專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
半導(dǎo)體裝置及其制造方法相關(guān)申請的引用本申請享受2011年9月13日申請的日本申請專利號2011-199951的優(yōu)先權(quán)的利益，該日本申請專利的全部內(nèi)容在本申請被援用。技術(shù)區(qū)域本實施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年,作為數(shù)碼相機等使用的固體攝像裝置,提出CMOS (Complementary MetalOxide Semiconductor :互補金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器,并商業(yè)化。作為這個CMOS圖像傳感器的特征，可列舉單電源、低電壓驅(qū)動、低功率。 CMOS圖像傳感器，根據(jù)多像素化和光學(xué)尺寸縮小的請求，像素尺寸逐年變小。例如，數(shù)碼相機等使用的CMOS圖像傳感器的像素尺寸，在從2 ii m到3 ii m左右。在CMOS圖像傳感器中細微化進步時，產(chǎn)生通過布線間的光的開口變小的靈敏度下降的問題。對此問題，開發(fā)了在半導(dǎo)體基板的表面上具有信號掃描電路及其布線層(電路部)，在這個電路部的相反側(cè)(背面?zhèn)?具有受光面的背面照射型CMOS圖像傳感器。通過用這個結(jié)構(gòu)，能提高CMOS圖像傳感器的靈敏度。背面照射型CMOS圖像傳感器中，通過直接接合方式貼合形成布線層的設(shè)備晶圓(裝置基板)和用于支持的支持晶圓(支持基板)之后，由切割步驟來分割芯片。由于有貼合步驟，不可在貼合的界面層的切割線的內(nèi)側(cè)(芯片的內(nèi)側(cè))形成防護環(huán)。因此，在設(shè)備晶圓和支持晶圓的界面層中切割時，由水平裂縫引起膜剝離，增加NG芯片且成品率降低。對此，使用在切割前通過激光，在切割線的內(nèi)側(cè)預(yù)先設(shè)置溝槽的方法(激光溝槽化)。作為激光溝槽化的問題，可列舉由激光加工時的碎片飛散的污染，加工時間長，成本高等。特別是，碎片的飛散在傳感器產(chǎn)品中是致命的，在像素區(qū)域碎片粘著時其芯片成為NG芯片。存在在膜結(jié)構(gòu)的調(diào)諧及激光溝槽化前為了碎片飛散的抑制制作保護層的方法，但是，全都成為成本增高的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供可實現(xiàn)成品率的提高，和成本削減的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。實施方式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括裝置基板；和在上述裝置基板上接合的支持基板；上述裝置基板在與上述支持基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿烤哂械贗溝槽。其他實施方式的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括在外周部具有防護環(huán)的裝置基板；和在上述裝置基板上接合的支持基板；其中上述支持基板在與上述裝置基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿壳冶壬鲜龇雷o環(huán)更內(nèi)側(cè)具有溝槽。其他實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在裝置基板的接合面?zhèn)鹊男酒耐庵懿壳仪懈罹€的內(nèi)側(cè)形成溝槽；在上述裝置基板的接合面?zhèn)冉雍现С只澹缓蛯⒔雍系纳鲜鲅b置基板及上述支持基板沿著上述切割線切割。根據(jù)上述構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，可實現(xiàn)成品率的提高，和成本削減。


圖1是表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。 圖3-圖23是表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的截面圖。圖24是表示第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖25是表示第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖26是表示第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖27是表示第5實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施例方式一般地，根據(jù)一實施方式，半導(dǎo)體裝置具有裝置基板和支持基板。支持基板接合在上述裝置基板上。上述裝置基板在與上述支持基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿烤哂械贗溝槽。以下參照

本實施方式。在附圖中，對同一部分附加同一參照符號。而且，必要時進行重復(fù)的說明。<第I實施方式>用圖1至圖23，關(guān)于第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置(背面照射型CMOS圖像傳感器)進行說明。第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置是設(shè)備晶圓(裝置基板)600在與支持晶圓(支持基板)200的接合面?zhèn)戎械那懈罹€的內(nèi)側(cè)(芯片500的中央側(cè))具有溝槽50的例子。由此，防止在切割步驟時對裝置基板600的水平裂縫的發(fā)生，能使對芯片500的損壞降低。以下，詳細說明第I實施方式。[結(jié)構(gòu)]首先，用圖1及圖2，關(guān)于第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。這里，圖1是表示切割前的晶圓，表示多個芯片。如圖1所示，第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具有以切割線40分割的芯片500。芯片500包括位于中央部的像素區(qū)域300和位于其周邊的周邊區(qū)域400。像素區(qū)域300具有將照射的光信號變換并積蓄電荷的受光部(光電二極管)。周邊區(qū)域400具有處理來自像素區(qū)域300的信號的電路、控制像素區(qū)域的工作的電路。而且，周邊區(qū)域400具有焊盤34，與外部電連接。在第I實施方式，芯片500中，后述的裝置基板600在支持基板200的接合面(界面)的切割線40的內(nèi)側(cè)具有溝槽50。換句話說，溝槽50形成于芯片500的外周部，在其周邊以圍繞的方式形成。關(guān)于溝槽50的截面結(jié)構(gòu)的細節(jié)，將稍后描述。圖2是表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖，是如圖1所示的沿著A-A線的截面圖。這里，在圖2，僅鄰接像素區(qū)域300的一方側(cè)形成周邊區(qū)域400，但是也可鄰接其他方側(cè)形成。而且，在以下的說明中，上下關(guān)系如附圖那樣統(tǒng)稱。
如圖2所示，第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置包括具有半導(dǎo)體層11、布線層70、和絕緣層30的裝置基板600，在裝置基板600上接合的支持基板200。在裝置基板600，在半導(dǎo)體層11的表面(在圖2的上面)上，形成具有電路部的布線層70。在半導(dǎo)體層11的背面(在圖2的下面)上，形成濾色器39，微透鏡41，和焊盤34。而且，在半導(dǎo)體層11的背面，形成光電二極管。即，背面照射型CMOS圖像傳感器，將從半導(dǎo)體層11的背面?zhèn)日丈涞墓庠诎雽?dǎo)體層11內(nèi)信號變換并積蓄電荷，向表面?zhèn)鹊牟季€層70讀出積蓄的電荷。以下，關(guān)于各構(gòu)成要素詳細說明。半導(dǎo)體層11是例如N型的Si外延層。在這個半導(dǎo)體層11，形成導(dǎo)入雜質(zhì)的活性層，在這個區(qū)域形成后述的光電二極管、晶體管等。
在像素區(qū)域300，在半導(dǎo)體層11內(nèi)，形成N型 雜質(zhì)層17和P型雜質(zhì)層18。N型雜質(zhì)層17在半導(dǎo)體層11內(nèi)的深區(qū)域(在圖2的下側(cè)的區(qū)域)形成，P型雜質(zhì)層18在半導(dǎo)體層11內(nèi)的淺區(qū)域(在圖2的上側(cè)的區(qū)域)形成，互相接觸形成。這些N型雜質(zhì)層17及P型雜質(zhì)層18，在各像素形成，構(gòu)成光電二極管。而且，在表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體層11內(nèi)鄰接的像素間(光電二極管間)，形成元件分離絕緣層15。元件分離絕緣層15,例如，以SiO2構(gòu)成。而且，在像素區(qū)域300，在半導(dǎo)體層11的表面上，對每像素形成柵電極16，例如構(gòu)成傳送晶體管和復(fù)位晶體管。柵電極10，例如，用多硅構(gòu)成。這個柵電極10的表面，用絕緣層19覆蓋。而且，在絕緣層19，形成上面被平坦化的層間絕緣層20。而且，在像素區(qū)域300，在半導(dǎo)體層11的背面上，經(jīng)由絕緣層32、反射防止層36、37形成濾色器39。在這個濾色器39下，形成微透鏡41。對每像素形成這些濾色器39及微透鏡41,與光電二極管相對應(yīng)形成。在周邊區(qū)域400，在半導(dǎo)體層11內(nèi)，形成從其上面到下面貫通的溝槽13。在這個溝槽13的側(cè)面上，形成絕緣層14。在絕緣層14上，形成貫通電極31，埋入溝槽13內(nèi)。而且，在周邊區(qū)域400，在半導(dǎo)體層11的表面上，形成與貫通電極31電連接的埋入電極(通孔)22。埋入電極22，形成于在絕緣層19及層間絕緣層20內(nèi)形成的通孔21內(nèi)。在埋入電極22上，順序形成布線24、埋入電極25、布線26、埋入電極27、和布線28，其構(gòu)成處理來自像素區(qū)域300的信號的電路、控制像素區(qū)域的工作的電路(電路部)。布線24、埋入電極25、布線26、埋入電極27、和布線28形成于在層間絕緣層20上形成的層間絕緣層23內(nèi)。而且，在周邊區(qū)域400，在半導(dǎo)體層11的背面上，形成與貫通電極31電連接的焊盤34。焊盤34，通過在絕緣層32形成的開口部33，與貫通電極31電連接。而且，焊盤34，通過在絕緣層35、反射防止層36、37形成的開口部38，與未圖示的外部電極電連接。S卩，在周邊區(qū)域400，所謂在表面?zhèn)刃纬傻碾娐凡亢驮诒趁鎮(zhèn)刃纬傻暮副P34，經(jīng)由貫通電極31電連接。裝置基板600，在芯片500的外周部，具有防護環(huán)29。更具體地，在芯片500的外周部中的層間絕緣層20及層間絕緣層23內(nèi)，形成防護環(huán)29。防護環(huán)29，用與埋入電極22、布線24、埋入電極25、布線26、埋入電極27、和布線28相同水平的通孔及布線構(gòu)成，圍繞芯片500的周邊。而且，防護環(huán)29，在比切割線40更內(nèi)側(cè)(芯片500的中央側(cè))形成。這個防護環(huán)29能防止在切割步驟時在布線層70內(nèi)產(chǎn)生裂縫。第I實施方式中，裝置基板600具有在布線層70上成為與支持基板200的接合面的絕緣層30。絕緣層30，例如用氧化膜構(gòu)成。更具體地，絕緣層30，例如，用TEOS等作為材料的硅氧化膜(SiO2膜)或low-k膜構(gòu)成。而且，絕緣層30的膜厚度是例如0.1 ii m以上5 u m以下。在絕緣層30上，接合支持基板200。即，在支持基板200下，經(jīng)由絕緣層30順序形成布線層70及半導(dǎo)體層11。所謂支持基板200和絕緣層30，通過對其加壓來接合。支持基板200可以用Si等的半導(dǎo)體基板構(gòu)成，也可以用玻璃、陶瓷或樹脂等的絕緣性基板構(gòu)成。絕緣層30，在芯片500的外周部，具有溝槽50。更具體地，絕緣層30，在與支持基板200的接合面?zhèn)?上面?zhèn)?的芯片500的外周部具有溝槽50。S卩，溝槽50，與支持基板200接觸形成。換句話說，絕緣層30，在形成溝槽50的位置與支持基板200不接觸。溝槽50不僅在與支持基板200的接合面?zhèn)?，還貫通絕緣 層30直到布線層70偵U。溝槽50位于比切割線40更內(nèi)側(cè)。而且，溝槽50，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成，但是為了芯片500的面積縮小，溝槽50優(yōu)選地在防護環(huán)29的正上方形成。溝槽50的寬度(在平面的寬度)，比切割線40的寬度小。更具體地，溝槽50的寬度是數(shù)Pm左右，切割線40的寬度是IOOiim左右。而且，溝槽50的深度(在平面垂直方向的深度)是例如0.1 ii m以上5 ii m以下，由此能防止裂縫的發(fā)生。溝槽50內(nèi)可以是空洞，可以埋入與其周圍不同的材料。作為埋入溝槽50內(nèi)的材料，例如，可以是SiN(硅氮化膜)等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或?qū)EOS作為材料的硅氧化膜(SiO2膜)等的絕緣材料。[制造方法]其次，用圖3及圖23，關(guān)于第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。圖3及圖23是表示第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造步驟的截面圖。在這里，在以下的說明上下關(guān)系如附圖那樣統(tǒng)稱，但是在制造流程中也有上下反轉(zhuǎn)進行的場合。首先，如圖3所示，通過外延生長，在作為SOI基板或大塊基板的半導(dǎo)體基板10上，形成半導(dǎo)體層11。半導(dǎo)體層11是例如N型的Si外延層。其次,如圖4所示,例如通過CVD(Chemical Vapor Deposition :化學(xué)氣相沉積)法，在半導(dǎo)體層11上，形成阻擋層12。這個阻擋層12，例如用SiN構(gòu)成。此后，例如通過光刻及干蝕刻法，在阻擋層12及半導(dǎo)體層11形成溝槽13。這個溝槽13是從阻擋層12及半導(dǎo)體層11的上面貫通到下面的貫通孔。由此，在溝槽13的底面，露出半導(dǎo)體基板10的上面。其次,如圖5所示,例如通過CVD法,在整個面形成絕緣層14。由此,絕緣層14,在溝槽13內(nèi)埋入的同時，也在阻擋層12上形成。這個絕緣層14，例如以SiO2構(gòu)成。此后，例如通過CMP (Chemical Mechanical Polishing :化學(xué)機械拋光),除去阻擋層12上的絕緣層14。其次，如圖6所示，例如通過濕蝕刻法，除去阻擋層12。由此，半導(dǎo)體層11的上面露出。此時，可以采用各種的蝕刻法，但是為了防止損壞波及到半導(dǎo)體層11的上面，優(yōu)選地采用濕蝕刻法。其次，如圖7所示，在上面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體層11內(nèi)的像素間埋入元件分離絕緣層15之后，在半導(dǎo)體層11的上面上，對每像素形成柵電極16。元件分離絕緣層15，例如以SiO2構(gòu)成，柵電極15,例如用多娃構(gòu)成。
此后，通過在半導(dǎo)體層11離子注入P或As等的雜質(zhì)，在半導(dǎo)體層11內(nèi)的深區(qū)域(下面?zhèn)鹊膮^(qū)域)形成N型雜質(zhì)層17。而且，通過在半導(dǎo)體層11離子注入B等的雜質(zhì)，在半導(dǎo)體層11內(nèi)的淺區(qū)域(上面?zhèn)鹊膮^(qū)域)形成P型雜質(zhì)層18。由于在N型雜質(zhì)層17上形成P型雜質(zhì)層18，對每像素形成光電二極管作為光電變換部。在半導(dǎo)體層11上形成柵電極16之前，在半導(dǎo)體層11內(nèi)可形成N型雜質(zhì)層17及P型雜質(zhì)層18。這樣,通過FEOL (Front End Of Line :前端線)步驟，在活性層形成晶體管和光電
二極管。其次，如圖8所示，通過熱氧化或CVD法，在柵電極16及半導(dǎo)體層11上，形成絕緣 層19。絕緣層19的膜厚度，是例如5nm以上6nm以下。絕緣層19，例如以Si02構(gòu)成。其次，如圖9所示，例如通過CVD法，在整個面形成層間絕緣層20，平坦化其上面。此后，例如通過光刻及干蝕刻法，以絕緣層14露出的方式在層間絕緣層20及絕緣層19形成開口部21。而且，與開口部21同時，在芯片的外周部的層間絕緣層20及絕緣層19也形成開口部21a。開口部21a形成于在形成后述的防護環(huán)29的區(qū)域。層間絕緣層20，例如以SiO2構(gòu)成。而且，絕緣層19和層間絕緣層20為同一材料的場合，絕緣層19和層間絕緣層20能一體地形成。其次，如圖10所示，例如通過CVD法，在整個面形成埋入電極22。由此，將埋入電極22埋入在開口部21及對開口部21a內(nèi)。同時，埋入電極22，也在層間絕緣層20上形成。埋入電極22，例如以W，Al或Cu構(gòu)成。此后，例如通過CMP，除去層間絕緣層20上的埋入電極22。其次，如圖11所示，例如通過CVD法，在層間絕緣層20上形成層間絕緣層23同時，在層間絕緣層23內(nèi)形成埋入的布線24、26、28及埋入電極25、27。布線24、26、28例如以Al或Cu構(gòu)成，埋入電極25、27例如以W，Al或Cu構(gòu)成。此時，布線24、26、28優(yōu)選地以使用Cu的鑲嵌結(jié)構(gòu)形成，可以是單鑲嵌或雙鑲嵌。而且，與布線24、26、28及埋入電極25、27同時，在芯片500的外周部的層間絕緣層23內(nèi)，也形成防護環(huán)29。防護環(huán)29與布線24、26、28及埋入電極25、27相同水平形成，用相同材料構(gòu)成。防護環(huán)29在比切割線40更內(nèi)側(cè)(芯片500的中央側(cè))形成。這個防護環(huán)29能防止在切割步驟時在芯片500內(nèi)產(chǎn)生裂縫。這樣,通過BEOL (Back End Of Line :后端線)步驟，形成將晶體管、光電二極管互相連接的布線層70。此后，通過CMP，平坦化層間絕緣層23的上面。布線24、26、28用鑲嵌結(jié)構(gòu)形成的場合，其上面每次被平坦化，所以不需要再次平坦化最上面。其次，如圖12所示，在層間絕緣層23上，形成絕緣層30。絕緣層30，例如，用氧化膜構(gòu)成，更具體地，用TEOS等作為材料的SiO2膜或low-k膜構(gòu)成。而且，絕緣層30通過CVD法、ALD(Atomic Layer Deposition :原子層沉積)法或涂布法等各種的方法形成。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層30的上面。這個絕緣層30的上面成為與后述的支持基板200的接合面。通過平坦化絕緣層30的上面，絕緣層30和支持基板200的接合強度提高。其次，如圖13所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在絕緣層30的上面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽50，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽50，在后述的半導(dǎo)體基板10的研磨步驟中，是在半導(dǎo)體層11和布線層70不發(fā)生薄片化和膜剝落的結(jié)構(gòu)。更具體地，溝槽50的寬度是例如數(shù)Pm左右，深度是例如0.1iim以上5iim以下。而且，溝槽50內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50內(nèi)的材料，例如，可以是SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料,或TEOS等的絕緣材料。此后，例如通過CMP法，可以平坦化絕緣層30的上面。至少溝槽50的形成前或形成后的任一方，平坦化絕緣層30的上面即可。其次,如圖14所示,在形成溝槽50的絕緣層30上,通過貼合接合支持基板200。這個貼合的步驟通過以下那樣進行。首先，在貼合之前，分別清洗絕緣層30及支持基板200的接合面。更具體地，對接
合面，進行除去金屬污染的堿清洗及酸清洗，除去有機物的O3清洗。而且，為了除去灰塵，可以進行2流體清洗、兆聲波清洗。其次，分別活性化絕緣層30及支持基板200的接合面。更具體地，對接合面，進行離子束，離子槍，或RIE (Reactive Ion Etching :反應(yīng)離子蝕刻)等的等離子處理。這個處理，例如，采用Ar，N2, O2，或H2等的氣體進行，在難以對接合面給予損壞的條件下進行。氣體可以用單體氣體，也可以用混合氣體。其次，分別再次清洗絕緣層30及支持基板200的接合面。更具體地，為了除去在活性化步驟中附加的灰塵，進行2流體清洗，兆聲波清洗，或水洗凈等，對活性化層不給予損壞的清洗。真空中連續(xù)進行從活性化到貼合的步驟的場合，或從活性化到貼合的步驟的清凈度充分高的場合，再清洗可以省略。其次，將絕緣層30的接合面和支持基板200的接合面貼合。更具體地，使裝置基板600和支持基板200位置對準排列之后，加壓并貼合，使自發(fā)接合的接合波以同心圓狀進展。此時，對準中，需要采用機械、外形識別、和標(biāo)志匹配的方式等，以Pm以下的精度匹配。貼合絕緣層30和支持基板200之后，根據(jù)需要，進行基板之間的位置不對準測定、空隙檢查，檢查貼合的精度。位置不對準測定中，采用透過方式的外形檢測，或反射方式的邊檢測等。而且，空隙檢查中，使用紅外線、超聲波、或X射線等。此后，通過對貼合的接合面在例如200°C以上1000°C以下的高溫數(shù)小時退火，使接合強度提高。一般地，貼合的接合面，越進行高溫的退火，接合強度傾向變得越高?？墒?，考慮在FEOL形成的材料的耐熱性時，由于在400°C前后數(shù)小時進行退火，可能特性惡化。因此，例如，用300°C的隊氣氛進行退火。由此，可將接合面的結(jié)合變?yōu)楦鼒怨痰腟1-O結(jié)合。貼合的強度充分高的場合，可實現(xiàn)退火的省略、低溫化、短時間化。支持基板200可以用Si等的半導(dǎo)體基板構(gòu)成，也可以用玻璃、陶瓷或樹脂等的絕緣性基板構(gòu)成。而且，支持基板200，在接合中，可以是未加工的整個面露出的狀態(tài)，但是為了保護露出面，上面及側(cè)面可以用以SiN構(gòu)成的未圖示的保護膜覆蓋。此時，用保護膜覆蓋支持基板200的整個面(上面，側(cè)面，和下面)，通過RIE等露出接合面(下面)之后，進行貼合的步驟。這樣，接合裝置基板600和支持基板200。其次,如圖15所示,通過BSG(Back Side Grind :背側(cè)磨)或化學(xué)藥劑處理,薄膜化并除去半導(dǎo)體基板10。作為化學(xué)藥劑，可用氟硝酸、KOH、或TMAH溶液。此時，例如，通過未圖示的蝕刻阻擋層、半導(dǎo)體基板10的膜厚度控制進行終點檢測。并且，一邊管理面內(nèi)均一性、粗糙度等的精度一邊加工。作為蝕刻阻擋層，采用SOI晶圓(半導(dǎo)體基板10)的未圖示的BOX氧化膜、雜質(zhì)濃度不相同的多層外延層(半導(dǎo)體層11)。此后，根據(jù)需要，通過RIE或化學(xué)藥劑除去蝕刻阻擋層。其次，如圖16所示，例如通過光刻及干蝕刻法，除去絕緣層14的一部分，以在溝槽13的側(cè)面殘留絕緣層14。由此，在絕緣層14形成開口部，埋入電極22露出。其次,如圖17所示,例如通過鍍金法或CVD法，以絕緣層14的開口部(溝槽13)被埋入的方式，形成貫通電極31。貫通電極31，例如用W，A1或Cu構(gòu)成。由此，能電連接從半導(dǎo)體層11的上面?zhèn)鹊较旅鎮(zhèn)?。貫通電極31即使不埋入絕緣層14的開口部，通過在側(cè)面形成，也可很好地電連接從半導(dǎo)體層11的上面?zhèn)鹊较旅鎮(zhèn)取?其次，如圖18所示，例如通過CVD法，在半導(dǎo)體層11的下面上形成絕緣層32。絕緣層32，例如以SiO2構(gòu)成。其次，如圖19所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在絕緣層32形成開口部33。由此，貫通電極31露出。其次，如圖20所示，在絕緣層32下，經(jīng)由開口部33形成與貫通電極31連接的焊盤34。這個焊盤34，例如用Al構(gòu)成。焊盤34，在貫通電極31的正下方，或在比貫通電極31更外周部形成。此后，例如通過CVD法，在絕緣層32上及焊盤34上的整個面形成絕緣層35。絕緣層35，例如以SiO2構(gòu)成。其次，如圖21所示，例如通過光刻及干蝕刻法，除去絕緣層35的一部分，形成在絕緣層35使半導(dǎo)體層11的下面?zhèn)鹊南袼貐^(qū)域300露出的開口部。其次，如圖22所示，例如通過CVD法或濺射法，在半導(dǎo)體層11下順序形成反射防止層36、37。反射防止層36、37，例如以SiO2構(gòu)成。反射防止層36、37的折射率，互相不同。由此，能防止照射的光的反射。其次，如圖23所示，例如通過光刻及干蝕刻法，除去反射防止層36、37，和絕緣層35的一部分，形成在反射防止層36、37，和絕緣層35使焊盤34露出的開口部38。其次，如圖2所示，在像素區(qū)域300的反射防止層37下對每像素形成濾色器39之后，在濾色器39下對每像素形成微透鏡41。濾色器39及微透鏡41，用例如透明的有機化合物構(gòu)成。濾色器39，例如，可以用紅、綠或藍著色。其次，通過從上面?zhèn)妊心ブС只?00到200 μ m左右的膜厚度，通過沿著切割線40切斷來個體化，形成芯片500。具有貼合步驟的背面照射型CMOS圖像傳感器中，不在接合面的層形成防護環(huán)。因此，切割步驟時，接合面的層產(chǎn)生水平裂縫。對此，第I實施方式中，由于在接合面的層(絕緣層30)預(yù)先設(shè)置溝槽50，能限制切割步驟時的水平裂縫的進展。此后，可通過進行向陶瓷封裝等的安裝、由布線接合將焊盤34和封裝電連接、保護玻璃的裝載、樹脂封止等，完成第I實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置。形成貫通電極31的溝槽13，在貼合的步驟前形成，但是也可以在貼合的步驟之后形成。即，半導(dǎo)體基板10從表面?zhèn)缺∧せ?，并除去之后，可形成溝?3、絕緣層14、和貫通電極31。
[效果]根據(jù)上述第I實施方式，在裝置基板600形成絕緣層30作為與支持基板200的接合面，絕緣層30在與支持基板200的接合面?zhèn)戎行酒?00的外周部具有溝槽50。由此溝槽50，在切割步驟時能阻止從切割線40在接合面的層(絕緣層30)產(chǎn)生的水平裂縫。由此，能防止膜剝落，抑制NG芯片的生成。其結(jié)果，能實現(xiàn)在制造流程中成品率的提高，和成本削減?！吹?實施方式>用圖24，關(guān)于第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進行說明。第2實施方式，是支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊那懈罹€的內(nèi)側(cè)(芯片500的中央側(cè))具有溝槽60的例子。由此，防止在切割步驟時對支持基板200的水平裂縫的發(fā)生，能使對芯片500的損壞降低。以下，關(guān)于第2實施方式詳細說明。在第2實施方式,關(guān)于與上述第I實施方式同樣的點省略說明，主要關(guān)于不同的點說明。[結(jié)構(gòu)]首先，用圖24，關(guān)于第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖24是表示第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖，是如圖1所示的沿著A-A線的截面圖。如圖24所示，在第2實施方式，與第I實施方式不同的點是支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60的點。支持基板200，在裝置基板600的絕緣層30上接合。所謂支持基板200和絕緣層30，通過對他們加壓來接合。支持基板200，在芯片500的外周部，具有溝槽60。更具體地，支持基板200，在裝置基板600的接合面?zhèn)?下面?zhèn)?的芯片500外周部具有溝槽60。即，溝槽60，與裝置基板600接觸形成。換句話說，支持基板200，在形成溝槽60的位置與裝置基板600不接觸。溝槽60不僅在與裝置基板600的接合面?zhèn)?，還貫通支持基板200直到上面?zhèn)取?溝槽60位于比切割線40更內(nèi)側(cè)。而且，溝槽60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽60的寬度，比切割線40的寬度小。更具體地，溝槽60的寬度是10 μ m左右，切割線40的寬度是100 μ m左右。而且，溝槽60的深度是O.1 μ m以上5 μ m以下，由此能
防止裂縫的發(fā)生。溝槽60內(nèi)可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽60內(nèi)的材料，例如，可以是SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或TEOS等的絕緣材料。[制造方法]其次，關(guān)于第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。首先，與第I實施方式同樣，進行圖3至圖12的步驟。即，在裝置基板600，在層間絕緣層23上，形成絕緣層30。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層30的上面。這個絕緣層30的上面成為與后述的支持基板200的接合面。其次，如圖24所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在支持基板200的下面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽60，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽60的寬度是數(shù)μ m左右，深度是O. Ιμπι以上5μπι以下。溝槽60內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽60內(nèi)的材料，例如，可以是SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或TEOS等的絕緣材料。其次，在絕緣層30上，通過貼合接合形成溝槽60的支持基板200。此時，溝槽60以在防護環(huán)29的正上方或內(nèi)側(cè)的方式位置匹配之后，被接合。以下的步驟，與第I實施方式同樣地進行。[效果]根據(jù)上述第2實施方式，支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60。由此溝槽60，在切割步驟時能阻止從切割線40在接合面的層(支持基板200)產(chǎn)生的水平裂縫。由此，能防止膜剝落，抑制NG芯片的生成。其結(jié)果，能實現(xiàn) 在制造流程中成品率的提高，和成本削減。〈第3實施方式〉用圖25，關(guān)于第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進行說明。第3實施方式是裝置基板600在與支持基板200的接合面?zhèn)鹊那懈罹€的內(nèi)側(cè)(芯片500的中央側(cè))具有溝槽50，且，支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊那懈罹€的內(nèi)側(cè)具有溝槽60的例子。由此，在切割步驟時防止對裝置基板600及支持基板200的水平裂縫的發(fā)生，能更降低對芯片500的損壞。以下,關(guān)于第3實施方式詳細說明。在第3實施方式,關(guān)于與上述第I實施方式同樣的點省略說明，主要關(guān)于不同的點說明。[結(jié)構(gòu)]首先，用圖25，關(guān)于第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖25是表示第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖，是如圖1所示的沿著A-A線的截面圖。如圖25所示，在第3實施方式，與第I實施方式和不同的點是裝置基板600在與支持基板200的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽50，且，支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60的點。支持基板200與裝置基板600的絕緣層30上接合。所謂支持基板200和絕緣層30，通過對他們加壓來接合。裝置基板600，在芯片500外周部，具有溝槽50。更具體地，裝置基板600，在支持基板200的接合面?zhèn)?上面?zhèn)?的芯片500的外周部具有溝槽50。即，裝置基板600中，在形成溝槽50的位置與支持基板200不接觸。溝槽50不僅在與支持基板200的接合面?zhèn)龋€貫通裝置基板600直到下面?zhèn)取Ａ硪环矫?，支持基?00，在芯片500外周部，具有溝槽60。更具體地，支持基板200，在與裝置基板600的接合面?zhèn)?下面?zhèn)?的芯片500的外周部具有溝槽60。S卩，支持基板200，在形成溝槽60的位置與裝置基板600不接觸。溝槽60不僅在與裝置基板600的接合面?zhèn)?，還貫通支持基板200直到上面?zhèn)取喜?0、60位于比切割線40更內(nèi)側(cè)。而且，溝槽50、60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50、60在彼此相同位置形成，從上面來看時重疊。S卩，溝槽50、60互相接觸。溝槽50、60期望在彼此相同位置形成，但是可不在相同位置形成。溝槽50、60的寬度，比切割線40的寬度小。而且，溝槽50的寬度，比溝槽60的寬度小。更具體地，溝槽50的寬度是數(shù)μ m左右，溝槽60的寬度是10 μ m左右，切割線40的寬度是100 μ m左右。通過將溝槽50的寬度比溝槽60寬度的小，在貼合的步驟中，可提高使溝槽50和溝槽60重疊的位置匹配冗余。而且,溝槽50、60的深度是O.1 μ m以上5 μ m以下，由此能防止裂縫的發(fā)生。溝槽的60寬度可比溝槽的50的寬度小。溝槽50、60內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50、60內(nèi)的材料，例如，可以用SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或TEOS等的絕緣材料。[制造方法]其次，關(guān)于第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。首先，與第I實施方式同樣，進行圖3至圖12的步驟。即，在裝置基板600，在層間絕緣層23上，形成絕緣層30。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層30的上面。這個絕緣層30的上面成為與后述的支持基板200的接合面。 其次，如圖25所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在裝置基板600 (絕緣層30)的上面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽50，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽50的寬度是數(shù)μ m左右，深度是O. Ιμπι以上5μηι以下。而且，例如通過光刻及干蝕刻法，在支持基板200的下面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽60，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽60的寬度是10 μ m左右，深度是O. Ιμπι以上5μπι以下。這些溝槽50、60內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50、60背面的材料，例如，可以用SiN等不被連接的材料，Cu、Al等的金屬材料,或TEOS等的絕緣材料。其次，在形成溝槽50的絕緣層30上，通過貼合接合形成溝槽60的支持基板200。此時，溝槽50和溝槽60以在相同位置的方式(重疊的方式)位置匹配之后，被接合。以下的步驟，與第I實施方式同樣地進行。[效果]根據(jù)上述第3實施方式，裝置基板600在與支持基板200的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60，且，支持基板200在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60。由此溝槽50、60，在切割步驟時能阻止從切割線40在接合面的層(絕緣層30及支持基板200)產(chǎn)生的水平裂縫。由此，能防止膜剝落，抑制NG芯片的生成。其結(jié)果，能實現(xiàn)在制造流程中新的成品率的提高，和成本削減?！吹?實施方式〉用圖26，關(guān)于第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進行說明。第4實施方式是形成作為支持基板200的接合面的表面被平坦化的絕緣層80的例子。由此，能提高支持基板200和裝置基板600的接合強度。以下，關(guān)于第4實施方式詳細說明。在第4實施方式，關(guān)于與上述第I實施方式同樣的點省略說明，主要關(guān)于不同的點說明。[結(jié)構(gòu)]首先，用圖26，關(guān)于第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖26是表示第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖，是如圖1所示的沿著A-A線的截面圖。如圖26所示，在第4實施方式，與第I實施方式和不同的點是支持基板200在其表面上(下面上)具有成為與裝置基板600的接合面的絕緣層80的點。絕緣層80，在支持基板200的下面上作為與裝置基板600的接合面形成，與裝置基板600的絕緣層30上接合。所謂絕緣層80和絕緣層30，通過對他們加壓來接合。絕緣層80，例如用氧化膜構(gòu)成。更具體地，絕緣層80，例如，用以TEOS等作為材料的SiO2膜，由熱氧化的SiO2膜或low-k膜構(gòu)成。而且，絕緣層80的膜厚度是O.1 μ m以上5 μ m以下。[制造方法]其次，關(guān)于第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。首先，與第I實施方式同樣，進行圖3至圖12的步驟。即，在裝置基板600，在層間絕緣層23上，形成絕緣層30。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層30的上面。這個絕緣層 30的上面成為與后述的絕緣層80的接合面。其次，如圖26所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在裝置基板600 (絕緣層30)的上面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽50，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50的寬度是數(shù)μπι左右，深度是O.1 μ m以上5 μ m以下。溝槽50內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50內(nèi)的材料，例如，可以用SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或TEOS等的絕緣材料。而且，在支持基板200的下面上(接合面?zhèn)鹊谋砻嫔?，形成絕緣層80。絕緣層80，例如，用氧化膜構(gòu)成。更具體地，用SiO2膜或low-k膜構(gòu)成。而且，絕緣層80通過熱氧化、CVD法、ALD法、或涂布法等各種方法形成。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層80的下面。這個絕緣層80下面成為與后述的裝置基板600 (絕緣層30)的接合面。通過平坦化絕緣層80的下面，絕緣層80和絕緣層30的接合強度提高。其次，在形成溝槽50的絕緣層30上，通過貼合接合支持基板200(絕緣層80)。以下的步驟，與第I實施方式同樣地進行。[效果]根據(jù)上述第4實施方式，能得到與第I實施方式同樣的效果。第4實施方式中，形成作為支持基板200的接合面的表面被平坦化的絕緣層80。由此，能提高支持基板200和裝置基板600的接合強度。〈第5實施方式〉用圖27，關(guān)于第5實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進行說明。第5實施方式是形成作為支持基板200的接合面的表面被平坦化的絕緣層80，絕緣層80在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊那懈罹€的內(nèi)側(cè)具有溝槽60的例子。以下，關(guān)于第5實施方式詳細說明。在第5實施方式，關(guān)于與上述第I實施方式同樣的點省略說明，主要關(guān)于不同的點說明。[結(jié)構(gòu)]首先，用圖27，關(guān)于第5實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖27是表示第5實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖，是如圖1所示的沿著A-A線的截面圖。如圖27所示，在第4實施方式，與第I實施方式和不同的點是支持基板200在其表面上(下面上)具有成為與裝置基板600的接合面的絕緣層80，絕緣層80在與裝置基板600的接合面?zhèn)鹊男酒?00的外周部具有溝槽60的點。絕緣層80，在支持基板200的下面上作為與裝置基板600的接合面形成，在裝置基板600的絕緣層30上接合。所謂絕緣層80和絕緣層30，通過對他們加壓來接合。絕緣層80，例如用氧化膜構(gòu)成。更具體地，絕緣層80，例如，用以TEOS等作為材料的SiO2膜，由熱氧化的SiO2膜或low-k膜構(gòu)成。而且，絕緣層80的膜厚度是O.1 μ m以上5 μ m以下。裝置基板600，在芯片500的外周部，具有溝槽50。更具體地，裝置基板600，在與支持基板200的接合面?zhèn)?上面?zhèn)?的芯片500的外周部具有溝槽50。即，裝置基板600，在形成溝槽50的位置與支持基板200不接觸。溝槽50不僅在與支持基板200的接合面?zhèn)?，還貫通裝置基板600直到下面?zhèn)取?
另一方面，在支持基板200的下面上作為與裝置基板600的接合面形成的絕緣層80，在芯片500的外周部，具有溝槽60。更具體地，絕緣層80，在與裝置基板600的接合面?zhèn)?下面?zhèn)?的芯片500的外周部具有溝槽60。即，絕緣層80，在形成溝槽60的位置與裝置基板600不接觸。溝槽60不僅在與裝置基板600的接合面?zhèn)?，還貫通絕緣層80直到上面?zhèn)?。溝?0、60位于比切割線40更內(nèi)側(cè)。而且，溝槽50、60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50、60期望在彼此相同位置形成，從上面來看時重疊，但是不限于此。溝槽50、60的寬度比切割線40的寬度小。而且，溝槽50的寬度比溝槽60的寬度小。更具體地，溝槽50的寬度是數(shù)μ m左右，溝槽60的寬度是10 μ m左右，切割線40的寬度是ΙΟΟμπι左右。通過將溝槽50的寬度比溝槽60寬度的小，在貼合的步驟中，可提高使溝槽50和溝槽60重疊的位置匹配冗余。而且，溝槽50、60的深度是O.1 μπι以上5μπι以下，由此能防止裂縫的發(fā)生。溝槽60的寬度都可比溝槽50的寬度小。溝槽50、60內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50、60內(nèi)的材料，例如，可以用SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料，或TEOS等的絕緣材料。[制造方法]其次，關(guān)于第5實施方式說明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。首先，與第I實施方式同樣，進行圖3至圖12的步驟。即，在裝置基板600，在層間絕緣層23上，形成絕緣層30。此后，例如通過CMP，平坦化絕緣層30的上面。這個絕緣層30的上面成為與后述的絕緣層80的接合面。其次，如圖27所示，例如通過光刻及干蝕刻法，在裝置基板600 (絕緣層30)的上面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽50，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽50，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽50的寬度是數(shù)μ m左右，深度是
O.Ιμπι以上5μηι以下。而且，在支持基板200的下面上(接合面?zhèn)鹊谋砻嫔?，絕緣層80形成。絕緣層80,例如,用氧化膜構(gòu)成。更具體地,用SiO2或用low-k材料構(gòu)成。而且,絕緣層80通過熱氧化、CVD法、ALD法、或涂布法等各種方法形成。此后，例如通過光刻及干蝕刻法，在絕緣層80的下面?zhèn)刃纬蓽喜?0。溝槽60，在芯片500的外周部且比切割線40更內(nèi)側(cè)形成。而且，溝槽60，在防護環(huán)29的正上方或比正上方更內(nèi)側(cè)形成。溝槽60的寬度是10 μ m左右，深度是O. Ιμπι以上5μπι以下。這些溝槽50、60內(nèi)，可以是空洞，可以埋入。作為埋入溝槽50、60內(nèi)的材料，例如，可以用SiN等不被接合的材料，Cu、Al等的金屬材料,或TEOS等的絕緣材料。其次，在形成溝槽50的絕緣層30上，通過貼合接合形成溝槽60的絕緣層80。此時，溝槽50和溝槽60以在相同位置的方式(重疊的方式)位置匹配之后，被接合。以下的步驟，與第I實施方式同樣地進行。[效果]
上述第5實施方式，能得到與第3實施方式及第4實施方式同樣的效果。以上，說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但是，這些實施方式，作為實例出示，不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式，可以用其他的各種各樣的形態(tài)實施，在不越出發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，能進行各種的省略，調(diào)換，變更。這些實施方式及其變形，包含在發(fā)明的范圍和要旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)記載的發(fā)明及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括裝置基板；和在上述裝置基板上接合的支持基板；上述裝置基板在與上述支持基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿烤哂械贗溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述支持基板在與上述裝置基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿烤哂械?溝槽。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述裝置基板具有成為與上述支持基板的接合面的第I絕緣層，上述第I溝槽在上述第I絕緣層形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述裝置基板包括半導(dǎo)體層，在上述支持基板下形成，具有將從下部側(cè)照射的光信號變換并積蓄電荷的受光部；和布線層，在上述支持基板下且上述半導(dǎo)體層上形成，具有將上述多個受光部積蓄的電荷讀出的電路部。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第I絕緣層是硅氧化膜或low-k膜。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第I溝槽以貫通上述第I絕緣層的方式形成。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述布線層在外周部具有防護環(huán)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第I溝槽在上述防護環(huán)的正上方形成。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第I溝槽是空洞，或用與其周圍不同的材料埋入。
10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2溝槽在上述第I溝槽的正上方形成。
11.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2溝槽是空洞，或用與其周圍不同的材料埋入。
12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2溝槽以貫通上述支持基板的方式形成。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述支持基板具有成為與上述裝置基板的接合面的第2絕緣層。
14.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述支持基板具有成為與上述裝置基板的接合面的第2絕緣層；上述第2溝槽在上述第2絕緣層形成。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述第2溝槽以貫通上述第2絕緣層的方式形成。
16.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括在外周部具有防護環(huán)的裝置基板；和在上述裝置基板上接合的支持基板；其中上述支持基板在與上述裝置基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿壳冶壬鲜龇雷o環(huán)更內(nèi)側(cè)具有溝槽。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述裝置基板包括半導(dǎo)體層，在上述支持基板下形成，具有將從下部側(cè)照射的光信號變換并積蓄電荷的受光部；和布線層，在上述支持基板下且上述半導(dǎo)體層上形成，具有將上述多個受光部積蓄的電荷讀出的電路部。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述溝槽以貫通上述支持基板的方式形成。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述溝槽是空洞，或用與其周圍不同的材料埋入。
20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在裝置基板的接合面?zhèn)鹊男酒耐庵懿壳仪懈罹€的內(nèi)側(cè)形成溝槽；在上述裝置基板的接合面?zhèn)冉雍现С只?；和將接合的上述裝置基板及上述支持基板沿著上述切割線切割。
全文摘要
公開一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體裝置包括裝置基板；和支持基板。支持基板，在上述裝置基板上接合。上述裝置基板，在與上述支持基板的接合面?zhèn)鹊耐庵懿烤哂械?溝槽。
文檔編號H01L27/146GK103000642SQ20121006848
公開日2013年3月27日 申請日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者本鄉(xiāng)悟史, 谷田一真, 高橋健司 申請人:株式會社 東芝