專利名稱：發(fā)光二極管的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light-emitting diode, LED)產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，發(fā)光二極管產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，因此被認為是新世代綠色節(jié)能照明的最佳光源。發(fā)光二極管通常會將其發(fā)光芯片搭配熒光粉使用以改變出光顏色?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管的透鏡一般由環(huán)氧樹脂或硅膠等材料制成，電極層由金屬制成，由于環(huán)氧樹脂或硅膠等材料與金屬之間的粘合力不夠，導致透鏡與基板、電極層的粘著力不夠，進而導致透鏡容易移位，影響發(fā)光二極管的出光效能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種透鏡不易移位的發(fā)光二極管制造方法。一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括如下步驟:提供一基板，貼設一電極層于該基板表面；設置一阻擋層于該基板上并覆蓋部分該電極層，該阻擋層呈環(huán)形，中部具有一暴露電極層的凹部；設置一 LED芯片于該凹部內(nèi)，該LED芯片的高度低于該阻擋層的高度；形成一封裝層于該凹部并覆蓋該LED芯片并與該阻擋層粘合；形成一透鏡包覆該阻擋層和該封裝層，并與該封裝層粘合。由于熒光粉層與阻擋層粘合，阻擋層被固定。又由于透鏡覆蓋該熒光粉層與阻擋層，即與熒光粉層、阻擋層粘合，故透鏡不易移位，發(fā)光二極管能保持良好的出光效能。


圖1是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法的第一步驟。圖2是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法的第二步驟。圖3是圖2所示發(fā)光二極管的制作方法的第二步驟的俯視圖。圖4是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法的第三步驟。圖5是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法的第四步驟。圖6是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管的制造方法的第五步驟。圖7是是本發(fā)明制造完成的第二實施例的發(fā)光二極管的示意圖。主要元件符號說明_
權利要求
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括如下步驟: 提供一基板，貼設一電極層于該基板表面； 設置一阻擋層于該基板上并覆蓋部分該電極層，該阻擋層呈環(huán)形，中部具有一暴露電極層的凹部； 設置一 LED芯片于該凹部內(nèi)，該LED芯片的高度低于該阻擋層的高度； 形成一封裝層于該凹部并覆蓋該LED芯片并與該阻擋層粘合； 形成一透鏡包覆該阻擋層和該封裝層，并與該封裝層粘合。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該封裝層的高度不高于阻擋層的高度。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該封裝層的橫截面積由基板向上逐漸增大。
4.如權利要求3所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該阻擋層的縱切面呈一半圓形狀。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該封裝層填滿該芯片與該阻擋層之間的空間。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該電極層具有彼此絕緣的第一電極與第二電極，該凹部中同時暴露出該第一電極與該第二電極，該LED芯片固定于暴露出的第一電極及第二電極上。
7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該封裝層通過點膠或噴涂的方式形成。
8.如權利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該透鏡對應于該阻擋層的位置處形成一凸狀部，對應于該封裝層的位置處形成一凹狀部。
9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該透鏡與該阻擋層的材料相同，該透鏡成型后與該阻擋層結合成一體。
10.如權利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該透鏡通過使用膠針在阻擋層的頂部注塑形成。
11.如權利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:該封裝層內(nèi)摻雜有熒光粉。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括如下步驟提供一基板，貼設一電極層于該基板表面；設置一阻擋層于該基板上并覆蓋部分該電極層，該阻擋層呈環(huán)形，中部具有一暴露電極層的凹部；設置一LED芯片于該凹部內(nèi)，該LED芯片的高度低于該阻擋層的高度；形成一封裝層于該凹部并覆蓋該LED芯片并與該阻擋層粘合；形成一透鏡包覆該阻擋層和該封裝層，并與該封裝層粘合。由于熒光粉層與阻擋層粘合，阻擋層被固定。又由于透鏡覆蓋該熒光粉層與阻擋層，即與熒光粉層、阻擋層粘合，故透鏡不易移位，發(fā)光二極管能保持良好的出光效能。
文檔編號H01L33/00GK103165763SQ20111041722
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權日2011年12月14日
發(fā)明者張超雄, 林厚德 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司