專利名稱：可變衰減器裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子及通信的可變衰減器裝置，尤其涉及一種可用于各種高頻和微波電路及系統(tǒng)的可變衰減器裝置。
背景技術：
在電子部件家族里，可變衰減器裝置是電路和系統(tǒng)中常用的基本部件之一?？勺兯p器裝置的存在，使電路制作和系統(tǒng)的調(diào)試變得更加靈活，方便。在幾百MHz以下的電路和系統(tǒng)中，可變衰減器裝置已得到廣泛地應用。如CATV系統(tǒng)和微波電路系統(tǒng)中，用于測試， 調(diào)節(jié)電平，增加隔離等等?？墒钱斒褂妙l率在較高頻帶時，現(xiàn)有結構由接觸簧片，滑塊，絲桿等制成的立體結構的可變衰減器裝置，其寄生參數(shù)大，高頻特性較差。在實際生產(chǎn)改進過程中，還遇到了 PCB板與微帶電阻接觸時，需要較大的壓力來解決接觸的問題，壓力大了，摩擦力也就隨之變大，若微帶電阻制作的不太平滑時，會影響導電片短路電阻的效果。由于接觸的底面不太平整而影響接觸。另外，壓力過大，會磨損電阻，是電阻的阻值改變。同時如何提高可變衰減器的衰減量精度和反射系數(shù)的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種具有良好寬頻帶特性，適合高頻和微波電路及系統(tǒng)中的可變衰減器裝置。為解決上述技術問題，本發(fā)明所采用的技術方案是提供一種可變衰減器裝置，其包括基體、該基體上的膜片電阻所組成的衰減器、該衰減器的兩信號端和接地端、絕緣軸體、其特征在于該可變衰減器裝置還包括至少一個彈簧，該彈簧的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體的底部的凹槽內(nèi)，該彈簧分別與該衰減器的串聯(lián)膜片電阻、并聯(lián)膜片電阻相接觸，通過運動該絕緣軸體帶動該彈簧運動，從而改變該串聯(lián)膜片電阻和并聯(lián)膜片電阻的阻值。該膜片電阻所組成的衰減器是T型衰減器、π型衰減器或橋型衰減器。對于該T型衰減器或該橋型衰減器，該可變衰減器裝置進一步包含一個固定電阻，該固定電阻與該T型衰減器或該橋型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接。對于該π型衰減器，該可變衰減器裝置進一步包含至少一個固定電阻，該固定電阻與該η型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接。對于該T型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有三個彈簧，其中兩個該彈簧分別與該T衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外一個與該T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。對于該π型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有三個彈簧，其中一個該彈簧與該π衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外兩個分別與該η型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。對于該橋型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有兩個彈簧，其中一個該彈簧與該橋衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外一個與該橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。該可變衰減器裝置進一步包括一個精密調(diào)節(jié)蝸桿和蝸輪。
該可變衰減器裝置進一步包括彈性硅膠片，該硅膠片嵌入在該凹槽與該彈簧之間。該可變衰減器裝置進一步包括彈性硅膠圈，該硅膠圈套在該絕緣軸體上。該可變衰減器裝置進一步包括金屬管腳、樹脂殼體或塑料殼體。該可變衰減器裝置進一步包括金屬殼體和金屬連接器。本發(fā)明的有益效果是由于用金屬彈簧來短路膜片電阻，可以很好地解決金屬導體與膜片電阻有效接觸的問題，當垂直外力擠壓該彈簧時，該彈簧可以很好地與水平面接觸，并且不會因為該彈簧1接觸的底面不太平整而影響接觸。同時，由于彈簧的形狀很容易軸向改變(彎曲)，可以很容易安裝在不同弧度的凹槽內(nèi)，裝配方便，制造成本低。因此本發(fā)明具有以下優(yōu)點a.彈簧與膜片電阻接觸容易；b.裝配方便，適合于不同弧度的凹槽；c.體積小，調(diào)節(jié)方便，適用各種小型化電路及通信電路中；c.精度高、反射系數(shù)好、構造簡單，制作成本低；d.使用頻率范圍極廣?？梢栽诟哳l及微波頻帶廣范圍實現(xiàn)信號的連續(xù)可變衰減。
圖1它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的彈簧的結構示意圖。圖2它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的底部結構示意圖。圖3它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的嵌入有彈簧的底部結構示意圖。圖4它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的嵌入有彈簧的截面結構示意圖。圖5它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體與彈簧間嵌入彈性硅膠片的截面結構示意圖。圖6它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的結構示意圖。圖7它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的改變衰減量的結構示意圖。圖8它是本發(fā)明的可變衰減器裝置一個組合結構示意圖。圖9它是本發(fā)明的可變衰減器裝置另一個組合結構的部分示意圖。圖10它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的該金屬殼體型的透視組合結構示意圖。圖11它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的電路原理圖。圖12它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。圖13它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的改變衰減量的結構示意圖。圖14它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)連接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。圖15它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的水平設置的T型衰減器的結構示意圖。圖16它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的水平滑動來改變衰減量的T型衰減器的結構示意圖。圖17它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的結構示意圖。圖18它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的改變衰減量的結構示意圖。
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圖19它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的改變衰減量的另一個結構示意圖。圖20它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。圖21它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。圖22它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的第六實施例的橋型衰減器的結構示意圖。圖23它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的改變衰減量的結構示意圖。圖M它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。圖25它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。
具體實施方式第一實施例請參閱圖1它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的彈簧的結構示意圖。該圖1是彈簧1 的軸向水平放置的結構示意圖。該彈簧1是金屬導電彈簧，可選線徑較細的鈹銅材料制作該彈簧，這樣彈性會好些，但不限于鈹銅，也可以是其它導電材料的彈簧，比如磷銅或不銹鋼等導電材料的彈簧。當垂直外力擠壓該彈簧1時，該彈簧1可以很好地與水平面接觸，并且不會因為該彈簧1接觸的底面不太平整而影響接觸。請參閱圖2它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的底部結構示意圖。絕緣軸體2的底部是一個平面，平面上至少有一個凹槽，該彈簧1的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體2的底部的凹槽內(nèi)。本圖2中的該絕緣軸體的底板有三個凹槽2-1、2-2、2-3，該絕緣軸體2還可以包含一個定位軸2-4.其目的是固定該絕緣軸在圓心的位置，該絕緣體2還可以包含有一個限位孔2-5，與在殼體4上設置的一個限位柱4-2 (在圖8的說明部分有顯示)相配合，可以限制該絕緣軸體2轉動的弧度(角度)，從而只容許該絕緣軸體2在設計的弧度(角度)內(nèi)往返轉動，比如該轉動的角度限制在70度內(nèi)。請參閱圖3它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的嵌入有彈簧的底部結構示意圖。該絕緣軸體2的底部分別水平嵌入有該三個彈簧1-1、1-2、1-3，該三個彈簧的長度可以不相同。并且該凹槽2-1、2-2、2-3是圓弧型凹槽，當然也可以是長方形等其它形狀的凹槽，由于彈簧的形狀很容易軸向改變(彎曲)，相同外徑的彈簧，可以很容易安裝在不同弧度的凹槽內(nèi)，裝配方便，制造成本低。請參閱圖4它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體的嵌入有彈簧的截面結構示意圖。該彈簧1的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體的底部的凹槽內(nèi)，其余部分露在該絕緣軸體的外面。該凹槽的長度比該彈簧1的長度略微短一些，這樣該彈簧1很容易嵌入該凹槽內(nèi)，裝配方便。通過設計好殼體內(nèi)部空間的高度，可以使該彈簧1與底層電路(膜片電阻)緊密接觸。該絕緣軸2上還可以有一個限位槽2-5(或限位柱)，本示意圖是一個限位槽，該限位槽2-5與殼體上的限位柱4-2(或限位槽)相結合，達到限制轉動角度(弧度)的目的。該絕緣軸2的旋轉螺桿2-6是用于轉動該絕緣軸。該絕緣軸2上還可以包含一個定位柱2-4，當安裝在金屬鋁殼內(nèi)時，該定位柱2-4起到定位的作用；當采用樹脂大批量小型化生產(chǎn)該可變衰減器裝置時，該絕緣軸2可以采用壓接灌裝工藝時，就不需要該定位柱2-4，直接壓接灌裝來定位。請參閱圖5它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的絕緣軸體與彈簧間嵌入彈性硅膠片的截面結構示意圖。在該絕緣軸體的凹槽與該彈簧1間嵌入彈性硅膠片1-4后，即可增加彈性，又不至于要求殼體內(nèi)部高度的精度太高，易于批量工業(yè)化裝配和生產(chǎn)。因為給該彈簧 1的壓力是靠頂層殼體與底層殼體鉚合或裝配產(chǎn)生的。請參閱圖6它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的結構示意圖。它是在基體3上的膜片電阻所組成的T型衰減器，該膜片電阻是通過印刷、燒制或濺射等工藝制作的膜片電阻，該膜片電阻的表面是導電的。厚膜工藝一般采用燒制，薄膜工藝一般采用濺射的方式在基體上制作膜片電阻，PCB板上可以通過化學處理印制膜片電阻。該基體3是陶瓷基板，當然，該基體3也可以是PCB板或膠木板等其它基板。由于該膜片電阻3-11、3-12、3-13 的表面是導電的，可以通過金屬該彈簧1來短路，從而可以改變該電阻的阻值。該T型衰減器的兩信號端3-4、3-5以及接地端3-7上焊接或壓接上金屬管腳，或用金屬連接器，引出到外部。本實施例中是用金屬管腳引出到殼體4的外部。該殼體4可以是塑膠殼體、金屬殼體等材料的殼體。本實施例采用的是耐高溫的PBT塑膠殼體，這樣制作的可變衰減器裝置可以經(jīng)回流焊，即可以制作成自動表貼(SMD)器件，安裝方便，體積小。金屬電極3-6用于連接膜片電阻3-11和3-12，信號端過孔3-4h，3^h是為了牢靠地焊接金屬管腳所設計的， 不需要該信號過孔也可以直接將金屬管腳直接焊接或壓接在該信號端3-4、3-5上；通常接地端的過孔3- 將接地端直接連接在該基體3的背面的金屬接地端，該過孔3- 也是為了牢靠地將金屬管腳焊接或壓接在該接地端3-7上。一般來講，將衰減器信號端間的電阻稱為串聯(lián)電阻，比如膜片電阻3-11、3_12是該T型衰減器的串聯(lián)膜片電阻；將衰減器上與接地端連接的電阻稱為并聯(lián)電阻，比如膜片電阻3-13是該T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻。衰減器是一個雙向對稱的寬帶匹配電路，其輸入端、輸出端是可以互換的，其輸入端和輸出端可稱為信號端。請參閱圖7它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的改變衰減量的結構示意圖。這里結合圖6來說明該可變衰減器裝置是如何改變衰減量的。在該基體3的串聯(lián)膜片電阻3-11和 3-12上分別壓有彈簧1-1和彈簧1-2，這時，該串聯(lián)膜片電阻3-11與該彈簧1_1接觸，即被該彈簧1-1短路，該串聯(lián)膜片電阻3-12與該彈簧1-2接觸，即被該彈簧1-2短路，其有效電阻阻值為零；在該并聯(lián)膜片電阻3-13的左端，壓有彈簧1-3，其有效電阻值最大。即該彈簧 1-1、1-2分別與該衰減器的串聯(lián)膜片電阻3-11、3-12相接觸，該彈簧1_3與并聯(lián)膜片電阻 3-13相接觸，通過順時針運動(轉動)該絕緣軸體2帶動該彈簧運動(轉動)，該彈簧1-1 和1-2逐漸離開該串聯(lián)膜片電阻3-11和3-12 ；該串聯(lián)膜片電阻3-11、3-12的有效電阻值會從小變到大；該彈簧1-3逐漸與該并聯(lián)膜片電阻3-13接觸，使該并聯(lián)膜片電阻3-13兩端的有效電阻值從大變小，但其有效阻值不要變到零，即不要完全短路，可采用控制該彈簧 1-3的長度或控制該彈簧1-3的位置來防止該并聯(lián)膜片電阻3-13完全短路。由于該膜片電阻3-11、3-12和3-13是表面導電的膜片電阻，該彈簧1_1、1_2和1_3是導體，這樣往返運動該絕緣體2就可以改變串聯(lián)膜片電阻和并聯(lián)膜片電阻(兩端)的阻值，從而可以改變衰減器信號端的衰減量。
請參閱圖8它是本發(fā)明的可變衰減器裝置一個組合結構示意圖。它是一個包括精密調(diào)節(jié)蝸桿的金屬管腳樹脂殼體的組合結構示意圖。殼體4采用耐高溫的塑料(PBT材料)，其整體尺寸約為IOmm (長)*9mm(寬)*5. 4mm (高)，該PBT殼體內(nèi)有一個定位柱4_2， 與該絕緣軸體2上的限位槽2-5相結合，起到限制轉動角度的作用，即該絕緣軸體2只能在所限定的角度(弧度)內(nèi)來回運動。對彈簧1-1、1_2、1-3的壓力來自該殼體4內(nèi)部表面擠壓該絕緣軸2，即當殼體表蓋4-1與該殼體4壓接灌裝時，對該絕緣軸體2的表面產(chǎn)生一個壓力，使該彈簧1-1、1-2、1_3緊密地與該膜片電阻接觸。由于該絕緣軸2可轉動的角度(弧度)受到限制，一般在70度左右。稍微轉動該絕緣軸體就可能達到70度的限制，采用精密調(diào)節(jié)蝸桿2-7和蝸輪2-8，該蝸桿轉動幾圈(幾個360度)，該蝸輪才轉動70度，從而達到精確調(diào)節(jié)衰減量的目的。當采用蝸桿2-7和蝸輪2-8時，就可以省去該絕緣軸體2的旋轉螺桿2-6，用轉動該蝸桿2-7帶動該蝸輪2-8轉動，從而達到改變該彈簧位置的目的。將三個管腳3-81、3-82、3-83折彎后，這種結構可以用自動表貼(SMD)來安裝在電路里。請參閱圖9它是本發(fā)明的可變衰減器裝置另一個組合結構的部分示意圖。它是包括金屬殼體和金屬連接器組合結構示意圖。該殼體4是金屬殼體，圖中的金屬連接器5-1、 5-2是SMA連接器，當然可以用N型連接器、F型連接器接頭等連接器。這種結構的特點是金屬殼體可以起到散熱的作用，可變衰減器裝置的功率可以制作的更大，比如5W以上。為了精密調(diào)節(jié)也可增加一個精密調(diào)節(jié)蝸桿和蝸輪達到精密調(diào)節(jié)的作用(無圖示)。另外，還可以將金屬殼體與金屬連接器制作為一體，這樣體積更緊湊，加工成本也較低。請參閱圖10它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的該金屬殼體型的透視組合結構示意圖。由于金屬殼體4體積較大，比如其體積為30mm (長)*50mm (寬)*25mm (高)，這時，僅靠彈簧的壓力，略顯不足，為了增加該絕緣軸體2對彈簧的壓力，在增加了一個硅膠圈1-5，該硅膠圈套在該絕緣軸體2上，它位于該金屬殼體內(nèi)層與該絕緣軸體2間，通過金屬蓋擠壓該硅膠圈，從而產(chǎn)生向下的壓力。請參閱圖11它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的電路原理圖。比如0 到IOdB的可變衰減器裝置，當串聯(lián)膜片電阻3-11和3-12的阻值為零歐姆(短路)，并聯(lián)膜片電阻3-13的阻值為Ik歐姆時，該可變衰減器裝置的衰減量約為OdB ；當該串聯(lián)膜片電阻3-11及3-12的阻值相同為沈歐姆、該并聯(lián)膜片電阻3-13的阻值為35歐姆，該可變衰減器裝置的衰減量為10dB。第二實施例請參閱圖12它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。在圖7的說明里面提到，采用控制該彈簧1-3的長度或控制該彈簧1-3的位置來防止該膜片電阻3-13完全短路，但這樣控制的難度較大，采用在并聯(lián)膜片電阻(3-13)上串聯(lián)相接一個固定電阻3-14，就可以簡單地解決精度問題，該固定電阻3-14可以是膜片電阻或貼片電阻，但貼片電阻存在一個焊接的問題，焊接與該膜片電阻3-13在同一個平面會影響該絕緣軸體的移動，通過過孔焊接在該基體3的不同層上為佳。對于0到IOdB的T型可變衰減器裝置，要求該固定電阻3-14的阻值是35歐姆為佳， 這樣，該彈簧1-3就可以完全覆蓋(短路)該膜片電阻3-13，便于安裝加工和調(diào)節(jié)，還可以保證衰減量的精度和好的反射系數(shù)。請參閱圖13它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的改變衰減量的結構示意圖。在該基
7體3的膜片電阻3-11和3-12上分別壓有彈簧1-1和彈簧1-2，這時，該膜片電阻3_11與該彈簧1-1接觸，即被該彈簧1-1短路，該膜片電阻3-12與該彈簧1-2接觸，即被該彈簧 1-2短路，其有效電阻阻值為零；在該膜片電阻3-13的左端，壓有彈簧1-3，其有效電阻值最大。當順時針運動(轉動)該絕緣軸體2時，該彈簧1-1和1-2逐漸離開該膜片電阻3-11 和3-12 ；該膜片電阻3-11、3-12有效電阻值會從小變到大；該彈簧1_3逐漸與該膜片電阻 3-13接觸，使該膜片電阻3-13兩端的有效電阻值從大變小，可以完全短路使該膜片電阻 3-13的有效阻值為零歐姆，從而該T型衰減器的并聯(lián)電阻的有效阻值是該固定電阻3-14的阻值。由于該膜片電阻3-11、3-12和3-13是表面導電的膜片電阻，該彈簧1_1、1_2和1_3 是導體，這樣往返運動該絕緣軸體2就可以改變各膜片電阻兩端的阻值，從而可以改變衰減器信號端的衰減量。請參閱圖14它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)連接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。該固定電阻3-14只要串聯(lián)連接在該并聯(lián)膜片電阻3-13上就可以，不論該固定電阻3-14串聯(lián)連接在該并聯(lián)膜片電阻3-13的哪一端， 其效果基本相同。對于本實施例(第二實施例)來講，除了增加了一個固定電阻3-14，以及該彈簧 1-3的長度或位置不同外，其它部分的說明與第一實施例相同，相同部分這里不再重復說明。第三實施例請參閱圖15它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的水平設置的T型衰減器的結構示意圖。它與第一實施例的圖6的電路原理相同，其區(qū)別在于，本實施例中的該膜片電阻3-11、 3-12、3-13是水平設計的。請參閱圖16它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的水平滑動來改變衰減量的T型衰減器的結構示意圖。該彈簧1-1、1_2分別與該膜片電阻3-11、3-12水平接觸，即分別壓接在該膜片電阻3-11、3-12上；該彈簧1-3設置在該膜片電阻3-13的左端。該彈簧1_1、1_2、 1-3也是徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體的底部的凹槽內(nèi)，通過運動(水平移動)該絕緣軸體，帶動該彈簧1-1、1-2、1-3水平移動。當水平向右移動該彈簧時，該彈簧與該膜片電阻的接觸面積發(fā)生了改變。本實施例與第一實施例的說明基本相同，所不同在于，本實施例是靠水平運動 (移動)該絕緣軸體，從而達到改變阻值，進而達到改變該可變衰減器裝置的衰減量的目的，相同之處這里就不重復說明。同樣與第二實施例的方式相同，也可以采用在并聯(lián)膜片電阻(3-13)上串接一個固定電阻3-14的方式達到與第二實施例相同的效果(無圖示)，相同部分這里不再重復說明。衰減器一般分三種類型，T型衰減器、π型衰減器和橋型衰減器。第四實施例請參閱圖17它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的結構示意圖。該π 型衰減器由串聯(lián)膜片電阻3-21 ；并聯(lián)膜片電阻3-22和3-23、兩信號端3-4和3-5，以及接地端3-7組成。接地端3-7上有一個金屬過孔3-幾，用于與該基體3背面的金屬地相連接。請參閱圖18它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的改變衰減量的結構示意圖。這里對只用一個彈簧來改變衰減量做一說明。該可變衰減器裝置還包括至少一個彈簧1-1，該彈簧1-1的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體2的底部的凹槽內(nèi)，該彈簧1-1 與該η型衰減器的串聯(lián)膜片電阻3-21相接觸，通過運動該絕緣軸體2帶動該彈簧1-1運動，從而改變該串聯(lián)膜片電阻3-21的阻值，也可以起到改變衰減量的作用。比如先通過順時針運動(轉動)該絕緣軸體2帶動該彈簧1-1運動，該彈簧1-1逐漸離開該膜片電阻 3-21 ；該串聯(lián)膜片電阻3-21兩端的有效電阻值會從小變到大；再逆時針運動(轉動)該絕緣軸體2帶動該彈簧1-1運動，該彈簧1-1逐漸接觸該串聯(lián)膜片電阻3-21，該串聯(lián)膜片電阻3-21兩端的有效電阻值會從大變到小。這樣往返運動該絕緣軸體2就可以改變該串聯(lián)膜片電阻兩端的阻值，也可以改變衰減器信號端的衰減量。這里要說明的是，這種方式可以改變衰減量，但由于沒有同時改變并聯(lián)電阻的阻值，也就不能保證該衰減器的匹配關系，這樣的可變衰減器裝置的反射系數(shù)不好。對于本實施例來講，除了該基體3上的電路不同，以及只用一個該彈簧1-1外，其它部分的說明與第一實施例幾乎相同，相同部分這里不再重復說明。第五實施例請參閱圖19它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的改變衰減量的另一個結構示意圖。在第五實施例中，只用了一個彈簧，本實施例中，用3個彈簧，這樣衰減器的匹配效果會很好。在該基體3的串聯(lián)膜片電阻3-21上壓有彈簧1-1，這時，該串聯(lián)膜片電阻3-21與該彈簧1-1接觸，即被該彈簧1-1短路，其有效電阻阻值為零；在該并聯(lián)膜片電阻 3-22的左端，壓有該彈簧1-2 ；在該并聯(lián)膜片電阻3-23的左端壓有該彈簧1_3，其有效電阻值最大。通過順時針運動(轉動)該絕緣軸體2帶動該彈簧，該彈簧1-1逐漸離開該串聯(lián)膜片電阻3-21 ；該串聯(lián)膜片電阻3-21的有效電阻值會從小變到大；該彈簧1-2、該彈簧1-3 分別逐漸與該并聯(lián)膜片電阻3-22、3-23接觸，使該并聯(lián)膜片電阻3-22、3-23各自兩端的有效電阻值從大變小。但要求該并聯(lián)膜片電阻3-22、3-23各自的有效阻值不要變到零，即不要完全短路，可采用控制該彈簧1-2、1-3的長度或控制該彈簧1-2、1-3的位置來防止該膜片電阻3-13完全短路。由于該膜片電阻3-21、3-22和3_23是表面導電的膜片電阻，該彈簧1-1、1-2和1-3是導體，這樣往返運動該絕緣軸體2就可以改變各膜片電阻兩端的阻值， 從而可以改變衰減器信號端的衰減量。對于本實施例來講，除了該基體3上的電路與第一實施例的電路不同，以及相對應的該彈簧的長度或位置不同外，其它部分的說明與第一實施例幾乎相同，相同部分這里不再重復說明。第六實施例請參閱圖20它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。在圖15的說明里面提到，采用控制該彈簧1-2、1-3的長度或控制該彈簧1-2、1-3的位置來防止該并聯(lián)膜片電阻3-22、3-23完全短路，但這樣控制的難度較大，采用在并聯(lián)膜片電阻(3-22、3-23)上分別串接一個固定電阻3-Μ，就可以簡單地解決精度問題，即該可變衰減器裝置進一步包含至少一個固定電阻3-Μ，該固定電阻3-Μ與該π型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接。圖18中包含了兩個固定電阻3-Μ。該固定電阻3-Μ可以是膜片電阻或貼片電阻，但貼片電阻存在一個焊接的問題，焊接與該膜片電阻3-13在同一個平面會影響該絕緣軸體的移動，通過過孔焊接在該基體3的不同層上為佳。對于0到IOdB的π型可變衰減器裝置，要求該固定電阻3- 的阻值是96歐姆為佳，這樣，該彈簧1-2、1_3就可以分別完全覆蓋(短路)該膜片電阻3-22、3-23，便于安裝加工和調(diào)節(jié)，還可以保證衰減量的精度和好的反射系數(shù)。請參閱圖21它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的π型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。該固定電阻3-Μ與該π型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接，不論串聯(lián)連接在該并聯(lián)膜片電阻的哪一端，其效果相同。對于本實施例來講，除了增加了一個固定電阻3-14，以及該彈簧1-2、1_3的長度或位置不同外，其它部分的說明與第五實施例相同，相同部分這里不再重復說明。第七實施例請參閱圖22它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的第六實施例的橋型衰減器的結構示意圖。該橋型衰減器由串聯(lián)膜片電阻3-31、并聯(lián)膜片電阻3-32、兩個固定電阻h、兩個信號端3-4和3-5、以及接地端3-7組成。固定電阻化的阻值一般選為50歐姆或75歐姆。rLo 是50歐姆時，該橋型衰減器的輸入輸出阻抗是50歐姆Jo是75歐姆時，該橋型衰減器的輸入輸出阻抗是75歐姆。請參閱圖23它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的改變衰減量的結構示意圖。在該基體3的該串聯(lián)膜片電阻3-31上壓有彈簧1-1，這時，該串聯(lián)膜片電阻3-31與該彈簧1-1接觸，即被該彈簧1-1短路，其有效電阻阻值為零；在該并聯(lián)膜片電阻3-32的左端，壓有該彈簧1-2，其有效電阻值最大。通過順時針運動(轉動)該絕緣軸體2帶動該彈簧1轉動，該彈簧1-1逐漸離開該膜片電阻3-31，該串聯(lián)膜片電阻3-31的有效電阻值會從小變到大；該彈簧1-2逐漸與該串聯(lián)膜片電阻3-31接觸，使該并聯(lián)膜片電阻3-32兩端的有效電阻值從大變小。但要求該串聯(lián)膜片電阻3-31的有效阻值不要變到零，即不要完全短路，可采用控制該彈簧1-2的長度或控制該彈簧1-2的位置來防止該串聯(lián)膜片電阻3-31完全短路。由于該膜片電阻3-31、3-32是表面導電的膜片電阻，該彈簧1-1、1-2是導體，這樣往返運動該絕緣軸體2就可以改變各膜片電阻兩端的阻值，從而可以改變衰減器信號端的衰減量。
具體實施方式
與第一實施例的實施方式相似，通過用彈簧來改變該膜片電阻的阻值，從而起到改變該橋型衰減器的衰減量的功能，相同之處，這里不重復說明。請參閱圖M它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的結構示意圖。對于該橋型衰減器來講，該可變衰減器裝置進一步包含一個固定電阻3-34，該固定電阻3-34與該橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻串聯(lián)相接。該固定電阻3-34可以是膜片電阻或貼片電阻。對于0到IOdB的橋型可變衰減器裝置，要求該固定電阻3-34的阻值是23歐姆為佳，這樣，該彈簧1-2就可以分別完全覆蓋(短路)該膜片電阻3-32，便于安裝加工和調(diào)節(jié)，還可以保證衰減量的精度和好的反射系數(shù)。請參閱圖25它是本發(fā)明的可變衰減器裝置的橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻上串聯(lián)相接有一個固定電阻的另外一個結構示意圖。該固定電阻3-34與該橋型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接，不論該固定電阻3-34串聯(lián)連接在該并聯(lián)膜片電阻的哪一端，其效果相同。
權利要求
1.一種可變衰減器裝置，其包括基體、該基體上的膜片電阻所組成的衰減器、該衰減器的兩信號端和接地端、絕緣軸體、其特征在于該可變衰減器裝置還包括至少一個彈簧， 該彈簧的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體的底部的凹槽內(nèi)，該彈簧分別與該衰減器的串聯(lián)膜片電阻、并聯(lián)膜片電阻相接觸，通過運動該絕緣軸體帶動該彈簧運動，從而改變該串聯(lián)膜片電阻和并聯(lián)膜片電阻的阻值。
2.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該膜片電阻所組成的衰減器是T型衰減器、π型衰減器或橋型衰減器。
3.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于對于該T型衰減器或該橋型衰減器，該可變衰減器裝置進一步包含一個固定電阻，該固定電阻與該T型衰減器或該橋型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接。
4.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于對于該η型衰減器，該可變衰減器裝置進一步包含至少一個固定電阻，該固定電阻與該η型衰減器的并聯(lián)電阻串聯(lián)相接。
5.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于對于該T型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有三個彈簧，其中兩個該彈簧分別與該T衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外一個與該T型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。
6.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于對于該η型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有三個彈簧，其中一個該彈簧與該η衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外兩個分別與該η型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。
7.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于對于該橋型衰減器，該絕緣軸體上嵌入有兩個彈簧，其中一個該彈簧與該橋衰減器的串聯(lián)膜片電阻相接觸，另外一個與該橋型衰減器的并聯(lián)膜片電阻相接觸。
8.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該可變衰減器裝置進一步包括一個精密調(diào)節(jié)蝸桿和蝸輪。
9.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該可變衰減器裝置進一步包括彈性硅膠片，該硅膠片嵌入在該凹槽與該彈簧之間。
10.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該可變衰減器裝置進一步包括彈性硅膠圈，該硅膠圈套在該絕緣軸體上。
11.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該可變衰減器裝置進一步包括金屬管腳、樹脂殼體或塑料殼體。
12.根據(jù)權利要求1所述的可變衰減器裝置，其特征在于該可變衰減器裝置進一步包括金屬殼體和金屬連接器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種可變衰減器裝置，其包括基體，該基體上的膜片電阻所組成的衰減器，該衰減器的兩信號端和接地端，絕緣軸體，該可變衰減器裝置還包括至少一個彈簧，該彈簧的徑向的一部分水平嵌入在該絕緣軸體的底部的凹槽內(nèi)，該彈簧分別與該衰減器的串聯(lián)膜片電阻、并聯(lián)膜片電阻相接觸，通過運動該絕緣軸體帶動該彈簧運動，從而改變該串聯(lián)膜片電阻或并聯(lián)膜片電阻的阻值，實現(xiàn)衰減量的連續(xù)可變。
文檔編號H01P1/22GK102544661SQ201210013909
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權日2012年1月5日
發(fā)明者閻躍軍 申請人:閻躍軍