專利名稱：用于通過使用背側(cè)模制配置(bsmc)來改進(jìn)封裝翹曲和連接可靠性的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及集成電路。更具體地說，本發(fā)明涉及封裝集成電路。
背景技術(shù)：
經(jīng)封裝集成電路的厚度正不斷縮小以配合較小形狀因子的電子裝置。因此，封裝襯底的厚度正縮小，這降低了封裝襯底的剛度。在將熱量施加到襯底的制造工藝(例如，焊料回流)期間，襯底可能翹曲。翹曲可能歸因于來自封裝襯底中的材料之間的熱膨脹系數(shù)的差異的施加到封裝襯底的應(yīng)力。當(dāng)封裝襯底翹曲時，封裝襯底與所附接裸片之間可能不發(fā)生連接，從而導(dǎo)致經(jīng)封裝集成電路的電失效。圖I是說明因常規(guī)經(jīng)封裝集成電路中的襯底翹曲而導(dǎo)致的裸片不連接的橫截面圖。經(jīng)封裝集成電路包含封裝襯底102，其具有封裝連接104。裸片112通過封裝連接114耦合到封裝連接104。當(dāng)封裝襯底102在制造期間翹曲時，封裝連接104可能變?yōu)樵诜庋b集成電路的若干部分中從封裝連接114斷開。另外，在集成電路的封裝期間，封裝襯底在阻焊劑層中具有使封裝襯底的接觸墊暴露的開口。在將裸片附接到封裝襯底之前，開口存在于封裝襯底中。因此，封裝襯底的接觸墊在例如加熱、回流和去焊等制造工藝期間暴露于大氣。這些制造工藝中的高溫通過氧化而使接觸墊降級，這降低了對接觸墊作出的電子連接的可靠性。因此，需要使用薄襯底來更可靠地封裝集成電路。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種集成電路(IC)封裝方法包含將裸片附接到襯底的第一側(cè)。所述方法還包含在將裸片附接到襯底的第一側(cè)之前，將模制化合物沉積在襯底的第二側(cè)上。所述方法進(jìn)一步包含將封裝連接沉積在襯底的第二側(cè)上，所述封裝連接耦合到襯底的第二側(cè)上的接觸墊。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種設(shè)備包含襯底。所述設(shè)備還包含所述襯底的第一側(cè)上的電介質(zhì)。所述設(shè)備進(jìn)一步包含所述電介質(zhì)上的模制化合物。所述設(shè)備還包含通過所述模制化合物和電介質(zhì)耦合到襯底的第一側(cè)上的接觸墊的封裝連接。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，一種設(shè)備包含襯底。所述設(shè)備還包含所述襯底的第一側(cè)上的電介質(zhì)。所述設(shè)備進(jìn)一步包含通過電介質(zhì)耦合到襯底的第一側(cè)上的接觸墊的封裝連接。所述設(shè)備還包含用于改進(jìn)襯底的第一側(cè)上的封裝連接可靠性的裝置，其中所述改進(jìn)裝置環(huán)繞封裝連接。這部分已相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，以便可更好地理解以下具體實(shí)施方式
。下文將描述本發(fā)明的額外特征和優(yōu)點(diǎn)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，本發(fā)明可容易地用作用于修改或設(shè)計用于實(shí)行本發(fā)明的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到，此類等效構(gòu)造不會脫離如在所附權(quán)利要求書中所闡述的本發(fā)明的教示。當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行考慮時，將從以下描述更好地理解據(jù)信為本發(fā)明的特性的新穎特征(均關(guān)于其組織和操作方法)連同另外的目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)。然而，應(yīng)明確地理解，僅出于說明和描述的目的而提供各圖中的每一者，且其不希望作為對本發(fā)明的限制的界定。


為了更完整地理解本發(fā)明，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述。圖I是說明因常規(guī)經(jīng)封裝集成電路中的襯底翹曲而導(dǎo)致的裸片不連接的橫截面 圖。圖2是說明根據(jù)一個實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的流程圖。圖3A到3H是說明根據(jù)一個實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的橫截面圖。圖4是說明根據(jù)第二實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的流程圖。圖5A到5E是說明根據(jù)第二實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的橫截面圖。圖6是展示其中可有利地使用本發(fā)明的實(shí)施例的示范性無線通信系統(tǒng)的框圖。圖7是說明根據(jù)一個實(shí)施例的用于半導(dǎo)體組件的電路、布局和邏輯設(shè)計的設(shè)計工作站的框圖。
具體實(shí)施例方式可通過使用背側(cè)模制化合物(BSMC)經(jīng)由將模制化合物沉積在封裝襯底的與附接到裸片的側(cè)相反的側(cè)上來實(shí)現(xiàn)減少封裝期間的翹曲和增加裸片連接的良率。模制化合物增加封裝襯底的剛度以減少翹曲。另外，模制化合物將封裝連接支撐到封裝襯底，并抑制封裝連接中的裂縫形成。模制化合物在裸片連同電介質(zhì)(例如，阻焊劑)附接之后經(jīng)圖案化，以使封裝襯底的接觸墊為電子連接而暴露。在裸片附接之后使接觸墊暴露減少了制造工藝期間對接觸墊的損壞，例如氧化。圖2是說明根據(jù)一個實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的流程圖。工藝在框205處以接收封裝襯底來開始。圖3A是說明根據(jù)一個實(shí)施例的示范性封裝襯底的橫截面圖。封裝襯底300包含導(dǎo)電線302，其通過基礎(chǔ)材料330 (例如層壓件)上的絕緣體308而分離。封裝連接304耦合到導(dǎo)電線302的接觸墊。電介質(zhì)320位于封裝襯底上，在與封裝連接304相反的側(cè)上。根據(jù)一個實(shí)施例，電介質(zhì)320為阻焊劑。
在框210處，將模制化合物沉積在與封裝連接相反的側(cè)上。圖3B是說明根據(jù)一個實(shí)施例的在沉積模制化合物之后的示范性封裝襯底的橫截面圖。封裝襯底300包含在封裝襯底300的與封裝連接304相反的側(cè)上沉積在電介質(zhì)320上的模制化合物306。模制化合物306改進(jìn)封裝襯底300的剛度。因此，可減少封裝襯底300的翹曲。如稍后在圖3H中說明，模制化合物306可增加很少或不增加經(jīng)封裝集成電路的厚度。在框215處，將裸片附接到封裝襯底。圖3C是說明根據(jù)一個實(shí)施例的示范性經(jīng)封裝集成電路的橫截面圖。具有封裝連接314的裸片312耦合到封裝襯底300的封裝連接304。裸片312和封裝襯底300形成經(jīng)封裝集成電路390。在框220處，將底部填充劑沉積在裸片與封裝襯底之間的封裝連接周圍。圖3D是說明根據(jù)一個實(shí)施例的具有底部填充劑的示范性經(jīng)封裝集成電路的橫截面圖。底部填充劑316提供對封裝連接304、314的額外支撐。在框225處，將模制化合物沉積在裸片和封裝襯底上。圖3E是說明根據(jù)一個實(shí)施 例的具有沉積在裸片和封裝襯底上的模制化合物的示范性經(jīng)封裝集成電路的橫截面圖。模制化合物318環(huán)繞裸片312，且進(jìn)一步加強(qiáng)封裝連接304與封裝連接314之間的連接。模制化合物318可為與模制化合物306不同的材料。根據(jù)一個實(shí)施例，當(dāng)在晶片級下應(yīng)用所述工藝時，可將模制化合物318切塊成裸片群組以最小化或減少翹曲。舉例來說，可在將具有四個裸片的每一模塊化群集放置在封裝襯底上之后執(zhí)行切穿模制化合物318。根據(jù)一個實(shí)施例，不將模制化合物318沉積在裸片312上，從而得到裸露的裸片或暴露的裸片。舉例來說，在制造封裝上封裝(PoP)集成電路期間，可使用暴露的裸片。在框230處，對封裝襯底的與所附接裸片相反的側(cè)上的模制化合物進(jìn)行圖案化。圖3F是說明根據(jù)一個實(shí)施例的具有經(jīng)圖案化模制化合物的示范性經(jīng)封裝集成電路的橫截面圖。在模制化合物306中圖案化開口 340。開口 340可用于在封裝期間稍后沉積的球柵陣列(BGA)。在框235處，對封裝襯底的與所附接裸片相反的側(cè)上的電介質(zhì)進(jìn)行圖案化。圖3G是說明根據(jù)一個實(shí)施例的具有經(jīng)圖案化電介質(zhì)的示范性經(jīng)封裝電路的橫截面圖。將開口340圖案化到電介質(zhì)320中以使導(dǎo)電線302暴露。根據(jù)一個實(shí)施例，單個工藝使用紫外線(UV)激光鉆孔在模制化合物306和電介質(zhì)320中形成開口 340。在框215處附接裸片312之后在框235處對電介質(zhì)320進(jìn)行圖案化減少了封裝襯底300的接觸墊暴露至高溫和環(huán)境。因此，電介質(zhì)320保護(hù)封裝襯底300的接觸墊免受例如氧化等損壞。在框240處，可將封裝連接沉積在形成于模制化合物和電介質(zhì)中的開口中，以將經(jīng)封裝集成電路中的電路耦合到外部裝置。位于封裝連接周圍的模制化合物充當(dāng)封裝連接周圍的卡圈，以防止封裝連接中的裂縫。舉例來說，模制化合物將裂縫傳播表面進(jìn)一步移離封裝連接中的接觸墊?，F(xiàn)在參看圖3H，其展示說明根據(jù)一個實(shí)施例的具有較可靠封裝連接的示范性經(jīng)封裝集成電路的橫截面圖。封裝連接350 (例如，球柵陣列(BGA)的球)可沉積在模制化合物306和電介質(zhì)320中的開口中。封裝連接350耦合到封裝襯底300中的導(dǎo)電線302的接觸墊。裸片312與外部電路之間的通信可通過封裝連接314、封裝連接304、導(dǎo)電線302和封裝連接350發(fā)射。在圖3H中，測量從模制化合物318到封裝連接350的經(jīng)封裝集成電路390的高度。模制化合物306的高度增加很少或不增加經(jīng)封裝集成電路390的高度，因?yàn)槟Ｖ苹衔?06占用電介質(zhì)320與封裝連接350之間的空間。將模制化合物沉積在封裝襯底的與所附接裸片相反的側(cè)上改進(jìn)了芯片附接良率，改進(jìn)了總體封裝良率，且使經(jīng)封裝集成電路變剛勁。模制化合物增加了封裝襯底的剛度，從而減少了襯底的翹曲。也就是說，額外剛度提供針對在例如烘烤、回流和去焊等制造工藝期間在封裝襯底的層中形成的應(yīng)力的抵消力。另外，增加的剛度可允許在經(jīng)封裝集成電路中使用較薄的封裝襯底，這可減小經(jīng)封裝集成電路的總厚度。減少封裝襯底的翹曲改進(jìn)了芯片附接良率。封裝襯底的翹曲導(dǎo)致封裝襯底與裸片之間的界面處無連接。翹曲的減少降低了封裝期間發(fā)生的無連接的數(shù)目。另外，減少封裝襯底的翹曲改進(jìn)了制造線的末端處的共面性，從而產(chǎn)生增大的總體封裝良率。 在裸片附接之后對電介質(zhì)進(jìn)行圖案化減少了封裝襯底的接觸墊向環(huán)境的暴露，這減少了對接觸墊的損壞。舉例來說，在涉及封裝襯底的高溫工藝期間，如果接觸墊暴露于環(huán)境，那么可能發(fā)生接觸墊的氧化。氧化降低了接觸墊的導(dǎo)電性，且也減小了接觸墊的可焊接性。在高溫工藝期間將電介質(zhì)留在接觸墊上減少了氧化，且因此改進(jìn)了將球柵陣列(BGA)的球沉積在接觸墊上時的球附接良率。圖4是說明根據(jù)第二實(shí)施例的用于改進(jìn)經(jīng)封裝集成電路中的封裝連接可靠性的示范性工藝的流程圖。工藝在框405處以接收封裝襯底來開始。圖5A是說明根據(jù)一個實(shí)施例的示范性封裝襯底的橫截面圖。封裝襯底500包含導(dǎo)電線502，其通過基礎(chǔ)材料530 (例如層壓件)上的絕緣體508而分離。封裝連接504耦合到導(dǎo)電線502的接觸墊。電介質(zhì)520位于封裝襯底上，在與封裝連接504相反的側(cè)上。根據(jù)一個實(shí)施例，電介質(zhì)520為阻焊齊U。電介質(zhì)520可具有位于封裝襯底500的接觸墊附近的開口 560。在框410處，將封裝連接沉積在電介質(zhì)中的開口中，且在框415處，將模制化合物沉積在封裝連接周圍。圖5B是說明根據(jù)一個實(shí)施例的在沉積模制化合物之后的示范性封裝襯底的橫截面圖。封裝連接550沉積在開口 560中。封裝連接550可為(例如)球柵陣列(BGA)的球。模制化合物506沉積在封裝連接550周圍。模制化合物506的沉積可包含固化、筑壩、填充和底部填充模制化合物506。在框420處，將裸片附接到封裝襯底，且在框425處，將底部填充劑施加到裸片。圖5C是說明根據(jù)一個實(shí)施例的在將底部填充劑施加到所附接裸片之后的示范性封裝襯底的橫截面圖。具有封裝連接514的裸片512通過封裝連接504耦合到封裝襯底500。在裸片512與封裝襯底500之間施加底部填充劑516。在框430處，將模制化合物沉積到所附接裸片。圖是說明根據(jù)一個實(shí)施例的在將模制化合物沉積在所附接裸片周圍之后的示范性封裝襯底的橫截面圖。將模制化合物518沉積在封裝襯底500上在裸片512周圍。在框435處，對與所附接裸片相反的側(cè)上的模制化合物和封裝連接進(jìn)行背研以使封裝連接暴露。圖5E是說明根據(jù)一個實(shí)施例的在對模制化合物進(jìn)行背研之后的示范性封裝襯底的橫截面圖。對模制化合物506進(jìn)行背研以使封裝連接550暴露。模制化合物506在封裝工藝(例如裸片附接)期間增加封裝襯底500的厚度，以增加封裝襯底500的強(qiáng)度。然而，在對模制化合物506進(jìn)行背研以使封裝連接550暴露之后，模制化合物506不導(dǎo)致與封裝襯底500組裝的最終產(chǎn)品中的額外厚度。根據(jù)一個實(shí)施例，通過跳過框430且不將模制化合物518沉積在所附接裸片512周圍來產(chǎn)生裸露的裸片?？筛鶕?jù)用于封裝上封裝(PoP)裝置中的一個實(shí)施例來制造裸露的裸片。 圖6是展示其中可有利地使用本發(fā)明的實(shí)施例的示范性無線通信系統(tǒng)600的框圖。為了說明的目的，圖6展示三個遠(yuǎn)程單元620、630和650以及兩個基站640。將認(rèn)識至IJ，無線通信系統(tǒng)可具有更多的遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元620、630和650包含IC裝置625A、625C和625B，其包含所揭示的封裝結(jié)構(gòu)。將認(rèn)識到，含有IC的任何裝置還可包含此處所揭示的封裝結(jié)構(gòu)，包含基站、切換裝置以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。圖6展示從基站640到遠(yuǎn)程單元620,630和650的前向鏈路信號680，以及從遠(yuǎn)程單元620、630和650到基站640的反向鏈路信號690。在圖6中，將遠(yuǎn)程單元620展示為移動電話，將遠(yuǎn)程單元630展示為便攜式計算機(jī)，且將遠(yuǎn)程單元650展示為在無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的固定位置遠(yuǎn)程單元。舉例來說，遠(yuǎn)程單元可為移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如個人數(shù)據(jù)助理)、具有GPS能力的裝置、導(dǎo)航裝置、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單元(例如儀表讀取設(shè)備)，或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其它裝置，或其任何組合。雖然圖6說明根據(jù)本發(fā)明的教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性所說明單元?？稍诎?jīng)封裝集成電路的任何裝置中合適地使用本發(fā)明的實(shí)施例。圖7是說明用于半導(dǎo)體組件(例如如上文所揭示的經(jīng)封裝集成電路)的電路、布局和邏輯設(shè)計的設(shè)計工作站的框圖。設(shè)計工作站700包含硬盤701，硬盤701含有操作系統(tǒng)軟件、支持文件和例如Cadence或OrCAD等設(shè)計軟件。設(shè)計工作站700還包含顯示器以促進(jìn)電路710或半導(dǎo)體組件712(例如經(jīng)封裝集成電路)的設(shè)計。提供存儲媒體704以用于有形地存儲電路設(shè)計710或半導(dǎo)體組件712。電路設(shè)計710或半導(dǎo)體組件712可以例如⑶SII或GERBER等文件格式存儲在存儲媒體704上。存儲媒體704可為⑶-ROM、DVD、硬盤、快閃存儲器或其它適當(dāng)裝置。此外，設(shè)計工作站700包含驅(qū)動設(shè)備703，其用于接受來自存儲媒體704的輸入或?qū)⑤敵鰧懭氲酱鎯γ襟w704。記錄于存儲媒體704上的數(shù)據(jù)可指定邏輯電路配置、用于光刻掩模的圖案數(shù)據(jù)，或用于串行寫入工具(例如，電子束平版印刷)的掩模圖案數(shù)據(jù)。所述數(shù)據(jù)可進(jìn)一步包含例如與邏輯仿真相關(guān)聯(lián)的時序圖或網(wǎng)狀電路等邏輯檢驗(yàn)數(shù)據(jù)。提供存儲媒體704上的數(shù)據(jù)通過減小用于設(shè)計半導(dǎo)體晶片的工藝的數(shù)目來促進(jìn)電路設(shè)計710或半導(dǎo)體組件712的設(shè)計。對于固件和/或軟件實(shí)施方案，可用執(zhí)行本文所描述的功能的模塊(例如，程序、函數(shù)等)來實(shí)施所述方法。可將有形地體現(xiàn)指令的任何機(jī)器可讀媒體用于實(shí)施本文所述的方法。舉例來說，可將軟件代碼存儲在存儲器中且由處理器單元執(zhí)行?？稍谔幚砥鲉卧獌?nèi)或處理器單元外部實(shí)施存儲器。如本文中所使用，術(shù)語“存儲器”指代任何類型的長期、短期、易失性、非易失性或其它存儲器，且不應(yīng)限于任何特定類型的存儲器或特定數(shù)目的存儲器，或其上存儲存儲器的特定類型的媒體。如果以固件和/或軟件來實(shí)施，那么可將功能作為一個或一個以上指令或代碼存儲在計算機(jī)可讀媒體上。實(shí)例包含編碼有數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的計算機(jī)可讀媒體以及編碼有計算機(jī)程序的計算機(jī)可讀媒體。計算機(jī)可讀媒體包含物理計算機(jī)存儲媒體。存儲媒體可為可由計算機(jī)存取的任何可用媒體。借助于實(shí)例而非限制，所述計算機(jī)可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或任何其它可用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲所要的程序代碼且可由計算機(jī)存取的媒體；如本文中使用，磁盤和光盤包含壓縮光盤(CD)、激光光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤和藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上各項(xiàng)的組合也應(yīng)包含在計算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。除存儲在計算機(jī)可讀媒體上之外，可提供指令和/或數(shù)據(jù)作為包含于通信設(shè)備中的發(fā)射媒體上的信號。舉例來說，通信設(shè)備可包含具有指示指令和數(shù)據(jù)的信號的收發(fā)器。所述指令和數(shù)據(jù)經(jīng)配置以致使一個或一個以上處理器實(shí)施權(quán)利要求書中所概述的功能。雖然已陳述了特定電路，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，并不需要所揭示的電路中的全部來實(shí)踐本發(fā)明。此外，尚未描述某些眾所周知的電路以保持集中于本發(fā)明。
雖然已詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)理解，在不脫離如所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的技術(shù)的情況下，可在本文中作出各種改變、替代和變更。舉例來說，相對于襯底或電子裝置而使用關(guān)系術(shù)語，例如“上方”和“下方”。當(dāng)然，如果將襯底或電子裝置倒置，那么上方變?yōu)橄路?，且反之亦然。另外，如果?cè)向定向，那么上方和下方可指代襯底或電子裝置的側(cè)面。此外，本申請案的范圍既定不限于說明書中所描述的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易從本發(fā)明了解的，可根據(jù)本發(fā)明利用目前現(xiàn)有或稍后將開發(fā)的執(zhí)行與本文中所描述的對應(yīng)實(shí)施例大體上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)與其大體上相同的結(jié)果的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求書既定在其范圍內(nèi)包含此些過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種集成電路IC封裝方法，其包括 將裸片附接到襯底的第一側(cè)； 在將所述裸片附接到所述襯底的所述第一側(cè)之前，將模制化合物沉積在所述襯底的第二側(cè)上；以及 將封裝連接沉積在所述襯底的所述第二側(cè)上，所述封裝連接耦合到所述襯底的所述第二側(cè)上的接觸墊，所述模制化合物和電介質(zhì)材料環(huán)繞所述封裝連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括 將電介質(zhì)沉積在所述襯底的所述第二側(cè)上，使得所述模制化合物在所述電介質(zhì)上；在沉積所述封裝連接之前，在所述模制化合物中形成對應(yīng)于所述襯底的所述接觸墊的開口 ；以及 在沉積所述封裝連接之前，在所述電介質(zhì)中形成對應(yīng)于所述模制化合物開口的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述電介質(zhì)包括阻焊劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在單個工藝中形成所述模制化合物開口和電介質(zhì)開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述模制化合物開口包括激光鉆制所述模制化合物開口，且形成所述電介質(zhì)開口包括激光鉆制所述電介質(zhì)開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中沉積所述封裝連接包括通過所述模制化合物開口和所述電介質(zhì)開口將球柵陣列的球附接到所述接觸墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括在將所述裸片附接到所述襯底的所述第一側(cè)之后將第二模制化合物沉積在所述裸片上。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在沉積所述模制化合物之前沉積所述封裝連接，且所述方法進(jìn)一步包括在附接所述裸片之后對所述模制化合物進(jìn)行背研以使所述封裝連接暴露。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述襯底集成到移動電話、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、計算機(jī)、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元和固定位置數(shù)據(jù)單元中的至少一者中。
10.一種設(shè)備，其包括 襯底； 所述襯底的第一側(cè)上的電介質(zhì)； 所述電介質(zhì)上的模制化合物；以及 封裝連接，其通過所述模制化合物和所述電介質(zhì)耦合到所述襯底的所述第一側(cè)上的接觸墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述模制化合物環(huán)繞所述封裝連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述電介質(zhì)包括阻焊劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括附接到所述襯底的與所述襯底的所述第一側(cè)相反的第二側(cè)的裸片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括所述裸片以及所述襯底的所述第二側(cè)上的第二模制化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述裸片包括裸露的裸片。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括電耦合到所述封裝連接的經(jīng)封裝集成電路1C。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備集成到移動電話、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、計算機(jī)、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元和固定位置數(shù)據(jù)單元中的至少一者中。
18.—種設(shè)備,其包括 襯底； 所述襯底的第一側(cè)上的電介質(zhì)； 封裝連接，其通過所述電介質(zhì)耦合到所述襯底的所述第一側(cè)上的接觸墊；以及 用于改進(jìn)所述襯底的所述第一側(cè)上的封裝連接可靠性的裝置，其中所述改進(jìn)裝置環(huán)繞所述封裝連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括附接到所述襯底的與所述襯底的所述第一側(cè)相反的第二側(cè)的裸片。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括所述裸片上的模制化合物。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述電介質(zhì)包括阻焊劑。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備集成到移動電話、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、計算機(jī)、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元和固定位置數(shù)據(jù)單元中的至少一者中。
23.一種集成電路IC封裝方法，其包括以下步驟 將裸片附接到襯底的第一側(cè)； 在將所述裸片附接到所述襯底的所述第一側(cè)之前，將模制化合物沉積在所述襯底的第二側(cè)上；以及 將封裝連接沉積在所述襯底的所述第二側(cè)上，所述封裝連接耦合到所述襯底的所述第二側(cè)上的接觸墊，所述模制化合物和電介質(zhì)材料環(huán)繞所述封裝連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟將所述襯底集成到移動電話、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、計算機(jī)、手持式個人通信系統(tǒng)PCS單元、便攜式數(shù)據(jù)單元和固定位置數(shù)據(jù)單元中的至少一者中。
全文摘要
一種用于制造經(jīng)封裝集成電路的背側(cè)模制配置BSMC工藝包含將模制化合物施加到封裝襯底的與所附接裸片相反的側(cè)。所述模制化合物沉積在電介質(zhì)(例如光致抗蝕劑)上。在將裸片耦合到所述封裝襯底之后對所述模制化合物和電介質(zhì)進(jìn)行圖案化，以使所述封裝襯底的接觸墊暴露。在對所述模制化合物和電介質(zhì)進(jìn)行圖案化之后，通過所述模制化合物和電介質(zhì)將封裝連接耦合到接觸墊。環(huán)繞所述封裝連接的所述模制化合物減少了所述封裝襯底在處理期間的翹曲。另外，在附接所述裸片之后對所述電介質(zhì)進(jìn)行圖案化改進(jìn)了所述封裝連接的可靠性。
文檔編號H01L23/498GK102906866SQ201180023796
公開日2013年1月30日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者奧馬爾·J·貝希爾, 米林德·P·沙阿, 薩斯達(dá)爾·莫瓦 申請人:高通股份有限公司