專利名稱：具有電磁屏蔽的半導(dǎo)體器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體器件的封裝。更具體地，本公開涉及屏蔽了電磁干擾(EMI)的四方扁平無引線(QFN)半導(dǎo)體器件封裝。
背景技術(shù)：
在基于引線框的半導(dǎo)體器件封裝中，通過導(dǎo)電引線框在至少一個(gè)半導(dǎo)體器件和諸如印刷電路板的外部電路之間傳輸電信號(hào)。引線框包括多根引線，每一根具有內(nèi)引線端和相對(duì)的外引線端。內(nèi)引線端與器件上的輸入/輸出焊盤電連接，并且外引線端提供封裝體之外的端子。在外引線端終止在封裝體面上的情況下，封裝被稱為“無引線”封裝。公知的無引線封裝的示例包括四方扁平無引線(QFN)封裝，其具有設(shè)置在正方形封裝體底部的外緣周圍的四組引線。在本申請(qǐng)人一同擁有的、于2004年8月11日提交的美國(guó)專利No. 7563648 中公開了 QFN封裝以及制造該封裝的方法，該專利在此通過引用而將其全部?jī)?nèi)容并入。在無引線封裝中，通常使用導(dǎo)線接合(wire bonding)法、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)法或者倒裝芯片法將半導(dǎo)體器件連接到內(nèi)引線端。在導(dǎo)線接合或者TAB法中，內(nèi)引線端在距離器件的一定距離上終止，并且通過細(xì)直徑導(dǎo)線或者導(dǎo)電帶與器件頂上的輸入/輸出(I/ 0)焊盤電互連?？梢杂梢€圍繞的支撐焊盤來支撐器件。在倒裝芯片法中，引線框的內(nèi)引線端在器件下延伸，并且倒裝器件，以便器件上的I/O焊盤通過直接電連接(例如，焊料連接)接觸內(nèi)引線端。在現(xiàn)代封裝技術(shù)中，使用互連的引線框矩陣來允許同時(shí)制造多個(gè)封裝。這類技術(shù)通常包括使用焊料、環(huán)氧樹脂、雙面粘合帶等將器件緊固到矩陣中每個(gè)引線框的中央支撐焊盤。接下來，將每個(gè)引線框的引線導(dǎo)線接合到器件上的I/O焊盤。在導(dǎo)線接合后，使用例如轉(zhuǎn)移或者注入模制工藝將器件、鍵合導(dǎo)線和引線的至少一部分包封在塑料中。接下來，通過鋸切或者沖壓將封裝單元化(Singulate)，露出每個(gè)封裝的引線的剩余部分以電連接到外部電路。在圖IA中示出了典型的單元化的QFN封裝(其中使用導(dǎo)線接合技術(shù)連接器件) 的截面圖。器件1通過粘合層2緊固到支撐焊盤3 ；導(dǎo)線4將器件頂表面上的I/O焊盤連接到引線14。通過模制料(m0ldingC0mp0imd)5(例如，聚合樹脂)覆蓋器件、導(dǎo)線接合連接和引線。接下來，通過刀片、噴水器等鋸切將封裝11與相鄰封裝分離；鋸切操作使得封裝面和引線14的一部分露出。如圖IB中所示，在另一種QFN封裝布置中，封裝12具有與封裝11類似的特征，除了蝕刻引線15以在鋸切之前去除它們厚度的大約一半。引線15因而被稱為“半蝕刻”引線，而引線14是“全”引線。模制料5覆蓋引線，以使得封裝12 (在被單元化之后)具有模制料而非導(dǎo)電材料的角17。圖IC中示出了具有全引線并且由沖壓工藝單元化的QFN封裝。在封裝13中，模制料具有斜邊18并且引線16的頂表面的一部分露出。在封裝Il-I3中，半導(dǎo)體器件1密封在模制料5中(例如，樹脂聚合物塊)，其提供器件的環(huán)境保護(hù)。然而，這類設(shè)備仍然易于受到電磁干擾(EMI)、特別是降低器件性能的射頻(RF)干擾的影響。因此，期望提供具有EMI屏蔽和環(huán)境屏蔽的半導(dǎo)體器件封裝。在上述QFN封裝中，提供RF屏蔽提出了可以結(jié)合圖2理解的挑戰(zhàn)。圖2示出了在單元化之前具有相鄰角的4個(gè)封裝的俯視圖。每個(gè)封裝具有器件支撐焊盤21和引線22 (圖 2中僅示出了與每個(gè)焊盤相對(duì)的四根引線)。焊盤21通過連桿25連接；引線通過連桿觀連接。焊盤通常與連桿共面并且與引線的相鄰端共面(例如，在封裝11中焊盤3的頂表面 8與引線14的頂表面9共面)。有效的RF屏蔽物應(yīng)當(dāng)與焊盤電接觸，但不與共面引線電接觸。在單元化之后(沿著邊界線沈切割并由此去除連桿觀)，每個(gè)封裝將具有分別與引線 22和連桿25 —同在23和27露出的面。期望為封裝提供RF屏蔽物，以使得器件的上面和下面都被屏蔽，即，在避免與引線短路的同時(shí)覆蓋模制料的頂部并且還連接到導(dǎo)電支撐焊
ο

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種具有對(duì)RF干擾的屏蔽的半導(dǎo)體器件的封裝。 該封裝包括具有引線和連桿的引線框。引線具有連接到器件的內(nèi)端和具有暴露面的延伸到封裝側(cè)面的外端。連桿具有延伸到封裝側(cè)面、也具有暴露面的端。模制料覆蓋引線框并且形成封裝側(cè)面的一部分。導(dǎo)電屏蔽物覆蓋引線框上面的模制料以形成封裝的頂表面。連桿的該端的暴露面具有相對(duì)于引線的該端的暴露面的上邊緣垂直位移的上邊緣。因此，屏蔽物與鄰近其暴露面的連桿電接觸，而與引線電隔離。根據(jù)本公開的另一方面，一種制造半導(dǎo)體器件的封裝的方法包括一下步驟提供包括引線和連桿的引線框，其中引線和連桿的每一個(gè)具有頂表面和底表面。在引線和連桿它們各自的外端處(鄰近引線框的邊界)形成凹槽；在引線中相對(duì)于其頂表面形成凹槽，并且在連桿中相對(duì)于其底表面形成凹槽。施加模制料以覆蓋引線框。接下來，執(zhí)行切割處理以形成切口，該切口部分垂直地延伸穿過引線框邊界上的模制料并且與第一和第二凹槽對(duì)齊，從而露出連桿的一部分。形成覆蓋模制料并且處于切口的兩側(cè)和底部的導(dǎo)電屏蔽材料層，以使屏蔽材料與連桿的暴露部分電接觸。接下來，在引線框的邊界且與切口對(duì)齊地執(zhí)行單元化處理，從而形成封裝側(cè)面。封裝側(cè)面因而包括設(shè)置在其上部、模制料的暴露部分、弓丨線外端的暴露面和連桿該端的暴露面上的屏蔽材料。在上述方法中，可以使用塊料模制(block mold)工藝施加模制料。又根據(jù)本公開的另一方面，使用口袋模制(pocket mold)工藝施加模制料，以使模制料不覆蓋引線框鄰近引線框邊界的部分。因此，在無需切割處理的情況下，導(dǎo)電屏蔽材料層接觸引線框的該部分。可以通過鋸切或者沖壓執(zhí)行隨后的單元化處理。在以下的附圖和說明書中闡述了本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。通過說明書、附圖和權(quán)利要求，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)明顯。


圖IA示意性地例示了具有全引線并且通過鋸切單元化的QFN封裝的截面圖。圖IB示意性地例示了具有半蝕刻引線并且通過鋸切單元化的QFN封裝的截面圖。圖IC示意性地例示了具有全引線并且通過沖壓?jiǎn)卧腝FN封裝的截面圖。
圖2示意性地例示了在單元化之前具有相鄰角的4個(gè)封裝的俯視圖。圖3A和;3B分別例示了根據(jù)本公開實(shí)施例的引線和連桿的半蝕刻。圖4A-4F例示了根據(jù)本公開實(shí)施例的受屏蔽且被單元化的器件封裝的形成。圖5A和5B分別是圖4D的部分鋸切在引線和連桿處的局部視圖。圖5C和5D分別是與圖5A和5B相比更深的部分鋸切在引線和連桿處的局部視圖。圖6A和6B分別是具有圖4F的窄鋸切的圖5A和5B的引線和連桿的局部視圖。圖6C和6D分別是具有圖4F的窄鋸切的圖5C和5D的引線和連桿的局部視圖。圖7是根據(jù)本公開實(shí)施例的半導(dǎo)體器件封裝的引線框的俯視立體圖。圖8是圖7的引線框的角的局部視圖。圖9是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的具有電磁屏蔽的封裝的角的局部視圖。圖IOA和IOB例示了根據(jù)本公開實(shí)施例的受屏蔽的器件封裝的形成，其中使用塊料模制工藝形成封裝。圖IlA和IlB例示了根據(jù)本公開另一實(shí)施例的受屏蔽的器件封裝的形成，其中使用口袋模制工藝形成封裝。圖12例示了根據(jù)本公開又另一實(shí)施例的受屏蔽的器件封裝的形成，其中使用口袋模制工藝形成封裝。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本公開的實(shí)施例，形成具有半蝕刻引線和半蝕刻連桿的QFN封裝。圖3A示出了相鄰引線框的引線22 ；在單元化處理中沿著邊界沈分離這些引線。從頂表面30開始蝕刻引線，以在其中形成凹槽31，邊界沈接近其中心線。凹槽31具有接近引線22的一半厚度的深度31a ；表面52形成凹槽31的底部。如圖;3B中所示，從底表面32開始蝕刻連桿25，以在其中形成凹槽33，邊界沈接近其中心線。凹槽33具有接近連桿25的一半厚度的深度33b。在圖:3B所示的實(shí)施例中， 凹槽33僅比單元化通道稍寬。在其它實(shí)施例中，凹槽33可以朝著管芯焊盤橫向延伸，以半蝕刻全部或者基本上全部連桿25。圖4A給出了半蝕刻處理之后的引線框的截面圖。在每一個(gè)相鄰的引線框中(即， 在單元化之前)，每根引線22具有接近焊盤21的內(nèi)端和延伸至邊界沈的外端。在各自的半蝕刻處理中形成了凹槽31和33之后，器件支撐焊盤21、引線22和連桿25的基本上共面的底表面被粘附到表面40。在所示的實(shí)施例中，表面40形成在粘合帶上。接下來，如圖 4B中所示，使用粘合材料42將器件41附著于支撐焊盤并且通過導(dǎo)線44將器件41連接到引線。如圖4C中所示，通過模制料45包封器件。而且，模制料45覆蓋引線框的暴露面并且填充引線框中位于其頂表面和底表面的凹槽(包括凹槽31和33)。接下來，如圖4D中所示，執(zhí)行部分單元化處理；沿著邊界線沈形成鋸切口 46。鋸切口的深度為使得該切口的底部與引線22的頂表面30的平面平齊，或者稍低。圖5A和5B是示出關(guān)于引線和連桿的部分切割處理的結(jié)果的局部視圖。如圖5A中所示，鋸切口 46的底部46b與引線22的頂表面30幾乎共面。然而，引線沒有露出，因?yàn)殇徢锌谂c凹槽31對(duì)齊；因此，切口的底部46b沒有延伸到位于凹槽31的底部的金屬表面52。 將鋸片的寬度選擇為遠(yuǎn)遠(yuǎn)窄于凹槽31，以使得鋸切的微小失準(zhǔn)將不會(huì)導(dǎo)致引線露出。相對(duì)照地，如圖5B中所示，鋸切口 46至少向下延伸到連桿25的頂表面的平面，以使連桿表面的一部分53露出。圖5C和5D例示了關(guān)于鋸切口 46的深度可獲得的工藝窗口。在圖5C中，鋸切口比圖5A中的深，但只要鋸切口的底部保持在凹槽表面52之上，則引線的表面不會(huì)露出。因此，鋸切口 46的深度的工藝窗口與凹槽31的深度31a有關(guān)。類似地，在圖5D中，鋸切口比圖5B中的深，以使鋸切口 46進(jìn)一步延伸進(jìn)連桿25，除表面部分53之外還露出垂直表面M。在一個(gè)實(shí)施例中，引線框的厚度(S卩，表面30和32之間的距離)是8密耳(0.008 英寸或者0. 02毫米)，凹槽31和33的深度31a和3 通常是引線框厚度的50%到大約 65 %，或者4密耳(0. 004英寸或者0. 10毫米)到大約5. 2密耳(0. 0052英寸或者0. 13毫米)。因此，圖5D中的鋸切口 46可以在穿過表面30之后延伸大約0.05mm (50 μ m)以保證露出表面部分53而避免露出表面52。如圖4E中所示，在模制料45的頂表面以及在鋸切口 46的側(cè)面和底表面上沉積RF 屏蔽的導(dǎo)電材料50?？梢酝ㄟ^各種工藝(例如，噴涂、浸涂(dip)、浸鍍(immersion)、電鍍等)施加屏蔽材料。如圖4E中所示，屏蔽材料50不與引線22接觸。然而，由于鋸切口 46 露出了連桿表面的一部分53，所以屏蔽材料接觸連桿25。在該實(shí)施例中，在沉積材料50之后去除底表面上的保護(hù)粘合帶。替代地，如果RF 屏蔽材料與引線框的最終材料(例如，Sn)相同，則可以在去除粘合帶之后沉積屏蔽物。還可以在去除粘合帶之后執(zhí)行屏蔽材料的無電鍍或者電解電鍍。如圖4F中所示，由形成鋸切口 51的第二鋸切處理來執(zhí)行最終的單元化。在該實(shí)施例中，使用比第一鋸切更窄的鋸片。圖6A和6B是分別示出引線和連桿處的第二鋸切的結(jié)果的局部視圖。在圖6A和6B中，屏蔽材料設(shè)置在各單元化的封裝的側(cè)面上，并且向下延伸到引線框的頂表面30的平面。由于上述的半蝕刻處理，屏蔽材料50不與引線22接觸， 但接觸連桿25。如圖6A中所示，鋸切口 51使位于引線22的一端并且鄰近引線框的底表面 32的區(qū)域IM露出。鋸切口 51將凹槽31 (由模制料45填充)劃分為兩段126，每一段鄰近頂表面30。凹槽段126的側(cè)壁64沒有露出并且通過模制料45與屏蔽材料50隔開。如圖6B中所示，鋸切口 51使位于連桿25的一端并且鄰近引線框的頂表面30的區(qū)域94露出。 屏蔽材料50向下延伸到露出區(qū)域94并且與其相連。鋸切口 51將連桿25的凹槽33 (由模制料45填充)劃分為兩段96，每一段從鋸切口 51所形成的角和底表面32開始橫向延伸。 如上面關(guān)于圖:3B所述，凹槽33可以朝著管芯焊盤橫向延伸，以半蝕刻全部或者基本上全部連桿25。因此，在每一個(gè)單元化的封裝中，凹槽96可以沿著連桿25的整個(gè)長(zhǎng)度延伸。通過區(qū)域IM和表面52的交點(diǎn)限定露出區(qū)域124的上邊緣；通過區(qū)域94和表面 30的交點(diǎn)限定露出區(qū)域94的上邊緣。作為形成凹槽31的結(jié)果，表面30高于表面52。因此，通過凹槽31的深度31a確定區(qū)域94和124的各上邊緣在封裝側(cè)面上的垂直位移。在第一鋸切延伸到引線框的頂表面30的平面之下的情況下(圖5C和5D)，圖6C 和6D分別示出了第二鋸切的結(jié)果。在圖6C中，與圖6A中相比，屏蔽材料50朝著引線22 的端進(jìn)一步延伸，但仍然不與引線接觸。在圖6D中，屏蔽材料50覆蓋連桿25的暴露端，并因此如同圖6B中一樣與連桿電接觸。第二鋸切處理具有相對(duì)于切口 51的深度而言的寬工藝窗口。鋸切口 51 (從表面 32開始延伸)僅僅需要穿過鋸切口 46的底部的屏蔽材料；因此，鋸切口 51的深度不取決于鋸切口 46的深度。選擇第二鋸片的寬度以使得即使第一和第二鋸片存在微小失準(zhǔn)，第二鋸切也能穿過鋸切口 46的底部，并且使得第二鋸片不損壞鋸切口 46的側(cè)壁上的屏蔽材料 50。因此，鋸片寬度的差別至少是所沉積的屏蔽材料的厚度的兩倍。有利的是，翻轉(zhuǎn)引線框的底部來執(zhí)行第二鋸切處理，以從表面32開始向下進(jìn)行第二鋸切。圖7中示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的單元化的封裝的引線框。(出于清楚的目的，省略了模制料和屏蔽材料。)引線22(以及它們與器件支撐焊盤21相對(duì)的內(nèi)端)延伸至封裝的四側(cè)，以使它們外端上的表面1 在封裝的側(cè)面露出。連桿25 (與器件支撐焊盤21 — 體)從焊盤開始朝著封裝的角對(duì)角地延伸。連桿終止于在封裝側(cè)面上露出的表面94。圖8是示出圖7引線框的一個(gè)角的局部視圖。弓丨線22和連桿25具有共同的頂表面30和底表面32。應(yīng)當(dāng)理解，表面30和32分別延伸到管芯焊盤的頂表面和底表面。然而，在封裝側(cè)面，引線22具有凹槽126，而連桿25具有凹槽96。因此，暴露面IM和94處在相對(duì)于頂表面和底表面的不同高度上。如上所述，由于表面30高于表面52，暴露面124 和94的上邊緣具有由引線中凹槽31的深度31a給出的垂直位移。如上面關(guān)于圖和6B 所述，凹槽96可以從封裝面開始朝著管芯焊盤延伸，以使連桿25 (在具有與引線22共面的頂表面30時(shí))可以具有接近引線厚度的一半的厚度。圖9示出了包括模制料45和屏蔽材料50的相同引線框角。屏蔽材料50覆蓋模制料45且形成封裝的頂表面，并且向下延伸以形成封裝側(cè)面的上部。表面94相對(duì)于表面 124(其鄰近引線框的底表面)垂直位移。屏蔽材料50與表面94相連續(xù)，并由此電連接到連桿25和器件支撐焊盤21，但與表面124隔離。因此，在器件的上面、四周和下面提供RF 屏蔽，而封裝的引線具有暴露面124以電連接至外部電路。圖9例示了鋸切口 46使連桿25的頂表面露出，但基本上不切進(jìn)連桿(參見圖6B) 的情況。在此情況下，屏蔽物50與連桿接觸但基本上不覆蓋露出的端表面94。在鋸切口 46更深(參見圖6D)的情況下，屏蔽物覆蓋連桿端的至少一部分，以減小處于連桿端的暴露面的高度。將會(huì)認(rèn)識(shí)到，可以通過塊料模制或者口袋模制施加模制料(例如，聚合樹脂)。而且，可以在模制處理中施加屏蔽材料。圖IOA和IOB例示了根據(jù)本公開實(shí)施例的具有模制屏蔽物的塊料模制封裝的形成。在塊料模制處理中，通過模制料145覆蓋引線框陣列，以不露出意欲連接到屏蔽物的引線框部分。因此，需要部分切割處理(圖10A)來露出每個(gè)引線框的一部分。接下來，可以在模制料上施加屏蔽材料150(例如，通過注入模制工藝)，填充鋸切口 46，接觸引線框，并且在封裝的頂部形成層(圖10B)。可以使用合適的工藝(鋸切、 激光切割、水切(water ablation)等)將封裝單元化。圖IlA和IlB例示了根據(jù)本公開又一實(shí)施例的具有模制屏蔽物的口袋模制封裝的形成。在圖IlA中示出了具有由口袋模制施加的模制料245的引線框的陣列。口袋模制工藝在模制料245中沿著引線框之間的邊界留下空腔M6 (圖11A)。因此，露出意欲連接到屏蔽物的引線框部分(在這些實(shí)施例中，連桿的外端)。因此，不需要部分切割處理。接下來， 可以在模制料上施加屏蔽材料250 (例如，通過注入模制工藝)，填充空腔M6，接觸引線框， 并且在封裝的頂部形成層(圖11B)。如前一實(shí)施例中一樣，可以使用多種工藝中的任何一種將封裝單元化。在另一實(shí)施例中，如圖12所示，形成具有由口袋模制施加的模制料M5的引線框的陣列，如圖IlA中一樣；接下來，在模制料245的頂表面沉積用于RF屏蔽的導(dǎo)電材料350 的共形層?？梢酝ㄟ^噴涂或者另外的合適工藝(例如，浸涂、浸鍍、電鍍等)施加屏蔽材料 350。在該實(shí)施例中，可以通過沖壓以及鋸切、激光切割、水切等將封裝單元化。上述封裝的每一個(gè)具有附著于支撐焊盤并且與引線導(dǎo)線連接的單個(gè)器件。在本公開的又一實(shí)施例中，可以按單層或者按疊層布置將多個(gè)器件附著于焊盤。還可以在封裝中包含無源元件并且在施加RF屏蔽物之前將無源元件與器件和/或引線進(jìn)行導(dǎo)線連接；因此，可以提供受屏蔽的系統(tǒng)級(jí)封裝。在附加實(shí)施例中，可以按倒裝芯片的布置將器件附著于引線。為了向器件提供更完全的屏蔽，可以在器件下面(即，與器件相對(duì)并且遠(yuǎn)離器件)設(shè)置連接到屏蔽物但不與器件接觸的導(dǎo)體。盡管已經(jīng)根據(jù)特定實(shí)施例描述了本公開，但鑒于前述說明，很顯然，許多替代、修改及變化對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是明顯的。因此，本公開意欲涵蓋落入本公開和下列權(quán)利要求的范圍和精神之內(nèi)的所有這類替代、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的封裝，包含 引線框，包括引線，具有連接到所述器件的內(nèi)端和延伸到所述封裝的側(cè)面的外端，所述引線的所述外端具有在所述封裝的所述側(cè)面露出的第一表面，以及連桿，具有延伸到所述封裝的所述側(cè)面的一端，所述連桿的所述端具有在所述封裝的所述側(cè)面露出的第二表面；模制料，覆蓋所述引線框并且形成所述封裝的所述側(cè)面的一部分；以及導(dǎo)電屏蔽物，覆蓋所述引線框上方的所述模制料以形成所述封裝的頂表面并且由此向下延伸以形成所述封裝的所述側(cè)面的上部，其中所述第二表面具有相對(duì)于所述第一表面的上邊緣垂直位移的上邊緣，以及所述屏蔽物與鄰近所述第二表面的所述連桿電接觸，而與所述引線電隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝，還包含連接到所述連桿并由此連接到所述屏蔽物的用于所述器件的支撐焊盤。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝，還包含所述半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件附著于所述支撐焊盤并且電連接至所述弓I線。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述引線框具有頂表面和底表面，所述引線和所述連桿的頂表面和底表面除了凹槽部分之外分別與所述引線框的所述頂表面和所述底表面共面。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述引線的所述外端具有相對(duì)于所述引線框的所述頂表面的凹槽部分，以使所述第一表面鄰近所述引線框的所述底表面，而所述第一表面的所述上邊緣低于所述弓I線框的所述頂表面。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝，其中所述凹槽部分的頂表面低于所述連桿的所述頂表面。
7.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述連桿的至少一個(gè)端部分具有相對(duì)于所述引線框的所述底表面的凹槽部分，以使所述第二表面鄰近所述引線框的所述頂表面，而所述第二表面的下邊緣在所述弓I線框的所述底表面之上。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述屏蔽物覆蓋所述連桿在所述封裝的所述側(cè)面的所述端的一部分。
9.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述引線框具有由其所述頂表面和所述底表面之間的距離給出的厚度， 所述弓I線的所述外端相對(duì)于所述弓I線框的所述頂表面凹入接近所述厚度一半，并且所述連桿的所述端相對(duì)于所述引線框的所述底表面凹入接近所述厚度一半。
10.如權(quán)利要求ι所述的封裝，還包含所述半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件以倒裝芯片的布置附著于所述引線。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝，還包含連接到所述連桿且與所述半導(dǎo)體器件相對(duì)、并且與其分開的導(dǎo)體。
12.一種制造半導(dǎo)體器件的封裝的方法，包含提供包括引線和連桿的引線框，所述引線框具有頂表面和底表面，在鄰近所述引線框的邊界的所述引線的外端處形成所述引線中相對(duì)于所述頂表面的第一凹槽；在鄰近所述引線框的邊界的所述連桿的至少一端處形成所述連桿中相對(duì)于所述底表面的第二凹槽；施加覆蓋所述引線框的模制料；執(zhí)行切割處理以形成切口，該切口部分垂直地延伸穿過位于所述引線框的所述邊界上的所述模制料并且與所述第一凹槽和所述第二凹槽對(duì)齊，從而露出所述連桿的一部分，形成覆蓋所述模制料并且位于所述切口的側(cè)面和底部上的導(dǎo)電屏蔽材料層，以使所述屏蔽材料與所述連桿的所述露出部分電接觸；在所述引線框的所述邊界并且與所述切口對(duì)齊地執(zhí)行單元化處理，從而形成封裝側(cè)面，所述封裝側(cè)面包括在其上部設(shè)置的屏蔽材料， 所述模制料的露出部分，位于所述引線的所述外端處的露出的第一表面，以及位于所述連桿的所述端處的露出的第二表面。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述引線框還包含連接到所述連桿的器件支撐焊盤。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包含提供所述半導(dǎo)體器件，將所述半導(dǎo)體器件附著于所述支撐焊盤并且將所述半導(dǎo)體器件電連接到所述弓I線。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述引線的頂表面和底表面與所述連桿的頂表面和底表面分別基本上共面，以使所述弓丨線和所述連桿的每一個(gè)具有基本上相等的厚度，并且所述第一凹槽和所述第二凹槽的每一個(gè)形成有大約所述厚度一半的深度。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中使用具有第一厚度的鋸執(zhí)行所述切割處理，并且所述單元化處理是使用具有比所述第一厚度小的第二厚度的鋸執(zhí)行的附加切割處理。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中使用鋸執(zhí)行所述切割處理，并且所述單元化處理是沖壓處理。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述引線框設(shè)置在粘合帶上，并且還包含在所述形成屏蔽材料層的步驟之后去除所述粘合帶的步驟。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中通過噴涂、浸涂、浸鍍、電鍍、無電鍍和電解電鍍中的一種或更多種形成所述屏蔽材料層。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中使用塊料模制施加所述模制料。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述形成所述屏蔽材料層的步驟包含所述屏蔽材料的注入模制。
22.一種制造半導(dǎo)體器件的封裝的方法，包含提供包括引線和連桿的引線框，所述引線框具有頂表面和底表面， 在鄰近所述引線框的邊界的所述引線的外端處形成所述引線中相對(duì)于所述頂表面的第一凹槽；在鄰近所述引線框的邊界的所述連桿的至少一端處形成所述連桿中相對(duì)于所述底表面的第二凹槽；使用口袋模制工藝在所述引線框上施加模制料，以使所述模制料不覆蓋所述引線框的鄰近所述引線框的所述邊界的部分；形成覆蓋所述模制料并且與所述模制料沒有覆蓋的所述引線框的所述部分接觸的導(dǎo)電屏蔽材料層；在所述引線框的所述邊界并且與所述第一凹槽和所述第二凹槽對(duì)齊地執(zhí)行單元化處理，從而形成封裝側(cè)面，所述封裝側(cè)面包括在其上部設(shè)置的屏蔽材料， 所述模制料的露出部分，位于所述引線的所述外端處的露出的第一表面，以及位于所述連桿的所述端處的露出的第二表面。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述單元化處理是切割處理和沖壓處理中的一種。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中通過噴涂、浸涂、浸鍍、電鍍、無電鍍和電解電鍍中的一種或更多種形成屏蔽材料層。
25.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述形成所述屏蔽材料層的步驟包含所述屏蔽材料的注入模制。
全文摘要
本公開涉及具有電磁屏蔽的半導(dǎo)體器件封裝。半導(dǎo)體器件的封裝包括對(duì)RF干擾進(jìn)行屏蔽。該封裝具有引線框，引線框具有引線和連桿。引線具有連接到器件的內(nèi)端和具有處于封裝側(cè)面的暴露面的外端。連桿也包含具有處于封裝側(cè)面的暴露面的端。覆蓋引線框的模制料形成側(cè)面的一部分。導(dǎo)電屏蔽物形成封裝的頂表面，并且由此向下延伸以形成封裝側(cè)面的上部。連桿端處的暴露面具有比引線端的暴露面的上邊緣高的上邊緣。因此，屏蔽物與鄰近其暴露面的連桿電接觸，而與引線電隔離。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102479767SQ20111037700
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月24日
發(fā)明者A·C·托里亞加, A·蘇巴吉奧, M·H·麥克埃里格哈恩, R·S·圣安東尼奧 申請(qǐng)人:宇芯(毛里求斯)控股有限公司