專利名稱：用于集成電路的電學(xué)上斷開但機械上連續(xù)的裸片密封件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及具有密封環(huán)的半導(dǎo)體裸片，且更具體地說，涉及機械上連續(xù)但電學(xué)上不連續(xù)的密封環(huán)。
背景技術(shù)：
圖I是用于半導(dǎo)體裸片110的常規(guī)密封環(huán)100的說明，其以自上而下視圖和橫截面視圖兩者展示。密封環(huán)100環(huán)繞半導(dǎo)體裸片Iio的周邊且有助于將半導(dǎo)體裸片110與濕氣和污染隔離并阻止切割期間造成的裂紋。密封環(huán)100建置在硅襯底101上且包含接觸件102、通孔104和106以及金屬區(qū)段103、105和107。半導(dǎo)體裸片110包含多種組件，例如數(shù)字邏輯電路111、模擬塊112和射頻(RF)塊113、114。一些常規(guī)數(shù)字邏輯電路(例如，電路111)經(jīng)受突然的電流尖脈沖，這些尖脈沖引 起噪聲，而一些常規(guī)模擬塊和RF塊(例如，塊112到114)可能對噪聲敏感。一些常規(guī)密封環(huán)(未圖示)在裸片的周邊周圍為電學(xué)上連續(xù)的，且裸片周邊周圍的直接電路徑可將五到十分貝的噪聲傳送到敏感的模擬和RF塊，這是不合需要的。一種用以防止噪聲傳送的常規(guī)解決方案在圖I的自上而下視圖中展示。具體地說，密封環(huán)100為電學(xué)上不連續(xù)的，進而抑制顯著部分的噪聲傳送。圖I的自上而下視圖中展示的解決方案可有效消除一些噪聲，但密封環(huán)100的不連續(xù)性允許半導(dǎo)體裸片110被有害的濕氣和其它污染物穿透。當(dāng)前，不存在減少上文描述的噪聲現(xiàn)象同時還防止半導(dǎo)體裸片110被濕氣和污染物穿透的可用解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
一種半導(dǎo)體裸片包括布置在所述半導(dǎo)體裸片的周邊周圍的多個不連續(xù)導(dǎo)電區(qū)段，以及在所述導(dǎo)電區(qū)段之間的不連續(xù)部分內(nèi)的電絕緣屏障。所述導(dǎo)電區(qū)段和所述屏障形成所述半導(dǎo)體裸片周圍的機械上連續(xù)的密封環(huán)。一種用于制造半導(dǎo)體裸片的方法包括制造在半導(dǎo)體裸片的周邊周圍具有導(dǎo)電密封環(huán)的半導(dǎo)體裸片。所述導(dǎo)電密封環(huán)具有多個不連續(xù)部分和所述不連續(xù)部分內(nèi)的電介質(zhì)材料。所述方法進一步包含移除所述不連續(xù)部分內(nèi)的至少一些電介質(zhì)材料以在不連續(xù)部分內(nèi)形成間隙，以及在所述間隙內(nèi)沉積絕緣材料以在半導(dǎo)體裸片的周邊周圍形成機械上連續(xù)的密封環(huán)。—種半導(dǎo)體裸片包括用于密封半導(dǎo)體裸片的周邊的第一裝置。所述第一密封裝置為不連續(xù)且導(dǎo)電的。半導(dǎo)體裸片進一步包括用于密封半導(dǎo)體裸片的周邊的第二裝置。第二密封裝置為絕緣的且位于第一密封裝置的不連續(xù)部分內(nèi)。第一和第二密封裝置在半導(dǎo)體裸片周圍形成機械上連續(xù)的密封環(huán)。前述內(nèi)容已相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)點，以便可更好地理解以下具體實施方式
。下文將描述形成本發(fā)明的權(quán)利要求書的主題的額外特征和優(yōu)點。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所揭示的概念和特定實施例可容易地用作用于修改或設(shè)計用于實行本發(fā)明的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到，此類等效構(gòu)造并不脫離在所附權(quán)利要求書中所闡述的本發(fā)明的技術(shù)。當(dāng)結(jié)合附圖進行考慮時，將從以下描述更好地理解據(jù)信為本發(fā)明的特性的新穎特征(均關(guān)于其組織和操作方法)連同另外的目標(biāo)和優(yōu)點。然而，應(yīng)明確地理解，僅出于說明和描述的目的而提供各圖中的每一者，且其不希望作為對本發(fā)明的限制的界定。


為了更完整地理解本發(fā)明，現(xiàn)結(jié)合附圖參考以下描述。圖1是以俯視圖和橫截面視圖兩者展示的用于半導(dǎo)體裸片的常規(guī)密封環(huán)的說明。圖2展示其中可有利地采用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的示范性密封環(huán)的說明。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的示范性過程的說明。圖4B是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框401的動作期間的示范性密封環(huán)的俯視圖說明。圖4C是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框402的動作期間的示范性密封環(huán)的俯視圖說明。圖4D是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框402的動作期間的示范性密封環(huán)的俯視圖說明。圖4E是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框403的動作期間的示范性密封環(huán)的俯視圖說明。
具體實施例方式圖2展示其中可有利地采用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)200。出于說明的目的，圖2展示三個遠(yuǎn)程單元220、230和240以及兩個基站250、260。將認(rèn)識到，無線通信系統(tǒng)可具有更多遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元220、230和240分別包含改進的半導(dǎo)體芯片封裝225A、225B和225C，其使用根據(jù)下文更詳細(xì)論述的實施例的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體裸片。雖然圖2未展示，但應(yīng)理解，根據(jù)下文論述的實施例的具有密封環(huán)的半導(dǎo)體裸片也可包含在基站250、260中。圖2展示從基站250、260到遠(yuǎn)程單元220、230和240的前向鏈路信號280以及從遠(yuǎn)程單元220、230和240到基站250、260的反向鏈路信號290。在圖2中，遠(yuǎn)程單元220展示為移動電話，遠(yuǎn)程單元230展示為便攜式計算機，且遠(yuǎn)程單元240展示為無線本地回路系統(tǒng)中的計算機。舉例來說，遠(yuǎn)程單元220可包含移動裝置，例如蜂窩式電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(例如，個人數(shù)據(jù)助理)。遠(yuǎn)程單元220還可包含例如儀表讀取設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元。盡管圖2說明根據(jù)本發(fā)明的教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性的所說明的單元。本發(fā)明可適當(dāng)用于包含半導(dǎo)體芯片封裝的任何裝置中。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的示范性密封環(huán)300的說明。密封環(huán)300為機械上連續(xù)但電學(xué)上不連續(xù)的。具體地說，密封環(huán)300包含不連續(xù)的導(dǎo)電區(qū)段301到304，且所述導(dǎo)電區(qū)段之間是由絕緣區(qū)段305到308組成的電絕緣屏障。密封環(huán)300的電學(xué)上不連續(xù)性質(zhì)減少密封環(huán)300周圍的噪聲傳播，進而改善上文關(guān)于圖I描述的噪聲現(xiàn)象。
在此實例中，電絕緣屏障還大體上是濕氣不可滲透的。即，電絕緣屏障在半導(dǎo)體裸片110的正常使用期間可能有理由預(yù)期會遭遇的情形中對濕氣進行防護。另外，電絕緣屏障還大體上是例如鈉離子等多種污染物不可滲透的。絕緣區(qū)段305到308可包含多種材料中的任一者，例如氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、聚酰亞胺等。圖3所示的導(dǎo)電區(qū)段301到304和絕緣屏障的配置僅為一個實例，且實施例可包含例如圖4E所示的其它配置。圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的示范性過程400的說明。過程400可例如在半導(dǎo)體裸片的制造期間以及在芯片封裝的制造和芯片封裝的安裝期間執(zhí)行。在框401中，制造在半導(dǎo)體裸片的周邊周圍具有導(dǎo)電密封環(huán)的半導(dǎo)體裸片，所述導(dǎo)電密封環(huán)中具有多個不連續(xù)部分且所述不連續(xù)部分內(nèi)具有電介質(zhì)材料。所述半導(dǎo)體裸片和導(dǎo)電密封環(huán)可使用常規(guī)裸片制造方法或稍后開發(fā)的方法來制造。在一個實例中，導(dǎo)電密封環(huán)包含多個金屬層和通孔，但實施例可在導(dǎo)電密封環(huán)中包含多種結(jié)構(gòu)中的任一者?？稍趯?dǎo)電密封環(huán)中使用的金屬的實例包含鋁、銅、鎢等。電介質(zhì)材料的實例包含二氧化硅、氟化硅酸鹽玻璃等?？?01中的動作的實例在圖4B中展示。
在框402中，移除不連續(xù)部分內(nèi)的至少一些電介質(zhì)材料以在不連續(xù)部分內(nèi)形成間隙。舉例來說，一些實施例包含在裸片上安置暴露電介質(zhì)材料的區(qū)域的掩模，以及蝕刻電介質(zhì)材料的暴露區(qū)域?？?02中的動作的實例在圖4C和4D中展示。在框403中，在間隙內(nèi)沉積絕緣材料以在半導(dǎo)體裸片的周邊周圍形成機械上連續(xù)的密封環(huán)。舉例來說，可執(zhí)行一個或一個以上沉積過程以在間隙內(nèi)沉積絕緣體(例如，氮化硅)。密封環(huán)的實例在圖3中展示，其中絕緣材料作為部分306沉積在導(dǎo)電區(qū)段301與302之間?？?03中的動作的實例在圖4E中展示。在各種實施例中，框401到403的動作是正常半導(dǎo)體制造過程的一部分，而非后處理的一部分。在框404中，在形成機械上連續(xù)的密封環(huán)之后切割裸片。在此實例中，密封環(huán)的機械上連續(xù)性質(zhì)操作以防止在切割過程期間細(xì)微裂紋到達半導(dǎo)體裸片。下文中關(guān)于圖4E更詳細(xì)描述此“裂紋阻止”功能。在框405中，將半導(dǎo)體裸片安裝在芯片封裝內(nèi)。舉例來說，半導(dǎo)體裸片可與一個或一個以上其它裸片堆疊以形成芯片封裝，在框406中，接著將芯片封裝安裝在例如音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元、計算機等裝置中。雖然過程400展示為一系列離散動作，但實施例的范圍不限于此。實施例可添加、省略、重新布置或修改過程400的動作。圖4B是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框401的動作期間的示范性密封環(huán)500的俯視圖說明。圖4B展示示范性不連續(xù)部分501的更詳細(xì)視圖。不連續(xù)部分501并非為簡單的間隙，而是具有以下配置末端502和末端503橫向重疊，使得不存在經(jīng)由不連續(xù)部分501從半導(dǎo)體裸片110的內(nèi)部到半導(dǎo)體裸片110的外部的直線路徑。不連續(xù)部分501還可包含系帶固持形間隙505和506。在一個實例過程中，制造半導(dǎo)體裸片110，如在圖4A的框401中，其中密封環(huán)500具有不連續(xù)部分501。電介質(zhì)材料510占據(jù)末端502、503之間的空間。圖4C是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框402的動作期間的示范性密封環(huán)500的俯視圖說明。具體地說，在圖4C中，施加掩模515，從而使空間420暴露。圖4D是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框402的動作期間的示范性密封環(huán)500的俯視圖說明。執(zhí)行蝕刻以移除空間420中的至少一些電介質(zhì)材料510。在一個實例中，利用反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)來蝕刻電介質(zhì)材料510，但實施例的范圍不限于任何特定蝕刻工藝。常規(guī)電介質(zhì)移除過程(例如，蝕刻)通常不用于移除金屬材料(例如，圖3的金屬層和通孔的材料)。因此，在此實例中，在半導(dǎo)體裸片110的制造期間圖案化針對末端502、503展示的形狀，使得隨著移除電介質(zhì)材料510而顯露不連續(xù)部分501的系帶固持形間隙505、506。在執(zhí)行蝕刻之后，可移除掩模415。圖4E是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例改動的在圖4A的框403的動作期間的示范性密封環(huán)500的俯視圖說明。繼續(xù)所述實例過程，接著執(zhí)行沉積以形成絕緣材料的插塞601，進而在不連續(xù)部分501中形成濕氣和其它污染物的屏障。在一個實例中，利用化學(xué)氣相沉積(CVD)來沉積插塞601。實施例的范圍不限于CVD，因為可使用其它工藝，例如濺鍍沉積、低壓CVD、大氣CVD和等離子體增強CVD。在圖4E的實例實施例中值得注意的是末端502、503與插塞601的系帶固持形狀的互鎖配置。不連續(xù)部分501和插塞601的設(shè)計提供機械穩(wěn)定性，從而有助于確保末端502、503不被外力迫使而與插塞601分開或分離。在此實例中，末端502、503與插塞601的互鎖配置也是值得注意的，因為其能夠防·止切割過程中的裂紋。如上文提及，不存在經(jīng)由不連續(xù)部分501從半導(dǎo)體裸片110的內(nèi)部·到半導(dǎo)體裸片110的外部的直線接入。此配置有助于減小裂紋可能穿透半導(dǎo)體裸片110的內(nèi)部的機會。雖然圖3到4E展示不連續(xù)部分和絕緣屏障的兩個實例設(shè)計，但實施例的范圍不限于此。舉例來說，給定不連續(xù)部分的形狀可不同于圖3到4E所示的形狀。另外，可出于多種原因(包含裸片的特性)中的任一者選擇給定裸片的不連續(xù)部分的數(shù)目。舉例來說，不連續(xù)部分通常放置在密封環(huán)的對應(yīng)于裸片內(nèi)的功能塊的邊界的部分處，且裸片中的塊的數(shù)目和塊的類型可引導(dǎo)工程師選擇不連續(xù)部分的放置和數(shù)目。此外，雖然以上實例展示用于給定裸片的單一密封環(huán)，但其它實施例可具有用于裸片的一個以上密封環(huán)。各個實施例提供優(yōu)于常規(guī)技術(shù)的一個或一個以上優(yōu)點。舉例來說，一些常規(guī)設(shè)計使用容易經(jīng)受濕氣和污染的電學(xué)上和物理上不連續(xù)的密封環(huán)。相比之下，本發(fā)明的各個實施例提供大體上濕氣和污染不可滲透且減少裸片中的功能塊之間的干擾傳送的密封環(huán)。本文描述的方法可依據(jù)應(yīng)用由各種組件來實施。舉例來說，這些方法可以硬件、固件、軟件或其任何組合來實施。對于硬件實施方案，處理單元可實施在一個或一個以上專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、數(shù)字信號處理裝置(DSro)、可編程邏輯裝置(PLD)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、處理器、控制器、微控制器、微處理器、電子裝置、經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文描述的功能的其它電子單元或其組合內(nèi)。對于固件和/或軟件實施方案，所述方法可用執(zhí)行本文描述的功能的模塊(例如，程序、函數(shù)等)來實施。任何有形地體現(xiàn)指令的機器可讀媒體可用于實施本文描述的方法。舉例來說，軟件代碼可存儲在存儲器中并由處理器單元執(zhí)行。存儲器可實施在處理器單元內(nèi)或處理器單元外部。如本文所使用，術(shù)語“存儲器”指代任何類型的長期、短期、易失性、非易失性或其它存儲器，且不應(yīng)限于任何特定類型的存儲器或特定數(shù)目的存儲器或上面存儲存儲器的特定類型的媒體。如果以固件和/或軟件實施，那么所述功能可作為一個或一個以上指令或代碼存儲在計算機可讀媒體上。實例包含以數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)編碼的計算機可讀媒體和以計算機程序編碼的計算機可讀媒體。計算機可讀媒體包含物理計算機存儲媒體。存儲媒體可為可由計算機存取的任何可用媒體。借助實例而非限制，此類計算機可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或任何其它可用于存儲呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的所要程序代碼且可由計算機存取的媒體；如本文使用，磁盤(disk)與光盤(disc)包含壓縮光盤(⑶)、激光光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤和藍光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤利用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上各項的組合也應(yīng)包含在計算機可讀媒體的范圍內(nèi)。除了存儲在計算機可讀媒體上之外，指令和/或數(shù)據(jù)還可作為信號提供在包含在通信設(shè)備中的發(fā)射媒體上。舉例來說，通信設(shè)備可包含具有指示指令和數(shù)據(jù)的信號的收發(fā)器。所述指令和數(shù)據(jù)經(jīng)配置以致使一個或一個以上處理器實施權(quán)利要求書中概述的功能。雖然已詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點，但應(yīng)理解，在不脫離如所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的技術(shù)的情況下，可在本文中作出各種改變、替代和變更。此外，本申請案的范 圍既定不限于說明書中所描述的過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的特定實施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易從本發(fā)明了解的，可根據(jù)本發(fā)明利用目前現(xiàn)有或稍后將開發(fā)的執(zhí)行與本文中所描述的對應(yīng)實施例大體上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)與其大體上相同的結(jié)果的過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求書既定在其范圍內(nèi)包括此些過程、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裸片,其包括 布置在所述半導(dǎo)體裸片的周邊周圍的多個不連續(xù)導(dǎo)電區(qū)段；以及在所述導(dǎo)電區(qū)段之間的不連續(xù)部分內(nèi)的電絕緣屏障，所述導(dǎo)電區(qū)段和所述屏障形成所述半導(dǎo)體裸片周圍的機械上連續(xù)的密封環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述電絕緣屏障與鄰近的導(dǎo)電區(qū)段互鎖。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述機械上連續(xù)的密封環(huán)大體上為濕氣不可滲透的。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述不連續(xù)導(dǎo)電區(qū)段包括至少一個金屬層和至少一個通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述電絕緣屏障包括以下各項中的至少一者氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅和聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述半導(dǎo)體裸片包括至少一個數(shù)字邏輯塊和至少一個模擬塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裸片，其安裝在以下各項中的至少一者中音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
8.一種用于制造半導(dǎo)體裸片的方法，所述方法包括 制造在半導(dǎo)體裸片的周邊周圍具有導(dǎo)電密封環(huán)的所述半導(dǎo)體裸片，所述導(dǎo)電密封環(huán)中具有多個不連續(xù)部分且在所述不連續(xù)部分內(nèi)具有電介質(zhì)材料； 移除所述不連續(xù)部分內(nèi)的至少一些所述電介質(zhì)材料以在所述不連續(xù)部分內(nèi)形成間隙；以及 在所述間隙內(nèi)沉積絕緣材料以在所述半導(dǎo)體裸片的所述周邊周圍形成機械上連續(xù)的密封環(huán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中移除至少一些所述電介質(zhì)材料包括 施加掩模以暴露沿著所述導(dǎo)電密封環(huán)的區(qū)域；以及 蝕刻所述暴露區(qū)域中的所述至少一些所述電介質(zhì)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其進一步包括 在形成所述機械上連續(xù)的密封環(huán)之后切割所述半導(dǎo)體裸片。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其進一步包括 將所述半導(dǎo)體裸片安裝在芯片封裝內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進一步包括 將所述芯片封裝安裝在以下各項中的至少一者中音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中沉積所述絕緣材料包括 將所述絕緣材料沉積在所述相應(yīng)不連續(xù)部分的系帶固持形凹座內(nèi)。
14.一種半導(dǎo)體裸片,其包括 用于密封所述半導(dǎo)體裸片的周邊的第一裝置，所述第一密封裝置為不連續(xù)且導(dǎo)電的；以及 用于密封所述半導(dǎo)體裸片的所述周邊的第二裝置，所述第二密封裝置為絕緣的且位于所述第一密封裝置的不連續(xù)部分內(nèi)，所述第一和第二密封裝置在所述半導(dǎo)體裸片周圍形成機械上連續(xù)的密封環(huán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述第二密封裝置與所述第一密封裝置互鎖。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述第二密封裝置包括密封所述不連續(xù)部分的多個插塞。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述機械上連續(xù)的密封環(huán)大體上為濕氣不可滲透的。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述第一密封裝置包括至少一個金屬層和至少一個通孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述第二密封裝置包括以下各項中的至少一者氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅和聚酰亞胺。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其中所述半導(dǎo)體裸片包括至少一個數(shù)字邏輯塊和至少一個模擬塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裸片，其安裝在以下各項中的至少一者中音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裸片具有布置在所述半導(dǎo)體裸片的周邊周圍的多個不連續(xù)導(dǎo)電區(qū)段，以及在所述導(dǎo)電區(qū)段之間的不連續(xù)部分內(nèi)的電絕緣屏障。所述導(dǎo)電區(qū)段和所述屏障形成所述半導(dǎo)體裸片周圍的機械上連續(xù)的密封環(huán)。
文檔編號H01L23/58GK102893393SQ201180023766
公開日2013年1月23日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者戴維·邦, 托馬斯·安德魯·邁爾斯 申請人:高通股份有限公司