上半導(dǎo)體元件間的間隙。
12.如權(quán)利要求11的制造方法，更包括一切割該第一封膠材料及該半導(dǎo)體晶圓的步驟。
13.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(e)中，該黏膠完全被移除。
14.如權(quán)利要求I的制造方法，其中該步驟(e)中，部分該黏膠殘留在所述晶粒及所述第一載體單體之間，且該步驟(f)將所述晶粒及所述第一載體單體浸泡ー溶劑，以移除所述第一載體單體。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，該制造方法包括以下步驟(a)提供一半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓包括數(shù)個(gè)條切割道；(b)利用一黏膠將該半導(dǎo)體晶圓黏附至一第一載體，其中該黏膠包括數(shù)個(gè)條黏膠線段，這些黏膠線段對(duì)應(yīng)這些切割道；(c)附著數(shù)個(gè)上半導(dǎo)體元件至該半導(dǎo)體晶圓上；(d)附著一第二載體；(e)沿著這些切割道切割該半導(dǎo)體晶圓及該第一載體；及(f)移除該第一載體及該第二載體。藉此，可節(jié)省制造時(shí)間及成本。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102623403SQ201210104370
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月11日
發(fā)明者許哲銘 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司