發(fā)光二極管芯片封裝結構及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體的封裝結構及其制造方法，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片 封裝結構及其制造方法。
【背景技術】
[0002] 發(fā)光二極管封裝結構有多種封裝方式，例如板上芯片（C0B)封裝是將發(fā)光二極管 芯片貼裝在印刷線路板上，芯片與印刷線路板的電氣連接通過打線連接的方法實現(xiàn)，并進 一步用樹脂覆蓋芯片和導線以確?？煽啃浴，F(xiàn)有的C0B封裝體因為是在平板上注膠，大部 分需要先于平板上設置一環(huán)繞芯片的圍堰結構，再把膠體注入圍堰結構內(nèi)。該圍堰結構用 于將膠體局限住，避免膠體溢流。但是，由于圍堰結構的存在，限制了該封裝體封裝層的高 度，從而影響封裝體的光學效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種無圍堰結構的發(fā)光二極管芯片封裝結構及其制造方 法。
[0004] 一種發(fā)光二極管芯片封裝結構，包括一基板，設于基板上的若干LED芯片，以及罩 設所述LED芯片的封裝層，其中，所述LED芯片通過導線與所述基板電性連接；所述封裝層 包括至少兩層的封裝材料，依次為第一封裝層、第二封裝層，第一封裝層平鋪于基板上并完 全覆蓋LED芯片及導線，第二封裝層覆蓋在第一封裝層上，形成第二封裝層所用的膠體的 流動性小于形成第一封裝層所用的膠體的流動性。
[0005] -種板上芯片體的制作方法，該方法包括以下步驟： 固晶：提供一基板和若干LED芯片，將所述LED芯片固定于該基板一側； 打線：提供若干導線，利用該導線將所述LED芯片電性連接于該基板； 一次點膠：提供第一膠體，利用點膠方式將該第一膠體注于所述基板設有LED芯片的 一側； 烘烤：烘烤所述膠體至半干，形成第一封裝層； 二次點膠：提供第二膠體，在所述第一封裝層上注入該第二膠體，第二膠體的流動性 小于第一膠體的流動性； 固化：烘烤所述膠體，使得二次點膠中的膠體形成第二封裝層，同時使第一封裝層和第 二封裝層完全固化。
[0006] 相比于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結構沒有采用通用的圍堰體來限 制封裝膠體的溢流，而是采用膠體在膠體平面上的流動性較差與膠體本身的內(nèi)聚力來成型 封裝體的封裝層。利用此方式得到的封裝體因無圍堰體的限制，可以得到高度比較高的封 裝體，從而使封裝體具有比較好的光學效率。
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明實施例中的所述發(fā)光二極管芯片封裝結構的剖面圖。
[0008] 圖2為圖1中所述發(fā)光二極管芯片封裝結構的制作流程圖。
[0009] 圖3為圖2中所述發(fā)光二極管芯片封裝結構在打線后的俯視圖。
[0010] 圖4為圖2中所述發(fā)光二極管芯片封裝結構在一次點膠時的俯視圖。
[0011] 圖5為圖2中所述發(fā)光二極管芯片封裝結構在二次點膠時的俯視圖。
[0012] 主要元件符號說明
如下【具體實施方式】將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0013] 請參見圖1，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結構100包括一基板10,設于基板10 上的若干LED芯片20,以及至少兩層的封裝層。在本實施例中，所述封裝層包括兩層，自基 板10向上依次為第一封裝層30、第二封裝層40。其中第一封裝層30覆蓋所述LED芯片 20,第二封裝層40置于第一封裝層30之上。
[0014] 所述基板10為具有傳導線路的電路板，可以為陶瓷基板、金屬基板或PLCC等。所 述基板10為一平面板體，包括一底面11和與所述底面11背向平行設置的一承載面12。所述承載面12上設有若干固晶區(qū)13,和若干與所述固晶區(qū)13數(shù)量相等的第一電極14,以及 第二電極15。所述第一電極14和第二電極15分別 對應的設于所述固晶區(qū)13的兩側。
[0015] 所述LED芯片20包括一P型電極21和一N型電極22。所述LED芯片20--對 應的固定于所述基板的固晶區(qū)13。所述LED芯片20的P型電極21與所述基板10的第一 電極14通過導線51電性連接，N型電極22與第二電極15通過導線52電性連接。在本實 施例中，導線51、52均為金線。
[0016] 所述第一封裝層30設于所述基板10的承載面12上，且完全覆蓋所述LED芯片20 和導線51、52。所述第一封裝層30是在所述基板10的承載面12上平鋪形成，包括與所述 基板10相貼合的一貼合面31和一用于承載所述第二封裝層40的一支撐面32。在本實施 例中，所述支撐面32為水平面?？梢岳斫獾?，在其它實施例中，所述支撐面32還可以是朝 向基板10的方向凹陷的凹曲面。
[0017] 所述第二封裝層40設于所述第一封裝層30的支撐面32上，且位于所述LED芯片 20和導線51、52的上方。所述第二封裝層40是在所述第一封裝層30的支撐面32上成型 的一半球形封裝層，包括與所述第一封裝層30的支撐面32粘合的一粘合面41和自所述粘 合面41背向所述基本10凸起的一弧形成型面42。形成第二封裝層40與第一封裝層30的 膠體具有如下特性，即形成第二封裝層40所用的膠體的流動性小于形成第一封裝層30所 用的膠體的流動性。
[0018] 相比于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結構100沒有利用圍堰結構來限 制膠體的溢流。如此，因為沒有圍堰結構的高度限制，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結構 100的第一封裝層30和第二封裝層40的高度可以按需求通過控制形成兩者的膠體的流動 性差異大小和膠體數(shù)量來靈活設置，例如可以達到〇.5mm以上，得到高度比較高，并具有所 需形狀的封裝層。因為封裝層的高度較高，所以使發(fā)光二極管芯片封裝結構100的混光距 離較大，從而可以得到較好的光學取出效率。
[0019] 本發(fā)明還提供了一種上述發(fā)光二極管芯片封裝結構100的制作方法。
[0020] 圖2為本發(fā)明的上述發(fā)光二極管芯片封裝結構100的制作流程圖。
[0021] 請參見圖2,本發(fā)明的上述發(fā)光二極管芯片封裝結構100的制作方法包括以下步 驟： S1固晶：提供一基板和若干LED芯片，將所述LED芯片固定于該基板一側； S2打線：提供若干導線，利用該導線將所述LED芯片電性連接于該基板； S3 -次點膠：提供第一膠體，利用點膠的方式將該第一膠體注于所述基板設有LED芯 片的一側； S4烘烤：烘烤所述第一膠體至半干，形成第一封裝層； S5二次點膠：提供第二膠體，在所述第一封裝層上注入該第二膠體，該第二膠體的流 動性小于第一膠體的流動性； S6固化：烘烤所述第二膠體，使得二次點膠中的第二膠體形成第二封裝層，同時使第 一封裝層和第二封裝層完全固化。
[0022] 請參見圖3,提供一基板10,在該基板10的承載面12上設有若干固晶區(qū)13和第 一電極14,以及第二電極15。提供若干LED芯片20,在本實施例中，采用通用的固晶方式固 晶，即將LED芯片20放在已刮好銀漿層的背膠機面上背上銀漿，采用點膠機將適量的銀漿 點在基板10的固晶區(qū)13上，將LED芯片20用刺晶筆刺在基板10的固晶區(qū)13上，將刺好 晶的基板10放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置一段時間，待銀漿固化后取出。
[0023] 提供若干導線，本實施例中為所述導線50為金線，采用焊線機將LED芯片20與基 板10進行電性連接，即，利用導線51將所述LED芯片20的P型電極21與所述基板10的 第一電極14電性連接，利用導線52將N型電極22與第二電極15電性連接。
[0024] 請參見圖4,提供