專利名稱：晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更高的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量、以及更多的功能，半導(dǎo)體器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向發(fā)展。因此，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)晶體管的柵極變得越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得比以往更短。然而，柵極的尺寸變化會(huì)影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，目前，主要通過(guò)控制載流子遷移率來(lái)提高半導(dǎo)體器件性能。該技術(shù)的一個(gè)關(guān)鍵要素是控制晶體管溝道中的應(yīng)力。比如適當(dāng)控制應(yīng)力，提高了載流子(n-溝道晶體管中的電子，P-溝道晶體管中的空穴)遷移率，就能提高驅(qū)動(dòng)電流。因而應(yīng)力可以極大地提高晶體管的性能。因?yàn)楣琛㈡N具有相同的晶格結(jié)構(gòu)，即“金剛石”結(jié)構(gòu)，在室溫下，鍺的晶格常數(shù)大于硅的晶格常數(shù)，所以在PMOS晶體管的源、漏區(qū)形成硅鍺(SiGe)，可以引入硅和鍺硅之間晶格失配形成的壓應(yīng)力，進(jìn)一步提聞壓應(yīng)力，提聞PMOS晶體管的性能。相應(yīng)地，在NMOS晶體管的源、漏區(qū)形成碳硅(CSi)可以引入硅和碳硅之間晶格失配形成的拉應(yīng)力，進(jìn)一步提高拉應(yīng)力，提高NMOS晶體管的性能。現(xiàn)有技術(shù)中，具有應(yīng)力的晶體管的形成方法為:請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100 ;在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成淺溝槽隔離區(qū)103 ;形成位于所述半導(dǎo)體襯底100表面柵絕緣層105 ;形成覆蓋所述柵絕緣層105的柵電極層107 ;在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成與位于所述柵絕緣層105、柵電極層107兩側(cè)且與其接觸的側(cè)墻109 ；請(qǐng)參考圖2，以所述側(cè)墻109為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成開(kāi)口 111 ；請(qǐng)參考圖3，在所述開(kāi)口內(nèi)填充滿硅鍺，形成源/漏區(qū)113。然而，現(xiàn)有技術(shù)在晶體管的源漏區(qū)域形成鍺硅的方法形成的應(yīng)力有限，溝道區(qū)的載流子遷移率的提聞?shì)^小，晶體管的性能提聞?dòng)邢?。更多關(guān)于晶體管及其形成方法見(jiàn)公開(kāi)號(hào)為“CN101789447A”的申請(qǐng)文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種晶體管的形成方法，溝道區(qū)的載流子遷移率高，晶體管的性能好。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種晶體管的形成方法，包括:提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；刻蝕半導(dǎo)體襯底，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口 ；對(duì)所述開(kāi)口進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑；采用濕法刻蝕工藝，繼續(xù)刻蝕退火處理后的所述開(kāi)口，使所述開(kāi)口向溝道區(qū)延伸；待濕法刻蝕后，填充滿所述開(kāi)口形成應(yīng)力襯墊層。可選地，所述退火處理的工藝參數(shù)范圍為:退火溫度為650-1000°C，退火腔室的壓強(qiáng)為lTorr-600Torr，退火時(shí)長(zhǎng)為30S-150S?？蛇x地，還包括:在退火處理時(shí)，向退火腔室內(nèi)通入惰性氣體或氫氣。可選地，所述惰性氣體或氫氣的流量為20-50slm。可選地，退火處理前，所述開(kāi)口的深度為3_30nm。可選地，濕法刻蝕后，所述開(kāi)口的形狀為sigma形狀?？蛇x地，濕法刻蝕后，所述開(kāi)口的深度為40_100nm，所述開(kāi)口靠近溝道區(qū)的頂角距離半導(dǎo)體襯底表面的距離為5-20nm?？蛇x地，所述應(yīng)力襯墊層的材料為SiGe或SiC?？蛇x地，所述應(yīng)力襯墊層的形成工藝為選擇性外延沉積工藝。可選地，所述選擇性外延沉積工藝的參數(shù)范圍為:溫度為550°C _800°C，壓強(qiáng)為5-20Torr,硅源氣體 SiH2Cl2、SiH4 或 Si2H6 的流量為 30_500sccm，HCl 的流量為 50_500sccm，H2的流量為5slm-50slm，鍺源氣體GeH4的流量為5SCCm-500SCCm，碳摻雜氣體的流量為5_500sccmo與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):對(duì)開(kāi)口進(jìn)行了退火處理，退火處理時(shí)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的硅發(fā)生了遷移，所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑，所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁的晶向發(fā)生了變化，而濕法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕速率與開(kāi)口的底部和側(cè)壁的晶向有關(guān)，濕法刻蝕工藝時(shí)沿溝道區(qū)方向的刻蝕速率大于縱向的刻蝕速率，或兩者相差不大，后續(xù)濕法刻蝕形成的開(kāi)口距離半導(dǎo)體襯底底部的距離較遠(yuǎn)，不易在半導(dǎo)體底部產(chǎn)生漏電流，并且開(kāi)口底部不存在尖角，形成應(yīng)力襯墊層時(shí)的生長(zhǎng)速率快，形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量好，且晶體管溝道區(qū)的應(yīng)力大，滿足工藝需求，溝道區(qū)載流子遷移率高，晶體管的性能好。


圖1-圖3是現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的實(shí)施例中晶體管的形成方法的流程示意圖；圖5-圖9是本發(fā)明的實(shí)施例中晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的溝道區(qū)載流子的遷移率低，晶體管的性
倉(cāng)泛壟I。經(jīng)過(guò)研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，溝道區(qū)載流子的遷移率與應(yīng)力襯墊層距離溝道區(qū)的距離有關(guān)，應(yīng)力襯墊層離溝道區(qū)的距離越近，溝道區(qū)產(chǎn)生的應(yīng)力越大，越有利于形成載流子的遷移率高的晶體管?？梢栽陂_(kāi)口 111(如圖2所示)后，采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述開(kāi)口 111，使開(kāi)口 111的側(cè)壁朝溝道區(qū)的方向凹陷，再填充鍺硅或碳硅形成應(yīng)力襯墊層。經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在采用濕法刻蝕工藝刻蝕上述開(kāi)口 111時(shí)，由于開(kāi)口 111側(cè)壁和底部的晶向不同，濕法刻蝕工藝每橫向刻蝕開(kāi)口 111的側(cè)壁lnm，縱向刻蝕開(kāi)口 111的底部的深度則達(dá)到了 3-4nm，當(dāng)濕法刻蝕形成的開(kāi)口 111離溝道區(qū)的距離滿足工藝需求時(shí)，開(kāi)口 111的深度極有可能過(guò)大，導(dǎo)致后續(xù)形成的應(yīng)力襯墊層在半導(dǎo)體襯底底部產(chǎn)生較大的應(yīng)力，產(chǎn)生漏電，而溝道區(qū)的應(yīng)力卻較小，并且，由于濕法刻蝕工藝時(shí)縱向的刻蝕速度，開(kāi)口 111底部易形成尖角，所述尖角會(huì)影響后續(xù)形成應(yīng)力襯墊層時(shí)的速率，并且形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量較差，內(nèi)部容易出現(xiàn)缺陷。更進(jìn)一步的，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，濕法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕速率與半導(dǎo)體襯底表面的晶向有關(guān)，當(dāng)開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑后，表面的晶向隨之產(chǎn)生了變化，濕法刻蝕工藝時(shí)朝溝道區(qū)方向的刻蝕速率大于縱向的刻蝕速率，或兩者相差不大，使得濕法刻蝕工藝后形成的開(kāi)口縱向的深度較小，且底部不存在尖角。因此后續(xù)形成的半導(dǎo)體襯底底部不存在漏電流，且后續(xù)形成應(yīng)力襯墊層時(shí)生長(zhǎng)速度快，形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量好。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖4，本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的形成方法，包括:步驟S201，提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；步驟S203，刻蝕半導(dǎo)體襯底，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口 ；步驟S205，對(duì)所述開(kāi)口進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑；步驟S207，采用濕法刻蝕工藝，繼續(xù)刻蝕退火處理后的所述開(kāi)口，使所述開(kāi)口向溝道區(qū)延伸；步驟S209，待濕法刻蝕后，填充滿所述開(kāi)口形成應(yīng)力襯墊層。具體的，請(qǐng)參考圖5-圖9，圖5-圖9示出了本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖5，提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底300、位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵極結(jié)構(gòu)(未標(biāo)示)。所述半導(dǎo)體襯底300的材料為單晶硅，所述半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)303，用于隔離晶體管。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底300表面的晶向?yàn)椤碔 10>或〈100〉。所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵介質(zhì)層305、位于所述柵介質(zhì)層305表面的柵電極層307、以及位于所述柵介質(zhì)層305和柵電極層307兩側(cè)且與其接觸的半導(dǎo)體襯底300表面的側(cè)墻309。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)的形成步驟為:采用沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底300表面形成柵介質(zhì)層305 ;采用沉積工藝在所述柵介質(zhì)層305表面形成柵電極層307 ;采用沉積、刻蝕工藝在所述柵介質(zhì)層305和柵電極層307兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300表面形成側(cè)墻309。其中，所述柵介質(zhì)層305的材料為二氧化硅或高K介質(zhì)，所述柵電極層307的材料為多晶硅或者金屬，所述側(cè)墻309的材料為二氧化硅。需要說(shuō)明的是，所述柵電極層307表面還形成有掩膜層(未圖示)，用于在后續(xù)工藝中保護(hù)柵電極層307不被損壞。請(qǐng)參考圖6，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底300，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成開(kāi)口 311。所述開(kāi)口 311用于為后續(xù)形成靠近溝道區(qū)的應(yīng)力襯墊層提供平臺(tái)。所述開(kāi)口 311的深度為3-30nm。所述開(kāi)口 311的形成工藝為干法刻蝕工藝，所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體包括HBr或Cl2等。所述干法刻蝕工藝過(guò)程中，采用HBr的流量為200-800sCCm，Cl2的流量為20-100sccm，刻蝕腔室的壓力為2-200毫托(mTorr)，刻蝕時(shí)間為15-60秒(S)。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的實(shí)施例中，干法刻蝕工藝時(shí)還通入流量為50-1000SCCm的惰性氣體，例如He。請(qǐng)參考圖7，對(duì)所述開(kāi)口 311進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口 311的底部和側(cè)壁變得圓滑。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于干法刻蝕后形成的開(kāi)口 311的側(cè)壁和底部較為平坦，如果直接采用濕法刻蝕工藝刻蝕上述開(kāi)口 311，由于開(kāi)口 311側(cè)壁和底部的晶向不同，濕法刻蝕工藝每橫向刻蝕開(kāi)口 311的側(cè)壁lnm，縱向刻蝕開(kāi)口 311的底部的深度則達(dá)到了 3_4nm，當(dāng)濕法刻蝕形成的開(kāi)口 311離溝道區(qū)的距離滿足工藝需求時(shí)，開(kāi)口 311的深度極有可能過(guò)大，導(dǎo)致后續(xù)形成的應(yīng)力襯墊層在半導(dǎo)體襯底300底部產(chǎn)生較大的應(yīng)力，產(chǎn)生漏電，而溝道區(qū)的應(yīng)力卻較小，并且，由于濕法刻蝕工藝時(shí)縱向的刻蝕速度大，開(kāi)口 311底部易形成尖角，所述尖角會(huì)影響后續(xù)形成應(yīng)力襯墊層時(shí)的速率，并且形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量較差，內(nèi)部容易出現(xiàn)缺陷。進(jìn)一步的，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，濕法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕速率與半導(dǎo)體襯底300表面的晶向有關(guān)，底部和側(cè)壁圓滑的開(kāi)口 311有利于后續(xù)形成向溝道區(qū)延伸的開(kāi)口。在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)明人對(duì)所述開(kāi)口 311進(jìn)行退火處理，在高溫低壓條件下，開(kāi)口 311底部和側(cè)壁的硅原子發(fā)生了遷移，所述開(kāi)口 311的底部和側(cè)壁變得圓滑。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述退火處理的工藝參數(shù)范圍為:退火溫度為650-1000°C，退火腔室的壓強(qiáng)為lTorr-600Torr，退火時(shí)長(zhǎng)為30S-150S。上述參數(shù)范圍內(nèi)形成的開(kāi)口 311的底部和側(cè)壁較為圓滑，后續(xù)形成的向溝道區(qū)延伸的開(kāi)口 311底部不具備尖角，形成應(yīng)力襯墊層時(shí)生長(zhǎng)速率快，并且形成的晶體管的載流子遷移率高。為避免退火處理工藝時(shí)氧氣與開(kāi)口 311底部和側(cè)壁的硅發(fā)生反應(yīng)形成氧化薄膜，在本發(fā)明的實(shí)施例中，退火處理工藝時(shí)，同時(shí)向退火腔室內(nèi)通入惰性氣體或氫氣，以保護(hù)開(kāi)口 311的底部和側(cè)壁不被氧化。其中，所述惰性氣體或氫氣的流量為20-50slm。請(qǐng)參考圖8，采用濕法刻蝕工藝，繼續(xù)刻蝕退火處理后的所述開(kāi)口 311，使得所述開(kāi)口 311向溝道區(qū)延伸。濕法刻蝕后的所述開(kāi)口 311用于為后續(xù)形成應(yīng)力襯墊層提供平臺(tái)。所述開(kāi)口 311的形成工藝為濕法刻蝕工藝。由于濕法刻蝕時(shí)的開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑后，其底部和側(cè)壁的晶向隨之產(chǎn)生了變化，濕法刻蝕工藝時(shí)朝溝道區(qū)方向的刻蝕速率大于縱向的刻蝕速率，或兩者相差不大，使得濕法刻蝕工藝后形成的開(kāi)口 311平行于半導(dǎo)體襯底300表面的方向更加靠近溝道區(qū)，其縱向的深度較小，且底部不存在尖角。因此后續(xù)形成的半導(dǎo)體襯底300底部不存在漏電流，且后續(xù)形成應(yīng)力襯墊層時(shí)生長(zhǎng)速度快，形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量好。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述濕法刻蝕工藝采用的化學(xué)試劑為氫氧化鉀(KOH)、氨水(NH4OH)或四甲基氫氧化氨(TMAH)，濕法刻蝕后形成的開(kāi)口 311的形狀為sigma形狀。所述濕法刻蝕形成的開(kāi)口的深度為40-100nm，所述開(kāi)口 311靠近溝道區(qū)處具有頂角，所述頂角距離半導(dǎo)體襯底表面的距離為5-20nm，濕法刻蝕形成的開(kāi)口 311，在退火處理前形成的開(kāi)口 311的基礎(chǔ)上，沿溝道區(qū)方向刻蝕了 10-30nm的半導(dǎo)體襯底300，使得開(kāi)口更加靠近溝道區(qū)，有利于后續(xù)在溝道區(qū)形成較大的應(yīng)力。請(qǐng)參考圖9，待濕法刻蝕后，填充滿所述開(kāi)口形成應(yīng)力襯墊層315。所述應(yīng)力襯墊層315用于增加溝道區(qū)的壓應(yīng)力或拉應(yīng)力，以提高溝道區(qū)的載流子遷移率，改善晶體管的性能。所述應(yīng)力襯墊層315的材料為SiGe或SiC。所述應(yīng)力襯墊層315的形成工藝為沉積工藝或選擇性外延生長(zhǎng)工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述應(yīng)力襯墊層315的材料為SiGe，所述應(yīng)力襯墊層315的形成工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝。采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成所述應(yīng)力襯墊層315時(shí)，采用的反應(yīng)物包括:硅源氣體SiH4、SiH2Cl2或Si2H6，和鍺源氣體GeH4,用于形成SiGe。為了避免應(yīng)力襯墊層315內(nèi)或其他不需要形成SiGe的地方產(chǎn)生雜質(zhì)，所述反應(yīng)物中還包括HC1，并且，為了避免半導(dǎo)體襯底300表面的硅被氧化，形成氧化薄膜影響晶體管的性能，在采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成應(yīng)力襯墊層315時(shí)，同時(shí)還通入氫氣。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述選擇性外延沉積工藝采用的反應(yīng)物為SiH2Cl2、SiH4,GeHjP H2，其參數(shù)范圍為:溫度為550°C -800°C，壓強(qiáng)為5_20Torr，硅源氣體SiH2Cl2、SiH4或Si2H6的流量為30-500sccm，HCl的流量為50-500sccm，H2的流量為5slm-50slm，鍺源氣體GeH4的流量為5sccm-500sccm,碳摻雜氣體的流量為5_500sccm。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，若應(yīng)力襯墊層315的材料為SiC，采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成應(yīng)力襯墊層315時(shí)采用的反應(yīng)物包括=SiH4和二甲胺硅烷，還可以包括HCl和H2。上述步驟完成之后，本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的制作完成。由于本發(fā)明實(shí)施例對(duì)開(kāi)口進(jìn)行了退火處理，退火處理時(shí)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的硅原子發(fā)生了遷移，所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑，所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁的晶向發(fā)生了變化，而濕法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕速率與開(kāi)口的底部和側(cè)壁的晶向有關(guān)，濕法刻蝕工藝時(shí)沿溝道區(qū)方向的刻蝕速率大于縱向的刻蝕速率，或兩者相差不大，后續(xù)濕法刻蝕形成的開(kāi)口距離半導(dǎo)體襯底底部的距離較遠(yuǎn)，不易在半導(dǎo)體底部產(chǎn)生漏電流，并且開(kāi)口底部不存在尖角，形成應(yīng)力襯墊層時(shí)的生長(zhǎng)速率快，形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量好，且晶體管溝道區(qū)的應(yīng)力大，滿足工藝需求，溝道區(qū)載流子遷移率高，晶體管的性能好。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)； 刻蝕半導(dǎo)體襯底，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口 ； 對(duì)所述開(kāi)口進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑； 采用濕法刻蝕工藝，繼續(xù)刻蝕退火處理后的所述開(kāi)口，使所述開(kāi)口向溝道區(qū)延伸； 待濕法刻蝕后，填充滿所述開(kāi)口形成應(yīng)力襯墊層。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火處理的工藝參數(shù)范圍為:退火溫度為650-1000°C，退火腔室的壓強(qiáng)為lTorr-600Torr，退火時(shí)長(zhǎng)為30S-150S。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括:在退火處理時(shí)，向退火腔室內(nèi)通入惰性氣體或氫氣。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體或氫氣的流量為 20_50slm。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，退火處理前，所述開(kāi)口的深度為 3_30nm。
6.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，濕法刻蝕后，所述開(kāi)口的形狀為sigma形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，濕法刻蝕后，所述開(kāi)口的深度為40-100nm，所述開(kāi)口靠近溝道區(qū)的頂角距離半導(dǎo)體襯底表面的距離為5_20nm。
8.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層的材料為SiGe 或 SiC。
9.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層的形成工藝為選擇性外延沉積工藝。
10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延沉積工藝的參數(shù)范圍為:溫度為550°C _800°C，壓強(qiáng)為5-20Torr，硅源氣體SiH2Cl2、SiH4或Si2H6的流量為30-500sccm，HCl的流量為50_500sccm，H2的流量為5slm_50slm，鍺源氣體GeH4的流量為5sccm-500sccm,碳慘雜氣體的流量為5_500sccm。
全文摘要
一種晶體管的形成方法，包括提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；刻蝕半導(dǎo)體襯底，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口；對(duì)所述開(kāi)口進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口的底部和側(cè)壁變得圓滑；采用濕法刻蝕工藝，繼續(xù)刻蝕退火處理后的所述開(kāi)口，使所述開(kāi)口向溝道區(qū)延伸；待濕法刻蝕后，填充滿所述開(kāi)口形成應(yīng)力襯墊層。形成應(yīng)力襯墊層時(shí)生長(zhǎng)速率快，形成的應(yīng)力襯墊層的質(zhì)量好，且晶體管溝道區(qū)的應(yīng)力大，滿足工藝需求，溝道區(qū)載流子遷移率高，晶體管的性能好。
文檔編號(hào)H01L21/324GK103187269SQ201110457018
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
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