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太陽(yáng)能晶體硅片、電池片及太陽(yáng)能發(fā)電裝置的制作方法

文檔序號(hào):7161405閱讀:192來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):太陽(yáng)能晶體硅片、電池片及太陽(yáng)能發(fā)電裝置的制作方法
太陽(yáng)能晶體硅片、電池片及太陽(yáng)能發(fā)電裝置技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及以晶體硅或鑄造晶體硅或硅合金為主體的太陽(yáng)能電池片和晶體硅片及太陽(yáng)能發(fā)電裝置。鑄造晶體硅片或一些非鑄造的晶體硅片通常用來(lái)制作晶體硅太陽(yáng)能電池片,而晶體硅太陽(yáng)能電池片用來(lái)制作太陽(yáng)能發(fā)電裝置,例如太陽(yáng)能電池,或稱(chēng)光伏電池。本發(fā)明提出了改進(jìn)的鑄造和非鑄造晶體硅片、鑄造晶體硅太陽(yáng)能電池片和晶體硅太陽(yáng)能發(fā)電裝置。
背景技術(shù)
晶體硅(或硅合金)材料依據(jù)其制造方法的不同可分為鑄造晶體、直拉單晶(棒) 和區(qū)熔晶體。鑄造硅晶體從方法上區(qū)分,可分為坩堝鑄造硅晶體和無(wú)坩堝鑄造(例如電磁懸浮鑄造)硅晶體;從晶體結(jié)構(gòu)上區(qū)分,可分為鑄造多晶硅和鑄造單晶硅。直拉單晶(棒) 和區(qū)熔晶體,由于晶體生長(zhǎng)方式和熱場(chǎng)控制的要求,其主體部分通常呈近似圓柱體形。
光伏發(fā)電裝置由于發(fā)電功率是面積依賴(lài)性的,通常需要多個(gè)電池片在單位面積內(nèi)拼排成最大有效面積,因而,適應(yīng)于硅錠切割和電池片密排,現(xiàn)有的光伏用電池片和硅片通常采用等邊的四邊形的輪廓形狀,具有四個(gè)角部位。
將鑄造硅晶體制成硅片,現(xiàn)有方法是將整塊的晶體錠或棒剖分成多個(gè)較小的正四棱柱形的娃塊,俗稱(chēng)娃方錠,再經(jīng)棱部倒角處理,然后以娃方錠的任意一個(gè)沿棱柱或長(zhǎng)軸方向的娃方錠表面粘結(jié)固定在工裝上,加載于切片機(jī),沿垂直于長(zhǎng)軸的方向切片獲得娃片,例如中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)CN201010238223. 3所述。
將直拉單晶或區(qū)熔單晶棒制成硅片,現(xiàn)有方法是將近似圓柱體形的晶棒滾磨成圓棒,然后再沿與長(zhǎng)軸平行 方向切除圓棒外側(cè)部分晶體,將晶棒切割成四角帶圓弧曲面的等邊棱柱體,稱(chēng)娃方棒,然后以娃方棒的任意一個(gè)沿棱柱或長(zhǎng)軸方向的平面表面粘結(jié)固定在工裝上,加載于切片機(jī),沿垂直于長(zhǎng)軸的方向切片獲得硅片。制成帶圓弧曲面的方棒而不是制成正四棱柱形的方錠,是為了兼顧較大的硅片拼排面積和晶體的利用率,因?yàn)橹崩瓎尉Щ騾^(qū)熔單晶的加工成本較高。
上述現(xiàn)有方法制造的晶體硅片,外觀呈方形斜角或方形圓角,具有四個(gè)基本上等長(zhǎng)的邊緣輪廓線(側(cè)邊線)和靠近輪廓線端部的四個(gè)角部。
按現(xiàn)有的技術(shù)將娃方錠或娃方棒切割成娃片,加工成本較高,一方面是由于工序較多,加工周期長(zhǎng),硅原料和半成品庫(kù)存高,另一方面是由于加工設(shè)備昂貴,稼動(dòng)率低,設(shè)備產(chǎn)出能力低。隨著硅片切割新技術(shù)的應(yīng)用,諸如金剛石線鋸技術(shù)、高速切割工藝,切割速度快速提高,156硅片的單錠切割時(shí)間由原來(lái)的9小時(shí)左右縮短到4 6小時(shí),導(dǎo)致稼動(dòng)率進(jìn)一步降低。發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的之一是提供新型的改進(jìn)的太陽(yáng)能晶體硅片,和改進(jìn)的晶體硅太陽(yáng)能電池片,以及包含有該改進(jìn)的鑄造晶體硅太陽(yáng)能電池片的新型太陽(yáng)能發(fā)電裝置,以實(shí)現(xiàn)較低的硅片、電池片、和太陽(yáng)能發(fā)電裝置的加工或制造成本。同時(shí),本發(fā)明還提出了制造上述改進(jìn)的晶體硅片的方法。本發(fā)明的新型晶體硅片,包括單晶硅片和多晶硅片;本發(fā)明的新型晶體硅太陽(yáng)能電池片,包括單晶硅太陽(yáng)能電池片和多晶硅太陽(yáng)能電池片。
發(fā)明人經(jīng)過(guò)仔細(xì)分析發(fā)現(xiàn),加工周期長(zhǎng)的原因包括硅錠粘膠固定于工裝需要較長(zhǎng)的時(shí)間,將帶工裝的硅錠裝載到切片機(jī)并完成布線等切割準(zhǔn)備和切割后卸載、清理,也消耗大量時(shí)間,后者更降低了昂貴的切片機(jī)的稼動(dòng)率和產(chǎn)能,提高了設(shè)備折舊成本。
發(fā)明人通過(guò)深入研究和仔細(xì)計(jì)算發(fā)現(xiàn),將現(xiàn)有的按產(chǎn)出硅片片數(shù)的數(shù)量計(jì)算的單刀硅方錠粘膠或裝載、卸載時(shí)間,改為按產(chǎn)出硅片的面積計(jì)算,意外地得出結(jié)論通過(guò)降低粘膠面面積與獲得的硅片的總表面積的比值,可以降低生產(chǎn)單位硅片面積的粘膠時(shí)間和裝載、卸載時(shí)間,提高昂貴的切片設(shè)備的稼動(dòng)率。發(fā)明人發(fā)現(xiàn),將現(xiàn)有的等邊長(zhǎng)的圓角、弧角或斜角方形硅片,改為具有不等邊長(zhǎng)的圓角、弧角或斜角長(zhǎng)方形硅片,就可以降低粘膠面面積與獲得的硅片的總表面積的比值,從而降低成本,提高工效。
發(fā)明人還發(fā)現(xiàn),在硅片制造、電池片制造和電池片封裝成太陽(yáng)能發(fā)電裝置的生產(chǎn)線制造過(guò)程中,存在著大量對(duì)硅片和電池片進(jìn)行的空間不對(duì)稱(chēng)操作,而通過(guò)將硅片、電池片制成不對(duì)稱(chēng)的長(zhǎng)方形,可提高這些不對(duì)稱(chēng)操作以硅片或電池片面積計(jì)算的工作效率,從而增加生產(chǎn)線產(chǎn)出能力,降低成本。
根據(jù)上述分析和計(jì)算,并考慮到操作的可靠性和便利性,本發(fā)明設(shè)計(jì)出新型太陽(yáng)能晶體硅片,其為圓角或斜角或弧曲面角的長(zhǎng)方形硅片,具有主體為長(zhǎng)方形的輪廓,其特征是,構(gòu)成硅片所述的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
進(jìn)而獲得的本發(fā)明的晶體硅太陽(yáng)能電池片,為圓角或斜角或弧曲面角的長(zhǎng)方形晶體硅電池片,具有主體為長(zhǎng)方形的輪廓,其特征是,構(gòu)成電池片所述的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
根據(jù)同樣的構(gòu)思和方案獲得的本發(fā)明的太陽(yáng)能發(fā)電裝置,包含至少一個(gè)具有長(zhǎng)方形輪廓的晶體硅太陽(yáng)能電池片、封裝該太陽(yáng)能電池片的底板和透光的面板、收集電池片產(chǎn)生的電流的輸出端子,其特征是,構(gòu)成所述的電池片長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
本發(fā)明所述的上述晶體硅片、晶體硅電池片和太陽(yáng)能發(fā)電裝置的晶體硅太陽(yáng)能電池片的所述長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比,優(yōu)選1. 3 2. 5,進(jìn)一步優(yōu)選1. 45 2. 05。
本發(fā)明還提供了一種制造上述具有長(zhǎng)方形主體輪廓的晶體硅片的方法,包括,切割硅錠或硅棒,以獲得截面為長(zhǎng)方形或截面的主體為長(zhǎng)方形的四棱柱形晶體硅方錠或帶弧曲面的四棱柱形晶體硅方錠,任選對(duì)四棱柱形的硅方錠沿長(zhǎng)軸的棱作倒角、倒圓或去直角棱邊處理,然后以四棱柱形的晶體硅方錠與長(zhǎng)軸平行方向的較窄的一個(gè)側(cè)面的至少部分表面作為接觸面將硅方錠固定在工裝上,裝載于切片機(jī),沿垂直于長(zhǎng)軸的方向?qū)⒐璺藉V切割成娃片。
本發(fā)明還提供了上述制造具有長(zhǎng)方形主體輪廓的晶體硅片的方法的改進(jìn)方案,包括,將所述的硅方錠的作為固定于工裝的接觸面的較窄的側(cè)面的斜對(duì)側(cè)的側(cè)面的至少部分表面也作為接觸面貼緊或固定在工裝上。
本發(fā)明提出的上述長(zhǎng)方形的單晶或多晶的晶體硅片或電池片或太陽(yáng)能發(fā)電裝置的方案,相比同樣面積的方形硅片,允許更短的切割線行進(jìn)方向的切割距離,可降低硅片的TTV不良出現(xiàn)率,并降低硅片的厚度公差,允許更薄的硅片切割工藝,提高晶錠的硅片產(chǎn)出率,由此,本發(fā)明能顯著地降低硅片的制造成本,并因而降低電池片和太陽(yáng)能發(fā)電裝置的制造成本。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。


附圖示意本發(fā)明的新型晶體硅片1,其輪廓為長(zhǎng)方形,邊長(zhǎng)為a、b,角部外緣線標(biāo)示為Co
本發(fā)明的附圖為示意圖,圖中各部位所顯示的相對(duì)大小,依清楚地展示和方便繪圖的需要做了調(diào)整,并不代表實(shí)際的比例或尺寸。附圖中并未顯示硅片的厚度。本發(fā)明所述的硅片、電池片的厚度,可以依據(jù)使用需要而任意選取合適的厚度,通常,為節(jié)省材料,本發(fā)明的硅片、電池片的厚度值在100 300μπι。根據(jù)本發(fā)明,選取較薄的厚度,更容易體現(xiàn)本發(fā)明的產(chǎn)品提高成品率和降低成本的優(yōu)勢(shì)。
具體實(shí)施方式
附圖示意本發(fā)明的一種晶體硅片的實(shí)施方式。所述的硅片的具有長(zhǎng)方形的主體輪廓,邊長(zhǎng)分別為a,b。c示意硅片的非直角的角部外緣線。圖中可見(jiàn),所述的非直角的角部, 可視為從長(zhǎng)方形的直角部位去掉了一小部分直角而形成,其中,c遠(yuǎn)小于a或b。根據(jù)本發(fā)明,a/b值在1.1 4之間,優(yōu)選1. 3 2. 5,進(jìn)一步優(yōu)選1. 5 2。適用于制造太陽(yáng)能電池片,本發(fā)明中,b的大小一般在50 250mm,優(yōu)選100 200mm,進(jìn)一步優(yōu)選120 160mm,例如 125mm、156mm 等等。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為137. 5m m,邊長(zhǎng)b為125mm, c的長(zhǎng)度為3mm。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的另一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為150mm,邊長(zhǎng)b為125mm, c的長(zhǎng)度為2mm。
根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的再一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為187. 5mm,邊長(zhǎng)b為125mm, c的長(zhǎng)度為2. 5mm。
根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為220mm,邊長(zhǎng)b為110mm, c的長(zhǎng)度為2. 5mm。娃片的厚度為160 μ m。由于較短的邊長(zhǎng)b作為切割時(shí)切割線行進(jìn)方向切割的長(zhǎng)度,硅片近邊緣處(通常以長(zhǎng)邊所在的相對(duì)兩側(cè)距離邊緣6mm處為準(zhǔn))的厚度差或TTV可以控制在15微米以下,達(dá)到IOym左右,降低了硅片的厚度公差,因此,可以將硅片切割得更薄,從而提高了硅片的產(chǎn)出率。相比之下,現(xiàn)有技術(shù)的具有相同面積的方形娃片,其邊長(zhǎng)為156mm, TTV —般在15 30 μ m之間, 平均值在20 μ m左右,娃片的厚度最薄只能做到180 μ m。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為226mm,邊長(zhǎng)b為156mm, c的長(zhǎng)度為1. 8mm。娃片的厚度為180+/-20 μ m。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的多晶娃片的邊長(zhǎng)a為250mm,邊長(zhǎng)b為125mm, c的長(zhǎng)度為3. 5mm。娃片的厚度為180+/-15 μ m。
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的鑄造單晶娃片的邊長(zhǎng)a為500mm,邊長(zhǎng)b為125mm, c的長(zhǎng)度為3. 5mm。娃片的厚度為 200+/—15 u rtio在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的鑄造單晶娃片的邊長(zhǎng)a為281mm,邊長(zhǎng)b為156mm, c的長(zhǎng)度為3. 5mm。娃片的厚度為200+/—20 u rtio
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的鑄造單晶娃片的邊長(zhǎng)a為320mm,邊長(zhǎng)b為156mm, c的長(zhǎng)度為2. 8mm。娃片的厚度為 190+/_20 u rrio
在根據(jù)本發(fā)明的晶體硅片的上述實(shí)施方式的一個(gè)具體實(shí)施例中,主體為長(zhǎng)方形的鑄造單晶娃片的邊長(zhǎng)a為390mm,邊長(zhǎng)b為156mm, c的長(zhǎng)度為3. 5mm。娃片的厚度為200+/—20 u rtio
根據(jù)本發(fā)明的硅片制造方法,包括,將按太陽(yáng)能晶體鑄錠方法生長(zhǎng)的鑄造晶體硅錠開(kāi)方,獲得截面邊長(zhǎng)分別為250mm、125mm、高度為2600mm的四棱柱形硅方錠,任選將四條棱邊做小倒角加工,將獲得的硅方錠的邊長(zhǎng)為2600_、125_的平面硅面作為固定接觸面, 把硅方錠粘結(jié)在工裝上;將至少一個(gè)固定了硅方錠的工裝裝載到切片機(jī)的切割工位,按沿垂直于長(zhǎng)軸的方向切割娃方錠的方式,啟動(dòng)切片機(jī)切割娃方錠,切割完成后卸載并取下獲得的硅片,得到多個(gè)長(zhǎng)方形晶體硅片,其邊長(zhǎng)為250_、125_。
根據(jù)本發(fā)明的硅片制造方法,將晶體硅錠開(kāi)方,獲得截面邊長(zhǎng)分別為260mm、 130_、高度為2600_的四棱柱形硅方錠,任選將四條棱邊做小倒角加工,將獲得的硅方錠的邊長(zhǎng)為2600mm、130mm的平面硅面作為固定接觸面,把硅方錠粘結(jié)在工裝上;同時(shí),將該粘結(jié)固定接觸面的斜對(duì)側(cè)的邊長(zhǎng)為260mm、2600mm的側(cè)面的至少一部分,任選粘結(jié)固定或緊密貼合在工裝上,將工裝連同硅方錠裝載到切片機(jī)的切割工位,按沿垂直于長(zhǎng)軸的方向切割硅方錠的方式,啟動(dòng)切片機(jī)切割硅方錠,切割完成后卸載并取下獲得的硅片,得到多個(gè)長(zhǎng)方形晶體娃片,其邊長(zhǎng)為260mm、130mm。
本發(fā)明的上述將硅方錠的2個(gè)面與工裝粘結(jié)固定,適合于粘結(jié)劑強(qiáng)度不高、或目標(biāo)硅片的長(zhǎng)短邊比值較大、硅錠重量較大的情況,或硅方錠傾斜切割的情況,可增加硅方錠的固定牢固程度,確保切割中硅方錠不會(huì)從工裝上掉落。
本發(fā)明的上述將硅方錠的第2個(gè)面與工裝貼緊的方法,可利用壓力使工裝面壓緊在硅平面表面,將該被壓緊的表面作為切割線切割終點(diǎn)的出刀口面,可減少表面的崩邊、硅落等不良。
取上述各實(shí)施例的晶體硅片,將其按常規(guī)的晶硅電池片制造方法和制程制成電池片,即獲得本發(fā)明的晶體硅太陽(yáng)能電池片,它具有呈現(xiàn)為長(zhǎng)方形的主體輪廓,其長(zhǎng)方形的長(zhǎng)、短邊長(zhǎng)之比在1.1 4 之間,例如,1. 2,1. 3,1. 4,1. 5,1. 6,1. 7,1. 8,1. 9,2. 0,2. 01,2.1,2.2,2. 45,2. 5,等等。將至少一個(gè)該電池片封裝成光伏電池組件,即獲得本發(fā)明的一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置。
取邊長(zhǎng)分別為250mm、125mm的P型摻雜的晶體娃片,經(jīng)表面制絨、磷擴(kuò)散制pn結(jié)、 腐蝕去磷硅玻璃、邊緣刻蝕、鍍減反射膜、電極印刷、燒結(jié)等常規(guī)電池片制作工藝處理,制成本發(fā)明的一種新型晶體硅太陽(yáng)能電池片。它具有呈現(xiàn)為長(zhǎng)方形的主體輪廓,其長(zhǎng)方形的長(zhǎng)、 短邊長(zhǎng)之比為2。
將上述至少一個(gè)電池片,用底板和透光的面板封裝,并設(shè)置可收集電池片產(chǎn)生的電流的輸出端子,即獲得本發(fā)明的一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置。將其作為光伏電池組件,和支架、 控制器、輸出電纜連接起來(lái),即構(gòu)成一個(gè)本發(fā)明的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。
取邊長(zhǎng)分別為250mm、125mm的電池片9片,3個(gè)一組拼排成3列置于封裝底板上, 設(shè)置連接各電池片導(dǎo)電線柵的、可收集電池片產(chǎn)生的電流的輸出端子,用EVA和透光的面板做層壓封裝,并即獲得本發(fā)明的一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置。將其作為光伏電池組件,和支架、 控制器、輸出電纜連接起來(lái),即構(gòu)成一個(gè)本發(fā)明的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。
按本發(fā)明的方法切割硅方錠獲得邊長(zhǎng)為234mm、156mm,厚度200 μ m的本發(fā)明的長(zhǎng)方形硅片,其單片實(shí)測(cè)面積為36490mm2,消耗相同的硅方錠粘結(jié)固定時(shí)間和切割裝載、卸載時(shí)間,較現(xiàn)有的邊長(zhǎng)為156_的方形硅片,多產(chǎn)出硅片面積50%。同時(shí),按單位硅片面積計(jì)算的硅片分選、電池片制造速度也得到明顯提高。
根據(jù)本發(fā)明的硅片方案制造的220*110*0. 16mm超薄硅片,較同樣面積的 156*156*0. 18mm普通硅片,每公斤硅方錠可多產(chǎn)出3. 3片,產(chǎn)出提高6. 3%,顯著降低了硅片成本,并因而降低了本發(fā)明的晶硅電池片和太陽(yáng)能發(fā)電裝置的成本。
本發(fā)明發(fā)現(xiàn),長(zhǎng)方形的硅片的長(zhǎng)短邊長(zhǎng)之比,如果低于1. 1,則其降低成本的效果不明顯;如果高于4,會(huì)導(dǎo)致制造加工過(guò)程中不方便操作并易于遭受機(jī)械損傷;而比值1.5+/-0. 05和2. 0+/-0. 05最適合硅片、電池片的加工操作和有最佳的外觀效果;比值1.45 2. 55處于優(yōu)選范圍。
本發(fā)明所述的晶體硅片和電池片,包括含各種摻雜劑的晶體硅片和電池片,例如含有基于電池片性能基礎(chǔ)所需要的P型摻雜劑硼、鎵或N型摻雜劑磷、銻的硅片和電池片, 含有性能改良劑例如鍺的晶體硅片、電池片。其中,摻雜劑含量一般不超過(guò)49 %,例如,含鍺約30%的晶體硅片和由此硅片制成的電池片。
本發(fā)明使用的硅片具有半導(dǎo)體性質(zhì),并利用其半導(dǎo)體性質(zhì)制成摻雜的晶體硅片, 用于制作太陽(yáng)能電池片。具有同樣半導(dǎo)體性質(zhì)的鍺、砷化鎵、碳化硅合金等也可適用本發(fā)明。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見(jiàn),在不偏離本發(fā)明的范圍或構(gòu)思的情況下,可以對(duì)所披露的結(jié)構(gòu)和方法做出各種修改和變形。
本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方案只是示例性的,考慮到說(shuō)明書(shū)以及實(shí)踐本文中披露的發(fā)明精神,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以顯而易見(jiàn)本發(fā)明的其他實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能晶體硅片,具有主體為長(zhǎng)方形的輪廓,本發(fā)明的特征是,構(gòu)成硅片所述的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體硅片,其特征是,所述的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1. 45 2. 55之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1 2所述的晶體硅片,其特征是,硅片的長(zhǎng)邊所在的相對(duì)兩側(cè)近邊緣處厚度之差(TTV)小于15um。
4.一種晶體硅太陽(yáng)能電池片,具有主體為長(zhǎng)方形的輪廓,本發(fā)明的特征是,構(gòu)成所述的電池片長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池片,其特征是,所述的電池片的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1. 45 2. 55之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4 5所述的太陽(yáng)能電池片,其特征是,構(gòu)成電池片的硅片的長(zhǎng)邊所在的相對(duì)兩側(cè)近邊緣處厚度差小于15um。
7.制造具有長(zhǎng)方形主體輪廓的晶體硅片的方法,其特征是,以四棱柱形的晶體硅方錠與長(zhǎng)軸平行方向的較窄的側(cè)面的至少部分表面作為固定接觸面將硅方錠固定在工裝上,沿垂直于長(zhǎng)軸的方向?qū)⑼薹藉V切割成娃片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征是,將所述的硅方錠的作為固定接觸面的較窄的側(cè)面斜對(duì)側(cè)的側(cè)面的至少部分表面也作為接觸面貼緊或固定在工裝上。
9.一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置,包含至少一個(gè)具有長(zhǎng)方形輪廓的太陽(yáng)能電池片、封裝該太陽(yáng)能電池片的底板和透光的面板、收集電池片產(chǎn)生的電流的輸出端子,其特征是,構(gòu)成所述的電池片長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1.1 4之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置,其特征是,所述的太陽(yáng)能電池片的長(zhǎng)方形輪廓的長(zhǎng)邊與短邊邊長(zhǎng)之比在1. 45 2. 55之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及以晶體硅或鑄造晶體硅或硅合金為主體的太陽(yáng)能電池片和晶體硅片及太陽(yáng)能發(fā)電裝置。鑄造晶體硅片或一些非鑄造的晶體硅片通常用來(lái)制作晶體硅太陽(yáng)能電池片,而晶體硅太陽(yáng)能電池片用來(lái)制作太陽(yáng)能發(fā)電裝置。本發(fā)明提出了幾何形狀改進(jìn)的鑄造和非鑄造晶體硅片、鑄造晶體硅太陽(yáng)能電池片和及其制成的太陽(yáng)能發(fā)電裝置,較現(xiàn)有的硅片、電池片和太陽(yáng)能發(fā)電裝置,具有更低的制造成本和更高的產(chǎn)出能力。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK103022179SQ201110304519
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者趙鈞永 申請(qǐng)人:趙鈞永
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