專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置由包括半導(dǎo)體芯片的封裝體形成。
背景技術(shù)：
在電子設(shè)備中，提出了所謂的封裝體上封裝體(Package on Package, PoP)結(jié)構(gòu) (例如，參考國際專利公開第WO 2006-0擬620號(hào)中的圖1)，其中層疊了包括半導(dǎo)體芯片的多個(gè)封裝體，以便實(shí)現(xiàn)采用半導(dǎo)體芯片的部件的小型化。在PoP結(jié)構(gòu)中，與多個(gè)封裝體水平對(duì)齊的結(jié)構(gòu)相比，優(yōu)點(diǎn)在于減小了安裝面積，并且傳輸通道短。在現(xiàn)有技術(shù)的PoP結(jié)構(gòu)中，下封裝體和上封裝體之間的連接采用下封裝體的半導(dǎo)體芯片周邊處提供的焊料球或配線實(shí)現(xiàn)。在該構(gòu)造中，上封裝體必須形成到與焊料球等連接部分對(duì)應(yīng)的大尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，在下封裝體和上封裝體采用下封裝體的半導(dǎo)體芯片的周邊處提供的焊料球或配線連接的構(gòu)造中，必須根據(jù)下封裝體的尺寸設(shè)計(jì)上封裝體。為此，難于使上封裝體標(biāo)準(zhǔn)化或者使用諸如通用封裝體的任意封裝體作為上封裝體。另外，當(dāng)新產(chǎn)品用在下封裝體中時(shí)，也必須根據(jù)下封裝體重新開發(fā)上封裝體。具體地講，在下封裝體和上封裝體之間的連接采用焊料球?qū)崿F(xiàn)的構(gòu)造中，連接部分的尺寸由焊料球的節(jié)距或尺寸決定。為了考慮封裝體的彎曲而保證可靠連接，必須使焊料球具有大的節(jié)距和尺寸，從而，封裝體的外部尺寸增加。另外，如果上封裝體中的半導(dǎo)體芯片的尺寸小于下封裝體的尺寸，則上封裝體的半導(dǎo)體芯片和與下封裝體連接的連接部分之間的距離變長。在此情況下，可考慮采用中繼板(relay board)中形成的配線層將與下封裝體連接的連接部分連接到上封裝體。例如，可進(jìn)行連接以使從基板的焊盤到上表面貫通的通孔形成在下封裝體中，導(dǎo)電層埋設(shè)在通孔中，并且導(dǎo)電層和上封裝體采用中繼板中形成的配線層連接。然而，當(dāng)采用中繼板時(shí)，必須分別在單獨(dú)的工藝中在通孔和中繼板的配線層中形成導(dǎo)電層，由此增加了工藝數(shù)量。從而，制造成本增加且生產(chǎn)率下降。所希望的是提供這樣的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其中，能夠改善具有PoP結(jié)構(gòu)的上封裝體的構(gòu)造自由度，并且以比較低的成本制造裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所提供的半導(dǎo)體裝置包括基板、安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片、通過采用絕緣材料密封基板的上表面和半導(dǎo)體芯片而構(gòu)造的封裝體以及暴露到封裝體的上表面的模制材料(molding material)。另外，該裝置包括一端連接到模制材料且另一端電連接到基板的引線，該引線從與模制材料連接的連接部分到與基板連接的連接部分由相同的材料一體形成，該引線與模制材料連接的連接部分暴露到封裝體的上表面。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，該裝置可由模制材料和引線構(gòu)造，引線的一端連接到模制材料，而另一端電連接到基板，且該引線從與模制材料連接的連接部分到與基板連接的連接部分由相同的材料一體形成。從而，能夠采用現(xiàn)有技術(shù)容易且低成本地從基板電連接到封裝體的上表面。另外，因?yàn)橐€和模制材料之間的連接部分暴露到封裝體的上表面，所以可通過電連接其他封裝體到暴露到封裝體的上表面的與模制材料連接的連接部分而制造具有PoP 結(jié)構(gòu)的封裝體。另外，可采用引線使與其他封裝體連接的連接部分從與基板連接的連接部分的正上方分離。從而，例如，即使其他封裝體很小，也能連接其他封裝體到與基板連接的連接部分。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所提供的半導(dǎo)體裝置包括基板；第一半導(dǎo)體芯片， 安裝在基板上；第一封裝體，通過采用絕緣材料密封基板的上表面和第一半導(dǎo)體芯片而構(gòu)造；以及模制材料，暴露到第一封裝體的上表面。另外，該裝置包括引線，其一端連接到模制材料，而另一端電連接到基板，該引線從與模制材料連接的連接部分到與基板連接的連接部分由相同的材料一體形成，與模制材料連接的連接部分暴露到第一封裝體的上表面。此外，該裝置包括第二半導(dǎo)體芯片和第二封裝體，第二封裝體通過采用絕緣材料密封第二半導(dǎo)體芯片而構(gòu)造，該第二封裝體電連接到暴露到第一封裝體的表面的引線與模制材料的連接部分。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，該裝置可由模制材料和引線構(gòu)造，引線的一端連接到模制材料，而另一端電連接到基板，從與模制材料連接的連接部分到與基板連接的連接部分由相同的材料一體形成。以這種方式，能夠采用現(xiàn)有技術(shù)容易且低成本地實(shí)現(xiàn)基板和第一封裝體的上表面之間的電連接。另外，因?yàn)橐€與模制材料的連接部分暴露到第一封裝體的上表面，并且第二封裝體電連接到與模制材料連接的連接部分，所以能夠構(gòu)造具有PoP結(jié)構(gòu)的封裝體。此外，與第二封裝體的連接部分可采用引線從與基板連接的連接部分的正上方分離。從而，例如，即使第二封裝體很小，也能夠連接第二封裝體到與基板連接的連接部分。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所提供的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在基板上安裝半導(dǎo)體芯片；以及電連接一端連接到模制材料的引線的另一端的部分到基板，引線從與模制材料連接的連接部分到另一端由相同的材料一體形成。此外，該方法包括通過采用絕緣材料密封基板的上表面、半導(dǎo)體芯片、引線和模制材料而形成封裝體，從而暴露引線與模制材料的連接部分和模制材料到封裝體的上表面。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，引線的一端可連接到模制材料，其另一端可電連接到基板，并且從與模制材料連接的連接部分到另一端由相同的材料一體形成。另外，封裝體通過采用絕緣材料密封基板的上表面、半導(dǎo)體芯片、引線和模制材料而形成，從而將引線與模制材料的連接部分和模制材料暴露到上表面。
以這種方式，能夠容易且低成本地實(shí)現(xiàn)基板和封裝體的上表面之間的電連接。另外，因?yàn)橐€與模制材料的連接部分可暴露到封裝體的上表面，所以能夠通過電連接其他封裝體到暴露到封裝體的上表面的與模制材料連接的連接部分而制造具有PoP 結(jié)構(gòu)的封裝體。此外，能夠采用弓I線使與第二封裝體連接的連接部分從與基板連接的連接部分的正上方分離。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)槟軌蛉菀浊业统杀镜貙?shí)現(xiàn)基板和封裝體的上表面之間電連接，所以能夠以低成本構(gòu)造和制造具有PoP結(jié)構(gòu)的封裝體。另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)槟軌虿捎靡€使與其他封裝體(第二封裝體)連接的連接部分從與基板連接的連接部分的正上方分離，所以能夠改善其他封裝體(第二封裝體)的構(gòu)造自由度。以這種方式，例如，能夠采用很小的封裝體、通用的封裝體或者標(biāo)準(zhǔn)的封裝體作為其他封裝體(第二封裝體)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意性構(gòu)造圖(示出局部側(cè)表面的截面圖)。圖2是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖3是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖4是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖5是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖6是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖7是示出圖1所示半導(dǎo)體裝置制造方法的制造工藝圖。圖8是圖7的封裝體的平面圖，其中周邊封裝體具有TSOP構(gòu)造。圖9A至9C是示出周邊封裝體A至C的制造方法的制造工藝圖。
具體實(shí)施例方式在下文，將描述本發(fā)明的實(shí)施例。另外，描述將以下面的順序進(jìn)行。1.第一實(shí)施例2.修改示例<1.第一實(shí)施例>圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意性構(gòu)造圖(示出局部側(cè)表面的截面圖)。半導(dǎo)體裝置具有PoP結(jié)構(gòu)，其中第一封裝體(下封裝體)10和第二封裝體(上封裝體)20被層疊。第一封裝體(下封裝體)10包括第一半導(dǎo)體芯片11，該第一半導(dǎo)體芯片11采用模制樹脂(mold resin) 15密封。第一半導(dǎo)體芯片11采用絕緣或?qū)щ姾父?3被管芯焊接(die-bonded)到內(nèi)插板(interposer board)12。內(nèi)插板12通過在水平方向和豎直方向上在型芯材料(core material)中形成配線層17而構(gòu)造。在配線層17當(dāng)中，暴露到內(nèi)插板12表面的配線層是焊盤17A。另外，第一封裝體(下封裝體)10在內(nèi)插板12的上表面用模制樹脂15完全密封時(shí)被構(gòu)造。絕緣材料(阻焊劑等)18形成在內(nèi)插板12的上表面和下表面上，從而覆蓋配線層 17從內(nèi)插板12暴露的一部分。另外，在內(nèi)插板12的下表面上形成多個(gè)焊料球16，該焊球16連接到暴露到下表面?zhèn)鹊呐渚€層17。此外，第一半導(dǎo)體芯片11的上表面上形成的電極焊盤(圖中未示出)和內(nèi)插板12 的上表面上的配線層17采用金線14彼此電連接。第二封裝體(上封裝體)20形成為用模制樹脂M密封第二半導(dǎo)體芯片21。第二半導(dǎo)體芯片21設(shè)置到基板上表面上的絕緣材料27，其中絕緣材料27形成在型芯材料22的上表面和下表面二者上。在該基板中，在其上表面或下表面中，配線層沈形成在絕緣材料27內(nèi)部或不存在絕緣材料27的部分中。另外，配線層沈包括貫穿型芯材料的一部分的插塞層。在配線層26中，暴露到基板上表面的配線層是焊盤^5A。另外，基板的上表面用模制樹脂M完全密封，從而形成第二封裝體(上封裝體)20。另外，焊料球25形成為連接到暴露到基板下表面的配線層26。此外，第二半導(dǎo)體芯片21的上表面上形成的電極焊盤(圖中未示出)和基板的上表面上的焊盤26A采用金線23彼此電連接。另外，圖1所示的第一封裝體10中的金線14和焊料球16或第二封裝體20的金線23并非全部存在于同一截面中。在圖1中，對(duì)于這些部件14、16和23，如從側(cè)面所看到的，存在于不同截面上的某些部件示出在一起。具體地講，在該實(shí)施例中，第一封裝體10的內(nèi)插板12的上表面上的焊盤17A和第二封裝體20的焊料球25采用第一封裝體10中提供的周邊封裝體30彼此電連接。周邊封裝體30由模制樹脂32和從模制樹脂32延伸的引線框31形成。另外，在周邊封裝體30中，模制樹脂32和引線框31在模制樹脂32附近的部分 (連接部分)暴露到第一封裝體10的模制樹脂15的表面。第二封裝體20的焊料球25電連接到暴露到第一封裝體表面的引線框31在模制樹脂32附近的連接部分。此外，周邊封裝體30的引線框31形成為彎曲以具有鷗形翼(gullwing)形狀。另外，引線框31的一端連接到模制樹脂32而被固定，并且引線框31的另一端的前端連接到第一封裝體10的內(nèi)插板12的上表面上的焊盤17A。引線框31從作為與模制樹脂32連接的連接部分的一端到作為與焊盤17A連接的連接部分的另一端由相同的材料一體形成。周邊封裝體可采用現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)造制造，從而，可以低成本制造。在通常的周邊封裝體中，半導(dǎo)體芯片模制在模制樹脂中，并且引線框和半導(dǎo)體芯片采用在模制樹脂中的配線等彼此電連接。根據(jù)該實(shí)施例的周邊封裝體30在模制樹脂32中不包括半導(dǎo)體芯片或配線，從而， 模制樹脂32可也相應(yīng)地形成為較薄。為此，例如，如果模制樹脂32的模具改變到對(duì)應(yīng)于薄模制樹脂32的構(gòu)造，則能夠在普通周邊封裝體生產(chǎn)線上制造該周邊封裝體。從周邊封裝體30的模制樹脂32延伸的引線框31的設(shè)置沒有特別限制。它可為LQFP(Low-profile Quad Flat lockage，薄型四方扁平封裝體)，其中引線框31在兩個(gè)方向上水平地延伸，并且可為TSOP (Thin Small Outline lockage，薄型小尺寸封裝體)，其中引線框31在前后左右四個(gè)方向上延伸。另外，在圖1中，周邊封裝體30的模制樹脂32和引線框31具有基本上相同的厚度，然而，厚度可彼此略微不同，并且任何一個(gè)可厚于另一個(gè)。周邊封裝體30的引線框31的形狀不限于鷗形翼形狀，而是可為其他形狀。另外， 在圖1中，引線框31的中間部分形成為在傾斜的方向上延伸，然而，引線框31的中間部分可形成為豎直延伸形狀或者在基本上豎直的方向上延伸的形狀。無論引線框是什么形狀，它可從作為與模制樹脂連接的連接部分的一端到作為與基板連接的連接部分的另一端由相同的材料一體形成。第一封裝體10的第一半導(dǎo)體芯片11和第二封裝體20的第二半導(dǎo)體芯片21的構(gòu)造沒有特別限制，并且可采用具有各種功能的半導(dǎo)體芯片。具體地講，例如，第一半導(dǎo)體芯片11可用作處理電路，而第二半導(dǎo)體芯片21可用作存儲(chǔ)電路。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，例如，能夠如下所述制造半導(dǎo)體裝置。首先，如圖2所示，制備內(nèi)插板12。內(nèi)插板12的構(gòu)造為配線層17水平且豎直地形成在型芯材料上。在配線層17當(dāng)中，內(nèi)插板12的表面上的配線層17是焊盤17A。隨后，如圖3所示，作為管芯焊接工藝，第一半導(dǎo)體芯片11采用導(dǎo)電或絕緣膏13 被管芯焊接到內(nèi)插板12。隨后，如圖4所示，作為配線連接工藝，第一半導(dǎo)體芯片11上的電極焊盤(圖中未示出)和內(nèi)插板12的內(nèi)部引線圖案(配線層17)采用金線14彼此連接。隨后，如圖5所示，由引線框31和模制樹脂32形成的周邊封裝體30在引線框31 的前端部中采用導(dǎo)電膏被管芯焊接到暴露到內(nèi)插板12的表面的焊盤17A。隨后，如圖6所示，作為模制工藝，僅在內(nèi)插板12的一個(gè)表面上將第一半導(dǎo)體芯片 11、金線14和周邊封裝體30(31和3 用模制樹脂15密封，從而形成封裝體。此時(shí)，通過使周邊封裝體30的上表面與模具的壁面接觸，周邊封裝體30的引線框31和模制樹脂32 暴露到封裝體的上表面。隨后，如圖7所示，作為球安裝工藝，作為外部端子的焊料球16安裝在內(nèi)插板12 的后表面上，并且采用回流法牢固地固定。以這種方式，完成了圖1所示的第一封裝體(下封裝體)10。這里，圖8中示出了圖7所示封裝體(第一封裝體10)的平面圖，其中周邊封裝體 30 (31和32)的構(gòu)造是TSOP。如圖8所示，引線框31的一端的基本上圓形的部分埋設(shè)在周邊封裝體30的模制樹脂32的左右邊緣處形成的基本上圓形的孔中。在引線框31中，與模制樹脂32連接的連接部分附近的部分暴露到第一封裝體10的模制樹脂15的表面。其后，第二封裝體(上封裝體)20的下表面上的焊料球25連接到周邊封裝體30 的引線框31 (特別是連接到圖8所示的基本上圓形的前端部)，其暴露到第一封裝體(下封裝體)10的上表面。以這種方式，能夠制造根據(jù)圖1所示實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。
另外，可如下所述制造周邊封裝體30。制備如圖9A所示線性延伸的引線框31。隨后，如圖9B所示，作為模制工藝，引線框31的一個(gè)端部用模制樹脂32密封。隨后，如圖9C所示，作為引線形成工藝，引線框31位于模制樹脂32外側(cè)的外部引線部分形成為具有預(yù)定的鷗形翼形狀。以這種方式，能夠制造由引線框31和模制樹脂32形成的周邊封裝體30。在根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造中，引線框31的一端用模制樹脂32密封且固定，構(gòu)成周邊封裝體30。另外，引線框31的另一端連接到內(nèi)插板12的上表面?zhèn)鹊暮副P 17A，并且引線框31與模制樹脂32連接的連接部分和模制樹脂32暴露到第一封裝體10的上表面。引線框31從作為與模制樹脂32連接的連接部分的一端到作為與焊盤17A連接的連接部分的另一端由相同的材料一體形成。以這種方式，能夠容易且成本低地采用現(xiàn)有技術(shù)的周邊封裝體制造技術(shù)制造由引線框31和模制樹脂32形成的周邊封裝體30。另外，因?yàn)橐€框31從與模制樹脂32連接的連接部分到與焊盤17A連接的連接部分由相同的材料一體形成，所以能夠在內(nèi)插板12和第一封裝體10的上表面之間以低的材料成本進(jìn)行電連接。此外，引線框31與模制樹脂32連接的連接部分暴露到第一封裝體10的上表面， 并且第二封裝體20的焊料球25電連接到該連接部分，從而構(gòu)成具有PoP結(jié)構(gòu)的封裝體。因此，通過采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的構(gòu)造，能夠以低成本構(gòu)造且制造具有PoP結(jié)構(gòu)的封裝體。另外，能夠采用引線框31使與第二封裝體20連接的連接部分從內(nèi)插板12與焊盤 17A連接的連接部分的正上方分離。以這種方式，能夠改善第二封裝體20的構(gòu)造自由度。例如，即使第二封裝體20小于第一封裝體10，第二封裝體20也可被連接。例如，能夠采用通用的封裝體或標(biāo)準(zhǔn)的封裝體作為第二封裝體。通過采用通用的封裝體或標(biāo)準(zhǔn)的封裝體，能夠降低開發(fā)成本，并且縮短開發(fā)周期。另外，圖1示出了第一封裝體10和第二封裝體20彼此連接的狀態(tài)，然而，例如，采用根據(jù)該實(shí)施例的構(gòu)造也能夠制造和銷售第一封裝體10的單一體，其對(duì)應(yīng)于通用的第二封裝體20或標(biāo)準(zhǔn)的第二封裝體20。<2.修改示例>在上述的實(shí)施例中，第二封裝體20和周邊封裝體30之間的連接采用第二封裝體 20的基板的下表面形成的焊料球25實(shí)現(xiàn)。在該修改示例中，第二封裝體和第一封裝體的上表面(周邊封裝體)之間的電連接不限于焊料球，而是可具有另外的構(gòu)造。例如，示例了格柵陣列封裝(Land GridArray, LGA)、引腳陣列封裝(Pin GridArray, PGA)和各向異性導(dǎo)電層等。在上述的實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體芯片11和第二半導(dǎo)體芯片21分別用模制樹脂15 和模制樹脂M密封，并且模制樹脂32連接到引線框31的一端。在該修改示例中，連接到密封半導(dǎo)體芯片的絕緣材料或引線一端的模制材料不限于模制樹脂，而是可為絕緣材料(陶瓷等)或者由其他材料形成的模制材料。當(dāng)模制樹脂用作絕緣材料或模制材料時(shí)，與其他材料相比，能夠易于密封并實(shí)現(xiàn)低成本。在上述的實(shí)施例中，其中配線層17水平且豎直地形成在型芯材料上的內(nèi)插板12用作第一封裝體的基板。在該修改示例中，具有另外構(gòu)造的基板可用作第一封裝體(下封裝體)的基板?？蔀檫@樣的構(gòu)造，其中半導(dǎo)體芯片安裝到基板，引線可電連接到形成在該板的上表面上的配線層或焊盤，并且到封裝體外部的電連接可在下表面等處實(shí)現(xiàn)。在上述的實(shí)施例中，層疊兩個(gè)封裝體以形成具有PoP結(jié)構(gòu)的封裝體。然而，在該修改示例中，能夠?qū)盈B三個(gè)或更多個(gè)封裝體。在該修改示例中，由引線和模制材料形成的連接構(gòu)件用于在層疊的η個(gè)封裝體(η 是2或更大的自然數(shù))當(dāng)中從下數(shù)的第一封裝體到第(η-1)個(gè)封裝體。本申請(qǐng)包含2010年12月2日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng) JP2010-269105中公開的相關(guān)主題，其全部?jī)?nèi)容通過引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 基板；半導(dǎo)體芯片，安裝在該基板上；封裝體，通過采用絕緣材料密封該基板的上表面和該半導(dǎo)體芯片而被構(gòu)造； 模制材料，暴露到該封裝體的上表面；以及引線，該引線的一端連接到該模制材料，該引線的另一端電連接到該基板，該引線從與該模制材料連接的連接部分到與該基板連接的連接部分由相同的材料一體形成，并且該引線與該模制材料連接的該連接部分暴露到該封裝體的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括焊盤，形成在該基板的上表面上，并且該引線的該另一端與該焊盤電連接。
3.一種半導(dǎo)體裝置，包括 基板；第一半導(dǎo)體芯片，安裝在該基板上；第一封裝體，通過采用絕緣材料密封該基板的上表面和該第一半導(dǎo)體芯片而被構(gòu)造； 模制材料，暴露到該第一封裝體的上表面；引線，該引線的一端連接到該模制材料，該引線的另一端電連接到該基板，該引線從與該模制材料連接的連接部分到與該基板連接的連接部分由相同的材料一體形成，并且該引線與該模制材料連接的連接部分暴露到該第一封裝體的上表面； 第二半導(dǎo)體芯片；以及第二封裝體，通過采用絕緣材料密封該第二半導(dǎo)體芯片而被構(gòu)造，并且該第二封裝體電連接到暴露到該第一封裝體的表面的該引線與該模制材料連接的連接部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括焊盤，形成在該基板的該上表面上，并且該引線的該另一端與該焊盤電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括焊料球，形成在該第二半導(dǎo)體芯片的下表面上，并且電連接到暴露到該第一封裝體的上表面的該引線與該模制材料連接的連接部分。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 將半導(dǎo)體芯片安裝到基板上；將一端連接到模制材料的引線的另一端的部分電連接到該基板，該引線從與該模制材料連接的連接部分到該另一端由相同的材料一體形成；以及通過采用絕緣材料密封該基板的上表面、半導(dǎo)體芯片、該引線和該模制材料而形成封裝體，以將該引線與該模制材料連接的該連接部分和該模制材料暴露到該封裝體的上表
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該半導(dǎo)體裝置包括基板、安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片、基板的上表面和半導(dǎo)體芯片采用絕緣材料密封的封裝體以及暴露到封裝體的上表面的模制材料。另外，該裝置包括其一端連接到模制材料且另一端電連接到基板的引線，該引線從與模制材料連接的連接部分到與基板連接的連接部分由相同的材料一體形成，并且該引線與模制材料連接的連接部分暴露到封裝體的上表面。
文檔編號(hào)H01L25/10GK102487051SQ20111037996
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月2日
發(fā)明者本城廣 申請(qǐng)人:索尼公司