專利名稱：半導體發(fā)光裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光裝置及其制造方法，特別是一種具有橫向結構(lateral structure)的發(fā)光二極管裝置。
背景技術：
參見圖I，一種用于制造具有橫向結構(lateral structure)半導體發(fā)光芯片I的方法包含下列步驟(a)磊晶成長一磊晶層單元12于一磊晶基材11上，磊晶層單元12是由氮化鎵(GaN)系列的半導體材料制成且具有與磊晶基材11接觸的一N型披覆層(n-typecladding layer) 121、一 P型披覆層122，以及位于N型披覆層121與P型披覆層122之間的一發(fā)光層123 ;(b)蝕刻磊晶層單元12以暴露出部分N型披覆層121，并定義出多個磊晶區(qū)域15 ; (c)在每個磊晶區(qū)域15，形成一第一電極13于暴露出的N型披覆層121上并與之歐姆接觸，以及形成一第二電極14于P型披覆層122上并與之歐姆接觸；以及(d)切割磊晶層單元12與磊晶基材11，以獲得多個半導體發(fā)光芯片。圖2顯示半導體發(fā)光芯片I的結構。磊晶基材11是由氮化鎵系列半導體在其表面可輕易成長磊晶層單元12的材質所制成。在一范例，嘉晶基材11的材質為監(jiān)寶石。此外，可形成一透明導電層(未圖示)，例如一氧化銦鎵(indium tin oxide, HO)層，于第二電極14與P型披覆層122之間，以改善芯片I的電傳導。當一外部電壓被施加于半導體發(fā)光芯片I時，可產(chǎn)生一電流從第二電極14流向磊晶層單元12，使其電荷載子，亦即電子與電洞，產(chǎn)生流動并橫向擴散。根據(jù)電致發(fā)光效應(electroluminescence effect),電子與電洞可在嘉晶層單元12的發(fā)光層123內(nèi)復合(recombine)，而以光子的形式發(fā)出能量。因此，半導體發(fā)光芯片I可從磊晶層單元12發(fā)光。前述具有橫向結構的半導體發(fā)光芯片I的方法的制造方法較為簡單。然而，芯片I的嘉晶基材11的熱傳導系數(shù)(thermal conductivity)低，導致芯片I操作時產(chǎn)生熱累積(thermal accumulation),因此降低芯片I的壽命。圖3與圖4顯示具有垂直結構的半導體發(fā)光芯片2及其制造方法。如圖4所示，利用一磊晶制程，成長一具有一 N型披覆層221、一 P型披覆層222、一發(fā)光層223的磊晶層單兀12于一嘉晶基材21上。接著，一永久基材23結合嘉晶層單兀12于嘉晶基材21的相反側，結合后移除磊晶基材21。永久基材23具有高熱傳導系數(shù)，并可作為一電極。接著，在升溫條件下，形成另一電極24于磊晶層單元12相對于永久基材23的一側，并與磊晶層單元12歐姆接觸。接著，在切割磊晶層單元12與永久基材23后，即可得到一垂直式結構的半導體發(fā)光芯片2，如圖3所示。前述具橫向結構的芯片I的缺陷，亦即熱累積問題，藉由具垂直結構的芯片2，以高熱傳導系數(shù)的永久基材23取代低熱傳導系數(shù)的磊晶基材21而克服。然而，在高溫條件下，形成電極24于磊晶層單元22上是在永久基材23與磊晶層單元22的結合步驟之后。高溫可能會導致永久基材23以及用于結合的一黏著層的變形或裂解。因此，芯片2可能會有變形或漏電流等問題。此外，芯片I或芯片2的電極14/24是位于嘉晶層單兀12/22上，可能會遮蔽嘉晶層單元12/22的發(fā)光層123/223所發(fā)出的光，使得芯片1/2的發(fā)光效率降低。此外，現(xiàn)有制造方法的芯片I與芯片2必須個別封裝。之后的一系列的芯片1/2串聯(lián)或并聯(lián)，導致由芯片1/2制成的發(fā)光產(chǎn)品具有較大體積以及復雜的電路設計。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一是提供一種半導體發(fā)光裝置及其制造方法，以克服現(xiàn)有技術的缺陷。本發(fā)明第一實施例提供一種半導體發(fā)光裝置的制造方法，其包含下列步驟(a)提供一暫時基材；(b)形成一具有至少一個發(fā)光單元的多層發(fā)光二極管(LED)磊晶結構于 暫時基材上，其中發(fā)光單元的一第一表面接觸暫時基材，發(fā)光單元包含一 N型層、一發(fā)光區(qū)、一 P型層；(c)形成一 N型電極于N型層上；(d)形成一 P型電極于P型層上；(e)結合一永久基材于發(fā)光單元、N型電極、P型電極上；(f)移除暫時基材以暴露出發(fā)光單元；以及
(g)蝕刻暴露出的發(fā)光單元，以暴露N型電極與P型電極兩者中的至少一者。本發(fā)明第二實施例提供一種半導體發(fā)光裝置，其包含一永久基材；一多層發(fā)光二極管(LED)磊晶結構位于永久基材上且包含至少一發(fā)光單元，發(fā)光單元包含一N型層、一發(fā)光區(qū)、一 P型層；一 N型電極聯(lián)結N型層并位于永久基材與發(fā)光單兀之間；以及一 P型電極聯(lián)結P型層并位于永久基材與發(fā)光單元之間；其中，N型電極與P型電極兩者中的至少一者暴露其表面。


圖I顯示一種具有橫向結構的半導體發(fā)光芯片的現(xiàn)有制造方法。圖2顯示由圖I現(xiàn)有制造方法所制造的半導體發(fā)光芯片結構。圖3顯示一種具有垂直結構的現(xiàn)有半導體發(fā)光芯片的結構示意圖。圖4顯示如圖3所示半導體發(fā)光芯片的現(xiàn)有制造方法。圖5至圖8顯示根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的半導體發(fā)光裝置的制造方法。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造方法所制造的半導體發(fā)光裝置。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體發(fā)光裝置的制造方法的一電性連接步驟。圖11顯示一種半導體發(fā)光裝置，其為圖10實施例的半導體發(fā)光裝置的修飾。圖12顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體發(fā)光裝置的制造方法的一電性連接步驟。主要組件符號說明I半導體發(fā)光芯片2半導體發(fā)光芯片6半導體發(fā)光裝置11嘉晶基材12磊晶層單元
13第一電極14第二電極15磊晶區(qū)域21嘉晶基材22磊晶層單元23永久基材24電極61永久基材

62多層發(fā)光二極管磊晶結構63N型電極64P型電極65發(fā)光單元66黏膠67開口68開口71暫時基材88導電膜89絕緣墻121N型披覆層122P型披覆層123發(fā)光層221N型披覆層222P型披覆層223發(fā)光層611基底612反射層613絕緣層614電路層621N 型層622P 型層623發(fā)光區(qū)624第一表面6241第一粗糙表面6243第二粗糙表面
具體實施例方式以下將配合圖式說明本發(fā)明優(yōu)選實施例的細節(jié)，其中附圖中相同的符號代表相似的組件。參見圖5至圖8，本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的半導體發(fā)光裝置6的制造方法包含以下步驟。如圖5所不,一多層發(fā)光二極管(LED)嘉晶結構62被形成于一暫時基材71上。多層LED磊晶結構62包含多個發(fā)光單元65，每個發(fā)光單元65包含與暫時基材71接觸的一第一表面624。此外，每個發(fā)光單元65包含由N型半導體材料構成的一 N型層621、由P型半導體材料構成的一 P型層622，以及位于N型層621與P型層622之間的一發(fā)光區(qū)623。在本實施例，多層LED磊晶結構62由一氮化鎵(GaN)系列的半導體材料制成，而暫時基材71由可在其表面磊晶成長氮化鎵系列半導體材料的藍寶石制成。接著，蝕刻發(fā)光單元65，以暴露出部分N型層621。在一范例,N型層621的第一表面624接觸暫時基材71。在另一范例,發(fā)光單兀62 可再包含一位于暫時基材71與N型層621之間的接觸層，其可包含下列結構層的其中之一或其任意組合一未摻雜層、一緩沖層，以及一超晶格(super lattice)層。且前述接觸層可具有接觸暫時基材71的第一表面624。如圖6所示，在每個發(fā)光單元65，一 N型電極63被形成在N型層621上并與之耦 接(coupled), — P型電極64被形成在P型層622上并與之稱接(coupled)。如圖7A所示，在形成N型電極63與P型電極64后，一具有高熱傳導系數(shù)的永久基材61結合發(fā)光單兀65、N型電極63、P型電極64于暫時基材71的相對側，使得N型電極63與P型電極64位于永久基材61與多層LED磊晶結構62的發(fā)光單元65之間。接著，移除暫時基材71，暴露出發(fā)光單元65的第一表面624。在本實施例，發(fā)光單兀65的P型層622與永久基材61結合。然而，發(fā)光單兀65可還包含其它層狀結構，例如一氧化銦錫(ITO)層、一氧化層、一黏著層，或者前述層狀結構的任意組合，并利用其中之一與永久基材61結合。在本實施例，永久基材61利用一黏膠66與發(fā)光單兀65、N型電極63、P型電極64結合。優(yōu)選地,黏膠66是一種光學膠?；蛘?不使用黏膠66,而是利用金屬接合(metalbonding)、共晶接合(eutectic bonding)等方式結合永久基材61與N型電極63及P型電極64。優(yōu)選地，永久基材61包含一基底611以及一反射層612。基底611由一具有高熱傳導系數(shù)的材料制成，反射層612位于基底611與黏膠66之間，以將發(fā)光區(qū)623發(fā)出的光反射至N型層621方向。在移除暫時基材71之后，蝕刻暴露出的發(fā)光單元65，使在每個發(fā)光單元65暴露N型電極63和/或P型電極64。所述蝕刻步驟可選擇使整個電極或部分電極暴露出來。如圖8所不,在本發(fā)明第一優(yōu)選實施例,發(fā)光單兀65的第一表面624被部分蝕刻,暴露出N型電極63與P型電極64。接著，切割多層LED磊晶結構62與永久基材61，以獲得多個單獨的半導體發(fā)光裝置6。值得注意的是，在移除暫時基材71期間，每個發(fā)光單元65的第一表面624可同時被粗糙化，以形成一第一粗糙表面6241，其具有一相對較低的粗糙度，如圖7B所示。或者，在移除暫時基材71之后，執(zhí)行一粗糙化步驟使第一表面624粗糙化，以形成一第二粗糙表面6243，其具有一相對較高的粗糙度，如圖7C所示。此粗糙化步驟可在前述蝕刻步驟之前或之后執(zhí)行。在發(fā)光單元65的第一表面624粗糙化之后，半導體發(fā)光芯片6可具有更優(yōu)的光萃取效率。參見圖9，一種由前述第一實施例的方法所制造的半導體發(fā)光裝置6包含一永久基材61,具有一基底611與一反射層612 ;—多層發(fā)光二極管(LED)嘉晶結構62位于永久基材61上且包含一發(fā)光單兀65,發(fā)光單兀65包含一 N型層621、一發(fā)光區(qū)623、一 P型層622 N型電極63稱接N型層621并位于永久基材61與發(fā)光單兀65之間；一 P型電極64稱接P型層622并位于永久基材61與發(fā)光單兀65之間；兩開口 67形成于發(fā)光單兀65上，以暴露N型電極63與P型電極64 ；以及一黏膠66使發(fā)光單元65、N型電極63、P型電極64與永久基材61黏著。特別地，開口 67是利用移除發(fā)光單元65遠離永久基材61的一些區(qū)域而形成。當透過N型電極63與P型電極64施加一電壓于半導體發(fā)光裝置6時，發(fā)光單元65的電子以光子形式釋放能量，造成電致發(fā)光效應，半導體發(fā)光裝置6得以等方向性地發(fā)光。在操作時，半導體發(fā)光裝置6內(nèi)部產(chǎn)生的熱，可透過永久基材61中具有高熱傳導 系數(shù)的基底611散出。發(fā)光單元65發(fā)出的光通過N型層621，從半導體發(fā)光裝置6朝外射出。N型層621的第二粗糙表面6243可允許更多的光穿透。此外，由于P型電極64是位于發(fā)光單元65下方，沒有任何電極設置于光萃取路徑，使半導體發(fā)光裝置6的發(fā)光效率得以提高。此外，發(fā)光單兀65朝向永久基材61發(fā)出的光,可由反射層612反射,藉此可進一步改善半導體發(fā)光裝置6的光萃取效率。如圖10所示，本發(fā)明第二實施例的半導體發(fā)光裝置6的制造方法，具有與第一實施例相同的步驟，但還包含在發(fā)光單兀65的N型電極63與P型電極64上形成多個導電膜88的一步驟。在此第二實施例，永久基材61還包含一絕緣層613位于反射層612且相對于基底611的表面上,且絕緣層613黏附于發(fā)光單兀65的N型電極63與P型電極64,使發(fā)光單元65的N型電極63與P型電極64彼此電性絕緣。具體上，在移除部分發(fā)光單元65以暴露出N型電極63與P型電極64之后，本實施例制造方法還包含用于在發(fā)光單兀65的N型電極63與P型電極64上形成多個導電膜88的一步驟。每個導電膜88電性連接一個發(fā)光單元65上的N型電極63與相鄰發(fā)光單元65上的P型電極64，亦即，發(fā)光單元65彼此之間透過導電膜88串聯(lián)。優(yōu)選地，在形成導電膜88之前，一絕緣墻89被形成于多層LED磊晶結構62的一預定區(qū)域，位于每一個發(fā)光單兀65的N型電極63與相鄰發(fā)光單兀65的P型電極64之間。接著導電膜88再個別地被形成于每個絕緣墻89上。絕緣墻89是用于電性絕緣發(fā)光單元65與導電膜88。在形成導電膜88后，切割多層LED磊晶結構62與永久基材61，以獲得多個半導體發(fā)光裝置6，其中每個發(fā)光裝置6具有所需數(shù)量的發(fā)光單元65。由第二實施例方法所制造的半導體發(fā)光裝置6包含一永久基材61 ;—多層發(fā)光二極管(LED)嘉晶結構62位于永久基材61上且包含多個發(fā)光單兀65,每個發(fā)光單兀65包含一 N型層621、一發(fā)光區(qū)623、一 P型層622 ;多個N型電極63，每一個N型電極63聯(lián)結個別發(fā)光單兀65的N型層621并位于永久基材61與個別發(fā)光單兀65之間；多個P型電極64,每個P型電極64聯(lián)結個別發(fā)光單兀65的P型層622并位于永久基材61與個別發(fā)光單兀65之間；多個開口 68形成于發(fā)光單兀65上，以暴露發(fā)光單兀65至少部分的N型電極63與P型電極64 ;多個導電膜88位于N型電極63與P型電極64上,每個導電膜88電性連接一發(fā)光單元65的N型電極63與相鄰發(fā)光單元65的P型電極64 ;以及多個絕緣墻89位于導電膜88與發(fā)光單兀65之間。在本實施例，永久基材61具有一基底611, —反射層612位于基底611上，以及一絕緣層613位于反射層612上并利用一黏膠66黏附于發(fā)光單兀65的N型電極63與P型電極64，使N型電極63與P型電極64彼此電性絕緣。由于導電膜88是在封裝程序進行之前形成，第二實施例半導體發(fā)光裝置6的體積得以小型化。圖11顯示另一實施例的半導體發(fā)光裝置6，其為圖10實施例的修飾。在本實施例，永久基材61還包含一電路層614位于反射層612相對于基底611的表面上,且電路層614貼附并電性連接發(fā)光單元65的N型電極63。而絕緣層613是位于電路層614與P型電極64之間，使兩者彼此電性絕緣。此外，黏膠66(參見先前圖示，本圖未示)黏接發(fā)光單元65與N型電極63及P型電極64。 優(yōu)選地，電路層614是由透明導電材料制成，且其表面上具有一電路布局(layout)。圖12顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例半導體發(fā)光裝置的制造方法。第三實施例與第二實施例的不同處在于，開口 68僅形成于發(fā)光單兀65的N型電極63上，因此僅暴露出N型電極63,未暴露P型電極64。此外，在本實施例，導電膜88被形成在暴露出的N型電極63,以電性連接一個發(fā)光單元65的N型電極63與相鄰發(fā)光單元65的N型電極；亦即，發(fā)光單元65的N型電極63彼此并聯(lián)。絕緣墻89被形成在導電膜88與發(fā)光單元65之間。此外，永久基材61具有一基底611、一反射層612、一電路層614、一絕緣層613。反射層612位于基底611上。電路層614位于反射層612相對于基底611的表面上,且電路層614貼附并電性連接發(fā)光單兀65的N型電極63。絕緣層613位于電路層614與發(fā)光單兀65的P型電極64之間，使兩者彼此電性絕緣?？傊鶕?jù)本發(fā)明具有橫向結構的半導體發(fā)光裝置的制造方法，在形成N型電極63與P型電極64后，利用將一永久基材61結合至一多層LED磊晶結構62而改善現(xiàn)有制造方法形成電極時，由于高溫使得基材與黏膠變形或劣化，進而造成芯片變形或漏電流的問題。操作時，半導體發(fā)光裝置6內(nèi)部產(chǎn)生的熱，可由永久基材61的基底611散出，如此可提高散熱效率、延長半導體發(fā)光裝置6的可靠度與使用壽命。此外，半導體發(fā)光裝置6的第二粗糙表面6243，可增加發(fā)光單元65所發(fā)出的光的穿透率，藉此改善半導體發(fā)光裝置6的光萃取效率與發(fā)光效率。在本發(fā)明第二與第三實施例所制造的半導體發(fā)光裝置6，可在封裝程序進行前彼此電性連接，如此可減少由半導體發(fā)光裝置6所制作的最終產(chǎn)品的體積。以上所述僅為本發(fā)明之優(yōu)選實施例而已，并非用以限定本發(fā)明；凡其它未脫離發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包括在權利要求所限定的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種半導體發(fā)光裝置的制造方法，包括 (a)提供一暫時基材； (b)形成一具有至少一個發(fā)光單元的多層發(fā)光二極管(LED)磊晶結構于所述暫時基材上，其中所述發(fā)光單元的一第一表面接觸所述暫時基材，且所述發(fā)光單元包含一 N型層、一發(fā)光區(qū)、一 P型層； (c)形成一N型電極于所述N型層上； (d)形成一P型電極于所述P型層上； (e)結合一永久基材于所述發(fā)光單兀、所述N型電極、所述P型電極上； (f)移除步驟，移除所述暫時基材以暴露出所述發(fā)光單元；以及 (g)蝕刻步驟，蝕刻暴露出的所述發(fā)光單元，以暴露所述N型電極與所述P型電極兩者中的至少一者。
2.如權利要求I的制造方法，其中所述N型層具有與所述暫時基材接觸的所述第一表面。
3.如權利要求I的制造方法，其中所述發(fā)光單元還包含一接觸層位于所述N型層與所述暫時基材之間，所述接觸層包含下列群組的其中之一或其任意組合一未摻雜層、一緩沖層、一超晶格層。
4.如權利要求3的制造方法，其中所述接觸層具有與所述暫時基材接觸的所述第一表面。
5.如權利要求I的制造方法，其中移除所述暫時基材的移除步驟暴露出所述發(fā)光單元的所述第一表面，并且所述蝕刻步驟是從所述第一表面蝕刻。
6.如權利要求I的制造方法，其中在移除所述暫時基板的移除步驟同時，還包含粗糙化所述發(fā)光單元，以在所述蝕刻步驟之前，暴露粗糙化的所述發(fā)光單元。
7.如權利要求I的制造方法，其中在移除所述暫時基板的移除步驟后，還包含一粗糙化所述發(fā)光單元的步驟，以在所述蝕刻步驟之前，暴露粗糙化的所述發(fā)光單元。
8.如權利要求I的制造方法，其中所述永久基材藉由黏著結合、金屬結合，或共熔結合與所述發(fā)光單元、所述N型電極、所述P型電極結合。
9.如權利要求8的制造方法,其中所述永久基材包含一基底與一反射層。
10.如權利要求8的制造方法，其中所述多層LED磊晶結構包含多個所述發(fā)光單元。
11.如權利要求10的制造方法，其中所述永久基材包含一基底、一反射層，以及位于所述反射層上且相對于所述基底的一側的一絕緣層，該絕緣層貼附于所述發(fā)光單元的所述N型電極與所述P型電極使所述N型電極與所述P型電極彼此電性絕緣。
12.如權利要求11的制造方法，還包含在步驟(g)之后，形成多個導電膜覆蓋所述發(fā)光單元的N型電極與P型電極，其中每個導電膜電性連接一個所述發(fā)光單元的所述N型電極及其相鄰發(fā)光單元的所述P型電極。
13.如權利要求10的制造方法,其中所述永久基材包含一基底、一反射層、一電路層、一絕緣層，該反射層位于所述基底上，所述電路層位于所述反射層上且位于所述基底的相對側且貼附并電性連接所述發(fā)光單元的所述N型電極，所述絕緣層位于所述電路層與發(fā)光單元的所述P型電極之間，以電性絕緣所述發(fā)光單元的所述N型電極與所述P型電極。
14.如權利要求13的制造方法，還包含在步驟(g)之后，形成多個導電膜覆蓋所述發(fā)光單元的N型電極與P型電極，其中每個導電膜電性連接一個所述發(fā)光單元的所述N型電極及其相鄰發(fā)光單元的所述P型電極。
15.一種半導體發(fā)光裝置，包含 一永久基材； 一多層發(fā)光二極管(LED)磊晶結構，位于所述永久基材上且包含至少一個發(fā)光單元，該發(fā)光單元包含一 N型層、一發(fā)光區(qū)、一 P型層； 一 N型電極聯(lián)結所述N型層并位于所述永久基材與所述發(fā)光單元之間；以及 一 P型電極聯(lián)結所述P型層并位于所述永久基材與所述發(fā)光單元之間； 其中，所述N型電極與所述P型電極兩者中的至少一者暴露其表面。
16.如權利要求15的半導體發(fā)光裝置,其中所述永久基材包含一反射層與位于該反射層上且位于該多層LED磊晶結構的相對側的一基底。
17.如權利要求15的半導體發(fā)光裝置，其中一開口藉由移除一部分發(fā)光單元而形成于遠離所述永久基材之處，藉此暴露所述N型電極與所述P型電極兩者中的至少一者。
18.如權利要求15的半導體發(fā)光裝置，其中所述多層LED磊晶結構包含多個所述發(fā)光單元。
19.如權利要求18的半導體發(fā)光裝置，其中所述永久基材包含一基底、位于該基底上的一反射層，以及位于該反射層上且相對于該基底的一側的一絕緣層，該絕緣層貼附于所述發(fā)光單元的所述N型電極與所述P型電極使所述N型電極與所述P型電極彼此電性絕緣。
20.如權利要求19的半導體發(fā)光裝置，還包含多個導電膜覆蓋所述發(fā)光單元的所述N型電極與所述P型電極，其中每個所述導電膜電性連接一個所述發(fā)光單元的所述N型電極及其相鄰發(fā)光單元的所述P型電極。
21.如權利要求18的半導體發(fā)光裝置,其中所述永久基材包含一基底、一反射層、一電路層、一絕緣層，該反射層位于該基底上，該電路層位于該反射層上且位于該基底的相對側且貼附并電性連接所述發(fā)光單元的所述N型電極，該絕緣層位于該電路層與所述發(fā)光單元的所述P型電極之間，以電性絕緣所述發(fā)光單元的所述N型電極與所述P型電極。
22.如權利要求21的半導體發(fā)光裝置，還包含多個導電膜覆蓋所述發(fā)光單元的N型電極，其中每個導電膜電性連接一個所述發(fā)光單元的所述N型電極及其相鄰發(fā)光單元的所述N型電極。
23.如權利要求21的半導體發(fā)光裝置，還包含多個導電膜覆蓋所述發(fā)光單元的N型電極與P型電極，其中每個導電膜電性連接一個所述發(fā)光單元的所述N型電極及其相鄰發(fā)光單元的所述P型電極。
全文摘要
一種半導體發(fā)光裝置的制造方法，包含(a)提供一暫時基材；(b)形成一具有至少一個發(fā)光單元的多層發(fā)光二極管(LED)磊晶結構于暫時基材上，其中發(fā)光單元的一第一表面接觸暫時基材，發(fā)光單元包含一N型層、一發(fā)光區(qū)、一P型層；(c)形成一N型電極于N型層上；(d)形成一P型電極于P型層上；(e)結合一永久基材于發(fā)光單元、N型電極、P型電極上；(f)移除暫時基材以暴露出發(fā)光單元；以及(g)蝕刻暴露出的發(fā)光單元，以暴露N型電極與P型電極兩者中的至少一者。
文檔編號H01L33/36GK102800764SQ20111044809
公開日2012年11月28日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權日2011年5月26日
發(fā)明者洪瑞華, 盧怡安, 劉恒 申請人:華夏光股份有限公司, 財團法人成大研究發(fā)展基金會